JPWO2005070606A1 - はんだ加熱器具及びそれに用いられるこて先側部材 - Google Patents
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Abstract
Description
こて先チップ93は銅や銅合金等からなり、その先端部にははんだによる侵食を防止するための鉄めっきが施されている。しかし、それでもはんだによる侵食は僅かずつ進行するため、通常、こて先チップ93は交換部品となっている。
また、通常は、様々な先端形状を有するこて先チップ93が多数用意されており、操作者ははんだ付けする部位や範囲に応じて最適なこて先チップ93を選択し、交換して作業を行うようになっている。
こて先チップ93を交換する際には、ナット92をケーシング91から完全に取外し、ナット92や保護パイプ96を一旦こて先チップ93から抜き去ってからこて先チップ93を取外し、交換する。
しかしながら、上記のような従来構造では、セラミックヒータ94とインサートパイプ95との間や、インサートパイプ95とこて先チップ93との間に隙間(エアギャップ)が存在するため、熱の伝達速度が不十分であり、また熱損失が大きかった。そのため、電源投入後の設定温度までの立ち上がり時間が長くなったり、連続はんだ付けする際の温度降下が大きくなったり、或いは連続はんだ付け後に降下温度から設定温度まで復帰するまでの復帰時間が長くなる等の問題があった。
本発明は、このような従来技術の課題を解決すべくなされたものであり、セラミックヒータからこて先チップへの熱の伝達速度を高め、また熱損失を抑制することにより、上記立ち上がり時間や温度復帰時間を短縮し、はんだ付けする際の温度降下を抑制することができるこて先側部材、及びそれを用いたはんだ加熱器具を提供することを第一の目的とする。
一方、はんだ加熱器具の一種として、はんだごて等のこて先付近から窒素等の不活性ガスを噴出させるものが知られている。これは、こて先付近を無酸素状態の雰囲気にしてはんだの酸化を防止するためになされる。その場合の従来技術は、ケーシング91内部に不活性ガスを導き、ケーシング91内部からこて先チップ93の先端付近にガス通路を形成して不活性ガスを導くようにしている。例えば特開2001−347369号公報には、このようなはんだごてとして、保護パイプ96の外側に更にパイプを設けたような二重パイプ構造とし、そのパイプ間の隙間に不活性ガスを通す構造が示されている。
本発明の第二の目的は、このような不活性ガスを噴出させるタイプのはんだ加熱器具において、上記第一の目的を達しつつ、より簡単な構造にすることができるはんだ加熱器具を提供することにある。
このようにすると、こて先チップとセラミックヒータとが密着することにより、セラミックヒータからこて先チップへの熱の伝達速度を高め、また熱損失を抑制することができる。また、はんだ加熱器具の使用時には、高温のためにこて先チップ及びセラミックヒータが熱によって僅かに熱変形する。こて先チップとセラミックヒータとは材質が異なるので、熱膨張率も異なる。こて先チップとセラミックヒータとが、完全に密着状態で固定されていると、その膨張差によってセラミックヒータが損傷を受ける虞がある。しかし本発明の構成によると、こて先チップの径方向の変形(膨張)が、上記切れ込みの幅が増減することによって吸収されるので、セラミックヒータに対して大きな圧縮力や引張り力が作用することを効果的に防止することができる。
また、上記切れ込みを設けつつ、こて先チップとセラミックヒータとの密着を図る構造として、上記こて先チップの基端側を覆う筒状部材を備え、上記こて先チップは、上記凹部の底面付近に相当する位置で上記筒状部材に圧入されており、他の部分では上記こて先チップの外周面と上記筒状部材の内面との間に僅かな隙間が設けられているようにすれば良く、更に上記筒状部材には、上記こて先チップの基端付近に相当する位置に、該筒状部材の外周面の少なくとも一部を内側に窪ませた絞り部を設け、該絞り部において、上記こて先チップの外周面と上記絞り部の内面とが隙間なく当接するように構成すれば良い。
