JPWO2006082780A1 - 基板処理方法、基板処理装置及び制御プログラム - Google Patents
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- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
Description
また、本発明は以下の詳細な説明によりさらに完全に理解できるであろう。本発明のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明により明らかとなろう。しかしながら、詳細な説明及び特定の実例は、本発明の望ましい実施の形態であり、説明の目的のためにのみ記載されているものである。この詳細な説明から、種々の変更、改変が、本発明の精神と範囲内で、当業者にとって明らかであるからである。
出願人は、記載された実施の形態のいずれをも公衆に献上する意図はなく、開示された改変、代替案のうち、特許請求の範囲内に文言上含まれないかもしれないものも、均等論下での発明の一部とする。
本明細書あるいは請求の範囲の記載において、名詞及び同様な指示語の使用は、特に指示されない限り、または文脈によって明瞭に否定されない限り、単数および複数の両方を含むものと解釈すべきである。本明細書中で提供されたいずれの例示または例示的な用語(例えば、「等」)の使用も、単に本発明を説明し易くするという意図であるに過ぎず、特に請求の範囲に記載しない限り、本発明の範囲に制限を加えるものではない。
また、上方気体供給ノズル及び水供給ノズルを基板の中心部側から周縁部側に移動させる移動機構を備えた場合は、基板の回転で生じる遠心力による水の移動を助けることができ、基板上で水切れが生じないように積極的に水を供給し続けることにより水切れが生じないうちに水の周縁部に向けた移動を完了させることができる。そのため、基板外周部の遠心力が表面張力を上回るような回転数の場合で、基板寸法が特に200mm以上の場合に起こりやすい基板外周部での液膜の途切れによる水滴の発生という問題が解決できて、基板上にウォーターマークを発生させない基板処理装置となる。
2 研磨装置
3 無電解めっき装置
10 基板保持部
11 ローラー
16 保持部吸引部
17 カバー
18、45 導電部
20 水供給ノズル
21、31 揺動アーム
22、32 駆動軸
23、33 駆動源
30 上方気体供給ノズル
40 下方気体供給ノズル
44 周縁吸引部
48 制御部
50 ロールスクラブ洗浄ユニット
60 ペンシルスクラブ洗浄ユニット
110 研磨ユニット
305a、305b 無電解めっきユニット
W 基板
図1(a)は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置1の模式的斜視図である。基板処理装置1は、基板W(図1(a)には二点鎖線で図示)を保持して回転させる基板保持部10と、基板Wの上面に洗浄用の水を供給する水供給ノズル20およびリンス水供給ノズルとしての上面用固定リンスノズル28と、基板Wの上面に乾燥用の気体を供給する上方気体供給ノズル30と、基板Wの下面に洗浄用の水を供給するリンス水供給ノズルとしての下面用多穴リンスノズル34と、基板Wの下面に乾燥用の気体を供給する下方気体供給ノズル40と、基板保持部10に付着した水を吸引する保持部吸引部14と、基板Wの周縁部から水を吸引する周縁吸引部44と、これらの部材の動作を制御する制御部48とを含んで構成されている。
基板Wは、ダマシン配線が形成されている。ダマシン配線とは、絶縁膜で被覆した基板に所定のパターンの配線溝を形成し、この配線溝を金属で埋めることによって形成する配線である。近年は、配線金属として銅ないしその合金が、絶縁膜としてはいわゆる低誘電率膜(Low−k膜)が採用されるのが一般的であり、このような配線をCu/Low−k配線という。Cu/Low−k配線は、一般に、銅部分は水に濡れやすく(親水性)、低誘電率膜部分は撥水性(疎水性)を有するという特性がある。基板Wは、配線面に親水部と疎水部とがランダムに形成されるため濡れ性が不均一となる。なお、本発明者らは、いわゆる低誘電率膜自身の水に対する接触角は少なくとも60度以上であるが、配線形成のためCMPなどの削膜処理を行うとC−H基など疎水性を発現する部分の化学結合の一部が切断され親水基に変化し、処理後の低誘電率膜の接触角は当初の半分程度に低下するという知見を得ている。さらにこの事実を基に、Cu/Low−k配線を対象とする場合の絶縁膜部分の水に対する接触角は少なくとも30度以上、最大でも80度以下であるという知見を得ている。そして、このような水に対する接触角が30度〜80度程度の部分に水染み(ウォーターマーク)が発生しやすいという事実を認識した。このような接触角の面は、いわば疎水性と親水性の中間的な濡れ性を有する面であり、ウォーターマークが生じやすい。
