JPWO2005087833A1

JPWO2005087833A1 - エポキシ樹脂組成物および半導体装置

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Publication number: JPWO2005087833A1
Application number: JP2006510888A
Authority: JP
Inventors: 広基二階堂; 洋史黒田
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2004-03-16
Filing date: 2005-02-10
Publication date: 2008-01-24
Anticipated expiration: 2025-02-10
Also published as: US7470754B2; TW200535191A; MY142389A; CN100575383C; CN1934157A; KR20070009621A; TWI361203B; WO2005087833A1; KR101090653B1; US20050208307A1; JP5034500B2

Abstract

環境に配慮して有害物質を含まず、実装時の半田耐熱性に優れ、更に生産性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれにより封止された半導体装置を提供する。（Ａ）所定の構造を有するエポキシ樹脂、および（Ｂ）所定の構造を有するフェノール樹脂を主成分とするとともに、ＧＰＣ分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分が面積比で０．８％以下であるフェノール樹脂を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。

Description

本発明は、エポキシ樹脂組成物及びこの樹脂組成物を用いたエポキシ樹脂封止半導体装置に係わり、特にハロゲン化有機物・アンチモン等の難燃剤を含まずに難燃性を有し、かつ生産性の高い成形性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂封止半導体装置を提供することを目的としている。

近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化が年々進み、また半導体パッケージの表面実装化が促進されてきている。一方で地球環境へ配慮した企業活動が重要視され、大量消費社会から循環型社会への取り組みがなされており、分別・回収の為の材料設計が重要になっている。ＥＵ（欧州連合）による廃電気電子機器（ＷＥＥＥ）、特定物質使用禁止指令（ＲｏＨＳ）の制定により、半田の成分として用いられる鉛が有害であるため、２００６年までに特定用途以外で全廃されるとともに、難燃剤においても、これまで主に使用してきたハロゲン系難燃剤を分別回収するよう示されている。
しかしながら、鉛フリー半田の融点は従来の鉛／スズ半田に比べて高く、赤外線リフロー、半田浸漬等の半田実装時の温度も従来の２２０〜２４０℃から、今後２４０℃〜２６０℃へと高くなる。このような実装温度の上昇により、実装時に樹脂部にクラックが入りやすくなり、半導体装置の信頼性を保証することが困難になってきているという問題が生じている。更にリードフレームについても、外装半田メッキも脱鉛する必要があるという観点から、外装半田メッキの代わりに事前にニッケル・パラジウムメッキを施したリードフレームの適用が進められている。このニッケル・パラジウムメッキは一般的な封止材料との密着性が低く、実装時に界面において剥離が生じやすく、樹脂部にクラックも入りやすい。特に近年のパッケージはＴＳＯＰ、ＬＱＦＰ等の薄型パッケージが主流になっており、新材料を用いたとしても半導体装置の信頼性を確保することは重要な問題となっている。

そのような問題に対し、半田耐熱性の向上に対してはこれまで、ビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールアラルキル硬化剤を用いることにより、充填材を高充填させた低吸水性のエポキシ樹脂組成物が提案されている（例えば、特許文献１参照。）が、上記の厳しい要求を満足できるレベルには至っていない。更に低吸水のエポキシ樹脂組成物として、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル又はナフトールアラルキル型の樹脂を用いるもの（例えば、特許文献２、３又は４参照。）等が提案され、半田耐熱性については改善できる方法が開示されているものの、いずれも難燃剤としてハロゲン化有機物・アンチモン等を添加しないと必要とされる難燃性を得ることができないものであり、これらの難燃剤を用いたときの環境への対応という点で分別回収を要求されることから、難燃性の実現に関して改良の余地があった。
ハロゲン化有機物・アンチモン等の難燃剤を添加せずに優れた難燃性が得られる物質として、ビフェニル誘導体及び／又はナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂とビフェニル誘導体及び／又はナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂とを組合せて使用したエポキシ樹脂組成物（例えば、特許文献５参照。）が開示されている。これらのエポキシ樹脂組成物は骨格中に芳香族環を多く含むことから燃焼時に炭化が進行しやすいこと、及び架橋密度が低いために燃焼時に熱分解した低沸点成分による発泡が生じやすく、発泡により表面酸素遮断層が形成されることとによって難燃効果が得られると考えられている。更にこれらのエポキシ樹脂の硬化物は低吸水性に優れ、半田耐熱性にも優れていることから、市場に提案・適用され始めている。これらのエポキシ樹脂組成物は、低弾性、低吸水により半田耐熱性を向上させているものであるが、その半面、硬化後の成形物は軟らかく、かつ親油性が高く、連続生産では成形性での不具合が生じることによる生産性の低下への対応が課題となってきている。
以上のことから、生産性面も含め、環境へ配慮した半田耐熱性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が要求されている。
特開平６−８０７６３号公報特開平９−３１６７号公報特開平９−３１６１号公報特開平９−２３５３５３号公報特開平１１−１４０２７７号公報発明の開示