これらのようにすると、こて先チップとセラミックヒータとの密着を図りつつ、その強接点が、上記圧入部及び上記絞り部に相当する箇所という最小限度に抑えられる。従って、熱膨張差が生じても、相互の軸方向ずれが起こり易くなっており、セラミックヒータに大きな圧縮力や引張り力が作用することを効果的に防止することができる。
上記絞り部のより具体的な構造として、上記絞り部は、上記筒状部材の外周面から内側に窪んだ略平面状の段差であり、上記こて先チップが上記切れ込みの両側に拡がることを規制する位置に複数設けられているようにすると良い。例えば、筒状部材の2箇所に絞り部を設ける場合、この2箇所の絞り部を結ぶ線が、こて先チップの切れ込みを含む平面と略直交するように設けると良い。このようにすると、切れ込みによって分断されたこて先チップの各部分を、絞り部が両側から挟み込むようになるので、こて先チップが切れ込みの両側に拡がることを効果的に規制することができる。その結果、こて先チップとセラミックヒータとの密着度を高めることができる。なお、この略平面状の段差である絞り部は3箇所以上設けても良い。
また上記絞り部の別の具体的な構造として、上記絞り部は、上記筒状部材を、その外周面に沿って線状に縮径させたものとしても良い。このようにすると、こて先チップの拡がりを、その縮径した絞り部において全周で規制することになるので、上記略平面状の段差である絞り部と同様、こて先チップとセラミックヒータとの密着度を高めることができる。
なお、上記こて先チップが上記筒状部材に圧入されている箇所は、挿着されたセラミックヒータの上記温度検知部に相当する位置となるようにすると良い。このようにすると、温度検知部における密着度が特に高くなり、より高精度の温度検知が可能となる。従って、はんだ付けによってこて先チップの先端から一時的に熱が奪われても、それを速やか且つ正確に温度検知部で検知することができ、それを補う熱を発熱部からこて先チップの先端に、高速且つ低損失で伝達することができる。
上記はんだ加熱器具用こて先側部材を、これを支持する本体側部材に着脱自在に設けたはんだ加熱器具は、はんだ付けする部位や範囲に応じた様々な形状のこて先チップを備えたこて先側部材を準備しておくことにより、適宜選択して使用することができる。
また、不活性ガス噴出式のはんだ加熱器具に用いたものは、上記本体側部材に設けられ、不活性ガスを上記本体側部材の内部に導入するガス導入部と、上記こて先チップの先端付近に設けられ、導入された不活性ガスを噴出するガス噴出部と、不活性ガスを上記ガス導入部から上記ガス噴出部に導くガス通路とを備え、上記切れ込み部における上記セラミックヒータの外周面と上記筒状部材の内面との間の隙間によって上記ガス通路の一部が形成されるとともに、上記切れ込みの上記凹部底面付近が上記筒状部材から露出して上記ガス噴出部を形成するようにすると良い。
このようにすると、上記切り込みによって生じる隙間を不活性ガスの不活性ガス通路として利用することができるので、従来構造のように二重パイプ構造とする必要がなく、構造を簡単なものにすることができる。
図2は、図1(a)の部分断面図である。
図3は、第1実施形態に係る電気はんだごてのセラミックヒータの構成を示す概念図であり、(a)はセラミックヒータの回路構成を、(b)はセラミックグリーンシートをセラミック棒に巻き付けてセラミックヒータが形成される状態を示す。
図4は、第1実施形態に係る電気はんだごてのこて先チップ周辺の詳細構造を示す図であり、(a)は部分断面図、(b)は(a)のIII−III断面図、(c)は(a)のp部及びq部付近の拡大図である。
図5は、図4に示すこて先チップ周辺の詳細構造の変形例を示す図であり、(a)は図4(b)に相当する図、(b)は図4(c)に相当する図である。
図6は、第1実施形態に係る電気はんだごての温度特性を従来の電気はんだごての温度特性と比較する説明図であり、(a)は第1実施形態の温度特性を、(b)は従来構造のものの温度特性を示す。
図7は、第2実施形態に係るはんだ加熱器具(ガス噴出式電気はんだごて)の正面断面図であり、不活性ガスが本体側部材からこて先側部材に導かれる状態を示す。