基板保持部10は、基板Wの端部を保持するクランプ部12を有するローラー11を備えている(図3参照)。本実施の形態の基板処理装置1は、4つの基板保持部10A、10B、10C、10Dを備えているが、基板Wを適切に保持することができれば4つに限定されず、3つ以上あればよい。3つの場合、各ローラーが干渉しにくく安定性がよい。4つ以上の場合は、基板を周辺上の多くの点で支持するので基板に大きめの外力がかかっても基板の強度上の問題が生じにくい。特に4〜6程度が好適である。なお、基板保持部10A〜10Dは同じ構成を有しており、これらを区別して説明する必要があるときは基板保持部10A、…と表現し、それぞれ共通する説明をするときは単に基板保持部10と表現する。基板Wは基板保持部10A〜10Dによりほぼ水平に保持される。基板保持部10は、そのクランプ部12が基板Wのほぼ中心方向へ向けた所定の押圧力で基板Wの端部と接触し、不図示の回転駆動手段によってすべての基板保持部10のローラー11をその軸回りに所定の同一回転速度かつ同一方向に回転させ、基板保持部10と基板Wの端部との摩擦によって基板Wに回転力を付与しつつ保持する。基板Wを回転させることができれば、すべての基板保持部10A〜10Dのうち、少なくとも一つだけ回転駆動させてもよい。ここでのローラー11の材料としては耐薬品性のフッ素系樹脂であるPVDFを用いている。さらに、いずれの個数の場合も基板の取りはずしに問題がなければ、保持の際、ローラーすべての保持力の向きは基板中心に向かう方向となるようにする。
図4(a)に示すように、独立型では、最初に上方気体供給ノズル30が基板Wのほぼ中心に、水供給ノズル20が基板Wの中心よりも外周側に配置される。すなわち、水供給ノズル20は、基板Wの半径方向において上方気体供給ノズル30よりも外側に位置している。基板Wが図中Sの方向(時計方向)に回転すると、揺動アーム21、31は揺動軸22、32を中心として、それぞれ独立に、水供給ノズル20および上方気体供給ノズル30が半径方向の外側に移動するように揺動する。揺動アーム21、31の揺動により、水供給ノズル20は図中の軌跡20Mに沿って、上方気体供給ノズル30は軌跡30Mに沿ってそれぞれ円弧軌道を描いて移動する。ここで揺動アーム21、31が十分に長ければ、前記円弧軌道はほぼ直線軌道となる。また、ここでは揺動という言葉を使用しているが、ノズルは気体又は水をふきだしながら基板の中心側から外側方向に一方向の移動をする。即ちアームは回動する。しかしながら洗浄の開始位置に戻るときは逆方向に回動するので、合わせて揺動という。水供給ノズル20と上方気体供給ノズル30との位置関係は、その移動の過程において、水供給ノズル20から供給される水が、上方気体供給ノズル30から供給される気体により、干渉を受けない位置にある。典型的には図4(a)の軌跡20M、30Mで示したように、水供給ノズル20が基板Wの中心に対して上方気体供給ノズル30とほぼ点対称の位置となることが好ましい。しかしながらこれに限らず、基板の中心からそれぞれのノズルを見た角度でプラスマイナス30度以上、好ましくは60度以上、さらに好ましくは90度以上、最も好ましくは135度以上、それぞれ離れた位置である。これにより、液面の乱れを防ぎ、ひいてはウォーターマークが形成されることを防ぐことができる。
下面用多穴リンスノズル34は、基板Wの直径よりも大きい長さを有した本体35に複数の噴出口36がほぼ等間隔に配設されており、基板保持部10にほぼ水平に保持された基板Wの下方に、基板Wの中心の鉛直下方を通るように配置されている。下面用多穴リンスノズル34からは基板Wの下面に向かって水が供給され、基板Wの中心を通る直線方向(基板Wの直径)にほぼ均一に水が噴出される。下面用多穴リンスノズル34から供給される水は、水供給ノズル20から供給される水と同じであり、純水、脱イオン水、炭酸ガス溶解水等が用いられる。下面用多穴リンスノズル34から供給される水は、水供給ノズル20から供給される水と同様に、基板Wの種類や基板Wに形成された配線パターンの構成、水を噴出する角度、基板処理装置1が置かれる雰囲気(温度、圧力、クリーン度等)等の諸条件により、純水、脱イオン水、炭酸ガス溶解水、IPA等のアルコール類、有機溶剤等の中から最適なものを選択するようにしてもよく、このような選択は、典型的には制御部48がつかさどる。また、下面用多穴リンスノズル34から供給される水は、水供給ノズル20から供給される水と同様に加温されるとよい。