本発明は、有害物質となるハロゲン化有機物、酸化アンチモンを含まない、環境に対して安全でかつ難燃性、半田耐熱性に優れ、更に連続成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びその樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供することにある。

エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止成形する半導体装置の製造において、生産性を低下させる原因は、金型汚れによる連続成形ショット数の低下、連続成形により汚れが付着した金型（エアベント部）にバリが残りエアベントを詰まらせることにより生じる樹脂組成物の未充填（以下、「エアベント詰まり」という。）がある。金型汚れ及びエアベント詰まりは、離型剤の酸化によるもの以外にエポキシ樹脂や硬化剤中に含まれる低分子量成分が深く関与し、特に硬化剤の低分子量成分は金型表面にブリードアウトしやすく、かつ極性基を有することから、水素結合を生じやすく金型にも付着しやすい。
本発明者らは、半導体装置封止用のエポキシ樹脂組成物中、特に硬化剤中の低分子量成分に着目して鋭意検討した結果、所定の構造を有するフェノール樹脂を主成分とするフェノール樹脂において、ＧＰＣ分析における１分子中に芳香環が３つ以下である成分を面積比で０．８％以下とすることにより、エアベント詰まりを改善することができることを見出し、本発明に至ったものである。

すなわち本発明は、
［１］（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、

（化１）

（式（１）中のｎは平均値を示し０〜１０の値を取る。Ｇはグリシジル基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ１、Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂を主成分とするとともに、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分が面積比で０．８％以下であるフェノール樹脂

（化２）

（式（２）中のｎは平均値を示し０〜１０の値を取る。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ１、Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［２］前記（Ｂ）フェノール樹脂が、一般式（３）で表される化合物

（化３）

（式（３）中のＸはハロゲン原子を示し、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
とフェノール類とを反応させて得られるものである第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］前記の半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物において、前記（Ｂ）フェノール樹脂の軟化点が６０〜７０℃であってもよい半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［４］前記のいずれかの半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
本発明によれば、ハロゲン化有機物、酸化アンチモンを含まずとも良好な難燃性が得られ、かつ半田耐熱性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られる。更にこれを用いて半導体素子を封止成形して半導体装置を製造すると、金型汚れやエアベント詰まり等が発生し難く、長時間の連続成形が可能となる。

本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、環境にやさしく、信頼性、生産性に優れた半導体装置を与えるものであるため、工業的な半導体装置の製造用途に好適に用いることができるものである。

本発明は、（Ａ）後述する一般式（１）で示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、および（Ｂ）後述する一般式（２）に示されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂を主成分とするとともに、ＧＰＣ分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分が面積比で０．８％以下であるフェノール樹脂を必須成分とする半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物である。このような樹脂は、ハロゲン化有機物・アンチモン等の難燃剤を含まずに難燃性を有し、かつ生産性の高い成形性を有する。また、この樹脂により封止することにより、半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂封止半導体装置が得られる。
以下に本発明の実施形態について詳細に説明する。

本実施形態で用いられるエポキシ樹脂（Ａ）は、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂である。

（化４）

（式（１）中のｎは平均値を示し０〜１０、好ましくは０〜５の値を取る。Ｇはグリシジル基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ１、Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）。
ここで、ｎは分子鎖長の平均を表し、例えば一般式（１）においてｎ＝０の分子鎖が１０％、ｎ＝１の分子鎖が３０％、ｎ＝２の分子鎖が５０％、ｎ＝３の分子鎖が１０％での割合で存在する場合には、平均値ｎは（０×１０＋１×３０＋２×５０＋３×１０）／１００＝１．６となる。
Ｒ１またはＲ２を構成する炭素数１〜８のアルキル基としては、−ＣＨ₃，−Ｃ₂Ｈ₅,−Ｃ₃Ｈ₇，−Ｃ₄Ｈ₉などが挙げられ、特に−ＣＨ₃である。
また、Ｒ１またはＲ２を構成する炭素数１〜８のアリール基としては、−Ｃ₆Ｈ₅，−Ｃ₆Ｈ₄−ＣＨ₃で示される各種異性体などが挙げられ、特に−Ｃ₆Ｈ₅である。

