JPWO2006006312A1 - 光半導体装置及び光通信装置 - Google Patents
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Abstract
Description
光ビームにより、光信号を自由空間に飛ばして接続するフリースペース光インターコネクションも研究されている。
この場合、ドライバICとレーザダイオードの間には変調信号のみを通すためにキャパシタが必要となる。このため、通常は、チップキャパシタをレーザダイオードチップの近くに実装することになる。
阪田外 Photon. Tech. Lett.,vol.8 No.2 February 1996
102 n型InPバッファ層
103 n+−InGaAs層
104 SiO2マスク
105 活性層を含むメサ
106 FeドープInP電流ブロック層
107 n型InP電流ブロック層
108 p型InPクラッド層
109 p+−InGaAsコンタクト層
110 電極引き出し用溝
111 素子分離用溝
112 SiO2膜
113 p側電極
114 n側電極
115 第1のパッド
116 第2のパッド
117 第3のパッド(キャパシタ)
118 p側電極113と第1のパッド115を結ぶ配線
119 駆動回路
120 電源ライン端子
121 交流用信号端子
122 直流用信号端子
201 n型GaAs基板
202 第1のDBR層
203 第1クラッド層
204 活性層
205 第2クラッド層
206 酸化電流狭窄部形成層
207 第2のDBR層
208 円柱状構造
209 n側電極
210 ポリイミド
211 p側リング電極
212 第1のパッド
213 第2のパッド(キャパシタ)
214 第3のパッド
215 第4のパッド(キャパシタ)
216 第1のパッド212と第2のパッド213とを結ぶ配線
217 駆動回路
218 電源ライン端子
219 交流用信号端子
220 交流用信号端子
221 直流用信号端子
222 バイアス電流制御用素子
301 n型GaAs基板
302 第1のDBR層
303 第1クラッド層
304 活性層
305 第2クラッド層
306 酸化電流狭窄部形成層
307 第2のDBR層
308 n型GaAs層
309 n型AlxGa1−xAs層
310 n型GaAs層
311 円柱状構造
312 n型GaAs層308〜n型GaAs層310を含むメサ
313 ポリイミド
314 第1のn側電極
315 第2のn側電極
316 p側リング電極
317 第1のパッド
318 第2のパッド(交流信号入力用)
319 第3のパッド(直流信号入力用)
320 インダクタ
321 駆動回路
322 電源ライン端子
323 交流用信号端子
324 直流用信号端子
325 バイアス電流制御用素子
401 p側リング電極
402 第1のパッド
403 第2のパッド(キャパシタ)
404 第3のパッド(直流信号入力用)
405 第4のパッド(キャパシタ)
406 n側電極
407 インダクタ
408 第1のパッド402と第2のパッド403とを結ぶ配線
409 駆動回路
410 電源ライン端子
411 交流用信号端子
412 交流用信号端子
413 直流用信号端子
501 制御回路
502 駆動用トランジスタ
503 半導体レーザ
601 制御回路
602 駆動用トランジスタ
603 キャパシタ
604 半導体レーザ
図1及び図2は、実施形態1に係る端面発光型レーザダイオード素子の断面図である。図3は、端面発光型レーザダイオード素子の上面図、図4は、端面発光型レーザダイオード素子を駆動回路に接続したときの回路図である。
本実施形態1に係る端面発光型レーザダイオード素子の構成及び製造方法について述べる。基板としては、面方位が(100)であって、FeをドープしたInP基板101を用いた。この基板101上に、図1に示すようにバッファ層102を形成する。その後、n+−InGaAs層103を形成せしめた後、不図示のレジスト膜を塗布した。そして、当該レジスト膜をフォトリソグラフィ工程により幅約10[μm]、間隔約20[μm]の2本のストライプ対を250[μm]ピッチでパターニングした。その後、パターンとして形成されたレジスト膜をマスクとしてn+−InGaAs層103をエッチングし、図1に示すようなパターンを得た。