ダマシン配線が形成された洗浄を行うべき基板Wの表面は、前工程において全面的に水で被覆されて基板処理装置1に搬送されてくる。このとき、前工程において被覆された水が基板Wから覆水したときは、基板Wが回転させられる前に、水供給ノズル20および上面用固定リンスノズル28の少なくとも一方から基板Wに水を供給してもよい。なお、ここで基板Wを被覆する水は、典型的には純水である。しかしながら、有機溶剤、アルコール類、またはアルコール類と純水の混合物としてもよい。この場合は基板Wの乾燥前に低流量で薄い液膜を容易に形成することができ、基板W表面上の液切れによるウォーターマーク形成を防止することができればよい。基板Wは、4つの基板保持部10のローラー11が有するクランプ部12により適切な押圧力でほぼ水平に保持される。ほぼ水平に保持された基板Wは、ローラー11が軸まわりに回転することにより1000rpm以下で回転させられることが可能である。特に基板Wの回転速度は30〜800rpmとするのが好ましい。さらに、基板Wの回転速度を300〜500rpmとすると一体型の移動機構においても適用可能となりより好ましい。回転速度を高くすると遠心機を囲むカップ部に水滴が衝突して跳ね返り、基板W上にウォーターマークを形成する原因となるので、上限を800rpm程度とすることが望ましい。このように回転速度の上限を制限するのは、回転速度を高くすると、直径が200mm以上のような大きな基板では、遠心力の大きい外周付近で水切れを生じやすく、ウォーターマークが発生しやすくなるからである。なお、ローラー11は、上記のような回転速度範囲と後述の下表面の乾燥を考慮すると、ハード的には基板Wの回転速度を30〜1000rpmとすることができるようにするとよい。
図6は、表面張力を低下せしめる物質の蒸気(以下、この段落では単に「蒸気」という。)の供給量と基板W上における乾燥用気体流の位置との関係を示すグラフである。図中、縦軸は蒸気Vの供給量を、横軸は基板Wの半径上の位置を示し、「C」が基板Wの中心を、「E」が基板Wの端部を表している。図6に示すように、当初は、乾燥用気体流が基板Wの中心側から周縁部側に移動しても蒸気Vの供給量は一定の値を維持している。乾燥用気体流が基板Wの半径のほぼ半分に至ったとき、蒸気の供給量が徐々に大きくなり、所定の値になったところで、乾燥用気体流が基板Wの端部に至るまでその所定の値を維持している。乾燥用気体への表面張力を低下せしめる物質の蒸気の含有量は、乾燥用気体流の中心側から周縁部側への移動に伴って、2段階あるいは3段階以上で変化させてもよく、また、無段階で変化させてもよい。なお、乾燥用気体に蒸気を含有させる場合、噴射する乾燥用気体の流量は、蒸気を含有させない場合に比べて低流量で足りる。
(1)基板Wの回転速度500rpmで1秒間回転させた後に100rpm/s((10π/3)rad/s2)の加速度で基板Wの回転速度を1000rpmまで上昇させ、この速度で45秒間回転させた後に100rpm/s((10π/3)rad/s2)の加速度で基板Wの回転を停止させた。
(2)基板Wの回転速度1000rpmで1秒間回転させた後に250rpm/s((25π/3)rad/s2)の加速度で基板Wの回転速度を1400rpmまで上昇させ、この速度で22秒間回転させた後に500rpm/s((50π/3)rad/s2)の加速度で基板Wの回転を停止させた。
(3)基板Wの回転速度500rpmで1秒間回転させた後に100rpm/s((10π/3)rad/s2)の加速度で基板Wの回転速度を1400rpmまで上昇させ、この速度で22秒間回転させた後に500rpm/s((50π/3)rad/s2)の加速度で基板Wの回転を停止させた。
上記各条件につき2枚ずつサンプル評価した結果、検出した異物の個数は、(1)の場合27、22、(2)の場合52、47、(3)の場合36、36、となった。結果から明らかなように、上記3つの条件のうちでは(1)の場合が最もウォーターマークの発生率が低くなると推測できる。
