JPWO2006001058A1 - 半導体装置及びソース電圧制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- メモリセルと、
前記メモリセルのソース線をデータの書き込み前にプリチャージするプリチャージ回路とを有する半導体装置。 - 前記プリチャージ回路は、前記メモリセルのゲート電圧の昇圧中に前記ソース線をプリチャージする回路を含む請求の範囲1記載の半導体装置。
- 前記プリチャージ回路は、複数のセクタのソース線に選択的に接続される共通ソース線の電圧と基準電圧とを比較して、該共通ソース線の電圧が一定となるように前記共通ソース線をプリチャージする回路を含む請求の範囲1又は2記載の半導体装置。
- 前記プリチャージ回路は、前記メモリセルのソース線と前記プリチャージ回路とを接続する配線の電圧と基準電圧とを比較して、前記ソース線の電圧が一定となるように制御する回路を含む請求の範囲1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ソース線の電圧が所定値以下となるように制御するクランプ回路を有する請求の範囲1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記クランプ回路は、前記メモリセルのドレインに高電圧を印加している期間だけ前記ソース線の電圧が前記所定値以下となるように制御する回路を含む請求の範囲5記載の半導体装置。
- 前記クランプ回路は、複数のセクタのソース線が選択的に接続される共通ソース線の電圧と基準電圧とを比較して、該共通ソース線の電圧が一定値となるように制御する回路を含む請求の範囲5又は6記載の半導体装置。
- 前記クランプ回路は、前記メモリセルのソース線と前記プリチャージ回路とを接続する配線の電圧と基準電圧とを比較して、前記ソース線の電圧が一定となるように制御する回路を含む請求の範囲5又は6記載の半導体装置。
- メモリセルと、
前記メモリセルへのデータの書き込み時に、前記メモリセルのソース線の電圧が所定値以下となるように制御するクランプ回路とを有する半導体装置。 - 前記クランプ回路は、前記メモリセルのドレインに高電圧を印加している間だけ前記ソース線の電圧が前記所定値以下となるように制御する回路を含む請求項9記載の半導体装置。
- 前記クランプ回路は、複数のセクタのソース線が選択的に接続される共通ソース線の電圧と基準電圧とを比較して、該共通ソース線の電圧が一定となるように制御する回路を含む請求項9又は10記載の半導体装置。
- 前記クランプ回路は、前記メモリセルのソース線と前記プリチャージ回路とを接続する配線の電圧と基準電圧とを比較して、前記ソース線の電圧が一定となるように制御する回路を含む請求項9又は10記載の半導体装置。
- データの書き込み時には、選択された前記メモリセルのソース線を、抵抗を介してグランドに接続する請求の範囲1から12のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記メモリセルは、電荷を蓄える層として、多結晶シリコンからなるフローティンゲートを用いたメモリセルである請求の範囲1から13のいずれかに記載の半導体装置。
- メモリセルのソース線をデータの書き込み前にプリチャージする工程と、
前記メモリセルにデータを書き込む工程とを有するソース電圧制御方法。 - 前記プリチャージする工程は、前記メモリセルのゲート電圧の昇圧中に前記ソース線をプリチャージする請求の範囲15記載のソース電圧制御方法。
- 前記メモリセルへのデータの書き込み時に、前記メモリセルのソース線の電圧が所定値以下となるように前記ソース線の電圧を制御する工程をさらに有する請求の範囲15又は16記載のソース電圧制御方法。
- 前記ソース線の電圧を制御する工程は、前記メモリセルのドレインに高電圧を印加している間だけ前記ソース線の電圧が前記所定値以下となるように制御する請求の範囲17記載のソース電圧制御方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2004/008998 WO2006001058A1 (ja) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | 半導体装置及びソース電圧制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006001058A1 true JPWO2006001058A1 (ja) | 2008-07-31 |
JP4680195B2 JP4680195B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=35781610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006527594A Expired - Lifetime JP4680195B2 (ja) | 2004-06-25 | 2004-06-25 | 半導体装置及びソース電圧制御方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7206232B2 (ja) |
JP (1) | JP4680195B2 (ja) |
WO (1) | WO2006001058A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100688545B1 (ko) * | 2005-05-04 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 소거 전압 디스차지 방법 |
US7420851B2 (en) * | 2006-10-24 | 2008-09-02 | San Disk 3D Llc | Memory device for controlling current during programming of memory cells |
US7420850B2 (en) * | 2006-10-24 | 2008-09-02 | Sandisk 3D Llc | Method for controlling current during programming of memory cells |
US7626882B2 (en) * | 2006-12-20 | 2009-12-01 | Spansion Llc | Flash memory device with external high voltage supply |
US7916544B2 (en) * | 2008-01-25 | 2011-03-29 | Micron Technology, Inc. | Random telegraph signal noise reduction scheme for semiconductor memories |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3606799B2 (ja) * | 2000-10-05 | 2005-01-05 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2003123493A (ja) | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Fujitsu Ltd | ソース電位を制御してプログラム動作を最適化した不揮発性メモリ |
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-
2004
- 2004-06-25 JP JP2006527594A patent/JP4680195B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-25 WO PCT/JP2004/008998 patent/WO2006001058A1/ja active Application Filing
-
2005
- 2005-06-23 US US11/165,008 patent/US7206232B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4680195B2 (ja) | 2011-05-11 |
US20050286328A1 (en) | 2005-12-29 |
US7206232B2 (en) | 2007-04-17 |
WO2006001058A1 (ja) | 2006-01-05 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A521 | Request for written amendment filed |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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