CN112338640B - 化学机械抛光方法和装置 - Google Patents

化学机械抛光方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112338640B
CN112338640B CN202011042568.1A CN202011042568A CN112338640B CN 112338640 B CN112338640 B CN 112338640B CN 202011042568 A CN202011042568 A CN 202011042568A CN 112338640 B CN112338640 B CN 112338640B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chemical mechanical
semiconductor wafer
polishing
mechanical polishing
processing step
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011042568.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112338640A (zh
Inventor
沙酉鹤
谢越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zing Semiconductor Corp
Original Assignee
Zing Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zing Semiconductor Corp filed Critical Zing Semiconductor Corp
Priority to CN202011042568.1A priority Critical patent/CN112338640B/zh
Priority to TW109146460A priority patent/TW202212053A/zh
Priority to US17/154,850 priority patent/US20220097199A1/en
Publication of CN112338640A publication Critical patent/CN112338640A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112338640B publication Critical patent/CN112338640B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02065—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being a planarization of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种化学机械抛光方法和装置。所述方法包括提供待抛光的半导体晶圆；对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面；对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。根据本发明，将半导体晶圆上升到一定高度远离抛光垫进行悬空处理步骤，使半导体晶圆旋转，半导体晶圆表面的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物，脱离半导体晶圆表面，从而避免了晶圆表面粘附的抛光液颗粒和抛光副产物影响后续处理步骤。

Description

化学机械抛光方法和装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及化学机械抛光方法和装置。
背景技术
在半导体制造过程中，从晶圆的制造到器件的形成，存在多次对半导体晶圆进行化学机械抛光的步骤。在对半导体晶圆进行化学机械抛光的过程中，由于所用的抛光液本身含有大量的颗粒物，同时在化学机械抛光过程中本身会产生副产物、耗材碎屑等残渣，这些物质会附着于半导体晶圆的表面，如图1所示，抛光头101加持半导体晶圆100在抛光垫102的表面执行化学机械抛光工艺之后，由于在化学机械抛光过程中抛光垫表面需要喷射抛光液103，抛光液103中本身含有部分抛光颗粒P1，在化学抛光过程中由于半导体晶圆100与抛光液103反应会产生部分抛光副产物P2，这些抛光颗粒P1和抛光副产物P2往往粘附在半导体晶圆100表面。这些抛光液颗粒和抛光附产物往往后续处理步骤的效果。
例如，在需要进行多次化学机械抛光步骤的工艺中，往往对半导体晶圆先进行粗抛光再进行精抛光，以使半导体晶圆表面达到想要的抛光效果。在粗抛光的过程中半导体晶圆表面附着的抛光液颗粒和抛光副产物会影响后续精抛光的效果。再比如，在完成对半导体晶圆的化学机械抛光工艺之后进行清洗的过程中，由于半导体晶圆表面附着的抛光液颗粒和抛光副产物被带入清洗单元中，影响清洗的效果。