図10は、基板処理装置1、1Eを備えた研磨装置の模式的平面図である。研磨装置2は研磨部100と洗浄部200とによって構成される。研磨部100は研磨ユニット110と基板Wの受け渡しを行うワーク受渡装置120が配置されている。研磨ユニット110は中央にターンテーブル111を設置し、その一方側にトップリング112を取付けた研磨機113、他方側にドレッシングツール114を取付けたドレッシングユニット115が配置された構成である。また、洗浄部200は、中央に矢印Z方向に移動可能な2台の搬送ロボット210および220が配置され、その一方側にロールスクラブ洗浄ユニット50、ペンシルスクラブ洗浄ユニット60および本発明の実施の形態に係る基板処理装置1、1Eを並べて直列に配置し、他方に基板Wを反転させる2台のワーク反転機201、202が配置されている。
Claims (56)
- 基板の表面をあらかじめ水で被覆する工程と;
前記基板を前記表面を上側にしてほぼ水平に保持して該水平面内で回転する工程と;
前記基板の上側の表面に、前記基板の表面の面積に比較して細い乾燥用気体流を吹き付ける工程とを備え;
前記乾燥用気体流を吹き付けつつ前記水平面内の回転により前記基板の上表面から前記水を除去する;
基板処理方法。 - 前記基板の上表面が絶縁膜で構成され、さらに前記基板の上表面の少なくとも一部が金属膜部分で構成された、請求項1に記載の基板処理方法。
- 基板に対して平坦化処理又は無電解めっき処理を施す工程と;
前記基板をほぼ水平に保持して該水平面内で回転する工程と;
前記処理を施した前記基板の上表面を水で被覆する工程と;
前記基板の上表面に、前記基板の表面の面積に比較して細い乾燥用気体流を吹き付ける工程とを備え;
前記乾燥用気体流を吹き付けつつ前記水平面内の回転により前記基板の上表面から前記水を除去する;
基板処理方法。 - 前記基板の下側の表面に、前記基板の表面の面積に比較して細い乾燥用気体流を吹き付ける工程を備える、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の上表面を水で被覆する工程に先立って前記基板の上表面をスクラブ洗浄する工程を備える、請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記水が、少なくとも溶存塩類を除去した脱イオン水である、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記水が、炭酸ガスを溶解せしめた炭酸ガス溶解水であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記水を加温する工程を備える、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記乾燥用気体の相対湿度が10%以下である、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 水に可溶性であり、水に溶解するとその表面張力を低下せしめる物質の蒸気を、前記気体が含有する、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記気体に含有される前の液体の、前記水に溶解するとその表面張力を低下せしめる物質が、所定の温度に保温された、請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記基板を回転保持する保持部を介して前記水を吸引する工程を備える、請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の周縁部で前記水を吸引する工程を備える、請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記気体流は、前記乾燥用気体を前記基板の表面に供給しながら前記基板の中心側から周縁部側へ移動するように構成された、請求項1乃至請求項13のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記気体流が、前記乾燥用気体を前記基板の表面に供給しながら前記基板の中心側から周縁部側へ移動するように構成され;
前記水に溶解するとその表面張力を低下せしめる物質の蒸気の前記気体への含有量が、前記基板の中心側に前記乾燥用気体流があるときよりも前記基板の周縁部側に前記乾燥用気体流があるときの方が大きい;
請求項10に記載の基板処理方法。 - 前記気体流の移動により、前記基板に被覆した水を前記基板の中心部から周縁部側へ徐々に押し出しつつ前記基板を該中心部から周縁部側へ徐々に乾燥させる、請求項14又は請求項15に記載の基板処理方法。
- 前記基板の上方から前記基板の上表面に、前記基板の表面の面積に比較して細い水流を噴きつける工程であって、前記水流の噴きつけ位置は、前記気体流の吹き付け位置よりも径方向外周側にある、水流噴きつけ工程と;
