JPWO2005062301A1 - 光磁気記録媒体およびその製造方法、光磁気記録媒体用基板、並びに、母型スタンパおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明に係る光磁気記録媒体（Ｘ１）は、基板（Ｓ１）と、垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層と、前記基板および前記記録層の間の少なくとも一つの機能層（１２）と、を含む積層構造を有する。前記基板（Ｓ１）および前記少なくとも一つの機能層（１２）のうちの少なくとも一つにおける前記記録層の側の表面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さ及び１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する微細凹凸面（１０ｂ，１０ｃ）を含む。
Description
本発明は、垂直磁気異方性を有する記録層を備える光磁気記録媒体およびその製造方法、光磁気記録媒体用の基板、並びに、基板作製用の母型スタンパおよびその製造方法に関する。
近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。
光磁気記録媒体は、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜により構成される記録層を有する。垂直磁化膜は、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する。光磁気記録媒体では、このような記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録されている。光磁気記録媒体の記録処理では、記録用レーザの照射による記録層の所定箇所の昇温と当該所定箇所に対する磁界印加との組み合わせによって、磁化方向の変化として所定の信号が記録層に記録される。光磁気記録媒体の再生処理では、記録層ないしこれを含む記録磁性部に対して局所的に再生用レーザを照射し、記録層表面ないし記録磁性部表面にて当該照射光が反射する際に生じ得る偏光状態の変化を利用して、磁化方向の変化として記録信号が読み取られる。このような光磁気記録媒体については、例えば、特開平８−１７０８０号公報、国際公開第ＷＯ９８／０２８７８号パンフレット、および特開平１０−１４９５９２号公報に記載されている。
記録処理および再生処理においては、各々に適した所定のエネルギを有するレーザが媒体に照射されるところ、媒体表面におけるレーザ照射領域のサイズ即ちスポット径が小さいほど、媒体の記録分解能および再生分解能を向上するうえで好適であることが知られている。記録分解能および再生分解能の向上は、媒体の高記録密度化に資する。スポット径は、照射レーザの波長を短くしたり、当該照射レーザを集光するための対物レンズ（媒体に対面するレンズ）の開口数ＮＡを大きくすることにより、小さくすることができる。
しかしながら、開口数ＮＡの大きなレンズほど、焦点距離が短いため、従来のバックイルミネーション方式光磁気記録媒体に適用するのが困難となる傾向にある。バックイルミネーション方式光磁気記録媒体では、機械的強度の観点より所定の厚さが必要とされる比較的分厚い透明基板の側から記録層ないし記録磁性部に対してレーザ照射が行われるために、集光用レンズに対しては比較的長い焦点距離が求められるからである。
開口数ＮＡの大きなレンズを活用すべく、光磁気記録媒体の技術分野においては、バックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式の実用化に対する要求が高い。フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録層ないし記録磁性部に対して基板とは反対の側からレーザ照射が行われるので、集光用レンズについて、バックイルミネーション方式光磁気記録媒体にて必要とされるほどの長い焦点距離は求められないからである。
一方、光磁気記録媒体においては、記録層に形成され得る安定な記録マーク（磁区）の長さが小さいほど、記録分解能が高く、高記録密度を達成するのに好適であることが知られている。また、記録層が積層形成される面に適度な粗さの凹凸が存在し且つ当該凹凸の周期が小さいほど、記録層（希土類−遷移金属アモルファス合金垂直磁化膜）において、より小さな安定磁区を形成できる傾向にあることが知られている。
積層対象面の凹凸形状に起因して、記録層の磁区構造に存在する磁壁は固定され得る。いわゆるピンニングである。積層対象面の凹凸形状が周期性を有する場合には均一なピンニング作用が生じ、当該凹凸形状の周期が小さいほどピンニング単位（記録層内に生ずる磁気クラスタ）は微細化する傾向にあり、また、積層対象面の表面粗さが大きいほど、磁壁に作用するピンニング力は大きい傾向にある。ピンニング単位が小さく且つピンニング力が大きいほど、記録層において小さな記録マーク（磁区）を安定に形成することができるので、記録分解能は高い。そのため、光磁気記録媒体では、アモルファス合金垂直磁化膜よりなる記録層の磁区構造の微細化を図るべく、記録層の積層対象面において積極的に凹凸形状が形成される場合がある。
そのような凹凸形状を形成するには、従来、まず、記録層の直下の層（下地層）として所定の材料膜が形成される。次に、材料膜の表面に、当該材料膜よりも表面張力の大きな材料を堆積成長させる。このとき、当該材料は、材料膜表面との表面張力の差に起因して、島状に成長する。このようにして、記録層の積層対象面にて凹凸形状を形成することができる。
フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体の技術の分野においては、例えば１００ｎｍ以下のマーク長を有する記録マークを形成し得るほどに記録用レーザのスポットを小径化することは、実現されている。しかしながら、記録層の積層対象面にて積極的に凹凸形状を形成する上述のような従来の方法は、例えば１００ｎｍ以下のマーク長を有する記録マークを安定に形成し得るほどに凹凸周期が小さく且つ粗さの大きい凹凸形状を形成するのに、困難を有する。そのため、従来の技術によると、光磁気記録媒体において、記録分解能を充分に向上することができないために所望の高記録密度を達成できない場合がある。
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、高記録密度化を図るのに適した、光磁気記録媒体およびその製造方法、光磁気記録媒体用基板、並びに、基板作製用の母型スタンパおよびその製造方法を提供することを、目的とする。
光磁気記録媒体は、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜により構成される記録層を有する。垂直磁化膜は、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する。光磁気記録媒体では、このような記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録されている。光磁気記録媒体の記録処理では、記録用レーザの照射による記録層の所定箇所の昇温と当該所定箇所に対する磁界印加との組み合わせによって、磁化方向の変化として所定の信号が記録層に記録される。光磁気記録媒体の再生処理では、記録層ないしこれを含む記録磁性部に対して局所的に再生用レーザを照射し、記録層表面ないし記録磁性部表面にて当該照射光が反射する際に生じ得る偏光状態の変化を利用して、磁化方向の変化として記録信号が読み取られる。このような光磁気記録媒体については、例えば、特開平８−１７０８０号公報、国際公開第ＷＯ９８／０２８７８号パンフレット、および特開平１０−１４９５９２号公報に記載されている。
記録処理および再生処理においては、各々に適した所定のエネルギを有するレーザが媒体に照射されるところ、媒体表面におけるレーザ照射領域のサイズ即ちスポット径が小さいほど、媒体の記録分解能および再生分解能を向上するうえで好適であることが知られている。記録分解能および再生分解能の向上は、媒体の高記録密度化に資する。スポット径は、照射レーザの波長を短くしたり、当該照射レーザを集光するための対物レンズ（媒体に対面するレンズ）の開口数ＮＡを大きくすることにより、小さくすることができる。
しかしながら、開口数ＮＡの大きなレンズほど、焦点距離が短いため、従来のバックイルミネーション方式光磁気記録媒体に適用するのが困難となる傾向にある。バックイルミネーション方式光磁気記録媒体では、機械的強度の観点より所定の厚さが必要とされる比較的分厚い透明基板の側から記録層ないし記録磁性部に対してレーザ照射が行われるために、集光用レンズに対しては比較的長い焦点距離が求められるからである。
開口数ＮＡの大きなレンズを活用すべく、光磁気記録媒体の技術分野においては、バックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式の実用化に対する要求が高い。フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録層ないし記録磁性部に対して基板とは反対の側からレーザ照射が行われるので、集光用レンズについて、バックイルミネーション方式光磁気記録媒体にて必要とされるほどの長い焦点距離は求められないからである。
一方、光磁気記録媒体においては、記録層に形成され得る安定な記録マーク（磁区）の長さが小さいほど、記録分解能が高く、高記録密度を達成するのに好適であることが知られている。また、記録層が積層形成される面に適度な粗さの凹凸が存在し且つ当該凹凸の周期が小さいほど、記録層（希土類−遷移金属アモルファス合金垂直磁化膜）において、より小さな安定磁区を形成できる傾向にあることが知られている。
積層対象面の凹凸形状に起因して、記録層の磁区構造に存在する磁壁は固定され得る。いわゆるピンニングである。積層対象面の凹凸形状が周期性を有する場合には均一なピンニング作用が生じ、当該凹凸形状の周期が小さいほどピンニング単位（記録層内に生ずる磁気クラスタ）は微細化する傾向にあり、また、積層対象面の表面粗さが大きいほど、磁壁に作用するピンニング力は大きい傾向にある。ピンニング単位が小さく且つピンニング力が大きいほど、記録層において小さな記録マーク（磁区）を安定に形成することができるので、記録分解能は高い。そのため、光磁気記録媒体では、アモルファス合金垂直磁化膜よりなる記録層の磁区構造の微細化を図るべく、記録層の積層対象面において積極的に凹凸形状が形成される場合がある。
そのような凹凸形状を形成するには、従来、まず、記録層の直下の層（下地層）として所定の材料膜が形成される。次に、材料膜の表面に、当該材料膜よりも表面張力の大きな材料を堆積成長させる。このとき、当該材料は、材料膜表面との表面張力の差に起因して、島状に成長する。このようにして、記録層の積層対象面にて凹凸形状を形成することができる。
フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体の技術の分野においては、例えば１００ｎｍ以下のマーク長を有する記録マークを形成し得るほどに記録用レーザのスポットを小径化することは、実現されている。しかしながら、記録層の積層対象面にて積極的に凹凸形状を形成する上述のような従来の方法は、例えば１００ｎｍ以下のマーク長を有する記録マークを安定に形成し得るほどに凹凸周期が小さく且つ粗さの大きい凹凸形状を形成するのに、困難を有する。そのため、従来の技術によると、光磁気記録媒体において、記録分解能を充分に向上することができないために所望の高記録密度を達成できない場合がある。
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、高記録密度化を図るのに適した、光磁気記録媒体およびその製造方法、光磁気記録媒体用基板、並びに、基板作製用の母型スタンパおよびその製造方法を提供することを、目的とする。
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、基板と、垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層と、基板および記録層の間の少なくとも一つの機能層と、を含む積層構造を有する。基板および少なくとも一つの機能層のうちの少なくとも一つにおける記録層の側の表面は、微細凹凸面を含む。この微細凹凸面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さ及び１〜２０ｎｍの凹凸周期を有し、比較的大きな表面粗さと比較的小さな凹凸周期とを併有する。ここで表面粗さとは、本発明においては、対象となる表面についてＪＩＳ Ｂ０６０１にて定義される算術平均高さをいうものとする。このような表面粗さについては、パラメータＲａを用いて表す。本媒体では、基板および記録層の間に複数の機能層が存在する場合、当該複数の機能層のうちの一つが記録層に接し、他の機能層は記録層に接しない。記録層に接する機能層（第１機能層）における記録層側表面、記録層に接しない機能層（第２機能層）における記録層側表面、および基板における記録層側表面、のうちの少なくとも一つに、微細凹凸面が含まれる。また、本媒体は、例えば所定の材料を基板上に順次成膜することによって、形成されるものである。
第１機能層の記録層側表面が微細凹凸面を含む場合、当該第１機能層上に直接的に積層形成される記録層では、垂直磁気異方性を呈する磁区構造に形成される磁壁に対し、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸面の当該微細凹凸形状に起因するピンニング力が作用する。そのため、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。
第２機能層の記録層側表面が微細凹凸面を含む場合、当該第２機能層と記録層の間に介在する少なくとも一つの層（第１機能層を含む）を充分に薄く設けると、第２機能層の微細凹凸面の微細凹凸形状は第１機能層の記録層側表面に反映され、第１機能層表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸面が生ずることとなる。第１機能層のこのような微細凹凸面の微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得るのである。
基板の記録層側表面が微細凹凸面を含む場合、当該基板と記録層の間に介在する少なくとも一つの層（第１機能層を含む）を充分に薄く設けると、基板の微細凹凸面の微細凹凸形状は第１機能層の記録層側表面に反映され、第１機能層表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸面が生ずることとなる。第１機能層のこのような微細凹凸面の微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得るのである。
記録層にて微小な磁区が安定に形成される本光磁気記録媒体は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
本発明の第１の側面において、好ましくは、積層構造は、ランド部およびグルーブ部を含むランドグルーブ形状を有し、基板および少なくとも一つの機能層のうちの少なくとも一つにおける記録層の側の表面は、ランド部においてのみ又はグルーブ部においてのみ、微細凹凸面を含む。このような構成は、記録層におけるランド部のみ又はグルーブ部のみを情報記録部として利用するうえで好適である。
好ましくは、記録層は、遷移金属磁化優勢組成を有する磁性材料（希土類−遷移金属アモルファス合金）よりなり、少なくとも一つの機能層は、記録用磁界強度を低減するための、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料（希土類−遷移金属アモルファス合金）よりなり且つ記録層に接する記録補助層を、含む。或は、記録層は、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料（希土類−遷移金属アモルファス合金）よりなり、少なくとも一つの機能層は、記録用磁界強度を低減するための、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料よりなり且つ記録層に接する記録補助層を、含んでいてもよい。
本発明の第１の側面における積層構造は、好ましくは、垂直磁気異方性を有して再生機能を担う再生層と、記録層および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層とを更に含む。このような構成によると、本発明に係る光磁気記録媒体を、ＤＷＤＤ（ｄｏｍａｉｎ ｗａｌｌ ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）やＭＡＭＭＯＳ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ）の再生方式を有する媒体として実施することができる。本発明は、再生分解能に優れたＤＷＤＤ再生方式やＭＡＭＭＯＳ再生方式の光磁気記録媒体において実施する場合に特に実益が高い。
本発明の第２の側面によると他の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、基板と、垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層と、基板および記録層の間に位置する放熱層と、を含む積層構造を有する。放熱層における記録層の側の表面は、微細凹凸面を含む。この微細凹凸面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。
このような構成は、本発明の第１の側面において第１または第２機能層表面が微細凹凸面を含む場合に相当する。したがって、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体も、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、高記録密度を図るのに好適である。
本発明の第２の側面における好ましい実施の形態では、積層構造（放熱層を含む）は、ランド部およびグルーブ部を含むランドグルーブ形状を有し、放熱層における記録層の側の表面は、ランド部においてのみ又はグルーブ部においてのみ、微細凹凸面を含む。このような構成は、記録層におけるランド部のみ又はグルーブ部のみを情報記録部として利用するうえで好適である。
本発明の第３の側面によると光磁気記録媒体用基板が提供される。この光磁気記録媒体用基板の少なくとも表面は樹脂材料よりなる。また、この光磁気記録媒体は、ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む。ランド面および／またはグルーブ面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。このような構成を有する基板を用いると、基板表面が微細凹凸面を含む上述の光磁気記録媒体を製造することができる。
本発明の第４の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパが提供される。この母型スタンパは、ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む。ランド面および／またはグルーブ面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。このような構成のスタンパを使用すると、本発明の第３の側面に係る光磁気記録媒体用基板を適切に製造することができる。
本発明の第５の側面によると、光磁気記録媒体を製造するための方法が提供される。この方法は、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜を基材上に形成するための工程と、材料膜における第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、材料膜に微細凹凸面を形成するための工程と、材料膜の上位に、垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層を形成するための工程と、を含む。このような方法によると、本発明の第１の側面における第１または第２機能層表面が微細凹凸面を含む光磁気記録媒体を適切に製造することができる。
本発明の第５の側面における好ましい実施の形態では、第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを有する微細凹凸面を、適切に形成することが可能である。
本発明の第６の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための方法が提供される。この方法は、第１ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む基板における表面に、当該表面を構成する材料よりも表面エネルギーの大きな材料を当該材料の拡散温度以上に加熱しつつ堆積させることにより、第１微細凹凸形状を形成するための工程と、電鋳法により当該基板表面上に金属材料を成長させることによって、第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、スタンパおよび基板を分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第２微細凹凸形状をランド面およびグルーブ面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