このようなエポキシ樹脂は、本実施形態で用いられるフェノール樹脂（Ｂ）とエピクロルヒドリンとの反応をアルカリ金属酸化物下で行うことにより得ることができる。
本実施形態で用いられるエポキシ樹脂（Ａ）は、それ以外のエポキシ樹脂と併用することもできる。併用できるエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するものを用いれば良い。例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ヒドロキノン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。併用する場合の併用比率は、本実施形態で用いられるエポキシ樹脂（Ａ）を総エポキシ樹脂中に５０重量％以上含有することが好ましく、より好ましくは７０重量％以上含有することが望ましい。このエポキシ樹脂（Ａ）を上記範囲で含有させることで、十分な難燃性を実現することができる。更に総エポキシ樹脂のエポキシ基に対する総フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の比は、０．５〜１．５の範囲としてもよく、その範囲にすることで硬化性の低下を抑えることができる。

本実施形態で用いられるフェノール樹脂（Ｂ）は、一般式（２）で表されるエポキシ樹脂である。

（化５）

（式（２）中のｎは平均値を示し０〜１０、好ましくは０〜５の値を取る。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ１、Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）。
ｎ、およびＲ１またはＲ２を構成する炭素数１〜８のアルキル基およびアリール基は、前述したものと同様である。

また、フェノール樹脂（Ｂ）は、流動特性の観点からは低粘度を示す７０℃以下の軟化点を有するものであることが好ましいが、エポキシ樹脂組成物の生産過程における取り扱いやすさという観点も考慮すると、６０〜７０℃の軟化点を有するものが好ましい。

このようなフェノール樹脂の合成方法は、特に限定されるものではないが、例えば一般式（３）で表される化合物とフェノール類とを酸触媒の存在下で縮合反応により得ることができる。

（化６）

（式（３）中のＸはハロゲン原子を示し、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
Ｒ２を構成する炭素数１〜８のアルキル基およびアリール基は、前述したものと同様である。

また、一般式（３）で示される化合物と反応させるフェノール類としては、フェノール；およびクレゾール，メチルフェノール，ｎ−プロピルフェノール，キシレノール，メチルブチルフェノールなどのｏ−，ｍ−，ｐ−異性体；シクロペンチルフェノール，シクロヘキシルフェノールなどの置換フェノールなどが挙げられる。これらのフェノール類は、１種類のみを用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

一般式（３）で表される化合物とフェノール化合物との縮合反応により得られるフェノール樹脂は、前述の一般式（２）で表されるフェノール樹脂が主成分となるが、この構造以外に、１分子中に芳香環が３つ以下である成分との混合物として得られる。一般に、混合物に含まれる芳香環が３つ以下である成分はエアベントに染み出しやすいため、成形過程でエアベントが汚れやすくなる傾向にある。その結果、このような芳香環が３つ以下である成分は、エアベントでのバリの離型性を低下させ、バリがエアベントに残りやすくなることになる。本実施形態においては、フェノール樹脂（Ｂ）中での１分子中に芳香環が３つ以下である成分の割合を、ＧＰＣ分析で面積比０．８％以下にすることで、バリがエアベント部の金型に残って生じる未充填を低減化できるものである。

ここでいう１分子中に芳香環が３つ以下である成分としては、一般式（４）〜（７）で表される化合物等が挙げられる。

（化７）

（式（４）〜式（７）のＲ１は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、又はアリル基、フェノール基のいずれかを表し、個々のＲ１はお互いに同一であっても異なっていてもよい、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基、アルデヒド基のいずれかを表す。
Ｒ１，Ｒ２およびＲ３を構成する炭素数１〜８のアルキル基およびアリール基は、前述したものと同様である。

本実施形態で用いられるフェノール樹脂（Ｂ）は、それ以外のフェノール樹脂と併用することもできる。併用できるフェノール樹脂としては、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するものを用いれば良い。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、キシリレン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型ノボラック樹脂等が挙げられる。尚、併用する場合の併用比率は、本実施形態で用いられるフェノール樹脂（Ｂ）を総フェノール樹脂中に３０重量％以上含有することが好ましく、より好ましくは７０重量％以上含有することが望ましい。フェノール樹脂（Ｂ）をこの範囲で含有させることで、十分な難燃性を実現することができる。