前記水流を噴きつけつつ、前記気体流の移動に伴い前記水流を前記基板の中心側から周縁部側へ移動させる工程とを備えた、請求項14乃至請求項16のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記基板の上表面に噴きつける水流の流量が、前記基板の中心側に前記水流があるときよりも前記基板の周縁部側に前記水流があるときの方が小さい;
請求項17に記載の基板処理方法。 - 前記基板の中心側から周縁部側への前記気体流の移動速度が、前記気体流の移動開始時よりも前記気体流の移動停止時の方が遅い、請求項14乃至請求項18のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記水流噴きつけ位置が、前記気体流による干渉を受けない位置である、請求項16乃至請求項19のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の回転速度が30rpm以上、800rpm以下である、請求項1乃至請求項20のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の回転速度が、前記基板の中心側に前記水流があるときよりも前記基板の周縁部側に前記水流があるときの方が小さい;
請求項16乃至請求項21のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記気体流の吹き付けに先立って前記基板の下表面に水を供給する工程を備え;
前記気体流が移動する際に前記基板の下表面に乾燥用気体を吹き付けるように構成された;
請求項14乃至請求項22のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記基板の回転速度を第1の所定の回転速度にする工程と;
前記水流が前記基板の外周端部に到達したときに前記水流を停止する工程と;
前記気体流が前記基板の外周端部に到達したときに前記気体流の移動を停止する工程と;
前記気体流が前記基板の外周端部にある状態で前記基板の回転速度を上昇させ、前記基板の回転速度が前記第1の所定の回転速度よりも高い第2の所定の回転速度に到達したときに前記気体流を停止する工程とを備える;
請求項17乃至請求項23のいずれか1項に記載の基板処理方法。 - 前記基板の上表面から前記水を除去した後に、前記基板の下表面を乾燥させる工程を備える; 請求項1乃至請求項24のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記基板の下表面を乾燥させる工程において、前記基板の回転速度を変化させる;
請求項25に記載の基板処理方法。 - 前記基板の回転速度の変化を、(20π/3)rad/s2以下の加速度で行う;
請求項26に記載の基板処理方法。 - 基板をほぼ水平に保持して回転させる基板保持部と;
前記基板保持部に保持された基板の上方に配置され、該基板の上側の表面に気体を供給する上方気体供給ノズルと;
前記基板保持部に保持された基板の上方に配置され、該基板に水を供給する水供給ノズルであって、前記基板の径方向において前記上方気体供給ノズルよりも外側に配置された水供給ノズルと;
前記上方気体供給ノズル及び前記水供給ノズルを基板の中心部側から周縁部側に移動させる移動機構を備えた;
基板処理装置。 - 蒸気として前記気体に含有させる、前記水に溶解するとその表面張力を低下せしめる物質を、所定の温度の液体の状態で貯留する恒温槽を備えた;
請求項28に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持部に付着した水を吸引する保持部吸引部を更に備えた;
請求項28又は請求項29に記載の基板処理装置。 - 前記基板の周縁部から前記水を吸引する周縁吸引部を更に備えた;
請求項28乃至請求項30のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記保持部吸引部および周縁吸引部は、導電性材料によって形成された導電部を有し、該導電部は接地されている、請求項31に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部に保持された基板の下方に配置され、該基板の下側の表面に気体を供給する下方気体供給ノズルを備え;