本発明の第７の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための他の方法が提供される。この方法は、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための方法であって、第１ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む基板における表面に、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜を形成するための工程と、材料膜における第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、材料膜表面に第１微細凹凸形状を形成するための工程と、電鋳法により材料膜上に金属材料を成長させることによって、第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、スタンパおよび基板を分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第２微細凹凸形状をランド面およびグルーブ面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
本発明の第７の側面における好ましい実施の形態では、第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む。このような構成は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う微細凹凸形状を形成するうえで好適である。
本発明の第８の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための他の方法が提供される。この方法は、開口部を有するレジストパターンを基板上に形成するための工程と、レジストパターンを介して基板にエッチング処理を施すことにより、ランド面およびグルーブ面を有する第１ランドグルーブ形状を当該基板に形成するための工程と、レジストパターンの側からの材料堆積により、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜をグルーブ面上に形成するための工程と、材料膜における第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、グルーブ面上に第１微細凹凸形状を形成するための工程と、基板およびレジストパターンを分離するための工程と、ランド面およびグルーブ面を含む、基板の表面に、電鋳法により金属材料を成長させることによって、第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、スタンパおよび基板を分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第２微細凹凸形状をランド面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
本発明の第８の側面における好ましい実施の形態では、スタンパにおける、第２ランドグルーブ形状の側の表面に、電鋳法により金属材料を成長させることによって、第２ランドグルーブ形状に対応する第３ランドグルーブ形状および第２微細凹凸形状に対応する第３微細凹凸形状を有する子スタンパを形成するための工程と、子スタンパおよびスタンパを分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第３微細凹凸形状をグルーブ面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
好ましくは、第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む。このような構成は、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う微細凹凸形状を適切に形成するうえで好適である。
第１機能層の記録層側表面が微細凹凸面を含む場合、当該第１機能層上に直接的に積層形成される記録層では、垂直磁気異方性を呈する磁区構造に形成される磁壁に対し、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸面の当該微細凹凸形状に起因するピンニング力が作用する。そのため、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。
第２機能層の記録層側表面が微細凹凸面を含む場合、当該第２機能層と記録層の間に介在する少なくとも一つの層（第１機能層を含む）を充分に薄く設けると、第２機能層の微細凹凸面の微細凹凸形状は第１機能層の記録層側表面に反映され、第１機能層表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸面が生ずることとなる。第１機能層のこのような微細凹凸面の微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得るのである。
基板の記録層側表面が微細凹凸面を含む場合、当該基板と記録層の間に介在する少なくとも一つの層（第１機能層を含む）を充分に薄く設けると、基板の微細凹凸面の微細凹凸形状は第１機能層の記録層側表面に反映され、第１機能層表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸面が生ずることとなる。第１機能層のこのような微細凹凸面の微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得るのである。
記録層にて微小な磁区が安定に形成される本光磁気記録媒体は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
本発明の第１の側面において、好ましくは、積層構造は、ランド部およびグルーブ部を含むランドグルーブ形状を有し、基板および少なくとも一つの機能層のうちの少なくとも一つにおける記録層の側の表面は、ランド部においてのみ又はグルーブ部においてのみ、微細凹凸面を含む。このような構成は、記録層におけるランド部のみ又はグルーブ部のみを情報記録部として利用するうえで好適である。
好ましくは、記録層は、遷移金属磁化優勢組成を有する磁性材料（希土類−遷移金属アモルファス合金）よりなり、少なくとも一つの機能層は、記録用磁界強度を低減するための、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料（希土類−遷移金属アモルファス合金）よりなり且つ記録層に接する記録補助層を、含む。或は、記録層は、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料（希土類−遷移金属アモルファス合金）よりなり、少なくとも一つの機能層は、記録用磁界強度を低減するための、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料よりなり且つ記録層に接する記録補助層を、含んでいてもよい。
本発明の第１の側面における積層構造は、好ましくは、垂直磁気異方性を有して再生機能を担う再生層と、記録層および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層とを更に含む。このような構成によると、本発明に係る光磁気記録媒体を、ＤＷＤＤ（ｄｏｍａｉｎ ｗａｌｌ ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）やＭＡＭＭＯＳ（ｍａｇｎｅｔｉｃ ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ）の再生方式を有する媒体として実施することができる。本発明は、再生分解能に優れたＤＷＤＤ再生方式やＭＡＭＭＯＳ再生方式の光磁気記録媒体において実施する場合に特に実益が高い。
本発明の第２の側面によると他の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、基板と、垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層と、基板および記録層の間に位置する放熱層と、を含む積層構造を有する。放熱層における記録層の側の表面は、微細凹凸面を含む。この微細凹凸面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。
このような構成は、本発明の第１の側面において第１または第２機能層表面が微細凹凸面を含む場合に相当する。したがって、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体も、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、高記録密度を図るのに好適である。
本発明の第２の側面における好ましい実施の形態では、積層構造（放熱層を含む）は、ランド部およびグルーブ部を含むランドグルーブ形状を有し、放熱層における記録層の側の表面は、ランド部においてのみ又はグルーブ部においてのみ、微細凹凸面を含む。このような構成は、記録層におけるランド部のみ又はグルーブ部のみを情報記録部として利用するうえで好適である。
本発明の第３の側面によると光磁気記録媒体用基板が提供される。この光磁気記録媒体用基板の少なくとも表面は樹脂材料よりなる。また、この光磁気記録媒体は、ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む。ランド面および／またはグルーブ面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。このような構成を有する基板を用いると、基板表面が微細凹凸面を含む上述の光磁気記録媒体を製造することができる。
本発明の第４の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパが提供される。この母型スタンパは、ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む。ランド面および／またはグルーブ面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。このような構成のスタンパを使用すると、本発明の第３の側面に係る光磁気記録媒体用基板を適切に製造することができる。
本発明の第５の側面によると、光磁気記録媒体を製造するための方法が提供される。この方法は、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜を基材上に形成するための工程と、材料膜における第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、材料膜に微細凹凸面を形成するための工程と、材料膜の上位に、垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層を形成するための工程と、を含む。このような方法によると、本発明の第１の側面における第１または第２機能層表面が微細凹凸面を含む光磁気記録媒体を適切に製造することができる。
本発明の第５の側面における好ましい実施の形態では、第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを有する微細凹凸面を、適切に形成することが可能である。
本発明の第６の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための方法が提供される。この方法は、第１ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む基板における表面に、当該表面を構成する材料よりも表面エネルギーの大きな材料を当該材料の拡散温度以上に加熱しつつ堆積させることにより、第１微細凹凸形状を形成するための工程と、電鋳法により当該基板表面上に金属材料を成長させることによって、第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、スタンパおよび基板を分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第２微細凹凸形状をランド面およびグルーブ面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
本発明の第７の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための他の方法が提供される。この方法は、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための方法であって、第１ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む基板における表面に、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜を形成するための工程と、材料膜における第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、材料膜表面に第１微細凹凸形状を形成するための工程と、電鋳法により材料膜上に金属材料を成長させることによって、第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、スタンパおよび基板を分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第２微細凹凸形状をランド面およびグルーブ面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
本発明の第７の側面における好ましい実施の形態では、第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む。このような構成は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う微細凹凸形状を形成するうえで好適である。
本発明の第８の側面によると、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための他の方法が提供される。この方法は、開口部を有するレジストパターンを基板上に形成するための工程と、レジストパターンを介して基板にエッチング処理を施すことにより、ランド面およびグルーブ面を有する第１ランドグルーブ形状を当該基板に形成するための工程と、レジストパターンの側からの材料堆積により、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜をグルーブ面上に形成するための工程と、材料膜における第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、グルーブ面上に第１微細凹凸形状を形成するための工程と、基板およびレジストパターンを分離するための工程と、ランド面およびグルーブ面を含む、基板の表面に、電鋳法により金属材料を成長させることによって、第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、スタンパおよび基板を分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第２微細凹凸形状をランド面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
本発明の第８の側面における好ましい実施の形態では、スタンパにおける、第２ランドグルーブ形状の側の表面に、電鋳法により金属材料を成長させることによって、第２ランドグルーブ形状に対応する第３ランドグルーブ形状および第２微細凹凸形状に対応する第３微細凹凸形状を有する子スタンパを形成するための工程と、子スタンパおよびスタンパを分離するための工程と、を含む。このような構成によると、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う第３微細凹凸形状をグルーブ面に有する母型スタンパを、適切に形成することが可能である。
好ましくは、第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む。このような構成は、例えば０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａと１〜２０ｎｍの凹凸周期とを伴う微細凹凸形状を適切に形成するうえで好適である。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図２は、本発明に係る光磁気記録媒体における記録磁性部の変形例を表す。
図３は、本発明に係る光磁気記録媒体における記録磁性部の他の変形例を表す。
図４Ａ〜図４Ｄは、図１に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図５Ａ〜図５Ｄは、図４Ｄの後に続く工程を表す。
図６Ａおよび図６Ｂは、図５Ｄの後に続く工程を表す。
図７Ａ〜図７Ｄは、図１に示す光磁気記録媒体の他の製造方法における一部の工程を表す。
図８は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図９Ａ〜図９Ｄは、図８に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図１０Ａ〜図１０Ｄは、図９Ｄの後に続く工程を表す。
図１１Ａ〜図１１Ｄは、図１０Ｄの後に続く工程を表す。
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図１３Ａ〜図１３Ｄは、図１２に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図１４Ａおよび図１４Ｂは、図１３Ｄの後に続く工程を表す。
図１５は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図１６Ａ〜図１６Ｄは、図１５に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図１７〜図１７Ｃは、図１６Ｄの後に続く工程を表す。
図１８は、実施例１〜７の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図１９は、実施例８の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図２０は、比較例１〜３の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図２１は、比較例４の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図２２は、実施例１〜５および比較例１〜４の光磁気記録媒体につにてのビットエラーレート測定の結果を表すグラフである。
図２３は、サンプルＰ１〜Ｐ１２について、凹凸周期および表面粗さＲａを示す表である。
図２は、本発明に係る光磁気記録媒体における記録磁性部の変形例を表す。
図３は、本発明に係る光磁気記録媒体における記録磁性部の他の変形例を表す。
図４Ａ〜図４Ｄは、図１に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図５Ａ〜図５Ｄは、図４Ｄの後に続く工程を表す。
図６Ａおよび図６Ｂは、図５Ｄの後に続く工程を表す。
図７Ａ〜図７Ｄは、図１に示す光磁気記録媒体の他の製造方法における一部の工程を表す。
図８は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図９Ａ〜図９Ｄは、図８に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図１０Ａ〜図１０Ｄは、図９Ｄの後に続く工程を表す。
図１１Ａ〜図１１Ｄは、図１０Ｄの後に続く工程を表す。
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図１３Ａ〜図１３Ｄは、図１２に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図１４Ａおよび図１４Ｂは、図１３Ｄの後に続く工程を表す。
図１５は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図１６Ａ〜図１６Ｄは、図１５に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図１７〜図１７Ｃは、図１６Ｄの後に続く工程を表す。
図１８は、実施例１〜７の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図１９は、実施例８の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図２０は、比較例１〜３の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図２１は、比較例４の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
図２２は、実施例１〜５および比較例１〜４の光磁気記録媒体につにてのビットエラーレート測定の結果を表すグラフである。
図２３は、サンプルＰ１〜Ｐ１２について、凹凸周期および表面粗さＲａを示す表である。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ１の部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘ１は、基板Ｓ１と、記録磁性部１１と、放熱層１２と、誘電体層１３と、保護膜１４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気記録媒体Ｘ１は、図１に示す積層構造を基板Ｓ１の片面側のみに又は両面側に有する。