本実施形態においては、（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂を主成分とし、ＧＰＣ分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分が面積比で０．８％以下であるフェノール樹脂を必須成分とするが、それ以外に、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤を用いることができる。

本実施形態で用いてもよい硬化促進剤（Ｃ）としては、前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものを指し、具体的にはトリブチルアミン等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が例示できるがこれらに限定されるものではない。これらの硬化促進剤は単独であっても混合して用いても差し支えない。

本実施形態で用いてもよい無機充填剤（Ｄ）は、破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカ粉末の含有量を高め、かつ樹脂組成物の溶融粘度の上昇を抑えるという観点からは、球状シリカを主に用いてもよい。更に球状シリカの含有量を高めるためには、球状シリカの粒度分布をより広くとるよう調整することができ、その含有量は８２〜９２重量％とすることができる。球状シリカをこの範囲で含有させることで、樹脂含有割合を少なくし、吸水率を低くし、半田耐熱性の低下を抑えることができる一方で、樹脂組成物の流動性の低下を抑えることができる。

本実施形態の樹脂組成物には、（Ａ）〜（Ｄ）までの成分以外にも必要に応じて、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力成分、カーボンブラックに代表される着色剤、天然ワックス及び合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合しても差し支えない。

また、樹脂組成物とするには各成分を混合後、加熱ニーダや熱ロールにより加熱混練、続いて冷却、粉砕することで目的とする樹脂組成物が得られる。
本実施形態の樹脂組成物を用いて、半導体等の電子部品を封止し、樹脂封止半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等、従来からの公知の手法で成形硬化すればよい。これらの樹脂組成物は電気部品或いは電子部品であるトランジスタ、集積回路等の被覆、絶縁、封止等に適用することができる。

本実施形態によれば、ハロゲン化有機物・アンチモン等の難燃剤を含まずに難燃性を有し、かつ生産性の高い成形性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半田耐熱性に優れたエポキシ樹脂封止半導体装置が得られるため、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＬＱＦＰ（Low
profile QFP）等の表面実装型半導体装置等に好適に用いることができる。
（実施例１）

以下、本発明を以下の実験例からなる実施例で具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
これら実験例で用いたエポキシ樹脂、フェノール樹脂の説明を以下に示す。

Ｅ−１：式（８）で表されるエポキシ樹脂（日本化薬（株）製ＮＣ−３０００Ｐ、エポキシ当量２７４、軟化点６２℃）

（化８）

（式中、Ｇはグリシジル基を表す。）

Ｅ−２：オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ−１０２０、軟化点６２℃、エポキシ当量２００）
Ｅ−３：ビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９５）

Ｈ−１：式（９）で表されるフェノール樹脂を主成分とし、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分の面積比が０．１％であるフェノール樹脂（水酸基当量２０２、軟化点６５℃）
Ｈ−２：式（９）で表されるフェノール樹脂を主成分とし、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分の面積比が０．４％であるフェノール樹脂（水酸基当量２０３、軟化点６７℃）
Ｈ−３：式（９）で表されるフェノール樹脂を主成分とし、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分の面積比が０．７％であるフェノール樹脂（水酸基当量２０２、軟化点６５℃）
Ｈ−４：式（９）で表されるフェノール樹脂を主成分とし、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分の面積比が１．０％であるフェノール樹脂（水酸基当量２０２、軟化点６７℃）
Ｈ−５：式（９）で表されるフェノール樹脂を主成分とし、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分の面積比が２．０％であるフェノール樹脂（水酸基当量２０３、軟化点６７℃）

（化９）

Ｈ−６：パラキシリレン変性フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−３Ｌ、軟化点７１℃、水酸基当量１７５）
Ｈ−７：フェノールノボラック樹脂（軟化点８０℃、当量１０４）

（実験例１）
エポキシ樹脂Ｅ−１７６．２重量部
フェノール樹脂Ｈ−１５１．０重量部
トリフェニルホスフィン１．８重量部
球状溶融シリカ粉末（平均粒子径１６．０μｍ、最大粒子径７５μｍ）
８６０．０重量部
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン４．０重量部
カルナバワックス４．０重量部
カーボンブラック３．０重量部
上記の全成分をミキサーにより混合した後、表面温度が９０℃と４５℃の２本ロールを用いて３０回混練、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、樹脂組成物とした。得られた樹脂組成物の特性を以下の方法で評価をした。評価結果を表１に示す。