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种化学机械抛光方法。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：
提供待抛光的半导体晶圆；
对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面；
对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。
示例性地，在所述化学机械抛光工艺中，所述半导体晶圆位于所述第一平面的第一位置，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆的位置包括位于所述第一位置的上方的第二位置。
示例性地，还包括：
所述化学机械抛光工艺包括第一化学机械抛光工艺和第二化学机械抛光工艺，其中，所述悬空处理步骤包括在所述第一化学机械抛光工艺之后、所述第二化学机械抛光工艺之前的第一悬空处理步骤。
示例性地，所述第一化学机械抛光工艺为粗抛光工艺，所述第二化学机械抛光工艺为精抛光工艺。
示例性地，所述悬空处理步骤还包括在所述第二化学机械抛光工艺之后执行的第二悬空处理步骤。
示例性地，还包括对所述半导体晶圆进行清洗的步骤，其中，所述悬空处理步骤包括在所述化学机械抛光工艺之后、所述清洗步骤之前的第二悬空处理步骤，其中，所述半导体晶圆在所述第二悬空处理步骤中的位置位于第三位置所述半导体晶圆的卸装区。
示例性地，所述第二悬空处理步骤中的第三位置位于所述半导体晶圆的卸装区。
示例性地，所述悬空处理步骤中，所述半导体晶圆的转速为100-200rpm。
本发明还提供了一种化学机械抛光装置，包括：
抛光头，用以夹持半导体晶圆并带动所述半导体晶圆运动，其中，
所述抛光头带动所述半导体晶圆的运动包括第一运动和第二运动，
在所述第一运动下，执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述抛光头位于第一平面；
在所述第二运动下，执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述抛光头位于高于所述第一平面的第二平面并且所述抛光头夹持的所述半导体晶圆下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述抛光头旋转。
示例性地，还包括：
清洗液供给装置，用以在所述悬空处理步骤中向所述化学机械抛光工艺中的抛光垫表面供给清洗液。
示例性地，所述抛光头在所述悬空处理步骤中的位置包括第一位置，所述第一位置位于所述抛光头在所述化学机械抛光工艺中的位置的上方。
示例性地，还包括：
晶圆卸装装置，用以在承载所述抛光头卸装的所述半导体晶圆，所述抛光头在所述悬空处理步骤中的位置包括第三位置，所述第三位置位于所述晶圆卸装装置的上方。
根据本发明的化学机械抛光方法和系统，在执行了化学机械抛光工艺之后，将半导体晶圆上升到一定高度远离抛光垫进行悬空处理步骤，使抛光头加持半导体晶圆旋转，半导体晶圆表面在化学机械抛光工艺中粘附的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物在离心力和重力的综合作用下，脱离半导体晶圆表面，从而避免了晶圆表面粘附的抛光液颗粒和抛光副产物影响后续处理步骤(如精抛光、清洗工艺)，从而减少整个抛光工艺的颗粒缺陷。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1为根据一种化学机械抛光方法处理后的半导体晶圆表面粘附抛光液颗粒和抛光副产物的示意图；
图2为根据本发明的一个实施例的一种化学机械抛光方法的示例性流程图；
图3A-图3C为根据本发明的一个实施例的一种化学机械抛光方法中加持半导体晶圆的抛光头的位置示意图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的描述，以说明本发明的化学机械抛光方法和装置。显然，本发明的施行并不限于半导体领域技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
应予以注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施例，而非意图限制根据本发明的示例性实施例。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
现在，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例性实施例。然而，这些示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施例的构思充分传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的元件，因而将省略对它们的描述。
实施例一
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种化学机械抛光方法，包括：
提供待抛光的半导体晶圆；
对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面；