基板Ｓ１は、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ１０ａが設けられてランドグルーブ形状を有し、相対的に突出しているランド面１０ｂおよび相対的に退避しているグルーブ面１０ｃを有する。ランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃは、各々、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。このような基板Ｓ１は、紫外線に対して充分な透過性を有する材料により構成される。そのような基板構成材料としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、およびポリオレフィン樹脂が挙げられる。
記録磁性部１１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部１１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部１１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有する。或は、記録磁性部１１は、図２に示すように、例えばＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式での再生を実現するための記録層１１ａ、再生層１１ｂ、およびこれらの間の中間層１１ｃを含む少なくとも３層の構造を有する。或は、記録磁性部１１は、図３に示すように、記録再生機能を担う記録層１１ｄと、記録補助層１１ｅとからなる。記録補助層１１ｅは、垂直磁化膜であり、記録処理に必要とされる最小外部磁界強度を低減する機能を呈する。垂直磁化膜である記録補助層１１ｅは、記録層内の磁化における垂直方向への指向性を強めることによって、記録処理用の外部磁界強度を低減する機能を呈するのである。
記録磁性部１１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、各層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。
より具体的には、記録層は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，またはＴｂＤｙＦｅＣｏよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。各層の厚さは、記録磁性部１１に所望される磁性構造に応じて決定される。
記録磁性部１１について、記録層１１ｄおよび記録補助層１１ｅよりなる図３に示す２層構造を採用する場合には、記録層１１ｄは遷移金属磁化優勢組成を有し且つ記録補助層１１ｅは希土類金属磁化優勢組成を有するのが好ましい。或は、記録層１１ｄは希土類金属磁化優勢組成を有し且つ記録補助層１１ｅは遷移金属磁化優勢組成を有するのが好ましい。
記録磁性部１１は、基板Ｓ１のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部１１ｆおよびグルーブ部１１ｇを含む。これらランド部１１ｆおよびグルーブ部１１ｇは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層１２は、レーザ照射時に記録磁性部１１にて発生する熱を効率よく基板Ｓ１へ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど），Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔなどの高熱伝導材料よりなる。放熱層１２の厚さは、例えば１０〜４０ｎｍである。また、放熱層１２は、基板Ｓ１のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部１２ａおよびグルーブ部１２ｂを含む。
誘電体層１３は、再生用レーザにおけるカー回転角をみかけ上増大させるための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＡｌＮ，またはＡｌ２Ｏ３よりなる。誘電体層１３の厚さは、例えば２０〜９０ｎｍである。
保護膜１４は、光磁気記録媒体Ｘ１に照射される記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂よりなり、その厚さは例えば１０〜４０μｍである。保護膜１４を構成するための樹脂としては、例えば紫外線硬化性の透明樹脂が挙げられる。
図４Ａ〜図６Ｂは、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法を表す。本方法においては、まず、図４Ａに示すように、基板５０上にレジスト膜５１’を形成する。基板５０は、原盤作製用の例えば石英基板やシリコンウエハである。
次に、レジスト膜５１’に対して露光処理および現像処理を施すことにより、図４Ｂに示すように、開口部５１ａを有するレジストパターン５１を形成する。開口部５１ａは、基板Ｓ１にて形成すべき上述のプリグルーブ１０ａに対応するパターン形状を有する。
次に、図４Ｃに示すように、レジストパターン５１をマスクとして基板５０にエッチング処理を施すことにより、基板５０に凹部５０ａを形成する。これにより、ランド面５０ｂおよびグルーブ面５０ｃを表面に有するランドグルーブ形状が基板５０に生ずる。エッチングとしては、例えばＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）を採用することができる。凹部５０ａの形成の後、レジストパターン５１を基板５０から除去する。
次に、図４Ｄに示すように、ランド面５０ｂ上およびグルーブ面５０ｃ上に微細凹凸形状５２を形成する。微細凹凸形状５２の凹凸周期は１〜２０ｎｍであり、粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍである。微細凹凸形状５２の形成においては、具体的には、基板５０を加熱しつつ、当該基板表面よりも表面エネルギの大きな材料を堆積させる。堆積手法としては、スパッタリング法や蒸着法を採用することができ、加熱温度は、堆積材料の拡散温度以上の温度（例えば２００℃）に設定する。また、基板表面と堆積材料の表面張力の差は、例えば１０００ｍＮ／ｍ以上とする。堆積材料としては、基板表面より大きな表面張力を有する限りにおいて、例えば、Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｃｏよりなる群より選択される単体金属、または、当該群より選択される金属を含む合金を、採用することができる。このようにして、基板Ｓ１のプリグルーブ１０ａに対応する凹部５０ａを有し且つランド面５０ｂおよびグルーブ面５０ｃにて微細凹凸形状５２を有する基板Ｓ１形成用原盤Ｍ１を、作製することができる。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図５Ａに示すように、原盤Ｍ１をテンプレートとして、電鋳法によりスタンパＭ２を形成する。具体的には、まず、例えばスパッタリング法により、原盤Ｍ１上に導体薄膜を形成する。当該導体薄膜を形成するための材料としては、例えばニッケルを採用することができる。次に、電気めっきの原理に基づき、導体薄膜を通電層として利用して、当該導体薄膜上に所定の導体材料を所定の厚さまでめっき成長させる。所定の導体材料としては例えばニッケルを採用することができる。このようにして、基板Ｓ１形成用の母型スタンパであるスタンパＭ２を作製することができる。スタンパＭ２には、原盤Ｍ１のランドグルーブ形状および微細凹凸形状５２が転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状５３が形成されている。スタンパＭ２の形成の後、図５Ｂに示すように、スタンパＭ２および原盤Ｍ１を分離する。
次に、必要に応じてスタンパＭ２を所定の外径を有するディスクにプレス加工した後、図５Ｃおよび図５Ｄに示すように、スタンパＭ２を利用して基板Ｓ１を作製する。
具体的には、まず、基材５４およびスタンパＭ２を紫外線硬化性の樹脂材料５５’を介して貼り合わせる。基材５４は、紫外線に対して充分な透過性を有し、例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。また、基材５４の表面には、必要に応じて、樹脂材料５５’との間において良好な密着性を得るための表面処理を予め施しておく。
張り合せの後、基材５４の側から樹脂材料５５’に対して紫外線照射を施すことにより、当該樹脂材料５５’を硬化させて樹脂部５５を形成する。これにより、樹脂部５５には、スタンパＭ２のランドグルーブ形状および微細凹凸形状５３が転写され、微細凹凸形状を有するランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃを表面に含むランドグルーブ形状が生ずる。このようにして、上述の基板Ｓ１を作製することができる。基板Ｓ１の作製においては、以上のような手法に代えて、スタンパＭ２をテンプレートとして用いて行なう射出成形法を採用してもよい。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、基板Ｓ１およびスタンパＭ２を分離した後、図６Ａに示すように、基板Ｓ１上に、放熱層１２、記録磁性部１１、および誘電体層１３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図６Ｂに示すように、誘電体層１３上に保護膜１４を形成する。保護膜１４の形成においては、まず、誘電体層１３上に液状の樹脂組成物を成膜する。成膜手法としてはスピンコート法を採用することができる。次に、成膜された樹脂組成物を硬化させる。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。樹脂部５５から保護膜１４までの積層構造を基材５４の両面側に設ける場合には、更に、図５Ｃ〜図６Ｂを参照して上述した一連の工程を、基材５４のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ１においては、基板Ｓ１は、微細凹凸形状を有するランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃを有する。ランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。ランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃの微細凹凸形状は、充分に薄く設けられている放熱層１２の記録層側表面に反映され、放熱層１２のランド部１２ａおよびグルーブ部１２ｂにおける表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸形状（図示略）が生じている。放熱層１２表面の当該微細凹凸形状は、例えば、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。放熱層１２のこのような微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録磁性部１１のランド部１１ｆおよびグルーブ部１１ｇにて、記録磁性部１１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような光磁気記録媒体Ｘ１は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
図７Ａ〜図７Ｄは、光磁気記録媒体Ｘ１の他の製造方法の一部の工程を表す。本方法においては、まず、図７Ａに示すように、図４Ｃに示す形態にまで加工された後にレジストパターン５１から分離された基板５０の上に、混合膜５６を形成する。混合膜５６は、所定のエッチングガスを使用して行なう後述のエッチング処理でのエッチングレートが相対的に低い第１材料を母材として含み、且つ、当該エッチング処理でのエッチングレートが相対的に高い第２材料を添加物として含む。第１材料としては、例えば、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。第２材料としては、例えば、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。混合膜５６の形成においては、コスパッタリングにより、これら第１材料および第２材料を基板５０上に堆積させる。このような混合膜５６の厚さは例えば１〜５ｎｍである。
次に、図７Ｂに示すように、ドライエッチング法により混合膜５６にエッチング処理を施すことによって、微細凹凸形状５６ａを形成する。微細凹凸形状５６ａは、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。本エッチング処理においては、エッチングガスとして、第１材料に対するエッチングレートよりも第２材料に対するエッチングレートの高いものを使用する。第２材料におけるエッチングレートは、第１材料におけるエッチングレートの１０倍以上であるのが好ましい。例えば、第１材料としてＡｇを採用し、第２材料としてＣを採用する場合には、エッチングガスとしてはＯ２を好適に使用することができる。また、第１材料としてＡｇを採用し、第２材料としてＳｉを採用する場合には、エッチングガスとしてはＣＦ４を好適に使用することができる。
以上のようにして、基板Ｓ１のプリグルーブ１０ａに対応する凹部５０ａを有し且つランド面５０ｂ上およびグルーブ面５０ｃ上に微細凹凸形状５６ａを有する基板Ｓ１形成用原盤Ｍ３を、作製することができる。このような原盤作製方法においては、微細凹凸形状５６ａの形成の際に基板５０を例えば２００℃以上に積極的に加熱する必要はない。したがって、本方法によると、基板５０が例えば２００℃にて変形しやすい材料からなる場合であっても、適切に原盤Ｍ３を作製することができる。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図７Ｃに示すように、原盤Ｍ３をテンプレートとしてスタンパＭ４を電鋳法により形成する。具体的には、スタンパＭ２の形成手法に関して図５Ａを参照して上述したのと同様である。スタンパＭ４には、原盤Ｍ３のランドグルーブ形状および微細凹凸形状５６ａが転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状５７が形成されている。スタンパＭ４の形成の後、図７Ｄに示すように、スタンパＭ４および原盤Ｍ３を分離する。
次に、スタンパＭ２に代えてスタンパＭ４を母型スタンパとして利用する以外は図５Ｃおよび図５Ｄを参照して上述したのと同一の工程を経て、或は、スタンパＭ４を用いて行なう射出成形法により、基板Ｓ１を作製する。この後、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、基板Ｓ１上に、放熱層１２、記録磁性部１１、誘電体層１３、および保護膜１４を順次形成する。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。
図８は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２の部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘ２は、基板Ｓ２と、記録磁性部２１と、放熱層２２と、誘電体層２３と、保護膜２４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気記録媒体Ｘ２は、図８に示す積層構造を基板Ｓ２の片面側のみに又は両面側に有する。
基板Ｓ２は、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ２０ａが設けられてランドグルーブ形状を有し、ランド面２０ｂおよびグルーブ面２０ｃを有する。グルーブ面２０ｃは、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。基板Ｓ２の構成材料としては、基板Ｓ１に関して上掲した材料を採用することができる。
記録磁性部２１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部２１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部２１は、記録磁性部１１に関して上述したのと同様な、複数の磁性膜からなる多層構造（記録層を含む）を有する。記録磁性部２１の構成材料としては、記録磁性部１１に関して上掲した材料を採用することができる。また、記録磁性部２１は、基板Ｓ２のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部２１ａおよびグルーブ部２１ｂを含む。グルーブ部２１ｂは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層２２は、レーザ照射時に記録磁性部２１にて発生する熱を効率よく基板Ｓ２へ伝えるための部位であり、１０〜４０ｎｍの厚さを有する。また、放熱層２２は、基板Ｓ２のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部２２ａおよびグルーブ部２２ｂを含む。放熱層２２の構成材料としては、放熱層１１に関して上掲した材料を採用することができる。
誘電体層２３および保護膜２４の構成については、誘電体層１３および保護膜１４に関して上述したのと同様である。
図９Ａ〜図１１Ｄは、光磁気記録媒体Ｘ２の製造方法を表す。本方法においては、まず、図９Ａに示すように、基板６０上にレジスト膜６１’を形成する。基板６０は、原盤作製用の例えば石英基板やシリコンウエハである。
次に、レジスト膜６１’に対して露光処理および現像処理を施すことにより、図９Ｂに示すように、開口部６１ａを有するレジストパターン６１を形成する。開口部６１ａは、基板Ｓ２にて形成すべき上述のプリグルーブ２０ａに対応するパターン形状を有する。
次に、図９Ｃに示すように、レジストパターン６１をマスクとして基板６０にエッチング処理を施すことにより、基板６０に凹部６０ａを形成する。これにより、ランド面６０ｂおよびグルーブ面６０ｃを表面に含むランドグルーブ形状が基板６０に生ずる。エッチングとしては、例えばＲＩＥを採用することができる。
次に、図９Ｄに示すように混合膜６２を形成する。混合膜６２の厚さは例えば１〜５ｎｍである。混合膜６２は、所定のエッチングガスを使用して行なう後述のエッチング処理でのエッチングレートが相対的に低い第１材料を母材として含み、且つ、当該エッチング処理でのエッチングレートが相対的に高い第２材料を添加物として含む。第１材料および第２材料としては、混合膜５６に関して上掲した材料を採用することができる。混合膜６２の形成においては、コスパッタリングにより、これら第１材料および第２材料を基板６０上に堆積させる。本コスパッタリングでは、第１および第２材料は、レジストパターン６１上にも堆積する。
次に、図１０Ａに示すように、レジストパターン６１を基板６０から除去する。このとき、レジストパターン６１上の混合膜６２も除去される。
次に、図１０Ｂに示すように、グルーブ面６０ｃ上に残存する混合膜６２に対してドライエッチング法によりエッチング処理を施すことによって、混合膜６２にて微細凹凸形状６２ａを形成する。微細凹凸形状６２ａは、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。本エッチング処理においては、エッチングガスとして、第１材料に対するエッチングレートよりも第２材料に対するエッチングレートの高いものを使用する。第２材料におけるエッチングレートは、第１材料におけるエッチングレートの１０倍以上であるのが好ましい。エッチングガスとしては、第１材料および第２材料の種類に応じて例えばＯ２やＣＦ４を採用することができる。
以上のようにして、基板Ｓ２のプリグルーブ２０ａに対応する凹部６０ａを有し且つグルーブ面６０ｃ上に微細凹凸形状６２ａを有する基板Ｓ２形成用原盤Ｍ５を、作製することができる。このような原盤作製方法においては、微細凹凸形状６２ａの形成の際に基板６０を例えば２００℃以上に積極的に加熱する必要はない。したがって、本方法によると、基板６０が例えば２００℃にて変形しやすい材料からなる場合であっても、適切に原盤Ｍ５を作製することができる。
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、次に、図１０Ｃに示すように、原盤Ｍ５をテンプレートとして、電鋳法によりスタンパＭ６を形成する。具体的には、スタンパＭ２の形成手法に関して図５Ａを参照して上述したのと同様である。スタンパＭ６には、原盤Ｍ５のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６２ａが転写され、ランドグルーブ形状と、そのランド部にて微細凹凸形状６３とが、形成されている。スタンパＭ６の形成の後、図１０Ｄに示すように、スタンパＭ６および原盤Ｍ５を分離する。
次に、必要に応じてスタンパＭ６を所定の外径を有するディスクにプレス加工した後、図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、スタンパＭ６を利用して基板Ｓ２を作製する。
具体的には、まず、基材６４およびスタンパＭ６を紫外線硬化性の樹脂材料６５’を介して貼り合わせる。基材６４の構成材料としては、基材５４に関して上掲した材料を採用することができる。また、基材６４の表面には、必要に応じて、樹脂材料６５’との間において良好な密着性を得るための表面処理を予め施しておく。
張り合せの後、基材６４の側から樹脂材料６５’に対して紫外線照射を施すことにより、当該樹脂材料６５’を硬化させて樹脂部６５を形成する。これにより、樹脂部６５には、スタンパＭ６のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６３が転写され、ランド面２０ｂと微細凹凸形状を有するグルーブ面２０ｃとを表面に含むランドグルーブ形状が生ずる。このようにして、上述の基板Ｓ２を作製することができる。基板Ｓ２の作製においては、以上のような手法に代えて、スタンパＭ６をテンプレートとして用いて行なう射出成形法を採用してもよい。