（評価・分析方法）
・ＧＰＣ分析装置
送液ポンプＬ−６０００（日立製作所）
ＵＶディテクター：Ｌ−４０００（日立製作所）
２５４ｎｍの吸光度で測定
カラム：ＫＦ−８０３（１本）＋ＫＦ−８０２．５（２本）＋ＫＦ−８０２（１本）
溶媒：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

・スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温℃１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。

・半田耐熱性：１６０ｐＬＱＦＰ（パッケージサイズ：２４×２４×１．４（厚み）ｍｍ、フレーム：Ｃｕ、パッドサイズ：８×８ｍｍ）、搭載チップサイズ：７×７×０．３５（厚み）ｍｍ、パッシベーション膜：ＰＩ）を１８０℃の金型温度、９．８ＭＰａの注入圧力、注入時間７秒、硬化時間１２０秒でトランスファー成形を行い、更に１８０℃で４時間後硬化して半田耐熱性評価パッケージを得た。得られたパッケージ１２ヶを、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、その後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅｖｅｌ１条件に従う）した。超音波探傷機を用いてパッケージを観察し、内部クラック数を（発生パッケージ数）／（全パッケージ数）の％表示で表した。

・難燃性
低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、長さ５ｉｎｃｈ、幅１／２ｉｎｃｈ、厚さ１／８ｉｎｃｈの試験片を成形し、ポストキュアとして１７５℃、８時間加熱処理した後、２３℃、相対湿度５０％の環境下で４８時間処理し、ＵＬ−９４垂直試験に準拠して測定した。
難燃性（Ｖ−０）の判定：Ｆｍａｘ１０秒以下
ΣＦ５０秒以下
２回目接炎後グローの消滅３０秒以下
滴下物による綿の着火不可
難燃性（Ｖ−１）の判定：Ｆｍａｘ３０秒以下
ΣＦ２５０秒以下
２回目接炎後グローの消滅６０秒以下
滴下物による綿の着火不可
難燃性（−）の判定：上記に当てはまらないもの
但し、ΣＦ：フレーミング時間の合計（秒）
Ｆｍａｘ：フレーミング時間の最大値（秒）

・連続成形性
８０ｐＱＦＰ（１４×２０×２．０ｍｍ）半導体封止用金型に離型性付与処理を施した後に、金型温度１７５℃、注入圧力７．３ＭＰａ、注入時間８秒、硬化時間６０秒の成形条件でエポキシ樹脂組成物を用いて連続自動運転で成形した。毎ショットの成形品を未充填が発生していないか確認し、未充填が生じた時に金型をエアベント詰まりが生じているかを確認し、エアベント詰まりによる未充填が発生するまでのショット数で評価した。問題ない場合は５００ショットまで確認した。

（実験例２〜１３）
表１の処方に従い配合し、実験例１と同様に成形材料を得た。この成形材料で実験例１と同様に上記評価を行った。評価結果を表１に示す。

（表１）

実験例１〜７では、いずれも良好な流動性、半田耐熱性、耐燃性および連続成形性が得られた。一般式（２）で表されるフェノール樹脂を主成分とし、ＧＰＣ解析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分の面積比が０．８％を超えるフェノール樹脂を用いた実験例８，９および１１では、エアベント詰まりによる樹脂の未充填が早い段階で発生してしまい、連続成形性という点で不十分な結果であった。また、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂を用いていない実験例１０および１１、ならびに一般式（２）で表されるフェノール樹脂を用いていない実験例１２および１３では、いずれも耐燃性という点で不十分な結果であった。また、実験例１０および１３では、半田耐熱性という点でも不十分な結果であった。

Claims

（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂、
（化１）

（式（１）中のｎは平均値を示し０〜１０の値を取る。Ｇはグリシジル基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ１、Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
（Ｂ）一般式（２）で表されるフェノール樹脂を主成分とするとともに、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）分析において１分子中に芳香環が３つ以下である成分が面積比で０．８％以下であるフェノール樹脂
（化２）

（式（２）中のｎは平均値を示し０〜１０の値を取る。Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基のいずれかを表し、個々のＲ１、Ｒ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
前記（Ｂ）フェノール樹脂が、一般式（３）で表される化合物
（化３）

（式（３）中のＸはハロゲン原子を示し、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜８のアルキル基又はアリール基いずれかを表し、個々のＲ２は互いに同一であっても異なっていてもよい。）
とフェノール類とを反応させて得られるものである請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
前記（Ｂ）フェノール樹脂の軟化点が６０〜７０℃である請求項１又は２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
請求項１、２又は３のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。