図8は、図7の部分拡大図である。
図9は、第3実施形態に係るはんだ加熱器具(電気はんだ吸取りごて)のこて先付近の正面部分断面図であり、(a)はセラミックヒータの外部からはんだ吸引管を導くもの、(b)はセラミックヒータの内部にはんだ吸引管を通したものを示す。
図10は、従来のはんだ加熱器具の構造を示し、(a)は部分正面図であり、(b)はその分解斜視図である。
(第1実施形態)
図1は本発明の第1実施形態である電気はんだごて10(はんだ加熱器具)の正面図であり、(a)はこて先側部材20が本体側部材25に保持された状態、(b)はこて先側部材20を本体側部材25から取外した状態を示す。
また図2は、図1(a)の部分断面図である。
図1及び図2を参照して電気はんだごて10の構造を説明する。電気はんだごて10の基本的な構成は、本体側部材25の先端(図1で左側)に、挿脱自在のこて先側部材20を挿着してなる。
こて先側部材20の先端には、主に銅(他に銅合金、銀、或いは銀合金など熱伝導性の高い物質でも良い)からなり、はんだに直接接触してはんだ付けを行うこて先チップ3が設けられている。こて先チップ3の基端側は保護パイプ6(筒状部材)に嵌挿され、先端側は保護パイプ6から露出してはんだ付けに適した形状に成形されている。
こて先チップ3の内部には凹部が設けられて有底円筒状になっている。この凹部には、セラミックヒータ4が密着状態で挿着されている。セラミックヒータ4は、先端付近に温度検知部4aが設けられるとともに、それより基端側に発熱部4bが設けられている。これらの配線はリード線8(温度検知部用リード線8a及び発熱部用リード線8b)によって外部に導出され、こて先側コネクタ9に接続されている。またセラミックヒータ4の基端側は、金属製で略円筒状のホルダ7に嵌挿され、保持されている。図1(b)及び図2に示すように、こて先チップ3、セラミックヒータ4、保護パイプ6、ホルダ7、リード線8及びこて先側コネクタ9は一体に構成されている。
本体側部材25は、主にケーシング1、固定ナット2及びこれらに挟持されるOリング12(弾性部材)からなる。ケーシング1は、金属製もしくは、硬質、耐熱性の合成樹脂からなる概ね円管状の部材であり、その周囲には、操作者が電気はんだごて10を握って取り扱うことができるようにするために、合成ゴムなど、断熱性と弾力性を有した合成樹脂が握り部1aとして設けられている。ケーシング1の内部にはこて先側コネクタ9と接合される本体側コネクタ15が設けられ、電気コード1bが接続されている。電気コード1bはケーシング1の外部に導出され、図外のコントローラ(こて先温度を設定値に保つように制御された電力をセラミックヒータ4に供給する制御装置)に接続されている。
固定ナット2はケーシング1の先端外周部に螺着されているナット状部材である。その外周部にはローレット処理が施されて操作者が手動で回転させ易くなっている。そして、固定ナット2を回転させることにより、固定ナット2はケーシング1に対して可動範囲内で自由に軸方向の移動ができるようになっている。
固定ナット2の内径側段差部とケーシング1の先端面とで挟持されるようにOリング12が設けられている。Oリング12は、ゴム等の弾性体からなり、こて先側部材20の挿着状態でホルダ7が嵌挿される位置に設けられている。
固定ナット2の、めねじ形成部より後端側には、固定ナット2がケーシング1がら完全に離脱することを防止する皿ねじ5が設けられている。
図3はセラミックヒータ4の構成を示す概念図であり、(a)は、セラミックヒータ4の回路構成を示し、(b)は、セラミックグリーンシート4cをセラミック棒4dに巻きつけてセラミックヒータ4が形成されている状態を示している。図3を参照してセラミックヒータ4の構造について説明する。
セラミックヒータ4は、温度検知部4aに設けられたタングステンなどの感温抵抗体のパターンと、発熱部4bに設けられたタングステンなどの発熱抵抗体のパターンとをセラミックグリーンシート4cに同時にプリントしたものを、ベースとなるアルミナや窒化珪素などの円柱状のセラミック棒4dに巻きつけ、焼結一体化して作製されるものである。温度検知部4aからは温度検知部用リード線8aが、発熱部4bからは発熱部用リード線8bが導出され、こて先側コネクタ9に結合されている。