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、次に、基板Ｓ２およびスタンパＭ６を分離した後、図１１Ｃに示すように、基板Ｓ２上に、放熱層２２、記録磁性部２１、および誘電体層２３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図１１Ｄに示すように、誘電体層２３上に保護膜２４を形成する。具体的には、保護膜１４の形成手法に関して図６Ｂを参照して上述したのと同様である。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ２を製造することができる。樹脂部６５から保護膜２４までの積層構造を基材６４の両面側に設ける場合には、更に、図１１Ａ〜図１１Ｄを参照して上述した一連の工程を、基材６４のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ２においては、基板Ｓ２は、微細凹凸形状を有するグルーブ面２０ｃを有する。グルーブ面２０ｃの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。グルーブ面２０ｃの微細凹凸形状は、充分に薄く設けられている放熱層２２の記録層側表面に反映され、放熱層２２のグルーブ部２２ｂにおける表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸形状（図示略）が生じている。放熱層２２表面の当該微細凹凸形状は、例えば、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。放熱層２２のこのような微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録磁性部２１のグルーブ部２１ｂにて、記録磁性部２１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような光磁気記録媒体Ｘ２は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
加えて、光磁気記録媒体Ｘ２においては、基板Ｓ２のランド面２０ｂは、グルーブ面２０ｃの有するような微細凹凸形状を有さないので、放熱層２２のランド部２２ａにおける表面には適切な微細凹凸形状は生じていない。そのため、記録磁性部２１のランド部２１ａでは、グルーブ部２１ｂにて作用するようなピンニング力は、記録磁性部２１に含まれる記録層には作用せず、ランド部２１ａにおける記録層（本実施形態では記録機能を担わない）には、グルーブ部２１ｂにおける記録層よりも、微小な磁区が形成されにくい。したがって、光磁気記録媒体Ｘ２においては、グルーブ部２１ｂ間がランド部２１ａにより磁性的に良好に分離され、グルーブ部２１ｂを情報トラック部として適切に利用することが可能なのである。
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ３の部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘ３は、基板Ｓ３と、記録磁性部３１と、放熱層３２と、誘電体層３３、保護膜３４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気記録媒体Ｘ３は、図１２に示す積層構造を基板Ｓ３の片面側のみに又は両面側に有する。
基板Ｓ３には、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ３０ａが設けられてランドグルーブ形状を有し、ランド面３０ｂおよびグルーブ面３０ｃを有する。ランド面３０ｂは、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。基板Ｓ３の構成材料としては、基板Ｓ１に関して上掲した材料を採用することができる。
記録磁性部３１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部３１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部３１は、記録磁性部１１に関して上述したのと同様な、複数の磁性膜からなる多層構造（記録層を含む）を有する。記録磁性部３１の構成材料としては、記録磁性部１１に関して上掲した材料を採用することができる。また、記録磁性部３１は、基板Ｓ３のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部３１ａおよびグルーブ部３１ｂを含む。ランド部３１ａは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層３２は、レーザ照射時に記録磁性部３１にて発生する熱を効率よく基板、Ｓ３へ伝えるための部位であり、１０〜４０ｎｍの厚さを有する。また、放熱層３２は、基板Ｓ３のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部３２ａおよびグルーブ部３２ｂを含む。放熱層３２の構成材料としては、放熱層１１に関して上掲した材料を採用することができる。
誘電体層３３および保護膜３４の構成については、誘電体層１３および保護膜１４に関して上述したのと同様である。
図１３Ａ〜図１４Ｂは、光磁気記録媒体Ｘ３の製造方法の一部の工程を表す。本方法においては、まず、図１３Ａに示すように、上述のスタンパＭ６をテンプレートとしてスタンパＭ７を電鋳法により形成する。具体的には、スタンパＭ２の形成手法に関して図５Ａを参照して上述したのと同様である。スタンパＭ７は、基板Ｓ３形成用の母型スタンパである。スタンパＭ７には、スタンパＭ６のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６３が転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状６６が形成されている。スタンパＭ７の形成の後、図１３Ｂに示すように、スタンパＭ７およびスタンパＭ６を分離する。
次に、図１３Ｃおよび図１３Ｄに示すように、スタンパＭ７を利用して基板Ｓ３を作製する。
具体的には、まず、基材６７およびスタンパＭ７を紫外線硬化性の樹脂６８’を介して貼り合わせる。基材６７の構成材料としては、基材５４に関して上掲した材料を採用することができる。また、基材６７の表面には、必要に応じて、樹脂材料６８’との間において良好な密着性を得るための表面処理を予め施しておく。
張り合せの後、基材６７の側から樹脂材料６８’に対して紫外線照射を施すことにより、当該樹脂材料６８’を硬化させて樹脂部６８を形成する。これにより、樹脂部６８には、スタンパＭ７のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６６が転写され、微細凹凸形状を有するランド面３０ｂと、グルーブ面３０ｃと、を表面に含むランドグルーブ形状が生ずる。このようにして、上述の基板Ｓ３を作製することができる。基板Ｓ３の作製においては、以上のような手法に代えて、スタンパＭ７をテンプレートとして用いて行なう射出成形法を採用してもよい。
光磁気記録媒体Ｘ３の製造においては、次に、基板Ｓ３およびスタンパＭ７を分離した後、図１４Ａに示すように、基板Ｓ３上に、放熱層３２、記録磁性部３１、および誘電体層３３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図１４Ｂに示すように、誘電体層３３上に保護膜３４を形成する。具体的には、保護膜１４の形成手法に関して図６Ｂを参照して上述したのと同様である。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ３を製造することができる。樹脂部６８から保護膜３４までの積層構造を基材６７の両面側に設ける場合には、更に、図１３Ｃ〜図１４Ｂを参照して上述した一連の工程を、基材６７のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ３においては、基板Ｓ３は、微細凹凸形状を有するランド面３０ｂを有する。ランド面３０ｂの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。ランド面３０ｂの微細凹凸形状は、充分に薄く設けられている放熱層３２の記録層側表面に反映され、放熱層３２のランド部３２ａにおける表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸形状（図示略）が生じている。放熱層３２表面の当該微細凹凸形状は、例えば、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。放熱層３２のこのような微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録磁性部３１のランド部３１ａにて、記録磁性部３１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような本光磁気記録媒体Ｘ３は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
加えて、光磁気記録媒体Ｘ３においては、基板Ｓ３のグルーブ面３０ｃは、グランド面３０ｂの有するような微細凹凸形状を有さないので、放熱層３２のグルーブ部３２ｂにおける表面には適切な微細凹凸形状は生じていない。そのため、記録磁性部３１のグルーブ部３１ｂでは、ランド部３１ａにて作用するようなピンニング力は、記録磁性部３１に含まれる記録層には作用せず、グルーブ部３１ｂにおける記録層（本実施形態では記録機能を担わない）には、ランド部３１ａにおける記録層よりも、微小な磁区が形成されにくい。したがって、光磁気記録媒体Ｘ３においては、ランド部３１ａ間がグルーブ部３１ｂにより磁性的に良好に分離され、ランド部３１ａを情報トラック部として適切に利用することが可能なのである。
図１５は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ４の部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓ４と、記録磁性部４１と、放熱層４２と、誘電体層４３と、保護膜４４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気記録媒体Ｘ４は、図１５に示す積層構造を基板Ｓ４の片面側のみに又は両面側に有する。
基板Ｓ４には、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ４０ａを有するランドグルーブ形状が設けられている。
記録磁性部４１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部４１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部４１は、記録磁性部１１に関して上述したのと同様な、複数の磁性膜からなる多層構造（記録層を含む）を有する。記録磁性部４１の構成材料としては、記録磁性部１１に関して上掲した材料を採用することができる。また、記録磁性部４１は、基板Ｓ４のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部４１ａおよびグルーブ部４１ｂを含む。これらランド部４１ａおよびグルーブ部４１ｂは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層４２は、レーザ照射時に記録磁性部４１にて発生する熱を効率よく基板Ｓ４へ伝えるための部位であり、例えば、ＡｉＳｉ，ＡｌＳｉＴｉ，ＡｇＳｉなどの高熱伝導材料よりなる。放熱層４２は、基板Ｓ４のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、放熱層４２の記録磁性層側表面は、ランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂを有する。ランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂは、各々、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。
誘電体層４３および保護膜４４の構成については、誘電体層１３および保護膜１４に関して上述したのと同様である。
図１６Ａ〜図１７Ｃは、光磁気記録媒体Ｘ４の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１６Ａに示すように、基板４０上にレジスト膜７１’を形成する。
次に、レジスト膜７１’に対して露光処理および現像処理を施すことにより、図１６Ｂに示すように、開口部７１ａを有するレジストパターン７１を形成する。開口部７１ａは、上述のプリグルーブ４０ａに対応するパターン形状を有する。
次に、図１６Ｃに示すように、レジストパターン７１をマスクとして基板４０にエッチング処理を施すことにより、基板４０にプリグルーブ４０ａを形成する。これにより、基板Ｓ４が得られる。エッチング法としては、例えばＲＩＥを採用することができる。プリグルーブ４０ａの形成の後、レジストパターン７１を基板Ｓ４から除去する。
次に、図１６Ｄに示すように、放熱層形成用の混合層４２’を基板Ｓ４上に形成する。混合層４２’は、所定のエッチングガスを使用して行なう後述のエッチング処理でのエッチングレートが相対的に低い第１材料を母材として含み、且つ、当該エッチング処理でのエッチングレートが相対的に高い第２材料を添加物として含む。第１材料としては、例えば、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。第２材料としては、例えば、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。混合層４２’の形成においては、コスパッタリングにより、これら第１材料および第２材料を基板Ｓ４上に堆積させる。また、混合層４２’を形成する前には、基板Ｓ４と混合層４２’の間において良好な密着性を得るための所定の下地層を基板Ｓ４上に予め形成しておいてもよい。
次に、図１７Ａに示すように、ドライエッチング法により混合層４２’にエッチング処理を施すことによって、その表面に微細凹凸形状４２ｃを形成し、放熱層４２を形成する。本エッチング処理においては、エッチングガスとして、第１材料に対するエッチングレートよりも第２材料に対するエッチングレートの高いものを使用する。第２材料におけるエッチングレートは、第１材料におけるエッチングレートの１０倍以上であるのが好ましい。例えば、第１材料としてＡｌＳｉ合金を採用し、第２材料としてＣを採用する場合には、エッチングガスとしてはＯ２を好適に使用することができる。また、第１材料としてＡｌを採用し、第２材料としてＳｉを採用する場合には、エッチングガスとしてはＣＦ４を好適に使用することができる。
光磁気記録媒体Ｘ４の製造においては、次に、図１７Ｂに示すように、放熱層４２上に、記録磁性部４１、および誘電体層４３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図１７Ｃに示すように、誘電体層４３上に保護膜４４を形成する。具体的には、保護膜１４の形成手法に関して図６Ｂを参照して上述したのと同様である。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ４を製造することができる。放熱層４２から保護膜４４までの積層構造を基板Ｓ４の両面側に設ける場合には、更に、図１６Ａ〜図１７Ｃを参照して上述した一連の工程を、基板Ｓ４のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ４においては、基板Ｓ４は、微細凹凸形状４２ｃを有するランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂを有する。ランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。記録磁性部４１の直下に位置する放熱層４２のこのような微細凹凸形状４２ｃに起因するピンニング力が、記録磁性部４１のランド部４１ａおよびグルーブ部４１ｂにて、記録磁性部４１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような本光磁気記録媒体Ｘ４は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
基板Ｓ１は、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ１０ａが設けられてランドグルーブ形状を有し、相対的に突出しているランド面１０ｂおよび相対的に退避しているグルーブ面１０ｃを有する。ランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃは、各々、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。このような基板Ｓ１は、紫外線に対して充分な透過性を有する材料により構成される。そのような基板構成材料としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、およびポリオレフィン樹脂が挙げられる。
記録磁性部１１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部１１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部１１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有する。或は、記録磁性部１１は、図２に示すように、例えばＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式での再生を実現するための記録層１１ａ、再生層１１ｂ、およびこれらの間の中間層１１ｃを含む少なくとも３層の構造を有する。或は、記録磁性部１１は、図３に示すように、記録再生機能を担う記録層１１ｄと、記録補助層１１ｅとからなる。記録補助層１１ｅは、垂直磁化膜であり、記録処理に必要とされる最小外部磁界強度を低減する機能を呈する。垂直磁化膜である記録補助層１１ｅは、記録層内の磁化における垂直方向への指向性を強めることによって、記録処理用の外部磁界強度を低減する機能を呈するのである。
記録磁性部１１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、各層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。
より具体的には、記録層は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，またはＴｂＤｙＦｅＣｏよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。各層の厚さは、記録磁性部１１に所望される磁性構造に応じて決定される。
記録磁性部１１について、記録層１１ｄおよび記録補助層１１ｅよりなる図３に示す２層構造を採用する場合には、記録層１１ｄは遷移金属磁化優勢組成を有し且つ記録補助層１１ｅは希土類金属磁化優勢組成を有するのが好ましい。或は、記録層１１ｄは希土類金属磁化優勢組成を有し且つ記録補助層１１ｅは遷移金属磁化優勢組成を有するのが好ましい。
記録磁性部１１は、基板Ｓ１のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部１１ｆおよびグルーブ部１１ｇを含む。これらランド部１１ｆおよびグルーブ部１１ｇは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層１２は、レーザ照射時に記録磁性部１１にて発生する熱を効率よく基板Ｓ１へ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど），Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔなどの高熱伝導材料よりなる。放熱層１２の厚さは、例えば１０〜４０ｎｍである。また、放熱層１２は、基板Ｓ１のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部１２ａおよびグルーブ部１２ｂを含む。
誘電体層１３は、再生用レーザにおけるカー回転角をみかけ上増大させるための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＺｎＳ−ＳｉＯ２，ＡｌＮ，またはＡｌ２Ｏ３よりなる。誘電体層１３の厚さは、例えば２０〜９０ｎｍである。
保護膜１４は、光磁気記録媒体Ｘ１に照射される記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂よりなり、その厚さは例えば１０〜４０μｍである。保護膜１４を構成するための樹脂としては、例えば紫外線硬化性の透明樹脂が挙げられる。
図４Ａ〜図６Ｂは、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法を表す。本方法においては、まず、図４Ａに示すように、基板５０上にレジスト膜５１’を形成する。基板５０は、原盤作製用の例えば石英基板やシリコンウエハである。
次に、レジスト膜５１’に対して露光処理および現像処理を施すことにより、図４Ｂに示すように、開口部５１ａを有するレジストパターン５１を形成する。開口部５１ａは、基板Ｓ１にて形成すべき上述のプリグルーブ１０ａに対応するパターン形状を有する。