对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。
下面参看图2和图3A-图3C对根据本发明的一种化学机械抛光方法进行示例性说明。其中，图2为根据本发明的一个实施例的一种化学机械抛光方法的示意性流程图；图3A-图3C为根据本发明的一个实施例的一种化学机械抛光方法中半导体晶圆和抛光垫之间的相对位置示意图。
首先，参看图2，执行步骤S1：提供待抛光的半导体晶圆。
待抛光的半导体晶圆可以是任何半导体制程中需要进行化学机械抛光工艺的晶圆，包括但不限于，在半导体硅晶圆制造过程中需要进行化学机械抛光工艺的硅晶圆，半导体器件制造的过程需要进行化学机械抛光的形成有半导体器件的半导体晶圆等。
在本实施例中，半导体晶圆为在半导体硅晶圆制造过程中需要进行化学机械抛光工艺的硅晶圆。硅晶锭在拉制成型后进行切割，切割后的晶圆需要进行化学机械抛光工艺形成表面粗糙度、颗粒度等符合要求的硅晶圆进行后续的半导体器件的制造。
接着，参看图2，继续执行步骤S2：对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面。
参看图3A，示出了半导体晶圆位于第一平面执行化学机械抛光工艺时与抛光垫之间的位置关系图。
如图3A所示，在根据本发明的一种化学机械抛光装置上执行化学机械抛光工艺。其中，化学机械抛光装置包括抛光头301，用以夹持半导体晶圆(未示出)；抛光台302，用以承载抛光垫303；以及抛光液供给装置304，用以向抛光垫303上提供抛光液305。其中，化学抛光装置还包括驱动装置(未示出)，用以驱动抛光头运动。
如图3A所示，在步骤S2中，使抛光头301夹持半导体晶圆位于第一平面。其中，第一平面为抛光垫303的表面所在的平面。抛光台302带动抛光垫303旋转，在本实施例中，如图3A所示，抛光台302和抛光垫303沿着箭头A所示的方向做逆时针旋转，与此同时，抛光头301沿着箭头B所示的方向做逆时针旋转，其中，所述半导体晶圆相对于抛光垫303运动，而对所述半导体晶圆执行所述化学机械抛光工艺。
在化学机械抛光工艺中，使抛光头旋转以带动半导体晶圆旋转而执行化学机械抛光工艺，从而在后续的步骤中，可以仅仅将抛光头抬升而不改变抛光头的旋转状态(转速、方向等)，即进行后续需要进行的悬空处理步骤，从而达到本发明的技术效果，整个过程简单；同时，采用前述仅抬升抛光头即进行悬空处理步骤的方法，可以将化学机械抛光工艺中的抛光液及其中的颗粒物和形成的抛光副产物留在化学机械抛光工艺中的抛光垫上，避免带入下一阶段的处理工艺中，从而进一步减小抛光液及其中的颗粒物和形成的抛光副产物对后续处理工艺的效果。
需要理解的是，本实施例中采用图3A中，使抛光头和抛光台均逆时针旋转的方式以执行化学机械抛光工艺仅仅是示例性的，本领域技术人员应当理解，任何能够使半导体晶圆和抛光垫之间产生相对运动的形式，均能达到化学机械抛光的效果。因此，本实施例中设置半导体晶圆在化学机械抛光工艺中绕其自身的轴心轴线逆时针旋转的方式运动也仅仅是示例性的，在其他可以实现化学机械抛光效果的旋转方式中，还可以绕抛光台的轴旋转、绕任意轴旋转等等，其均适用于本发明。
需要理解的是，本实施例中所举出的适用于本发明的化学机械抛光方法的化学机械抛光装置仅仅是示例性的，本发明的化学机械抛光方法可以适用于任何可以进行化学机械抛光的装置，本领域技术人员可以根据需要进行选择。
接着，参看图2，继续执行步骤S3：对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转。
在化学机械抛光工艺之后，将所述半导体晶圆移动至高于所述第一平面的第二平面，以使所述半导体晶圆表面下方悬空，从而执行悬空处理，在悬空处理过程中使半导体晶圆旋转，通过使半导体晶圆旋转，使半导体晶圆表面在化学机械抛光工艺中粘附的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物和在离心力和重力的综合作用下，脱离半导体晶圆表面，从而避免了晶圆表面粘附的抛光液颗粒和抛光副产物影响后续处理步骤(如精抛光、清洗工艺)的效果。
需要理解的是，本发明中，第一平面和第二平面为空间高度不同的两个水平面，其仅仅限定半导体晶圆在两个平面处的高度不同，并不限定半导体晶圆在两个平面中的位置，也就是说，只要在半导体晶圆在化学机械抛光工艺之后将半导体晶圆移动至高度与在第一抛光工艺中所处的位置不同的位置使半导体晶圆的表面下方悬空，就能执行悬空处理步骤而达到本申请的技术效果。
在根据本发明的一个示例中，在所述化学机械抛光工艺中，所述半导体晶圆位于所述第一平面的第一位置，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆的位置包括位于所述第一位置的上方的第二位置。