前記基板保持部は、保持される基板の端部に接触するローラーを有し、前記ローラーは保持される基板との接触を保ちつつその軸周りに回転する、請求項28乃至請求項32のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板保持部に保持された基板の下方に配置され、該基板の下側の表面に気体を供給する下面気体供給ノズルを備え;
前記基板保持部は、前記基板を保持するチャック爪を有する、請求項28乃至請求項32のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記下面気体供給ノズルは、前記チャック爪に保持された基板のほぼ中心の下方に配置され、前記下面気体供給ノズルから供給される気体が頂部を下方とする円錐状に噴射されるように構成された、請求項34に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持部に付着した水が保持される基板に飛散しないように前記保持部の少なくとも一部をカバーするカバーを備えた、請求項28乃至請求項35のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の上表面に水を供給する上方リンス水供給ノズルと;
前記基板の下表面に水を供給する下方リンス水供給ノズルとを備えた;
請求項28乃至請求項36のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記水供給ノズルから供給される水、前記上方リンス水供給ノズルから供給される水、及び前記下方リンス水供給ノズルから供給される水の少なくとも1つが加温された、請求項37に記載の基板処理装置。
- 前記下方リンス水供給ノズルから供給される水が加温された、請求項37に記載の基板処理装置。
- 前記移動機構が、前記上方気体供給ノズル及び前記水供給ノズルを基板の中心部側から周縁部側に移動させるときに、前記上方気体供給ノズル及び前記水供給ノズルの移動開始時の移動速度よりも移動停止時前の移動速度の方が遅くなるように構成された、請求項28乃至請求項39のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の回転速度が30rpm以上、800rpm以下である、請求項28乃至請求項40のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の中心側に前記水供給ノズルがあるときの前記基板の回転速度よりも前記基板の周縁部側に前記水供給ノズルがあるときの前記基板の回転速度の方が小さくなるように前記基板を回転させる制御部を備える;
請求項28乃至請求項41のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板の中心側に前記水供給ノズルがあるときの前記基板に供給される前記水の流量よりも前記基板の周縁部側に前記水供給ノズルがあるときの前記基板に供給される前記水の流量の方が小さくなるように前記水供給ノズルから前記基板に供給される前記水の流量を調節する制御部を備える;
請求項28乃至請求項42のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記上方気体供給ノズル及び前記水供給ノズルを基板の中心部側から周縁部側に移動する際に前記基板の回転速度を第1の所定の回転速度にし、前記水供給ノズルが前記基板の外周端部に到達したときに前記水供給ノズルからの前記水の供給を停止し、前記上方気体供給ノズルが前記基板の外周端部に到達したときに前記上方気体供給ノズルの移動を停止しつつ前記基板の回転速度を上昇させ、前記基板の回転速度が前記第1の所定の回転速度よりも高い第2の所定の回転速度に到達したときに前記上方気体供給ノズルからの気体の供給を停止する制御部を備える;
請求項28乃至請求項43のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 前記基板の回転速度を、(20π/3)rad/s2以下の加速度で変化させる制御部を備える; 請求項28乃至請求項44のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記基板を研磨する研磨ユニットと; 前記基板をスクラブ洗浄あるいは超音波洗浄する洗浄ユニットと; 請求項28乃至請求項45のいずれか1項に記載の基板処理装置とを備えた; 研磨装置。
- 前記基板に無電解めっきを施す無電解めっきユニットと;
前記基板をスクラブ洗浄あるいは超音波洗浄する洗浄ユニットと;