次に、図４Ｃに示すように、レジストパターン５１をマスクとして基板５０にエッチング処理を施すことにより、基板５０に凹部５０ａを形成する。これにより、ランド面５０ｂおよびグルーブ面５０ｃを表面に有するランドグルーブ形状が基板５０に生ずる。エッチングとしては、例えばＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）を採用することができる。凹部５０ａの形成の後、レジストパターン５１を基板５０から除去する。
次に、図４Ｄに示すように、ランド面５０ｂ上およびグルーブ面５０ｃ上に微細凹凸形状５２を形成する。微細凹凸形状５２の凹凸周期は１〜２０ｎｍであり、粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍである。微細凹凸形状５２の形成においては、具体的には、基板５０を加熱しつつ、当該基板表面よりも表面エネルギの大きな材料を堆積させる。堆積手法としては、スパッタリング法や蒸着法を採用することができ、加熱温度は、堆積材料の拡散温度以上の温度（例えば２００℃）に設定する。また、基板表面と堆積材料の表面張力の差は、例えば１０００ｍＮ／ｍ以上とする。堆積材料としては、基板表面より大きな表面張力を有する限りにおいて、例えば、Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｃｏよりなる群より選択される単体金属、または、当該群より選択される金属を含む合金を、採用することができる。このようにして、基板Ｓ１のプリグルーブ１０ａに対応する凹部５０ａを有し且つランド面５０ｂおよびグルーブ面５０ｃにて微細凹凸形状５２を有する基板Ｓ１形成用原盤Ｍ１を、作製することができる。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図５Ａに示すように、原盤Ｍ１をテンプレートとして、電鋳法によりスタンパＭ２を形成する。具体的には、まず、例えばスパッタリング法により、原盤Ｍ１上に導体薄膜を形成する。当該導体薄膜を形成するための材料としては、例えばニッケルを採用することができる。次に、電気めっきの原理に基づき、導体薄膜を通電層として利用して、当該導体薄膜上に所定の導体材料を所定の厚さまでめっき成長させる。所定の導体材料としては例えばニッケルを採用することができる。このようにして、基板Ｓ１形成用の母型スタンパであるスタンパＭ２を作製することができる。スタンパＭ２には、原盤Ｍ１のランドグルーブ形状および微細凹凸形状５２が転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状５３が形成されている。スタンパＭ２の形成の後、図５Ｂに示すように、スタンパＭ２および原盤Ｍ１を分離する。
次に、必要に応じてスタンパＭ２を所定の外径を有するディスクにプレス加工した後、図５Ｃおよび図５Ｄに示すように、スタンパＭ２を利用して基板Ｓ１を作製する。
具体的には、まず、基材５４およびスタンパＭ２を紫外線硬化性の樹脂材料５５’を介して貼り合わせる。基材５４は、紫外線に対して充分な透過性を有し、例えば、ガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。また、基材５４の表面には、必要に応じて、樹脂材料５５’との間において良好な密着性を得るための表面処理を予め施しておく。
張り合せの後、基材５４の側から樹脂材料５５’に対して紫外線照射を施すことにより、当該樹脂材料５５’を硬化させて樹脂部５５を形成する。これにより、樹脂部５５には、スタンパＭ２のランドグルーブ形状および微細凹凸形状５３が転写され、微細凹凸形状を有するランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃを表面に含むランドグルーブ形状が生ずる。このようにして、上述の基板Ｓ１を作製することができる。基板Ｓ１の作製においては、以上のような手法に代えて、スタンパＭ２をテンプレートとして用いて行なう射出成形法を採用してもよい。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、基板Ｓ１およびスタンパＭ２を分離した後、図６Ａに示すように、基板Ｓ１上に、放熱層１２、記録磁性部１１、および誘電体層１３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図６Ｂに示すように、誘電体層１３上に保護膜１４を形成する。保護膜１４の形成においては、まず、誘電体層１３上に液状の樹脂組成物を成膜する。成膜手法としてはスピンコート法を採用することができる。次に、成膜された樹脂組成物を硬化させる。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。樹脂部５５から保護膜１４までの積層構造を基材５４の両面側に設ける場合には、更に、図５Ｃ〜図６Ｂを参照して上述した一連の工程を、基材５４のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ１においては、基板Ｓ１は、微細凹凸形状を有するランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃを有する。ランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。ランド面１０ｂおよびグルーブ面１０ｃの微細凹凸形状は、充分に薄く設けられている放熱層１２の記録層側表面に反映され、放熱層１２のランド部１２ａおよびグルーブ部１２ｂにおける表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸形状（図示略）が生じている。放熱層１２表面の当該微細凹凸形状は、例えば、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。放熱層１２のこのような微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録磁性部１１のランド部１１ｆおよびグルーブ部１１ｇにて、記録磁性部１１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような光磁気記録媒体Ｘ１は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
図７Ａ〜図７Ｄは、光磁気記録媒体Ｘ１の他の製造方法の一部の工程を表す。本方法においては、まず、図７Ａに示すように、図４Ｃに示す形態にまで加工された後にレジストパターン５１から分離された基板５０の上に、混合膜５６を形成する。混合膜５６は、所定のエッチングガスを使用して行なう後述のエッチング処理でのエッチングレートが相対的に低い第１材料を母材として含み、且つ、当該エッチング処理でのエッチングレートが相対的に高い第２材料を添加物として含む。第１材料としては、例えば、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。第２材料としては、例えば、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。混合膜５６の形成においては、コスパッタリングにより、これら第１材料および第２材料を基板５０上に堆積させる。このような混合膜５６の厚さは例えば１〜５ｎｍである。
次に、図７Ｂに示すように、ドライエッチング法により混合膜５６にエッチング処理を施すことによって、微細凹凸形状５６ａを形成する。微細凹凸形状５６ａは、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。本エッチング処理においては、エッチングガスとして、第１材料に対するエッチングレートよりも第２材料に対するエッチングレートの高いものを使用する。第２材料におけるエッチングレートは、第１材料におけるエッチングレートの１０倍以上であるのが好ましい。例えば、第１材料としてＡｇを採用し、第２材料としてＣを採用する場合には、エッチングガスとしてはＯ２を好適に使用することができる。また、第１材料としてＡｇを採用し、第２材料としてＳｉを採用する場合には、エッチングガスとしてはＣＦ４を好適に使用することができる。
以上のようにして、基板Ｓ１のプリグルーブ１０ａに対応する凹部５０ａを有し且つランド面５０ｂ上およびグルーブ面５０ｃ上に微細凹凸形状５６ａを有する基板Ｓ１形成用原盤Ｍ３を、作製することができる。このような原盤作製方法においては、微細凹凸形状５６ａの形成の際に基板５０を例えば２００℃以上に積極的に加熱する必要はない。したがって、本方法によると、基板５０が例えば２００℃にて変形しやすい材料からなる場合であっても、適切に原盤Ｍ３を作製することができる。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図７Ｃに示すように、原盤Ｍ３をテンプレートとしてスタンパＭ４を電鋳法により形成する。具体的には、スタンパＭ２の形成手法に関して図５Ａを参照して上述したのと同様である。スタンパＭ４には、原盤Ｍ３のランドグルーブ形状および微細凹凸形状５６ａが転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状５７が形成されている。スタンパＭ４の形成の後、図７Ｄに示すように、スタンパＭ４および原盤Ｍ３を分離する。
次に、スタンパＭ２に代えてスタンパＭ４を母型スタンパとして利用する以外は図５Ｃおよび図５Ｄを参照して上述したのと同一の工程を経て、或は、スタンパＭ４を用いて行なう射出成形法により、基板Ｓ１を作製する。この後、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、基板Ｓ１上に、放熱層１２、記録磁性部１１、誘電体層１３、および保護膜１４を順次形成する。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。
図８は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２の部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘ２は、基板Ｓ２と、記録磁性部２１と、放熱層２２と、誘電体層２３と、保護膜２４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気記録媒体Ｘ２は、図８に示す積層構造を基板Ｓ２の片面側のみに又は両面側に有する。
基板Ｓ２は、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ２０ａが設けられてランドグルーブ形状を有し、ランド面２０ｂおよびグルーブ面２０ｃを有する。グルーブ面２０ｃは、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。基板Ｓ２の構成材料としては、基板Ｓ１に関して上掲した材料を採用することができる。
記録磁性部２１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部２１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部２１は、記録磁性部１１に関して上述したのと同様な、複数の磁性膜からなる多層構造（記録層を含む）を有する。記録磁性部２１の構成材料としては、記録磁性部１１に関して上掲した材料を採用することができる。また、記録磁性部２１は、基板Ｓ２のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部２１ａおよびグルーブ部２１ｂを含む。グルーブ部２１ｂは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層２２は、レーザ照射時に記録磁性部２１にて発生する熱を効率よく基板Ｓ２へ伝えるための部位であり、１０〜４０ｎｍの厚さを有する。また、放熱層２２は、基板Ｓ２のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部２２ａおよびグルーブ部２２ｂを含む。放熱層２２の構成材料としては、放熱層１１に関して上掲した材料を採用することができる。
誘電体層２３および保護膜２４の構成については、誘電体層１３および保護膜１４に関して上述したのと同様である。
図９Ａ〜図１１Ｄは、光磁気記録媒体Ｘ２の製造方法を表す。本方法においては、まず、図９Ａに示すように、基板６０上にレジスト膜６１’を形成する。基板６０は、原盤作製用の例えば石英基板やシリコンウエハである。
次に、レジスト膜６１’に対して露光処理および現像処理を施すことにより、図９Ｂに示すように、開口部６１ａを有するレジストパターン６１を形成する。開口部６１ａは、基板Ｓ２にて形成すべき上述のプリグルーブ２０ａに対応するパターン形状を有する。
次に、図９Ｃに示すように、レジストパターン６１をマスクとして基板６０にエッチング処理を施すことにより、基板６０に凹部６０ａを形成する。これにより、ランド面６０ｂおよびグルーブ面６０ｃを表面に含むランドグルーブ形状が基板６０に生ずる。エッチングとしては、例えばＲＩＥを採用することができる。
次に、図９Ｄに示すように混合膜６２を形成する。混合膜６２の厚さは例えば１〜５ｎｍである。混合膜６２は、所定のエッチングガスを使用して行なう後述のエッチング処理でのエッチングレートが相対的に低い第１材料を母材として含み、且つ、当該エッチング処理でのエッチングレートが相対的に高い第２材料を添加物として含む。第１材料および第２材料としては、混合膜５６に関して上掲した材料を採用することができる。混合膜６２の形成においては、コスパッタリングにより、これら第１材料および第２材料を基板６０上に堆積させる。本コスパッタリングでは、第１および第２材料は、レジストパターン６１上にも堆積する。
次に、図１０Ａに示すように、レジストパターン６１を基板６０から除去する。このとき、レジストパターン６１上の混合膜６２も除去される。
次に、図１０Ｂに示すように、グルーブ面６０ｃ上に残存する混合膜６２に対してドライエッチング法によりエッチング処理を施すことによって、混合膜６２にて微細凹凸形状６２ａを形成する。微細凹凸形状６２ａは、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。本エッチング処理においては、エッチングガスとして、第１材料に対するエッチングレートよりも第２材料に対するエッチングレートの高いものを使用する。第２材料におけるエッチングレートは、第１材料におけるエッチングレートの１０倍以上であるのが好ましい。エッチングガスとしては、第１材料および第２材料の種類に応じて例えばＯ２やＣＦ４を採用することができる。
以上のようにして、基板Ｓ２のプリグルーブ２０ａに対応する凹部６０ａを有し且つグルーブ面６０ｃ上に微細凹凸形状６２ａを有する基板Ｓ２形成用原盤Ｍ５を、作製することができる。このような原盤作製方法においては、微細凹凸形状６２ａの形成の際に基板６０を例えば２００℃以上に積極的に加熱する必要はない。したがって、本方法によると、基板６０が例えば２００℃にて変形しやすい材料からなる場合であっても、適切に原盤Ｍ５を作製することができる。
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、次に、図１０Ｃに示すように、原盤Ｍ５をテンプレートとして、電鋳法によりスタンパＭ６を形成する。具体的には、スタンパＭ２の形成手法に関して図５Ａを参照して上述したのと同様である。スタンパＭ６には、原盤Ｍ５のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６２ａが転写され、ランドグルーブ形状と、そのランド部にて微細凹凸形状６３とが、形成されている。スタンパＭ６の形成の後、図１０Ｄに示すように、スタンパＭ６および原盤Ｍ５を分離する。
次に、必要に応じてスタンパＭ６を所定の外径を有するディスクにプレス加工した後、図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、スタンパＭ６を利用して基板Ｓ２を作製する。
具体的には、まず、基材６４およびスタンパＭ６を紫外線硬化性の樹脂材料６５’を介して貼り合わせる。基材６４の構成材料としては、基材５４に関して上掲した材料を採用することができる。また、基材６４の表面には、必要に応じて、樹脂材料６５’との間において良好な密着性を得るための表面処理を予め施しておく。
張り合せの後、基材６４の側から樹脂材料６５’に対して紫外線照射を施すことにより、当該樹脂材料６５’を硬化させて樹脂部６５を形成する。これにより、樹脂部６５には、スタンパＭ６のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６３が転写され、ランド面２０ｂと微細凹凸形状を有するグルーブ面２０ｃとを表面に含むランドグルーブ形状が生ずる。このようにして、上述の基板Ｓ２を作製することができる。基板Ｓ２の作製においては、以上のような手法に代えて、スタンパＭ６をテンプレートとして用いて行なう射出成形法を採用してもよい。
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、次に、基板Ｓ２およびスタンパＭ６を分離した後、図１１Ｃに示すように、基板Ｓ２上に、放熱層２２、記録磁性部２１、および誘電体層２３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図１１Ｄに示すように、誘電体層２３上に保護膜２４を形成する。具体的には、保護膜１４の形成手法に関して図６Ｂを参照して上述したのと同様である。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ２を製造することができる。樹脂部６５から保護膜２４までの積層構造を基材６４の両面側に設ける場合には、更に、図１１Ａ〜図１１Ｄを参照して上述した一連の工程を、基材６４のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ２においては、基板Ｓ２は、微細凹凸形状を有するグルーブ面２０ｃを有する。グルーブ面２０ｃの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。グルーブ面２０ｃの微細凹凸形状は、充分に薄く設けられている放熱層２２の記録層側表面に反映され、放熱層２２のグルーブ部２２ｂにおける表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸形状（図示略）が生じている。放熱層２２表面の当該微細凹凸形状は、例えば、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。放熱層２２のこのような微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録磁性部２１のグルーブ部２１ｂにて、記録磁性部２１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような光磁気記録媒体Ｘ２は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
加えて、光磁気記録媒体Ｘ２においては、基板Ｓ２のランド面２０ｂは、グルーブ面２０ｃの有するような微細凹凸形状を有さないので、放熱層２２のランド部２２ａにおける表面には適切な微細凹凸形状は生じていない。そのため、記録磁性部２１のランド部２１ａでは、グルーブ部２１ｂにて作用するようなピンニング力は、記録磁性部２１に含まれる記録層には作用せず、ランド部２１ａにおける記録層（本実施形態では記録機能を担わない）には、グルーブ部２１ｂにおける記録層よりも、微小な磁区が形成されにくい。したがって、光磁気記録媒体Ｘ２においては、グルーブ部２１ｂ間がランド部２１ａにより磁性的に良好に分離され、グルーブ部２１ｂを情報トラック部として適切に利用することが可能なのである。
図１２は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ３の部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘ３は、基板Ｓ３と、記録磁性部３１と、放熱層３２と、誘電体層３３、保護膜３４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気記録媒体Ｘ３は、図１２に示す積層構造を基板Ｓ３の片面側のみに又は両面側に有する。
基板Ｓ３には、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ３０ａが設けられてランドグルーブ形状を有し、ランド面３０ｂおよびグルーブ面３０ｃを有する。ランド面３０ｂは、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。基板Ｓ３の構成材料としては、基板Ｓ１に関して上掲した材料を採用することができる。
記録磁性部３１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部３１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部３１は、記録磁性部１１に関して上述したのと同様な、複数の磁性膜からなる多層構造（記録層を含む）を有する。記録磁性部３１の構成材料としては、記録磁性部１１に関して上掲した材料を採用することができる。また、記録磁性部３１は、基板Ｓ３のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部３１ａおよびグルーブ部３１ｂを含む。ランド部３１ａは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層３２は、レーザ照射時に記録磁性部３１にて発生する熱を効率よく基板、Ｓ３へ伝えるための部位であり、１０〜４０ｎｍの厚さを有する。また、放熱層３２は、基板Ｓ３のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部３２ａおよびグルーブ部３２ｂを含む。放熱層３２の構成材料としては、放熱層１１に関して上掲した材料を採用することができる。