図4は、こて先チップ3周辺の詳細構造を示す図であり、(a)は部分断面図、(b)は(a)のIII−III断面図(図を簡略化するため、セラミックヒータ4の内部構造は省略している)、(c)は(a)のp部及びq部付近の拡大図である。図4を参照してこて先チップ3周辺の詳細構造について説明する。
こて先チップ3の内部には凹部3dが設けられて有底円筒状になっており、セラミックヒータ4の先端側が挿着されている。凹部3dの内径は、セラミックヒータ4の外径と同寸法、ないし僅かに小径(0.1mm程度)となっている。この凹部3dにセラミックヒータ4の先端側が圧入され、セラミックヒータ4とこて先チップ3とが熱的に密着するようになっている。
凹部3dの深さは、セラミックヒータ4の先端から、発熱部4bまでの長さ相当以上である。つまりセラミックヒータ4の温度検知部4aや発熱部4bは、周囲をこて先チップ3に覆われた状態となっている。こて先チップ3の有底円筒部の底面側(先端側)の外径は比較的大径となっている(大径部3a)。大径部3aの範囲は、セラミックヒータ4が挿着された状態で温度検知部4aに略相当する部分であり、かつ保護パイプ6に嵌挿された状態で、保護パイプ6の先端部分に相当する部分である。大径部3aよりも基端側の有底円筒部は、大径部3aよりも僅かに径の小さな小径部3bとなっている。
凹部3dを形成する部分(主に大径部3a及び小径部3b)には、その開口部から底面付近にかけて、凹部3dの軸心を含む平面(図4(a)において、凹部3dの軸心を通り、紙面に垂直な平面)で軸心に垂直な断面(図4(b)に示す断面)を分割するような切れ込み3cが設けられている。切れ込み3cは大径部3aよりも更に深く入っており、保護パイプ6に嵌挿された状態で、その先端側が露出して切れ込み露出部3eとなっている。
切れ込み3cによって、こて先チップ3の大径部3a及び小径部3bは、切れ込み3cの両側に拡がり易くなっている。従って、セラミックヒータ4が挿着されたとき、その外周を規制するものがないとき(まだ保護パイプ6に嵌挿されていない状態)は、セラミックヒータ4の外周面と大径部3a及び小径部3bの内周面とは密着してはいるものの、その密着力が比較的弱い状態となっている。
保護パイプ6の自由時の内径は、大径部3aよりも僅かに小さく、小径部3bよりも僅かに大きい。従って、こて先チップ3を保護パイプ6に嵌挿すると、大径部3aでは圧入となり、小径部3bでは保護パイプ6との間に僅かな隙間が生じる。保護パイプ6の、こて先チップ3の基端付近に相当する位置(図4(a)及び(c)のq部)に、2箇所の絞り部6aが形成されている。絞り部6aは、保護パイプ6の外周面から内側に窪んだ略平面状の段差であり、軸方向に延びている。2箇所の絞り部6aは、これらを結ぶ線(図4(b)の上下方向)と切れ込み3cを含む平面(図4(b)の左右方向を断面とする面)とが直交する位置に設けられている。すなわち、切れ込み3cによって分断されたこて先チップ3の各部分を、絞り部6aが両側から挟み込む形となっている。絞り部6aの内側は、小径部3bの外周面と隙間なく当接している。
このように絞り部6aが設けられているので、こて先チップ3が保護パイプ6に嵌挿された状態では、大径部3aと、小径部3bの絞り部6aに当接する部分とが保護パイプ6によって強く規制される。このため、セラミックヒータ4とこて先チップ3との密着度も、これらに相当する箇所(第1強接点h及び第2強接点j)で高くなっている。このように、セラミックヒータ4がこて先チップ3に挿着される部分のほぼ両端部で強く密着させられるため、全体の密着度も高くなっている。
