JPWO2005010243A1 - シリコン単結晶基板の製造方法及び抵抗特性測定方法並びに抵抗特性保証方法 - Google Patents
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Abstract
Description
尚、ここで抵抗特性とは、抵抗率、面内抵抗率分布等を意味する。
このように育成中にシリコン単結晶インゴットに添加する窒素濃度が3×1014atoms/cm3以上であれば、窒素のドナーとしての抵抗率に対する寄与が大きいため、その作用を消去する熱処理を行うことにより抵抗率変化の抑制効果もより高いものとなる。
尚、シリコン単結晶に添加する窒素濃度が5×1015atoms/cm3を超えると単結晶化しなくなり、1×1015atoms/cm3以下とすることで確実に無転位化した単結晶を育成できる。
このように、前記熱処理をウェット酸素雰囲気、ドライ酸素雰囲気、窒素雰囲気のいずれか1つの雰囲気下で行うことにより、窒素のドナーとしての作用の消去を効果的に行うことができる。
このように育成中にシリコン単結晶インゴットに添加する窒素濃度が3×1014atoms/cm3以上であれば、欠陥等の発生防止効果が高いとともに、窒素のドナーとしての抵抗特性に対する寄与が大きいため、その作用を消去する熱処理を行うことにより抵抗特性変化の抑制効果もより高いものとなり、本発明に従う抵抗特性測定方法によってより正確な抵抗特性の保証が可能となる。
このように、前記熱処理をウェット酸素雰囲気、ドライ酸素雰囲気、窒素雰囲気のいずれか1つの雰囲気下で行うことにより、窒素のドナーとしての作用の消去を効果的に行うことができるので、その後より正確かつ迅速に抵抗特性を測定することができる。
[図2]本発明に従ったシリコン単結晶基板の抵抗率及び/又は面内抵抗率分布測定工程の一例を示す図である。
[図3]本発明の実施例1における、熱処理によるシリコン単結晶基板の面内抵抗率分布の変化を示すグラフである。
[図4]本発明の実施例2における、N型又はP型のシリコン単結晶基板についての熱処理前の面内平均抵抗率に対する熱処理後の面内平均抵抗率を示すグラフである。
[図5]本発明の実施例3における、熱処理前のシリコン単結晶基板の面内抵抗率分布を示すグラフである。
[図6]本発明の実施例3における、熱処理後のシリコン単結晶基板の面内抵抗率分布を示すグラフである。
[図7]本発明の実施例4における、サンプルA〜Dの熱処理前後の面内抵抗率分布を示すグラフである。
[図8]本発明の実施例4における、シリコン単結晶基板の熱処理前の面内平均抵抗率に対する熱処理後のRRG変化を示すグラフである。
本発明者らの調査によると、窒素を添加したシリコン単結晶基板において半導体製造工程中の熱処理により発生する抵抗率の変化は、シリコン単結晶基板の熱処理前の抵抗率が高いほど大きくなる。そして、近年需要が高まっている平均抵抗率が1000Ω・cmのシリコン単結晶基板においてはこの抵抗率の変化が顕著であり、特に熱処理前の抵抗率が3000Ω・cmを越えるものでは、熱処理前後の抵抗率の乖離が著しく大きくなっていた。
また、このように900〜1250℃の温度で10〜120分の熱処理を行った後に抵抗率や面内抵抗率分布等の抵抗特性の測定を行えば、その後の半導体素子製造工程等で熱処理を行っても前述のような著しい抵抗特性の変化が発生しないようにすることができ(熱処理してから抵抗特性を測定することになり)、信頼度の高い抵抗特性保証ができることを見出し、本発明を完成させた。
図1は、本発明に従ったシリコン単結晶基板の製造工程の一例を示す図であり、図2は、本発明に従ったシリコン単結晶基板の抵抗率及び/又は面内抵抗率分布測定工程の一例を示す図である。はじめに、図1を用いて、シリコン単結晶基板の製造工程について説明する。
以上、実施例1〜4で育成したシリコン単結晶インゴットの窒素濃度はいずれも4×1014〜1×1015atoms/cm3の間にあることをFTIR(フーリエ変換赤外分光光度計)装置により確認された。
Claims (7)
- 平均抵抗率が1000Ω・cm以上のシリコン単結晶基板を製造する方法であって、少なくとも、フローティングゾーン法(FZ法)により窒素を添加しながらシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したシリコン単結晶インゴットを切断してシリコン単結晶基板を作製し、該作製したシリコン単結晶基板に、900〜1250℃の温度で10〜120分の熱処理を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法。
- 前記シリコン単結晶インゴットに添加する窒素濃度を3×1014atoms/cm3以上とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶基板の製造方法。
- 前記シリコン単結晶基板に行う熱処理を、ウェット酸素雰囲気、ドライ酸素雰囲気、窒素雰囲気のいずれか1つの雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶基板の製造方法。
- フローティングゾーン法(FZ法)により育成されたシリコン単結晶インゴットから作製した面内の平均抵抗率が1000Ω・cm以上のシリコン単結晶基板の抵抗特性を測定する方法であって、窒素を添加しながらシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したシリコン単結晶インゴットを切断してシリコン単結晶基板を作製し、該作製したシリコン単結晶基板に、900〜1250℃の温度で10〜120分の熱処理を行った後、前記作製したシリコン単結晶基板の抵抗率及び/又は面内抵抗率分布を測定することを特徴とするシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法。
- 前記シリコン単結晶インゴットに添加する窒素濃度を3×1014atoms/cm3以上とすることを特徴とする請求項4に記載のシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法。
- 前記シリコン単結晶基板に行う熱処理を、ウェット酸素雰囲気、ドライ酸素雰囲気、窒素雰囲気のいずれか1つの雰囲気下で行うことを特徴とする請求項4または5に記載のシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法。
- 請求項4乃至6のいずれか1項に記載のシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法により測定された測定値を前記作製したシリコン単結晶基板の抵抗率及び/又は面内抵抗率分布の保証値として用いることを特徴とするシリコン単結晶基板の抵抗特性保証方法。
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