誘電体層３３および保護膜３４の構成については、誘電体層１３および保護膜１４に関して上述したのと同様である。
図１３Ａ〜図１４Ｂは、光磁気記録媒体Ｘ３の製造方法の一部の工程を表す。本方法においては、まず、図１３Ａに示すように、上述のスタンパＭ６をテンプレートとしてスタンパＭ７を電鋳法により形成する。具体的には、スタンパＭ２の形成手法に関して図５Ａを参照して上述したのと同様である。スタンパＭ７は、基板Ｓ３形成用の母型スタンパである。スタンパＭ７には、スタンパＭ６のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６３が転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状６６が形成されている。スタンパＭ７の形成の後、図１３Ｂに示すように、スタンパＭ７およびスタンパＭ６を分離する。
次に、図１３Ｃおよび図１３Ｄに示すように、スタンパＭ７を利用して基板Ｓ３を作製する。
具体的には、まず、基材６７およびスタンパＭ７を紫外線硬化性の樹脂６８’を介して貼り合わせる。基材６７の構成材料としては、基材５４に関して上掲した材料を採用することができる。また、基材６７の表面には、必要に応じて、樹脂材料６８’との間において良好な密着性を得るための表面処理を予め施しておく。
張り合せの後、基材６７の側から樹脂材料６８’に対して紫外線照射を施すことにより、当該樹脂材料６８’を硬化させて樹脂部６８を形成する。これにより、樹脂部６８には、スタンパＭ７のランドグルーブ形状および微細凹凸形状６６が転写され、微細凹凸形状を有するランド面３０ｂと、グルーブ面３０ｃと、を表面に含むランドグルーブ形状が生ずる。このようにして、上述の基板Ｓ３を作製することができる。基板Ｓ３の作製においては、以上のような手法に代えて、スタンパＭ７をテンプレートとして用いて行なう射出成形法を採用してもよい。
光磁気記録媒体Ｘ３の製造においては、次に、基板Ｓ３およびスタンパＭ７を分離した後、図１４Ａに示すように、基板Ｓ３上に、放熱層３２、記録磁性部３１、および誘電体層３３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図１４Ｂに示すように、誘電体層３３上に保護膜３４を形成する。具体的には、保護膜１４の形成手法に関して図６Ｂを参照して上述したのと同様である。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ３を製造することができる。樹脂部６８から保護膜３４までの積層構造を基材６７の両面側に設ける場合には、更に、図１３Ｃ〜図１４Ｂを参照して上述した一連の工程を、基材６７のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ３においては、基板Ｓ３は、微細凹凸形状を有するランド面３０ｂを有する。ランド面３０ｂの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。ランド面３０ｂの微細凹凸形状は、充分に薄く設けられている放熱層３２の記録層側表面に反映され、放熱層３２のランド部３２ａにおける表面にも、大きな表面粗さと小さな凹凸周期とを併有する微細凹凸形状（図示略）が生じている。放熱層３２表面の当該微細凹凸形状は、例えば、０．３〜１．５ｎｍの粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を伴う。放熱層３２のこのような微細凹凸形状に起因するピンニング力が、記録磁性部３１のランド部３１ａにて、記録磁性部３１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような本光磁気記録媒体Ｘ３は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
加えて、光磁気記録媒体Ｘ３においては、基板Ｓ３のグルーブ面３０ｃは、グランド面３０ｂの有するような微細凹凸形状を有さないので、放熱層３２のグルーブ部３２ｂにおける表面には適切な微細凹凸形状は生じていない。そのため、記録磁性部３１のグルーブ部３１ｂでは、ランド部３１ａにて作用するようなピンニング力は、記録磁性部３１に含まれる記録層には作用せず、グルーブ部３１ｂにおける記録層（本実施形態では記録機能を担わない）には、ランド部３１ａにおける記録層よりも、微小な磁区が形成されにくい。したがって、光磁気記録媒体Ｘ３においては、ランド部３１ａ間がグルーブ部３１ｂにより磁性的に良好に分離され、ランド部３１ａを情報トラック部として適切に利用することが可能なのである。
図１５は、本発明の第４の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ４の部分断面図である。光磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓ４と、記録磁性部４１と、放熱層４２と、誘電体層４３と、保護膜４４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気記録媒体Ｘ４は、図１５に示す積層構造を基板Ｓ４の片面側のみに又は両面側に有する。
基板Ｓ４には、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ４０ａを有するランドグルーブ形状が設けられている。
記録磁性部４１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有する。例えば、記録磁性部４１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部４１は、記録磁性部１１に関して上述したのと同様な、複数の磁性膜からなる多層構造（記録層を含む）を有する。記録磁性部４１の構成材料としては、記録磁性部１１に関して上掲した材料を採用することができる。また、記録磁性部４１は、基板Ｓ４のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、ランド部４１ａおよびグルーブ部４１ｂを含む。これらランド部４１ａおよびグルーブ部４１ｂは、本媒体における情報トラック部を構成する。
放熱層４２は、レーザ照射時に記録磁性部４１にて発生する熱を効率よく基板Ｓ４へ伝えるための部位であり、例えば、ＡｉＳｉ，ＡｌＳｉＴｉ，ＡｇＳｉなどの高熱伝導材料よりなる。放熱層４２は、基板Ｓ４のランドグルーブ形状が反映されたランドグルーブ形状を有し、放熱層４２の記録磁性層側表面は、ランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂを有する。ランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂは、各々、微細凹凸形状を有する微細凹凸面であり、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する。
誘電体層４３および保護膜４４の構成については、誘電体層１３および保護膜１４に関して上述したのと同様である。
図１６Ａ〜図１７Ｃは、光磁気記録媒体Ｘ４の製造方法を表す。本方法においては、まず、図１６Ａに示すように、基板４０上にレジスト膜７１’を形成する。
次に、レジスト膜７１’に対して露光処理および現像処理を施すことにより、図１６Ｂに示すように、開口部７１ａを有するレジストパターン７１を形成する。開口部７１ａは、上述のプリグルーブ４０ａに対応するパターン形状を有する。
次に、図１６Ｃに示すように、レジストパターン７１をマスクとして基板４０にエッチング処理を施すことにより、基板４０にプリグルーブ４０ａを形成する。これにより、基板Ｓ４が得られる。エッチング法としては、例えばＲＩＥを採用することができる。プリグルーブ４０ａの形成の後、レジストパターン７１を基板Ｓ４から除去する。
次に、図１６Ｄに示すように、放熱層形成用の混合層４２’を基板Ｓ４上に形成する。混合層４２’は、所定のエッチングガスを使用して行なう後述のエッチング処理でのエッチングレートが相対的に低い第１材料を母材として含み、且つ、当該エッチング処理でのエッチングレートが相対的に高い第２材料を添加物として含む。第１材料としては、例えば、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。第２材料としては、例えば、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む材料を採用することができる。混合層４２’の形成においては、コスパッタリングにより、これら第１材料および第２材料を基板Ｓ４上に堆積させる。また、混合層４２’を形成する前には、基板Ｓ４と混合層４２’の間において良好な密着性を得るための所定の下地層を基板Ｓ４上に予め形成しておいてもよい。
次に、図１７Ａに示すように、ドライエッチング法により混合層４２’にエッチング処理を施すことによって、その表面に微細凹凸形状４２ｃを形成し、放熱層４２を形成する。本エッチング処理においては、エッチングガスとして、第１材料に対するエッチングレートよりも第２材料に対するエッチングレートの高いものを使用する。第２材料におけるエッチングレートは、第１材料におけるエッチングレートの１０倍以上であるのが好ましい。例えば、第１材料としてＡｌＳｉ合金を採用し、第２材料としてＣを採用する場合には、エッチングガスとしてはＯ２を好適に使用することができる。また、第１材料としてＡｌを採用し、第２材料としてＳｉを採用する場合には、エッチングガスとしてはＣＦ４を好適に使用することができる。
光磁気記録媒体Ｘ４の製造においては、次に、図１７Ｂに示すように、放熱層４２上に、記録磁性部４１、および誘電体層４３を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により所定の材料の成膜することによって形成することができる。
次に、図１７Ｃに示すように、誘電体層４３上に保護膜４４を形成する。具体的には、保護膜１４の形成手法に関して図６Ｂを参照して上述したのと同様である。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ４を製造することができる。放熱層４２から保護膜４４までの積層構造を基板Ｓ４の両面側に設ける場合には、更に、図１６Ａ〜図１７Ｃを参照して上述した一連の工程を、基板Ｓ４のもう一方の面の側について行う。
光磁気記録媒体Ｘ４においては、基板Ｓ４は、微細凹凸形状４２ｃを有するランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂを有する。ランド面４２ａおよびグルーブ面４２ｂの表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍであり、凹凸周期は１〜２０ｎｍである。記録磁性部４１の直下に位置する放熱層４２のこのような微細凹凸形状４２ｃに起因するピンニング力が、記録磁性部４１のランド部４１ａおよびグルーブ部４１ｂにて、記録磁性部４１に含まれる記録層における磁壁に作用するので、当該記録層には、微小な磁区が安定に形成され得る。このような本光磁気記録媒体Ｘ４は、高い記録分解能を有し、高記録密度化を図るうえで好適である。
図１８に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、原盤を作製した。次に、この原盤を利用して母型スタンパを作製した。次に、この母型スタンパを利用して光磁気記録媒体用基板を作製した。次に、この基板上に光磁気記録媒体の各層を積層形成した。
原盤の作製においては、まず、石英基板（直径：１５０ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ，表面粗さＲａ：０．２５ｎｍ）上に、スピンコーティング法により、ポジ型のフォトレジスト（商品名：ＤＶＲ−３００，日本ゼオン製）を１００ｎｍの厚さに塗布した。次に、当該フォトレジスト膜を、１００℃で３０分間、プリベークした。次に、光ディスク露光装置（露光レーザ：波長３５１ｎｍのＡｒレーザ、対物レンズ：開口数ＮＡ０．９０）を使用して、所定のプリグルーブパターン（渦巻き状、グルーブ幅：０．２７５μｍ、トラックピッチ：０．２７５μｍ）でフォトレジスト膜を露光した。このプリグルーブパターンは、本実施例の後述の光磁気記録媒体用基板にて形成すべきプリグルーブのパターン形状に相当するものである。次に、露光されたフォトレジスト膜を現像処理することにより、レジストパターンを形成した。
次に、ＲＩＥ装置を使用して、レジストパターンをマスクとして石英基板をエッチング処理し、当該石英基板に対して、所定のパターンを有する深さ５０ｎｍのプリグルーブを形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＣＨＦ３を使用し、ガス圧力を０．５Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。本工程にて、ランドグルーブ形状を有するランドグルーブ面（ランド面およびグルーブ面を含む）が石英基板に生ずる。
次に、アッシング装置を使用して、酸素プラズマをレジストパターンに作用させることにより、当該レジストパターンをアッシングして除去した。本アッシング処理では、アッシングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、アッシング時間を１２０秒とした。
次に、スパッタリング法により、石英基板のランドグルーブ面上に酸化ルテニウム（ＲｕＯｘ）を成膜することによって、微細凹凸形成用の下地層（厚さ：１ｎｍ）を形成した。具体的には、Ｒｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＯ２ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、ＲｕＯｘを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＯ２ガスの流量比を５：１とし、ガス圧力を１．６Ｐａとし、投入電力を４０Ｗとした。
次に、石英基板のランド面およびグルーブ面の下地層上に微細凹凸形状を形成した。微細凹凸形状の形成においては、まず、基板を２００℃に加熱しつつ、スパッタリング法により、下地層上にＡｇを１ｎｍの厚さまで堆積させた。このとき、下地層とＡｇの表面張力の差に起因するＡｇの凝集効果に基づいて、Ａｇは複数の箇所にて島状に堆積ないし成長し、下地層上にはＡｇ微粒子群が形成された。本スパッタリングでは、Ａｇターゲットを使用し、ガス圧力を１．６Ｐａとし、投入電力を４０Ｗとした。続いて、各微粒子の高さを増大するため、基板を２００℃に加熱しつつ、スパッタリング法により、Ｃを１ｎｍの厚さまで成長させた。本スパッタリングでは、Ｃターゲットを使用し、ガス圧力を０．３Ｐａとし、投入電力を１５０Ｗとした。炭素（Ｃ）は、Ａｇ微粒子の形状を固定する機能を担う。このようにして、石英基板のランド面およびグルーブ面に、表面粗さＲａ１ｎｍおよび凹凸周期１０ｎｍを伴う微細凹凸形状を形成した。
以上のようにして、ランドグルーブ形状におけるランド面およびグルーブ面にて微細凹凸形状を有する原盤を作製した。
次に、上述のようにして作製した原盤をテンプレートとして、電鋳法により、母型スタンパ作製した。具体的には、まず、蒸着法により原盤のランドグルーブ面上にＮｉを成膜することによって、厚さ５０ｎｍのニッケル薄膜を形成した。次に、ニッケル薄膜を通電層として利用して、無電解めっき法によりＮｉをめっき成長させることによって、厚さ３００μｍのニッケル板を形成した。次に、ニッケル板および原盤を分離した。次に、当該ニッケル板をプレス加工し、母型スタンパを得た。この母型スタンパには、原盤のランドグルーブ形状および微細凹凸形状が転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状が形成されている。
次に、上述のようにして作製した母型スタンパを利用して、光磁気記録媒体用の基板を作製した。具体的には、まず、紫外線硬化性樹脂を介して母型スタンパおよび平坦なガラス基板を張り合わせた。次に、ガラス基板の側から紫外線を照射することにより紫外線硬化性樹脂を硬化させた。このようにして、光磁気記録媒体用の基板を製作した。この基板には、母型スタンパのランドグルーブ形状および微細凹凸形状が転写され、ランド面およびグルーブ面にて微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期：１０ｎｍ）が形成されている。
次に、上述のようにして作製した基板上に、スパッタリング法により、ＡｌＳｉを成膜することによって、厚さ４０ｎｍの放熱層を形成した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、ＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５９Ｐａとし、投入電力を３００Ｗ（Ａｌターゲット）および２００Ｗ（Ｓｉターゲット）とした。
次に、放熱層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ２２Ｆｅ７０Ｃｏ８）を成膜することにより、厚さ７０ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、投入電力を４６Ｗ（Ｔｂターゲット）および２００Ｗ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。
次に、記録層上にＴｂＦｅアモルファス合金（Ｔｂ２２Ｆｅ７８）を成膜することにより、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を２．５Ｐａとし、投入電力を７６Ｗ（Ｔｂターゲット）および３００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。
次に、中間層上にＧｄＦｅアモルファス合金（Ｇｄ２６Ｆｅ７４）を成膜することにより、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄターゲットおよびＦｅターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、投入電力を８４Ｗ（Ｇｄターゲット）および２５０Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。
次に、記録層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ５０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ２ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ２ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの透明な保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、誘電体層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ダイキュアクリア、大日本インキ製）を１５μｍの厚さに成膜した。次に、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂膜を硬化させ、誘電体層上に保護膜を形成した。
以上のように、図４Ａ〜図６Ｂを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
原盤の作製においては、まず、石英基板（直径：１５０ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ，表面粗さＲａ：０．２５ｎｍ）上に、スピンコーティング法により、ポジ型のフォトレジスト（商品名：ＤＶＲ−３００，日本ゼオン製）を１００ｎｍの厚さに塗布した。次に、当該フォトレジスト膜を、１００℃で３０分間、プリベークした。次に、光ディスク露光装置（露光レーザ：波長３５１ｎｍのＡｒレーザ、対物レンズ：開口数ＮＡ０．９０）を使用して、所定のプリグルーブパターン（渦巻き状、グルーブ幅：０．２７５μｍ、トラックピッチ：０．２７５μｍ）でフォトレジスト膜を露光した。このプリグルーブパターンは、本実施例の後述の光磁気記録媒体用基板にて形成すべきプリグルーブのパターン形状に相当するものである。次に、露光されたフォトレジスト膜を現像処理することにより、レジストパターンを形成した。
次に、ＲＩＥ装置を使用して、レジストパターンをマスクとして石英基板をエッチング処理し、当該石英基板に対して、所定のパターンを有する深さ５０ｎｍのプリグルーブを形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＣＨＦ３を使用し、ガス圧力を０．５Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。本工程にて、ランドグルーブ形状を有するランドグルーブ面（ランド面およびグルーブ面を含む）が石英基板に生ずる。
次に、アッシング装置を使用して、酸素プラズマをレジストパターンに作用させることにより、当該レジストパターンをアッシングして除去した。本アッシング処理では、アッシングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、アッシング時間を１２０秒とした。
次に、スパッタリング法により、石英基板のランドグルーブ面上に酸化ルテニウム（ＲｕＯｘ）を成膜することによって、微細凹凸形成用の下地層（厚さ：１ｎｍ）を形成した。具体的には、Ｒｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＯ２ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、ＲｕＯｘを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＯ２ガスの流量比を５：１とし、ガス圧力を１．６Ｐａとし、投入電力を４０Ｗとした。