続いて、SiO2マスク104を用いて、活性層及び光ガイド層の選択成長を行う。波長組成1.05[μm]のInGaAsP光ガイド層(厚さ70[nm])、波長組成1.15[μm]の光閉じ込め層(厚さ60[nm])を成長し、次に波長組成1.15[μm]のInGaAsP障壁層(厚さ10[nm])、及び、波長組成約1.4[μm]の歪InGaAsP(厚さ6[nm])からなる7周期の多重量子井戸を活性層として成長せしめた。この多重量子井戸層のバンドギャップ波長は1.3[μm]となった。その後、波長組成1.15[μm]のInGaAsP光閉じ込め層(厚さ60[nm])、p型InP層(厚さ200[nm])を成長せしめた。
なお、必要に応じてp側電極113と第1のパッド115とを結ぶ配線118のAuを除去することによりTi/Ptとして抵抗を高くし、インピーダンス整合のためのマッチング抵抗として用いてもよい。
次に、上記実施形態1の半導体装置とは異なる例の実施形態について説明する。
図5は、実施形態2に係る発振波長約0.85[μm]の面発光型レーザの断面図である。図6〜8は、面発光型レーザの一製造工程を説明するための概略説明図。図9は、面発光型レーザを駆動回路に接続したときの回路図である。
次に、上記実施形態2の面発光レーザとは異なる例について説明する。
図10は、本実施形態3に係る面発光レーザダイオード素子の構成を示す断面図である。図11及び図12は、面発光レーザダイオード素子の一製造工程を説明するための斜視図と上面図である。図14は、駆動回路に接続したときの回路図である。
基本的な構成は、上記実施形態2と同様であるが、以下の点が異なっている。すなわち、上記実施形態2においては、キャパシタを構成する誘電体膜としてSiO2を用いたが、本実施形態3においては、キャパシタを構成する誘電体として酸化させたAlGaAs層を用いている点が異なる。また、インダクタを集積している点が異なる。
酸化されたAlyGa1−yAs層309は、誘電体膜となるため、この部分がキャパシタとして機能することになる。
次に、上記実施形態2及び3の面発光レーザとは異なる実施形態について説明する。
図14は、本実施形態4に係る面発光レーザの斜視図である。本実施形態4においては、伝送線路のインピーダンスよりも抵抗の高い面発光型レーザを使用する場合のためにインピーダンス調整用のインダクタを集積した例について説明する。
次に、第1のパッド402と第2のパッド403とを結ぶTi/Pt/Auの配線408のAu部分を除去し、Ti/Ptのみからなる配線とする。これにより、配線408の部分の抵抗が伝送線路のインピーダンスと一致するようにする。
Claims (9)
- 発光部を備える発光素子と
該発光素子に直列に接続されているキャパシタが同一基板上に形成された半導体装置。 - 第1の電極、発光部、第2の電極を備える発光素子と、
下部電極、該下部電極の上に形成された誘電体、該誘電体の上に形成された上部電極を備えるキャパシタとを同一基板上に備え、
該第1の電極、又は該第2の電極と、
該下部電極、又は該上部電極とが直列に接続されている半導体装置。 - 請求項2の半導体装置において、
上記第1の電極、又は上記第2の電極にバイアス電圧が印加され、上記下部電極又は上記上部電極には交流信号が印加されることを特徴とする半導体装置。 - 発光部を備える発光素子と、
該発光素子に接続されているインダクタが同一基板上に形成された半導体装置。 - 請求項2の半導体装置において、
インダクタを備え、
該インダクタは、上記第1の電極、上記第2の電極、上記下部電極、又は、上記上部電極のいずれかに直列に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項2、3、又は5のいずれかに記載の半導体装置において、
上記誘電体は、Alを含む半導体層を酸化させた層を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜6の半導体装置において、
上記発光部は面発光型素子であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7の半導体装置において、
上記面発光型素子が面発光型レーザであることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜6に記載の半導体装置が、複数個配列された発光素子アレイからなることを特徴とする光通信装置。
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