請求項28乃至請求項45のいずれか1項に記載の基板処理装置とを備えた;
無電解めっき装置。 - 基板を保持して回転させる基板保持部が前記基板をほぼ水平面内で回転し;
前記基板の上方および下方にそれぞれ配置されたリンス水供給ノズルより、前記基板に水を供給して前記基板の上表面を該水で被覆し;
上方気体供給ノズルを、上方気体供給ノズルより前記基板の上表面に気体を供給しながら基板中心付近から外周部に移動し;
同時に、水供給ノズルを、上方気体供給ノズルより、径方向外周方向の位置に、前記基板の上表面に水を供給しながら移動し、前記基板の上表面の水を除去する動作を制御する制御システムを備える、基板処理装置。 - 基板処理装置に接続されたコンピュータにインストールされ、該コンピュータが該基板処理装置を制御する制御プログラムであって;
基板に対して平坦化処理又は無電解めっき処理を施す工程と;
前記基板をほぼ水平に保持して該水平面内で回転する工程と;
前記処理を施した前記基板の上表面を水で被覆する工程と;
前記基板の上表面に、前記基板の表面の面積に比較して細い乾燥用気体流を吹き付ける工程とを備え;
前記乾燥用気体流を吹き付けつつ前記水平面内の回転により前記基板の上表面から前記水を除去する基板処理方法を用いる前記基板処理装置を制御する;
制御プログラム。 - 基板処理装置に接続されたコンピュータにインストールされ、該コンピュータが該基板処理装置を制御する制御プログラムであって;
基板をほぼ水平に保持して該水平面内で回転する工程と;
前記基板の表面の面積に比較して細い、乾燥用気体流および水流を、前記基板の上方から前記基板の上表面にふき付ける工程であって、前記気体流および前記水流を、前記基板の径方向において前記気体流よりも前記水流が外側に位置するように維持しながら、前記基板の中心側から周縁部側へ移動させる工程とを備えた基板処理方法を用いる前記基板処理装置を制御する;
制御プログラム。 - 基板処理装置に接続されたコンピュータにインストールされ、該コンピュータが該基板処理装置を制御する制御プログラムであって;
基板をほぼ水平に保持して該水平面内で回転する工程と;
前記基板の上表面を水で被覆する工程と;
前記基板の表面の面積に比較して細い乾燥用気体流を前記基板の上表面に、前記基板の表面の面積に比較して細い水流を前記基板の上表面に、それぞれふき付ける工程であって、前記基板の径方向において前記上表面に吹きつける気体流よりも前記水流が外側に位置するように維持しながら、前記上表面に吹きつける気体流ならびに前記水流を、前記基板の中心側から周縁部側へ移動させつつ前記基板の上表面の水を除去する工程とを備えた基板処理方法を用いる前記基板処理装置を制御する;
制御プログラム。 - 前記基板の中心側に前記水流があるときの前記基板の回転速度よりも前記基板の周縁部側に前記水流があるときの前記基板の回転速度の方が小さくなるような制御、及び前記基板の中心側に前記水流があるときの前記水流の流量よりも前記基板の周縁部側に前記水流があるときの前記水流の流量の方が小さくなるような制御の少なくとも一方の制御を行う;
請求項50又は請求項51に記載の制御プログラム。 - 前記気体流の吹き付けに先立って前記基板の下表面に水を供給し、前記気体流が移動する際に前記基板の下表面に乾燥用気体を吹き付ける制御を行う;
請求項50乃至請求項52のいずれか1項に記載の制御プログラム。 - 前記気体流及び前記水流を前記基板の中心部側から周縁部側に移動する際に前記基板の回転速度を第1の所定の回転速度にし、前記水流が前記基板の外周端部に到達したときに前記水流を停止し、前記気体流が前記基板の外周端部に到達したときに前記気体流の移動を停止しつつ前記基板の回転速度を上昇させ、前記基板の回転速度が前記第1の所定の回転速度よりも高い第2の所定の回転速度に到達したときに前記気体流を停止する制御を行う;
請求項50乃至請求項53のいずれか1項に記載の制御プログラム。 - 前記基板の上表面から前記水を除去した後に、前記基板の下表面を乾燥させる工程を備え; 前記基板の下表面を乾燥させる工程において、前記基板の回転速度を(20π/3)rad/s2以下の加速度で変化させるように構成された; 請求項49乃至請求項54のいずれか1項に記載の制御プログラム。
- 請求項1乃至請求項27のいずれか1項に記載の基板処理方法により基板を洗浄する工程と; 前記基板に半導体デバイスを形成する工程とを備える; 半導体デバイスの製造方法。
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