次に、石英基板のランド面およびグルーブ面の下地層上に微細凹凸形状を形成した。微細凹凸形状の形成においては、まず、基板を２００℃に加熱しつつ、スパッタリング法により、下地層上にＡｇを１ｎｍの厚さまで堆積させた。このとき、下地層とＡｇの表面張力の差に起因するＡｇの凝集効果に基づいて、Ａｇは複数の箇所にて島状に堆積ないし成長し、下地層上にはＡｇ微粒子群が形成された。本スパッタリングでは、Ａｇターゲットを使用し、ガス圧力を１．６Ｐａとし、投入電力を４０Ｗとした。続いて、各微粒子の高さを増大するため、基板を２００℃に加熱しつつ、スパッタリング法により、Ｃを１ｎｍの厚さまで成長させた。本スパッタリングでは、Ｃターゲットを使用し、ガス圧力を０．３Ｐａとし、投入電力を１５０Ｗとした。炭素（Ｃ）は、Ａｇ微粒子の形状を固定する機能を担う。このようにして、石英基板のランド面およびグルーブ面に、表面粗さＲａ１ｎｍおよび凹凸周期１０ｎｍを伴う微細凹凸形状を形成した。
以上のようにして、ランドグルーブ形状におけるランド面およびグルーブ面にて微細凹凸形状を有する原盤を作製した。
次に、上述のようにして作製した原盤をテンプレートとして、電鋳法により、母型スタンパ作製した。具体的には、まず、蒸着法により原盤のランドグルーブ面上にＮｉを成膜することによって、厚さ５０ｎｍのニッケル薄膜を形成した。次に、ニッケル薄膜を通電層として利用して、無電解めっき法によりＮｉをめっき成長させることによって、厚さ３００μｍのニッケル板を形成した。次に、ニッケル板および原盤を分離した。次に、当該ニッケル板をプレス加工し、母型スタンパを得た。この母型スタンパには、原盤のランドグルーブ形状および微細凹凸形状が転写され、ランドグルーブ形状および微細凹凸形状が形成されている。
次に、上述のようにして作製した母型スタンパを利用して、光磁気記録媒体用の基板を作製した。具体的には、まず、紫外線硬化性樹脂を介して母型スタンパおよび平坦なガラス基板を張り合わせた。次に、ガラス基板の側から紫外線を照射することにより紫外線硬化性樹脂を硬化させた。このようにして、光磁気記録媒体用の基板を製作した。この基板には、母型スタンパのランドグルーブ形状および微細凹凸形状が転写され、ランド面およびグルーブ面にて微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期：１０ｎｍ）が形成されている。
次に、上述のようにして作製した基板上に、スパッタリング法により、ＡｌＳｉを成膜することによって、厚さ４０ｎｍの放熱層を形成した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、ＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５９Ｐａとし、投入電力を３００Ｗ（Ａｌターゲット）および２００Ｗ（Ｓｉターゲット）とした。
次に、放熱層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ２２Ｆｅ７０Ｃｏ８）を成膜することにより、厚さ７０ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、投入電力を４６Ｗ（Ｔｂターゲット）および２００Ｗ（ＦｅＣｏ合金ターゲット）とした。
次に、記録層上にＴｂＦｅアモルファス合金（Ｔｂ２２Ｆｅ７８）を成膜することにより、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を２．５Ｐａとし、投入電力を７６Ｗ（Ｔｂターゲット）および３００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。
次に、中間層上にＧｄＦｅアモルファス合金（Ｇｄ２６Ｆｅ７４）を成膜することにより、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄターゲットおよびＦｅターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、投入電力を８４Ｗ（Ｇｄターゲット）および２５０Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。
次に、記録層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ５０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ２ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ２ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの透明な保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、誘電体層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ダイキュアクリア、大日本インキ製）を１５μｍの厚さに成膜した。次に、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂膜を硬化させ、誘電体層上に保護膜を形成した。
以上のように、図４Ａ〜図６Ｂを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
図１８に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、実施例２〜５の各光磁気記録媒体を作製した。具体的には、原盤作製過程における微細凹凸形状の形成条件以外は実施例１と同様にして、基板のランド面およびグルーブ面の凹凸周期を１０ｎｍ（実施例１）に代えて１ｎｍ（実施例２）、５ｎｍ（実施例３）、１５ｎｍ（実施例４）、または２０ｎｍ（実施例５）とした各実施例の光磁気記録媒体を作製した。各原盤作製過程では、下地層上に堆積させるＡｇの厚さについて、１ｎｍ（実施例１）に代えて、各々、０．１ｎｍ（実施例２）、０．５ｎｍ（実施例３）、１．５ｎｍ（実施例４）、２ｎｍ（実施例５）とした。堆積させるＡｇの厚さの調節により、微細凹凸形状の凹凸周期を制御することが可能である。
図１８に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例１と同様にして、石製基板（直径：１５０ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ，表面粗さＲａ：０．２５ｎｍ）上へフォトレジスト膜の形成し、レジストパターンを形成し、エッチング処理を行ない、レジストパターン除去を行ない、ランド面およびグルーブ面を含むランドグルーブ形状を石英基板に形成した。
次に、スパッタリング法により石英基板のランドグルーブ面上にＡｌ、ＳｉおよびＣを堆積させることによって、厚さ３ｎｍの混合膜を形成した。具体的には、ＡｌＳｉターゲットおよびＣターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用して行うコスパッタリングにより、Ａｌ、ＳｉおよびＣを含む混合膜を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を６００Ｗ（ＡｌＳｉターゲット）および１０００Ｗ（Ｃターゲット）とした。
次に、ＲＩＥ装置を使用して酸素プラズマを混合膜に作用させることにより、当該混合膜の表面にて微細凹凸形状を形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。このようにして、石英基板のランド面およびグルーブ面に、表面粗さＲａ１ｎｍおよび凹凸周期１０ｎｍを伴う微細凹凸形状を形成した。
次に、このようにして作製した原盤を利用して、実施例１と同様にして母型スタンパを作製した。次に、当該母型スタンパを利用して、実施例１と同様にして光磁気記録媒体用基板を作製した。この基板は、原盤にて形成したランドグルーブ形状および微細凹凸形状と実質的に同一のランドグルーブ形状および微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期１０：ｎｍ）を有する。次に、当該基板上に実施例１と同様にして各層を積層形成した。
以上のように、図４Ａ〜図４Ｃ、図７Ａ〜図７Ｄ、および図６Ａ〜図６Ｂを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
次に、スパッタリング法により石英基板のランドグルーブ面上にＡｌ、ＳｉおよびＣを堆積させることによって、厚さ３ｎｍの混合膜を形成した。具体的には、ＡｌＳｉターゲットおよびＣターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用して行うコスパッタリングにより、Ａｌ、ＳｉおよびＣを含む混合膜を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を６００Ｗ（ＡｌＳｉターゲット）および１０００Ｗ（Ｃターゲット）とした。
次に、ＲＩＥ装置を使用して酸素プラズマを混合膜に作用させることにより、当該混合膜の表面にて微細凹凸形状を形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。このようにして、石英基板のランド面およびグルーブ面に、表面粗さＲａ１ｎｍおよび凹凸周期１０ｎｍを伴う微細凹凸形状を形成した。
次に、このようにして作製した原盤を利用して、実施例１と同様にして母型スタンパを作製した。次に、当該母型スタンパを利用して、実施例１と同様にして光磁気記録媒体用基板を作製した。この基板は、原盤にて形成したランドグルーブ形状および微細凹凸形状と実質的に同一のランドグルーブ形状および微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期１０：ｎｍ）を有する。次に、当該基板上に実施例１と同様にして各層を積層形成した。
以上のように、図４Ａ〜図４Ｃ、図７Ａ〜図７Ｄ、および図６Ａ〜図６Ｂを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
図１８に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、石製基板（直径：１５０ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ，表面粗さＲａ：０．２５ｎｍ）上に、スピンコーティング法により、ポジ型のフォトレジスト（商品名：ＤＶＲ−３００，日本ゼオン製）を１００ｎｍの厚さに塗布した。次に、当該フォトレジスト膜を、１００℃で３０分間、プリベークした。次に、光ディスク露光装置（露光レーザ：波長３５１ｎｍのＡｒレーザ、対物レンズ：開口数ＮＡ０．９０）を使用して、所定のプリグルーブパターン（渦巻き状、グルーブ幅：０．２７５μｍ、トラックピッチ：０．２７５μｍ）でフォトレジスト膜を露光した。このプリグルーブパターンは、後述の光磁気記録媒体用基板にて形成すべきプリグルーブのパターン形状に相当するものである。次に、露光されたフォトレジスト膜を現像処理することにより、レジストパターンを形成した。
次に、ＲＩＥ装置を使用して、レジストパターンをマスクとして石英基板をエッチング処理し、当該石英基板に対して、所定のパターンを有する深さ５０ｎｍのプリグルーブを形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＣＨＦ３を使用し、ガス圧力を０．５Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。本工程にて、ランドグルーブ形状を有するランドグルーブ面（ランド面およびグルーブ面を含む）が石英基板に生ずる。
次に、スパッタリング法により、レジストパターンをマスクとして石英基板上にＡｌ、ＳｉおよびＣを堆積させることによって、石英基板のグルーブ面上に厚さ３ｎｍの混合膜を形成した。具体的には、ＡｌＳｉターゲットおよびＣターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用して行うコスパッタリングにより、Ａｌ、ＳｉおよびＣを含む混合膜を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を６００Ｗ（ＡｌＳｉターゲット）および１０００Ｗ（Ｃターゲット）とした。本工程では、レジストパターン上にもＡｌ、ＳｉおよびＣは堆積した。
次に、基板を現像液に浸漬することによりレジストパターンを除去した。このとき、レジストパターン上に堆積していた混合膜も除去された。
次に、ＲＩＥ装置を使用して酸素プラズマを混合膜に作用させることにより、グルーブ面上の混合膜の表面にて微細凹凸形状を形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。このようにして、石英基板のグルーブ面に、表面粗さＲａ１ｎｍおよび凹凸周期１０ｎｍを伴う微細凹凸形状を形成した。
次に、このようにして作製した原盤を利用して、実施例１と同様にして母型スタンパを作製した。次に、当該母型スタンパを利用して、実施例１と同様にして光磁気記録媒体用基板を作製した。この基板は、原盤にて形成したランドグルーブ形状と実質的に同一のランドグルーブ形状を有するとともに、原盤のグルーブ面に形成した微細凹凸形状と実質的に同一の微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期：１０ｎｍ）をグルーブ面に有する。次に、当該基板上に実施例１と同様にして各層を積層形成した。
以上のように、図９Ａ〜図１１Ｄを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
次に、ＲＩＥ装置を使用して、レジストパターンをマスクとして石英基板をエッチング処理し、当該石英基板に対して、所定のパターンを有する深さ５０ｎｍのプリグルーブを形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＣＨＦ３を使用し、ガス圧力を０．５Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。本工程にて、ランドグルーブ形状を有するランドグルーブ面（ランド面およびグルーブ面を含む）が石英基板に生ずる。
次に、スパッタリング法により、レジストパターンをマスクとして石英基板上にＡｌ、ＳｉおよびＣを堆積させることによって、石英基板のグルーブ面上に厚さ３ｎｍの混合膜を形成した。具体的には、ＡｌＳｉターゲットおよびＣターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用して行うコスパッタリングにより、Ａｌ、ＳｉおよびＣを含む混合膜を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を６００Ｗ（ＡｌＳｉターゲット）および１０００Ｗ（Ｃターゲット）とした。本工程では、レジストパターン上にもＡｌ、ＳｉおよびＣは堆積した。
次に、基板を現像液に浸漬することによりレジストパターンを除去した。このとき、レジストパターン上に堆積していた混合膜も除去された。
次に、ＲＩＥ装置を使用して酸素プラズマを混合膜に作用させることにより、グルーブ面上の混合膜の表面にて微細凹凸形状を形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。このようにして、石英基板のグルーブ面に、表面粗さＲａ１ｎｍおよび凹凸周期１０ｎｍを伴う微細凹凸形状を形成した。
次に、このようにして作製した原盤を利用して、実施例１と同様にして母型スタンパを作製した。次に、当該母型スタンパを利用して、実施例１と同様にして光磁気記録媒体用基板を作製した。この基板は、原盤にて形成したランドグルーブ形状と実質的に同一のランドグルーブ形状を有するとともに、原盤のグルーブ面に形成した微細凹凸形状と実質的に同一の微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期：１０ｎｍ）をグルーブ面に有する。次に、当該基板上に実施例１と同様にして各層を積層形成した。
以上のように、図９Ａ〜図１１Ｄを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
図１９に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、スパッタリング法により、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、トラックピッチ０．２７５ｎｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ２ｎｍの下地層（図１９において省略）を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ２ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ２ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を０．３Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。
次に、スパッタリング法によりポリカーボネート基板のランドグルーブ面上にＡｌ、ＳｉおよびＣを堆積させることによって、厚さ４０ｎｍの混合層を形成した。具体的には、ＡｌＳｉターゲットおよびＣターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用して行うコスパッタリングにより、Ａｌ、ＳｉおよびＣを含む混合層を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を６００Ｗ（ＡｌＳｉターゲット）および１０００Ｗ（Ｃターゲット）とした。
次に、ＲＩＥ装置を使用して酸素プラズマを混合膜に作用させることにより、当該混合膜の表面にて微細凹凸形状を形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。このようにして、ランド部およびグルーブ部における表面にて微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期：１０ｎｍ）を有する放熱層を形成した。
次に、実施例１において記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成したのと同様にして、本実施例の放熱層上に記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成した。
以上のように、図１６Ａ〜図１７Ｃを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
〔比較例１〕
図２０に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。本比較例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例８と同様にして、スパッタリング法により、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、トラックピッチ０．２７５ｎｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）の当該ランドグルーブ面上にＡｌを成膜することによって、厚さ４０ｎｍの放熱層を形成した。本スパッタリングでは、Ａｌターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用し、ガス圧力を０．６Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。
次に、スパッタリング法により放熱層上にＰｔを成膜することによって、表面粗さＲａが３ｎｍであって凹凸周期が４０ｎｍである凹凸層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。本スパッタリングでは、Ｐｔターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用し、ガス圧力を１．６Ｐａとし、投入電力を４０Ｗとした。
次に、実施例１において記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成したのと同様にして、本実施例の放熱層上に記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成した。
以上のようにして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
〔比較例２，３〕
凹凸層の凹凸周期を４０ｎｍに代えて３５ｎｍ（比較例２）または３０ｎｍ（比較例３）とした以外は、比較例１と同様にして比較例２および比較例３の光磁気記録媒体を作製した。これら比較例の媒体作製過程では、凹凸層の厚さについて、１０ｎｍ（比較例１）に代えて、各々、８ｎｍ（比較例２）および６ｎｍ（比較例３）とした。
〔比較例４〕
Ａｌ放熱層に代えてＡｌＳｉ放熱層を形成した以外は比較例１と同様にして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。ＡｌＳｉ放熱層の形成においては、Ｓｉ下地層（厚さ：２ｎｍ）上にＡｌＳｉを成膜した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．６Ｐａとし、投入電力を５００Ｗ（Ａｌターゲット）および４０Ｗ（Ｓｉターゲット）とした。このようにして形成した放熱層の成長端側表面の凹凸周期は０．５ｎｍであった。