参看图3A-图3B，在根据本发明的一种化学机械抛光方法中，在完成如图3A所示的化学机械抛光工艺之后，直接将抛光头301抬升一高度，使抛光头301的下方悬空，即半导体晶圆的抛光的表面下方悬空。由于在如图3A所示的化学机械抛光工艺中，抛光头301带着半导体晶圆沿着箭头B所示的方向旋转，此时，抛光头301加持半导体晶圆位于第一位置；在步骤S3中，仅仅只需在完成化学机械抛光工艺时抬升抛光头301。如图3B所示，在完成步骤S2之后，抬升抛光头301，使抛光头301带动半导体晶圆上升(如图3B中箭头C所示)至第二平面，此时，抛光头301加持半导体晶圆位于第二位置，第二位置在第一位置的上方，同时继续保持抛光头301沿着箭头B所示的方向旋转，从而半导体晶圆沿着箭头B所示的方向旋转进行悬空处理步骤，在化学机械抛光工艺中粘附的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物和在离心力和重力的综合作用下，脱离半导体晶圆表面(如图3B中虚线所示)，减少了在化学机械抛光工艺中的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物在半导体晶圆表面的粘附，从而减少了化学机械抛光中的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物对后续处理步骤的影响。
示例性的，所述化学机械抛光工艺中，所述半导体晶圆位于所述第一平面的第一位置进行旋转，在所述悬空处理的步骤中所述半导体晶圆的旋转状态与所述化学机械抛光工艺中的旋转状态相同。
如图3B所示，在完成步骤S2之后，抬升抛光头301，使抛光头301带动半导体晶圆上升(如图3B中箭头C所示)至第二平面的第二位置，仅仅改变抛光头301的位置，并不改变抛光头301的运动状态，从而半导体晶圆从化学机械抛光工艺进入悬空处理步骤中的运动状态一致，简化悬空处理步骤。
示例性的，在悬空处理步骤中，所述半导体晶圆的转速为100-200rmp。在根据本发明的一个实施例中，在悬空处理中，半导体晶圆的转速为120rmp，较没有悬空处理步骤的半导体晶圆表面，颗粒缺陷减少了约15％。
在根据本发明的一个示例中，在所述悬空处理步骤中还包括对所述抛光垫进行清洗。
如图3B所示，在抛光台302带动抛光垫303沿着箭头A所示的方向旋转，抛光头301带动半导体晶圆上升(如图3B中箭头C所示)至第二平面，同时保持抛光头301沿着箭头B所示的方向旋转而进行悬空处理的步骤中，从抛光液供给装置304中输出清洗液306对抛光垫305进行清洗，在悬空处理的步骤中对抛光垫进行清洗，可以避免悬空处理步骤从半导体晶圆表面甩出的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物对遗留在抛光垫上对后续要进行化学机械抛光的半导体晶圆产生影响。
示例性的，清洗液306可以为碱性清洗液(如SC1)和/或去离子水。
在根据本发明的一个示例中，在所述悬空处理步骤中还包括对所述半导体晶圆表面进行清洗，卸装台上装有喷水孔(未示出)，打开喷水孔，使去离子水喷至晶圆表面，以完成对悬空处理步骤中半导体晶圆表面的清洗。
通过使半导体晶圆旋转的同时对半导体晶圆表面进行清洗，使在化学机械抛光工艺中粘附的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物和在离心力和重力的综合作用下脱离半导体晶圆表面的同时，通过对半导体晶圆表面的清洗，进一步确保半导体晶圆表面粘附的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物的去除。
在根据本发明的一个示例中，所述化学机械抛光工艺包括第一化学机械抛光工艺和第二化学机械抛光工艺，其中，所述悬空处理步骤包括在所述第一化学机械抛光工艺之后、所述第二化学机械抛光工艺之前的第一悬空处理步骤。
由于硅片制造与半导体制程中，往往涉及多步化学机械抛光，以使半导体晶圆最终达到符合要求的表面状态或者厚度。在根据本发明的一个实施例中，例如，硅晶圆的化学机械抛光工艺中，往往经过粗抛光和精抛光两步化学机械抛光工艺，其中粗抛光工艺采用较粗的抛光垫和抛光液，精抛光工艺中采用较细的抛光垫和抛光液，粗抛光和精抛光过程中形成的抛光副产物不同，为了避免粗抛光中的抛光液和抛光副产物对精抛光过程的影响，在粗抛光工艺之后对半导体晶圆进行悬空处理，有效减小了粗抛光液、粗抛光液中的颗粒以及粗抛光副产物对精抛光工艺的影响。
示例性的，所述第一位置为所述半导体晶圆在所述第一化学机械抛光中的位置，所述半导体晶圆在所述第一悬空处理步骤中的位置为所述第二位置。
通过在执行完第一化学机械抛光之后，在进行第一化学机械抛光位置的上方进行悬空处理步骤，使悬空处理步骤中从半导体晶圆表面甩出的第一化学机械抛光液、第一化学机械抛光液中的颗粒以及第一化学机械抛光副产物残留在第一化学机械抛光的抛光垫上，从而进一步避免对第二化学机械抛光垫的影响，也避免对第二化学机械抛光工艺的影响。同时，在配合有清洗抛光垫的悬空处理步骤中，还能够清洗掉第一化学机械抛光垫上的第一化学机械抛光液、第一化学机械抛光液中的颗粒以及第一化学机械抛光副产物。
在这样的步骤中由于在第一化学机械抛光工艺和第二化学机械抛光工艺之间增加了悬空处理步骤。本领域技术人员可以根据实际的工艺流程合理设置悬空处理步骤的时间。
在一个实施例中，所述悬空处理步骤还包括在所述第二化学机械抛光工艺之后执行的第二悬空处理步骤。
在第二机械抛光工艺之后执行第二悬空处理步骤，可以避免第二机械抛光工艺中在半导体晶圆表面粘附残留的第二化学机械抛光液、第二化学机械抛光液中的颗粒以及第二化学机械抛光副产物对后续工艺的影响。