なお、絞り部6aの変形例として、図5に示すようにしても良い。図5(a)、(b)は、図4(b)、(c)に相当する図であり、絞り部6a’を示す図である。絞り部6a’は、保護パイプ6の外周面に沿って線状に縮径した窪みであり、上記絞り部6aと同様、こて先チップ3の基端付近に相当する位置(q部)に設けられている。絞り部6a’では、小径部3bの外周面と絞り部6a’の内面とが隙間なく当接している。従って、絞り部6a’では全周に亘りこて先チップ3の拡がりを規制しており、上記絞り部6aと同様、こて先チップ3とセラミックヒータ4との密着度を高めることができる。
次に、上記構造の電気はんだごて10の作用について説明する。まずはんだ付けを行うにあたり、操作者は、作業に最適なこて先形状を有するこて先側部材20を選択し、本体側部材25に挿着する。その際、固定ナット2を緩めてホルダ7をケーシング1の先端部に挿入する。
ホルダ7を挿入したら、次に固定ナット2を締め込んでOリング12を変形させ、ホルダ7を周囲から押付けることによって固定する。こうしてこて先側部材20を本体側部材25に挿着後、操作者は図外のコントローラの電源を投入し、要求されるこて先の温度設定を行う。コントローラからは設定温度に応じた電力がセラミックヒータ4の発熱部4bに供給され、発熱部4bが発熱する。
発熱部4bで発生した熱は、こて先チップ3に伝達されるが、セラミックヒータ4とこて先チップ3の大径部3a及び小径部3bとが良好に密着しているので、その熱伝導は高速かつ低損失でなされる。
こて先チップ3の先端部の温度は、セラミックヒータ4の温度検知部4aによって検知され、図外のコントローラに信号伝達される。温度検知部4a付近は、第1強接点hとなっているので、特に密着度が高く、より高精度の温度検知が可能となっている。従って、はんだ付けによってこて先チップ3の先端から一時的に熱が奪われても、それを速やか且つ正確に温度検知部4aで検知することができ、それを補う熱を発熱部4bからこて先チップ3の先端に、高速且つ低損失で伝達することができる。
図6は、電気はんだごて10の温度特性を従来構造の電気はんだごて90(図10参照)の温度特性と比較した説明図であり、(a)は電気はんだごて10の温度特性を、(b)は従来構造の電気はんだごて90の温度特性を示す。それぞれ、横軸に時間(S)、縦軸にこて先温度(℃)を示す。
設定温度はともに350℃で、コントローラは同じものを使用した。これらの温度特性で、温度が激しく上下している区間では連続はんだ付けに相当する動作(以下連続はんだ付けという)を行っている。連続はんだ付けは10mm角カット面の銅フェノール基板上の鉛入りはんだ盛り部に、こて先を3秒間隔で当接させて行った。
図6(b)を参照して、従来構造では電源投入からこて先温度が設定温度まで上昇する立ち上がり時間t11が、t11=71sであった。また、連続はんだ付け区間では、温度降下Td11(1回毎の温度復帰が遅れることにより発生する)が、Td11=45℃であった。そして、連続はんだ付け後、再び設定温度に復帰するまでの復帰時間t12は、t12=23sであった。
これに対して当実施形態の電気はんだごて10によると、図6(a)を参照して、それぞれ立ち上がり時間t1=24s(t11の約1/3)、温度降下Td1=5℃(Td11の1/9)、復帰時間t2=4s(t12の約1/6)であった。つまり、温度の立ち上がり時間や復帰時間が大幅に短縮され、温度降下が激減している。これは、当実施形態のこて先側部材20を用いた結果、発熱部4bからこて先チップ3の先端に、高速且つ低損失で熱伝達したことや、温度検知部4aの温度検知精度が向上したことによる顕著な効果である。
なお、電気はんだごて10の使用時には、高温のためにこて先チップ3及びセラミックヒータ4が熱によって僅かに熱変形する。こて先チップ3とセラミックヒータ4とは材質が異なるので、熱膨張率も異なる。こて先チップ3とセラミックヒータ4とが、完全に密着状態で固定されていると、その膨張差によってセラミックヒータ4が損傷を受ける虞があるが、当実施形態の構造では、その損傷を効果的に防止している。即ち、こて先チップ3の径方向の変形(膨張)は、切れ込み3cの幅が増減することによって吸収され、セラミックヒータ4に対して大きな圧縮力や引張り力が作用することを防止している。また軸方向の変形については、強接点が第1強接点hと第2強接点jという最小限度に抑えられているため、密着しつつも相互の軸方向ずれが起こり易くなっており、大きな圧縮力や引張り力が作用しないようになっている。