〔特性評価〕
実施例１〜５および比較例１〜４の各光磁気記録媒体について、再生信号におけるビットエラーレート（ｂＥＲ）の、微細凹凸形状における凹凸周期依存性を調べた。ここで凹凸周期とは、実施例１〜５については、原盤に形成して放熱層に反映された微細凹凸形状の凹凸周期であり、比較例１〜３については、凹凸層表面の凹凸周期であり、比較例４については、放熱層表面の凹凸周期である。
ビットエラーレートの測定においては、まず、各光磁気記録媒体（光磁気ディスク）における情報トラックに対し、長さ７５ｎｍのスペースを介して長さ７５ｎｍの記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、所定の光ディスク評価装置を使用して磁界変調記録方式により行った。この評価装置における対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。当該記録処理では、レーザ走査速度を４ｍ／ｓとし、レーザパワーを１０ｍＷとし、レーザを情報トラック部ごとに連続照射しつつ、所定の印加磁界（記録磁界）を変調した。
次に、当該光磁気記録媒体を再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート（ｂＥＲ）として算出した。当該再生処理は、記録処理と同一の評価装置を使用して行い、レーザーパワーを１．５ｍＷとし、レーザ走査速度を４ｍ／ｓとした。
このような記録処理およびその後の再生処理を、各光磁気記録媒体について行ない、ｂＥＲを測定した。実施例１〜５および比較例１〜４の光磁気記録媒体についてのこのような一連の測定により得られた結果を、図２２のグラフに掲げる。図２２のグラフにおいては、横軸にて凹凸周期（ｎｍ）を表し、縦軸にてｂＥＲを表す。また、図２２のグラフにおいては、実施例１〜５および比較例１〜４の測定結果は、各々、Ｅ１〜Ｅ５およびＣ１〜Ｃ４のプロットにより示されている。
光磁気記録媒体を実用に供するためには、ｂＥＲは１×１０−４以下である必要があるところ、図２２のグラフによると、凹凸周期が１〜２０ｎｍである場合において１×１０−４以下のｂＥＲを確保できることが判る。
〔表面粗さの凹凸周期依存性〕
材料膜における表面粗さＲａの凹凸周期依存性を調べるべく、サンプルＰ１〜Ｐ１２を作製した。サンプルＰ１〜Ｐ１２は、実施例１の原盤作製過程においてＲｕＯｘ下地層上にＡｇを堆積させるのと同様の手法を利用して、所定基板上に微細凹凸を伴う材料膜を形成したものである。
各サンプルの作製においては、まず、実施例１の下地層の形成に関して上述したのと同様に、スパッタリング法により石英基板表面に酸化ルテニウム（ＲｕＯｘ）を成膜することによって、微細凹凸形成用の下地層（厚さ：１ｎｍ）を形成した。次に、基板を２００℃に加熱しつつ、スパッタリング法により、所定の材料を下地層上に所定の厚さまで堆積させた。このとき、下地層と所定材料の表面張力の差に起因する当該所定材料の凝集効果に基づいて、当該材料は複数の箇所にて島状に堆積ないし成長した。このような手法により、表面に微細凹凸を伴う材料膜を有するサンプルＰ１〜Ｐ１２の各々を作製した。下地層上に堆積させた材料およびその厚さについては、サンプルＰ１ではＡｌおよび０．１ｎｍ、サンプルＰ２ではＡｌおよび０．５ｎｍ、サンプルＰ３ではＡｌおよび１ｎｍ、サンプルＰ４ではＡｌおよび２ｎｍ、サンプルＰ５ではＡｇおよび０．１ｎｍ、サンプルＰ６ではＡｇおよび０．５ｎｍ、サンプルＰ７ではＡｇおよび１ｎｍ、サンプルＰ８ではＡｇおよび２ｎｍ、サンプルＰ９ではＰｔおよび０．１ｎｍ、サンプルＰ１０ではＰｔおよび０．５ｎｍ、サンプルＰ１１ではＰｔおよび１ｎｍ、サンプルＰ１２ではＰｔおよび２ｎｍである。
各サンプルについて、凹凸周期および表面粗さＲａを調べた。その結果を図２３の表に掲げる。
サンプルＰ１〜Ｐ１２に係る材料膜表面の凹凸周期は、当該材料膜の厚さ調節により１〜２０ｎｍの範囲内に制御されている。凹凸周期がこのような範囲内に制御されているサンプルＰ１〜Ｐ１２においては、図２３の表に掲げるように、表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍの範囲内にあった。このように、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を併有する微細凹凸表面を形成することができた。
次に、スパッタリング法によりポリカーボネート基板のランドグルーブ面上にＡｌ、ＳｉおよびＣを堆積させることによって、厚さ４０ｎｍの混合層を形成した。具体的には、ＡｌＳｉターゲットおよびＣターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用して行うコスパッタリングにより、Ａｌ、ＳｉおよびＣを含む混合層を形成した。本スパッタリングでは、ガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を６００Ｗ（ＡｌＳｉターゲット）および１０００Ｗ（Ｃターゲット）とした。
次に、ＲＩＥ装置を使用して酸素プラズマを混合膜に作用させることにより、当該混合膜の表面にて微細凹凸形状を形成した。本エッチング処理では、エッチングガスとしてＯ２を使用し、ガス圧力を１Ｐａとし、エッチング時間を１２０秒とした。このようにして、ランド部およびグルーブ部における表面にて微細凹凸形状（表面粗さＲａ：１ｎｍ，凹凸周期：１０ｎｍ）を有する放熱層を形成した。
次に、実施例１において記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成したのと同様にして、本実施例の放熱層上に記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成した。
以上のように、図１６Ａ〜図１７Ｃを参照して上述した製造方法に準じて、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
〔比較例１〕
図２０に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。本比較例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、実施例８と同様にして、スパッタリング法により、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、トラックピッチ０．２７５ｎｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）の当該ランドグルーブ面上にＡｌを成膜することによって、厚さ４０ｎｍの放熱層を形成した。本スパッタリングでは、Ａｌターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用し、ガス圧力を０．６Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。
次に、スパッタリング法により放熱層上にＰｔを成膜することによって、表面粗さＲａが３ｎｍであって凹凸周期が４０ｎｍである凹凸層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。本スパッタリングでは、Ｐｔターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス使用し、ガス圧力を１．６Ｐａとし、投入電力を４０Ｗとした。
次に、実施例１において記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成したのと同様にして、本実施例の放熱層上に記録層、中間層、再生層、誘電体層、および保護膜を形成した。
以上のようにして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。
〔比較例２，３〕
凹凸層の凹凸周期を４０ｎｍに代えて３５ｎｍ（比較例２）または３０ｎｍ（比較例３）とした以外は、比較例１と同様にして比較例２および比較例３の光磁気記録媒体を作製した。これら比較例の媒体作製過程では、凹凸層の厚さについて、１０ｎｍ（比較例１）に代えて、各々、８ｎｍ（比較例２）および６ｎｍ（比較例３）とした。
〔比較例４〕
Ａｌ放熱層に代えてＡｌＳｉ放熱層を形成した以外は比較例１と同様にして、本比較例の光磁気記録媒体を作製した。ＡｌＳｉ放熱層の形成においては、Ｓｉ下地層（厚さ：２ｎｍ）上にＡｌＳｉを成膜した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．６Ｐａとし、投入電力を５００Ｗ（Ａｌターゲット）および４０Ｗ（Ｓｉターゲット）とした。このようにして形成した放熱層の成長端側表面の凹凸周期は０．５ｎｍであった。
〔特性評価〕
実施例１〜５および比較例１〜４の各光磁気記録媒体について、再生信号におけるビットエラーレート（ｂＥＲ）の、微細凹凸形状における凹凸周期依存性を調べた。ここで凹凸周期とは、実施例１〜５については、原盤に形成して放熱層に反映された微細凹凸形状の凹凸周期であり、比較例１〜３については、凹凸層表面の凹凸周期であり、比較例４については、放熱層表面の凹凸周期である。
ビットエラーレートの測定においては、まず、各光磁気記録媒体（光磁気ディスク）における情報トラックに対し、長さ７５ｎｍのスペースを介して長さ７５ｎｍの記録マークを繰り返し記録した。当該記録処理は、所定の光ディスク評価装置を使用して磁界変調記録方式により行った。この評価装置における対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。当該記録処理では、レーザ走査速度を４ｍ／ｓとし、レーザパワーを１０ｍＷとし、レーザを情報トラック部ごとに連続照射しつつ、所定の印加磁界（記録磁界）を変調した。
次に、当該光磁気記録媒体を再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート（ｂＥＲ）として算出した。当該再生処理は、記録処理と同一の評価装置を使用して行い、レーザーパワーを１．５ｍＷとし、レーザ走査速度を４ｍ／ｓとした。
このような記録処理およびその後の再生処理を、各光磁気記録媒体について行ない、ｂＥＲを測定した。実施例１〜５および比較例１〜４の光磁気記録媒体についてのこのような一連の測定により得られた結果を、図２２のグラフに掲げる。図２２のグラフにおいては、横軸にて凹凸周期（ｎｍ）を表し、縦軸にてｂＥＲを表す。また、図２２のグラフにおいては、実施例１〜５および比較例１〜４の測定結果は、各々、Ｅ１〜Ｅ５およびＣ１〜Ｃ４のプロットにより示されている。
光磁気記録媒体を実用に供するためには、ｂＥＲは１×１０−４以下である必要があるところ、図２２のグラフによると、凹凸周期が１〜２０ｎｍである場合において１×１０−４以下のｂＥＲを確保できることが判る。
〔表面粗さの凹凸周期依存性〕
材料膜における表面粗さＲａの凹凸周期依存性を調べるべく、サンプルＰ１〜Ｐ１２を作製した。サンプルＰ１〜Ｐ１２は、実施例１の原盤作製過程においてＲｕＯｘ下地層上にＡｇを堆積させるのと同様の手法を利用して、所定基板上に微細凹凸を伴う材料膜を形成したものである。
各サンプルの作製においては、まず、実施例１の下地層の形成に関して上述したのと同様に、スパッタリング法により石英基板表面に酸化ルテニウム（ＲｕＯｘ）を成膜することによって、微細凹凸形成用の下地層（厚さ：１ｎｍ）を形成した。次に、基板を２００℃に加熱しつつ、スパッタリング法により、所定の材料を下地層上に所定の厚さまで堆積させた。このとき、下地層と所定材料の表面張力の差に起因する当該所定材料の凝集効果に基づいて、当該材料は複数の箇所にて島状に堆積ないし成長した。このような手法により、表面に微細凹凸を伴う材料膜を有するサンプルＰ１〜Ｐ１２の各々を作製した。下地層上に堆積させた材料およびその厚さについては、サンプルＰ１ではＡｌおよび０．１ｎｍ、サンプルＰ２ではＡｌおよび０．５ｎｍ、サンプルＰ３ではＡｌおよび１ｎｍ、サンプルＰ４ではＡｌおよび２ｎｍ、サンプルＰ５ではＡｇおよび０．１ｎｍ、サンプルＰ６ではＡｇおよび０．５ｎｍ、サンプルＰ７ではＡｇおよび１ｎｍ、サンプルＰ８ではＡｇおよび２ｎｍ、サンプルＰ９ではＰｔおよび０．１ｎｍ、サンプルＰ１０ではＰｔおよび０．５ｎｍ、サンプルＰ１１ではＰｔおよび１ｎｍ、サンプルＰ１２ではＰｔおよび２ｎｍである。
各サンプルについて、凹凸周期および表面粗さＲａを調べた。その結果を図２３の表に掲げる。
サンプルＰ１〜Ｐ１２に係る材料膜表面の凹凸周期は、当該材料膜の厚さ調節により１〜２０ｎｍの範囲内に制御されている。凹凸周期がこのような範囲内に制御されているサンプルＰ１〜Ｐ１２においては、図２３の表に掲げるように、表面粗さＲａは０．３〜１．５ｎｍの範囲内にあった。このように、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さＲａおよび１〜２０ｎｍの凹凸周期を併有する微細凹凸表面を形成することができた。
Claims (17)
- 基板と、
垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層と、
前記基板および前記記録層の間の少なくとも一つの機能層と、を含む積層構造を有し、
前記基板および前記少なくとも一つの機能層のうちの少なくとも一つにおける前記記録層の側の表面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さ及び１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する微細凹凸面を含む、光磁気記録媒体。 - 前記積層構造は、ランド部およびグルーブ部を含むランドグルーブ形状を有し、前記基板および前記少なくとも一つの機能層のうちの前記少なくとも一つにおける前記記録層の側の前記表面は、前記ランド部においてのみ又は前記グルーブ部においてのみ、前記微細凹凸面を含む、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
- 前記記録層は、遷移金属磁化優勢組成を有する磁性材料よりなり、前記少なくとも一つの機能層は、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料よりなり且つ前記記録層に接する記録補助層を含む、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
- 前記記録層は、希土類金属磁化優勢組成を有する磁性材料よりなり、前記少なくとも一つの機能層は、遷移金属磁化優勢組成を有する磁性材料よりなり且つ前記記録層に接する記録補助層を含む、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
- 前記積層構造は、垂直磁気異方性を有して再生機能を担う再生層と、前記記録層および前記再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、を更に含む、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
- 基板と、
垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層と、
前記基板および前記記録層の間に位置する放熱層と、を含む積層構造を有し、
前記放熱層における前記記録層の側の表面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さ及び１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する微細凹凸面を含む、光磁気記録媒体。 - 前記積層構造は、ランド部およびグルーブ部を含むランドグルーブ形状を有し、前記放熱層における前記記録層の側の前記表面は、前記ランド部においてのみ又は前記グルーブ部においてのみ、前記微細凹凸面を含む、請求項６に記載の光磁気記録媒体。
- 少なくとも表面が樹脂材料よりなり、且つ、ランドグルーブ形状を有して前記表面にランド面およびグルーブ面を含む、光磁気記録媒体用の基板であって、
前記ランド面および／または前記グルーブ面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さ及び１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する、光磁気記録媒体用基板。 - ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む、光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパであって、
前記ランド面および／または前記グルーブ面は、０．３〜１．５ｎｍの表面粗さ及び１〜２０ｎｍの凹凸周期を有する、母型スタンパ。 - 相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜を基材上に形成するための工程と、
前記材料膜における前記第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、前記材料膜に微細凹凸面を形成するための工程と、
前記材料膜の上位に、垂直磁気異方性を有して記録機能を担う記録層を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体製造方法。 - 前記第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、前記第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む、請求項１０に記載の光磁気記録媒体製造方法。
- 光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための方法であって、
第１ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む基板における前記表面に、当該表面を構成する材料よりも表面エネルギーの大きな材料を当該材料の拡散温度以上に加熱しつつ堆積させることにより、第１微細凹凸形状を形成するための工程と、
電鋳法により前記表面上に金属材料を成長させることによって、前記第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および前記第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、
前記スタンパおよび前記基板を分離するための工程と、を含む、母型スタンパ製造方法。 - 光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための方法であって、
第１ランドグルーブ形状を有して表面にランド面およびグルーブ面を含む基板における前記表面に、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜を形成するための工程と、
前記材料膜における前記第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、前記材料膜の表面に第１微細凹凸形状を形成するための工程と、
電鋳法により前記材料膜上に金属材料を成長させることによって、前記第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および前記第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、
前記スタンパおよび前記基板を分離するための工程と、を含む、母型スタンパ製造方法。 - 前記第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、前記第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む、請求項１３に記載の母型スタンパ製造方法。
- 光磁気記録媒体用基板を作製するための母型スタンパを製造するための方法であって、
開口部を有するレジストパターンを基板上に形成するための工程と、
前記レジストパターンを介して前記基板にエッチング処理を施すことにより、ランド面およびグルーブ面を有する第１ランドグルーブ形状を当該基板に形成するための工程と、
前記レジストパターンの側からの材料堆積により、相対的にエッチングレートの低い第１材料および相対的にエッチングレートの高い第２材料を含む材料膜を前記グルーブ面上に形成するための工程と、
前記材料膜における前記第２材料の少なくとも一部をエッチング法により除去することによって、前記グルーブ面上に第１微細凹凸形状を形成するための工程と、
前記基板および前記レジストパターンを分離するための工程と、
前記ランド面および前記グルーブ面を含む、前記基板の表面に、電鋳法により金属材料を成長させることによって、前記第１ランドグルーブ形状に対応する第２ランドグルーブ形状および前記第１微細凹凸形状に対応する第２微細凹凸形状を有するスタンパを形成するための工程と、
前記スタンパおよび前記基板を分離するための工程と、を含む、母型スタンパ製造方法。 - 前記スタンパにおける、前記第２ランドグルーブ形状の側の表面に、電鋳法により金属材料を成長させることによって、前記第２ランドグルーブ形状に対応する第３ランドグルーブ形状および前記第２微細凹凸形状に対応する第３微細凹凸形状を有する子スタンパを形成するための工程と、
前記子スタンパおよび前記スタンパを分離するための工程と、を含む、請求項１５に記載の母型スタンパ製造方法。 - 前記第１材料は、Ａｇ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｔｉ，およびＡｕよりなる群より選択される元素を含み、前記第２材料は、Ｃ，Ｓｉ，およびＷよりなる群より選択される元素を含む、請求項１５に記載の母型スタンパ製造方法。
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