在一个实施例中，还包括对所述半导体晶圆进行清洗的步骤，其中，所述悬空处理步骤包括在所述化学机械抛光工艺之后、所述清洗步骤之前的第二悬空处理步骤，其中，所述半导体晶圆在所述第二悬空处理步骤中的位置位于所述半导体晶圆的卸装区。
示例性的，如上述粗抛光和精抛光实施例中，精抛光为第二化学机械抛光工艺，在精抛光过程中，仍会有残留的抛光液、抛光液中的颗粒以及抛光副产物，为避免抛光液、抛光液中的颗粒以及抛光副产物对精抛光之后的清洗步骤的影响，在第二机械抛光之后还进行第二悬空处理步骤。由于第二悬空处理步骤在清洗步骤之前，第二悬空处理步骤的位置位于晶圆卸装装置处，如图3C所示，在对半导体晶圆完成化学机械抛光工艺之后，将半导体晶圆从抛光头301上卸装至晶圆卸装装置307。由晶圆卸装装置307将半导体晶圆运动至清洗位置处。此时，与半导体晶圆在第一悬空处理步骤中的位置(即在第一抛光工艺中的第一位置的上方)不同，第二悬空处理位置并不处于半导体晶圆位于的化学机械抛光工艺的抛光垫上方，从而不会对后续半导体晶圆的抛光工艺产生影响，也不会导致生产线上化学机械抛光工艺时间的增加，本领域技术人员可以根据实际的工艺流程合理设置悬空处理步骤的时间。
实施例二
本发明还提供了一种化学机械抛光装置，包括：
所述抛光头带动所述半导体晶圆的运动包括第一运动和第二运动，
在所述第一运动下，执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述抛光头位于第一平面；
在所述第二运动下，执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述抛光头位于高于所述第一平面的第二平面并且所述抛光头夹持的所述半导体晶圆下方悬空，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述抛光头旋转。
参看图3A-图3C对根据本发明的一个种化学机械抛光装置进行示例性说明。
如图3A所示，化学机械抛光装置包括抛光头301，用以夹持半导体晶圆(未示出)；抛光台302，用以承载抛光垫303；以及抛光液供给装置304，用以向抛光垫303上提供抛光液305。其中，抛光头中设置有驱动装置(未示出)，用以驱动抛光头运动。
如图3A所示，在第一运动中，使抛光头301夹持半导体晶圆位于第一平面以执行化学机械抛光工艺。其中，第一平面为抛光垫303的表面所在的平面。抛光台302带动抛光垫303旋转，在本实施例中，如图3A所示，抛光台302和抛光垫303沿着箭头A所示的方向做逆时针旋转，与此同时，抛光头301沿着箭头B所示的方向做逆时针旋转，其中，所述半导体晶圆相对于抛光垫303运动，而对所述半导体晶圆执行所述化学机械抛光工艺。
在完成如图3A所示的化学机械抛光工艺之后，如图3B所示，在第二运动中，使抛光头301夹持半导体晶圆位于第二平面以执行悬空处理步骤。在所述悬空处理步骤中所述抛光头301位于高于所述第一平面的第二平面并且所述抛光头301夹持的所述半导体晶圆下方悬空(未示出)，以及其中，在所述悬空处理步骤中所述抛光头旋转。
在悬空处理步骤中，在化学机械抛光工艺中粘附的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物和在离心力和重力的综合作用下，脱离半导体晶圆表面(如图3B中虚线所示)，减少了在化学机械抛光工艺中的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物在半导体晶圆表面的粘附，从而减少了化学机械抛光中的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物对后续处理步骤的影响,从而减少整个抛光工艺的颗粒缺陷。
示例性地，根据本发明的化学机械抛光装置还包括：清洗液供给装置，用以在所述悬空处理步骤中向所述化学机械抛光工艺中的抛光垫表面供给清洗液。
保持抛光头301沿着箭头B所示的方向旋转而进行悬空处理的步骤中，从抛光液供给装置304(作为本实施例中的清洗液供给装置的示例)中输出清洗液306对抛光垫305进行清洗，在悬空处理的步骤中对抛光垫进行清洗，可以避免悬空处理步骤从半导体晶圆表面甩出的抛光液、抛光液中的抛光颗粒和抛光副产物对遗留在抛光垫上对后续要进行化学机械抛光的半导体晶圆产生影响。
示例性的，清洗液306可以为碱性清洗液(如SC1)和/或去离子水。
示例性地，根据本发明的化学机械抛光装置，所述抛光头在所述悬空处理步骤中的位置包括第二位置，所述第二位置位于所述抛光头在所述化学机械抛光工艺中的位置的上方。
如图3A-图3B所示，在从第一运动进入到第二运动时，直接将抛光头301抬升一高度，使抛光头301的下方悬空，即半导体晶圆的抛光的表面下方悬空。由于在如图3A所示的化学机械抛光工艺中，抛光头301带着半导体晶圆沿着箭头B所示的方向旋转，此时，抛光头301加持半导体晶圆位于第一位置；在步骤S3中，仅仅只需在完成化学机械抛光工艺时抬升抛光头301。如图3B所示，在完成步骤S2之后，抬升抛光头301，使抛光头301带动半导体晶圆上升(如图3B中箭头C所示)至第二平面，此时，抛光头301加持半导体晶圆位于第二位置，第二位置在第一位置的上方，同时继续保持抛光头301沿着箭头B所示的方向旋转。