こて先チップ3を交換する必要が生じたときには、電源を切り、固定ナット2を緩めてこて先側部材20を引き拔き、新たなこて先側部材20を挿入して交換する。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。図7は、第2実施形態に係るはんだ加熱器具(ガス噴出式電気はんだごて50)の正面断面図であり、こて先側部材58が本体側部材59に挿着された状態を示す。なお、以下の実施形態において、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して示し、その重複説明を省略する。
ケーシング51の基端部に、不活性ガス(窒素等)をケーシング51(本体側部材59)の内部に導入するガス導入部52が設けられている。ガス導入部52には接続端子55が接続され、ガス導入管57を介して図外の不活性ガス供給装置に接続されている。
一方、保護パイプ6の先端付近にはガス整流キャップ53が取り付けられている。ガス整流キャップ53は、切れ込み露出部3e(図4(a)参照)の周囲を隙間を空けて取り囲む略円筒状の整流板であり、切れ込み露出部3eから径方向に噴出した不活性ガスをこて先チップ3の先端方向に導くように構成されている。他の構成は第1実施形態と同様である。
図8は、図7に示すこて先チップ3付近の拡大図である。但し、説明のためにこて先チップ3を軸周りに90°回転させた状態で示している。図7及び図8を参照して主に不活性ガスに関する作用について説明する。ガス導入部52からケーシング51の内部に導入された不活性ガスは、図7の矢印に示すようにケーシング51の内部隙間を経由して、ホルダ7の内径側からこて先側部材58の内部に導かれる。このとき、こて先側部材58と本体側部材59との接続部の気密は、Oリング12によって保持されている。
こて先側部材58の内部に導かれた不活性ガスは、セラミックヒータ4と保護パイプ6との間の隙間を通ってこて先チップ3に達する。そして、こて先チップ3の切れ込み3c(図8及び図4(b)参照)を通って切れ込み露出部3eから噴出する。噴出した不活性ガスは、ガス整流キャップ53によってこて先チップ3の先端付近に導かれ、こて先付近を無酸素雰囲気にする。従ってはんだ付けの際にはんだの酸化が防止され、良好なはんだ付けを行うことができる。
以上のように、切れ込み3cを利用して不活性ガスをこて先に導くようにしているので、従来構造(保護パイプ6の外側に更にパイプを設けた二重構造とし、そのパイプ間の隙間に不活性ガスを通したような構造)に比べて簡単な構造とすることができる。また保護パイプ6とガス整流キャップ53との接続を、ねじ等によって着脱可能としても良い。不活性ガスを噴出させる必要のないときには、ガス整流キャップ53を取外した方がはんだ付け時のこて先の視認性が良くなる。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態について説明する。図9は、第3実施形態に係るはんだ加熱器具(電気はんだ吸取りごて60,70)の正面部分断面図である。電気はんだ吸取りごて60,70は、はんだを溶融して吸引し、除去するもので、はんだ吸引管61,71を備えている。
図9(a)はセラミックヒータ4の外部からはんだ吸引管61を導くものである。こて先側部材68の構造として、保護パイプ66の先端に設けられたこて先チップ63に、その先端に筒状の吸取りノズル62が螺着されている(こて先チップ63と一体成形しても良い)。そしてはんだ吸引管61が、こて先チップ63を貫通して吸取りノズル62の内径側と連通するように設けられている。はんだ吸引管61の他端は図外の真空吸引装置に接続されている。
このような構成により、セラミックヒータ4で発生した熱がこて先チップ63を経由して吸取りノズル62の先端に伝達され、これに当接したはんだを溶融させる。溶融したはんだは、真空吸引によって吸取り口65から吸取られ、除去される。
図9(b)はセラミックヒータ4の内部にはんだ吸引管71を通したものである。こて先側部材78の構造として、保護パイプ76の先端に設けられたこて先チップ73に、その軸心を貫通する貫通孔72が設けられている。その貫通孔72と連通するはんだ吸引管71が、セラミックヒータ4の内部を通って図外の真空吸引装置に接続されている。
このような構成により、セラミックヒータ4で発生した熱がこて先チップ73の先端に伝達され、これに当接したはんだを溶融させる。溶融したはんだは、真空吸引によって吸取り口75から吸取られ、除去される。
これらのはんだ加熱器具においても、そのこて先側部材68やこて先側部材78の構造を第1実施形態と同様とすることにより、立ち上がり時間や復帰時間の短縮および温度降下の抑制等の効果を得ることができる。
以上第1〜第3実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定するものではなく、特許請求の範囲で適宜変形して良い。例えば、こて先側部材と本体側部材との結合方法は、上記のようなOリングを用いた構造である必要はなく、適宜設計変更して良い。
Claims (8)
- はんだに直接接触して溶融させる金属製のこて先チップと、
先端付近に温度検知部が設けられるとともに、それより基端側に発熱部が設けられた略棒状のセラミックヒータとを備え、
上記こて先チップの内部には上記セラミックヒータが密着状態で挿着される凹部が設けられ、
上記凹部の深さは、上記セラミックヒータの先端から上記発熱部までの長さ相当以上であり、
上記凹部を形成する部分には、その開口部から底面付近にかけて、該凹部の軸心を含む平面で軸心に垂直な断面を分割するような切れ込みが設けられていることを特徴とするはんだ加熱器具用こて先側部材。 - 上記こて先チップの基端側を覆う筒状部材を備え、
上記こて先チップは、上記凹部の底面付近に相当する位置で上記筒状部材に圧入されており、他の部分では上記こて先チップの外周面と上記筒状部材の内面との間に僅かな隙間が設けられていることを特徴とする請求項1記載のはんだ加熱器具用こて先側部材。 - 上記こて先チップが上記筒状部材に圧入されている箇所は、挿着されたセラミックヒータの上記温度検知部に相当する位置となるように構成されていることを特徴とする請求項2記載のはんだ加熱器具用こて先側部材。
- 上記筒状部材には、上記こて先チップの基端付近に相当する位置に、該筒状部材の外周面の少なくとも一部を内側に窪ませた絞り部が設けられ、
該絞り部において、上記こて先チップの外周面と上記絞り部の内面とが隙間なく当接するように構成されていることを特徴とする請求項2または3記載のはんだ加熱器具用こて先側部材。 - 上記絞り部は、上記筒状部材の外周面から内側に窪んだ略平面状の段差であり、上記こて先チップが上記切れ込みの両側に拡がることを規制する位置に複数設けられていることを特徴とする請求項4記載のはんだ加熱器具用こて先側部材。
- 上記絞り部は、上記筒状部材を、その外周面に沿って線状に縮径させたものであることを特徴とする請求項4記載のはんだ加熱器具用こて先側部材。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載のはんだ加熱器具用こて先側部材を、これを支持する本体側部材に着脱自在に設けたことを特徴とするはんだ加熱器具。
- 上記本体側部材に設けられ、不活性ガスを上記本体側部材の内部に導入するガス導入部と、
上記こて先チップの先端付近に設けられ、導入された不活性ガスを噴出するガス噴出部と、
不活性ガスを上記ガス導入部から上記ガス噴出部に導くガス通路とを備え、
上記切れ込み部における上記セラミックヒータの外周面と上記筒状部材の内面との間の隙間によって上記ガス通路の一部が形成されるとともに、
上記切れ込みの上記凹部底面付近が上記筒状部材から露出して上記ガス噴出部を形成していることを特徴とする請求項7記載のはんだ加熱器具。
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