示例性的，所述化学机械抛光工艺中，所述半导体晶圆位于所述第一平面的第一位置进行旋转，在所述悬空处理的步骤中所述半导体晶圆的旋转状态与所述化学机械抛光工艺中的旋转状态相同。
如图3B所示，在完成步骤S2之后，抬升抛光头301，使抛光头301带动半导体晶圆上升(如图3B中箭头C所示)至第二平面的第二位置，仅仅改变抛光头301的位置，并不改变抛光头301的运动状态，从而半导体晶圆从化学机械抛光工艺进入悬空处理步骤中的运动状态一致，简化悬空处理步骤。
同时，这样的处理方式可以将化学机械抛光中半导体晶圆表面附着的抛光液、抛光液中的颗粒以及抛光副产物通过悬空处理步骤留在化学机械抛光的处理区域，避免引入另外的悬空处理区域，简化系统设置。
示例性地，根据本发明的化学机械抛光装置还包括：晶圆卸装装置，用以在承载所述抛光头卸装的所述半导体晶圆，所述抛光头在所述悬空处理步骤中的位置包括第三位置，所述第三位置位于所述晶圆卸装装置的上方。
如图3C所示，在对半导体晶圆完成化学机械抛光工艺之后，将半导体晶圆从抛光头301上卸装至晶圆卸装装置307。由晶圆卸装装置307将半导体晶圆运动至清洗位置处。此时，与半导体晶圆在第一悬空处理步骤中的位置在第一抛光工艺中的第一位置的上方不同，第二悬空处理位置并不处于半导体晶圆位于的化学机械抛光工艺的抛光垫上方，从而不会对后续半导体晶圆的抛光工艺产生影响，也不会导致生产线上化学机械抛光工艺时间的增加，本领域技术人员可以根据实际的工艺流程合理设置悬空处理步骤的时间。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (10)

1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：
提供待抛光的半导体晶圆；
对所述半导体晶圆执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述半导体晶圆位于第一平面；
对所述半导体晶圆执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆位于高于所述第一平面的第二平面并且所述半导体晶圆表面下方悬空，以及，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆旋转；
对所述半导体晶圆进行清洗的步骤，其中，所述悬空处理步骤包括在所述化学机械抛光工艺之后、所述清洗步骤之前的第二悬空处理步骤，其中，所述半导体晶圆在所述第二悬空处理步骤中的位置位于第三位置。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，在所述化学机械抛光工艺中，所述半导体晶圆位于所述第一平面的第一位置，在所述悬空处理步骤中所述半导体晶圆的位置包括位于所述第一位置的上方的第二位置。
3.根据权利要求2所述的化学机械抛光方法，其特征在于，还包括：
所述化学机械抛光工艺包括第一化学机械抛光工艺和第二化学机械抛光工艺，其中，所述悬空处理步骤包括在所述第一化学机械抛光工艺之后、所述第二化学机械抛光工艺之前的第一悬空处理步骤。
4.根据权利要求3所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述第一化学机械抛光工艺为粗抛光工艺，所述第二化学机械抛光工艺为精抛光工艺。
5.根据权利要求3所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述悬空处理步骤还包括在所述第二化学机械抛光工艺之后执行的第二悬空处理步骤。
6.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述第三位置位于所述半导体晶圆的卸装区。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述悬空处理步骤中，所述半导体晶圆的转速为100-200rpm。
8.一种化学机械抛光装置，其特征在于，用于执行根据权利要求1-7任一项所述的化学机械抛光方法，包括：
抛光头，用以夹持半导体晶圆并带动所述半导体晶圆运动，其中，
所述抛光头带动所述半导体晶圆的运动包括第一运动和第二运动，
在所述第一运动下，执行化学机械抛光工艺，其中，在所述化学机械抛光工艺中所述抛光头位于第一平面；
在所述第二运动下，执行悬空处理步骤，其中，在所述悬空处理步骤中所述抛光头位于高于所述第一平面的第二平面并且所述抛光头夹持的所述半导体晶圆下方悬空，以及，在所述悬空处理步骤中所述抛光头旋转；
晶圆卸装装置，用以在承载所述抛光头卸装的所述半导体晶圆，所述抛光头在所述悬空处理步骤中的位置包括第二位置，所述第二位置位于所述晶圆卸装装置的上方。
9.根据权利要求8所述的化学机械抛光装置，其特征在于，还包括：
清洗液供给装置，用以在所述悬空处理步骤中向所述化学机械抛光工艺中的抛光垫表面供给清洗液。
10.根据权利要求8所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述抛光头在所述悬空处理步骤中的位置包括第一位置，所述第一位置位于所述抛光头在所述化学机械抛光工艺中的位置的上方。
CN202011042568.1A 2020-09-28 2020-09-28 化学机械抛光方法和装置 Active CN112338640B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011042568.1A CN112338640B (zh) 2020-09-28 2020-09-28 化学机械抛光方法和装置
TW109146460A TW202212053A (zh) 2020-09-28 2020-12-28 化學機械拋光方法和裝置
US17/154,850 US20220097199A1 (en) 2020-09-28 2021-01-21 Method and device of chemical mechanical polishing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011042568.1A CN112338640B (zh) 2020-09-28 2020-09-28 化学机械抛光方法和装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112338640A CN112338640A (zh) 2021-02-09
CN112338640B true CN112338640B (zh) 2022-02-01

Family

ID=74361136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011042568.1A Active CN112338640B (zh) 2020-09-28 2020-09-28 化学机械抛光方法和装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220097199A1 (zh)
CN (1) CN112338640B (zh)
TW (1) TW202212053A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000135670A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハの化学機械研磨方法
JP2003127063A (ja) * 2001-10-22 2003-05-08 Sony Corp Ｃｍｐ装置及びｃｍｐ装置による研磨方法
TWM313303U (en) * 2006-11-30 2007-06-01 United Microelectronics Corp Disk holder and disk rotating device having the same
CN101204704A (zh) * 2006-12-20 2008-06-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种清洗晶圆表面残留物的方法
WO2008153267A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Silfine Co., Ltd. Regenerating process and regenerating system to regenerate waste slurry from semiconductor wafer manufacturing process
CN102087954A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法
CN207616417U (zh) * 2017-09-18 2018-07-17 青岛海信模具有限公司 打磨头及自清洁抛光系统
CN111215981A (zh) * 2019-12-11 2020-06-02 安徽超文玻璃科技有限公司 一种玻璃用抛光设备

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6274478B1 (en) * 1999-07-13 2001-08-14 Motorola, Inc. Method for forming a copper interconnect using a multi-platen chemical mechanical polishing (CMP) process
TW200308007A (en) * 2002-03-13 2003-12-16 Nutool Inc Method and apparatus for integrated chemical mechanical polishing of copper and barrier layers
JP4769790B2 (ja) * 2005-02-07 2011-09-07 株式会社荏原製作所 基板処理方法、基板処理装置及び制御プログラム
DE102009025243B4 (de) * 2009-06-17 2011-11-17 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung und Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe aus Silicium

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000135670A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Okamoto Machine Tool Works Ltd ウエハの化学機械研磨方法
JP2003127063A (ja) * 2001-10-22 2003-05-08 Sony Corp Ｃｍｐ装置及びｃｍｐ装置による研磨方法
TWM313303U (en) * 2006-11-30 2007-06-01 United Microelectronics Corp Disk holder and disk rotating device having the same
CN101204704A (zh) * 2006-12-20 2008-06-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种清洗晶圆表面残留物的方法
WO2008153267A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Silfine Co., Ltd. Regenerating process and regenerating system to regenerate waste slurry from semiconductor wafer manufacturing process
CN102087954A (zh) * 2009-12-04 2011-06-08 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆清洗方法
CN207616417U (zh) * 2017-09-18 2018-07-17 青岛海信模具有限公司 打磨头及自清洁抛光系统
CN111215981A (zh) * 2019-12-11 2020-06-02 安徽超文玻璃科技有限公司 一种玻璃用抛光设备

Also Published As

Publication number Publication date
TW202212053A (zh) 2022-04-01
CN112338640A (zh) 2021-02-09
US20220097199A1 (en) 2022-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102263992B1 (ko) 기판 처리 장치 및 처리 방법
US6165056A (en) Polishing machine for flattening substrate surface
TWI790319B (zh) 基板處理系統及基板處理方法
US10256120B2 (en) Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate buff pre-cleaning
JP2016043471A (ja) 基板処理装置
CN105364699B (zh) 一种化学机械研磨方法和化学机械研磨设备
WO2015182316A1 (ja) 基板処理装置
JP2016197690A (ja) 研磨装置
US20240082885A1 (en) Substrate cleaning device and method of cleaning substrate
CN112338640B (zh) 化学机械抛光方法和装置
JP2023540884A (ja) Ｃｍｐ処理のための基板ハンドリングシステム及び方法
JP6445298B2 (ja) 研磨装置、及び、処理方法
US20070232201A1 (en) Apparatus and method for polishing semiconductor wafer
JP2007301697A (ja) 研磨方法
US7004820B1 (en) CMP method and device capable of avoiding slurry residues
JP2015044250A (ja) ポリッシング方法
JP2015044251A (ja) ポリッシング方法
JPH11320385A (ja) 研磨方法及びその装置
JP7145283B2 (ja) バフ処理装置および基板処理装置
KR101042320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20220184771A1 (en) Polishing system apparatus and methods for defect reduction at a substrate edge
JP2019042923A (ja) 研磨装置、及び、処理方法
JP2013144359A (ja) 研磨パッドのドレッシング方法
WO2019208042A1 (ja) 研磨装置、ウェーハの研磨方法、及び、ウェーハの製造方法
KR101236806B1 (ko) 기판 연마 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant