JPWO2003032344A1 - ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ - Google Patents
ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2003032344A1 JPWO2003032344A1 JP2003535217A JP2003535217A JPWO2003032344A1 JP WO2003032344 A1 JPWO2003032344 A1 JP WO2003032344A1 JP 2003535217 A JP2003535217 A JP 2003535217A JP 2003535217 A JP2003535217 A JP 2003535217A JP WO2003032344 A1 JPWO2003032344 A1 JP WO2003032344A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- niobium
- capacitor
- particles
- group
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 273
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 319
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 166
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 206
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 206
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 143
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 53
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 29
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 25
- -1 sulfonate anion Chemical class 0.000 claims description 22
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 14
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 13
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 9
- 125000004417 unsaturated alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 4
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims description 3
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 37
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 23
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 16
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 15
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 5
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 5
- HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(C#N)=C(C#N)C1=O HZNVUJQVZSTENZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O AKEJUJNQAAGONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)O)=CC=CC2=C1 PSZYNBSKGUBXEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYLYNBWPKVWXJC-UHFFFAOYSA-N [Nb].[Pb] Chemical compound [Nb].[Pb] PYLYNBWPKVWXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFPRJLBZLPBTPZ-UHFFFAOYSA-N acenaphthoquinone Chemical compound C1=CC(C(C2=O)=O)=C3C2=CC=CC3=C1 AFPRJLBZLPBTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 229930006711 bornane-2,3-dione Natural products 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N sulfurochloridic acid Chemical compound OS(Cl)(=O)=O XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNQXSTWCDUXYEZ-LDWIPMOCSA-N (+/-)-Camphorquinone Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C(=O)[C@@H]1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-LDWIPMOCSA-N 0.000 description 1
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 description 1
- VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 1,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptane-2,3-dione Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(=O)C1C2(C)C VNQXSTWCDUXYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrrole Chemical compound CN1C=CC=C1 OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMUICPQENGUHJM-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl(tripropyl)azanium Chemical compound CCC[N+](CCC)(CCC)CC(C)C YMUICPQENGUHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 3,6-dioxocyclohexa-1,4-diene-1,2,4,5-tetracarbonitrile Chemical compound O=C1C(C#N)=C(C#N)C(=O)C(C#N)=C1C#N JNGDCMHTNXRQQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940076442 9,10-anthraquinone Drugs 0.000 description 1
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017048 AsF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical class [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- YFPSDOXLHBDCOR-UHFFFAOYSA-N Pyrene-1,6-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)C=C2)=C3C2=CC=C2C(=O)C=CC1=C32 YFPSDOXLHBDCOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Pb] Chemical compound [Ta].[Pb] ROSDCCJGGBNDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- RGHILYZRVFRRNK-UHFFFAOYSA-N anthracene-1,2-dione Chemical compound C1=CC=C2C=C(C(C(=O)C=C3)=O)C3=CC2=C1 RGHILYZRVFRRNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSOTZYUVGZKSHR-UHFFFAOYSA-N anthracene-1,4-dione Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(=O)C=CC(=O)C3=CC2=C1 LSOTZYUVGZKSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 1
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- UORKIKBNUWJNJF-UHFFFAOYSA-N chrysene-1,4-dione Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C(C=C2)=C1C1=C2C(=O)C=CC1=O UORKIKBNUWJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZGMNNQOPOLCIG-UHFFFAOYSA-N chrysene-5,6-dione Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C(=O)C2=C1C=CC1=CC=CC=C21 HZGMNNQOPOLCIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVQUFOXACWQJMY-UHFFFAOYSA-N chrysene-6,12-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=C3C4=CC=CC=C4C(=O)C=C3C2=C1 XVQUFOXACWQJMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N fluorosulfonic acid Chemical compound OS(F)(=O)=O UQSQSQZYBQSBJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 1
- YZMHQCWXYHARLS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-disulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(S(O)(=O)=O)C(S(=O)(=O)O)=CC=C21 YZMHQCWXYHARLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLBHRPOLVUEFSG-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dione Chemical compound O=C1C=CC2=CC(=O)C=CC2=C1 SLBHRPOLVUEFSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C21 KVBGVZZKJNLNJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002821 niobium Chemical class 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000414 polyfuran Polymers 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 125000004151 quinonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- HIEHAIZHJZLEPQ-UHFFFAOYSA-M sodium;naphthalene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1 HIEHAIZHJZLEPQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid;sulfur trioxide Chemical compound O=S(=O)=O.OS(O)(=O)=O HIFJUMGIHIZEPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/14—Treatment of metallic powder
- B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ニオブ粉、その焼結体、表面上に誘電体を設けたニオブ焼結体(化成体ともいう)、及びそれらを用いたコンデンサに関する。
背景技術
ニオブ粉粒子からニオブコンデンサを製造する一般的な方法は次の通りである。まずニオブリードが挿入されたニオブ粉粒子の成形体を作製する。次に成形体を加熱することにより、ニオブ粒子同士、及びリード線と周囲のニオブ粒子を焼結し電気的に一体化した多孔質なニオブ焼結体を得る。さらにリード線側を陽極として電圧を印加し、ニオブ焼結体を陽極酸化(化成ともいう)することにより、ニオブ焼結体の表面(細孔内部の表面も含む)に酸化ニオブの誘電体膜を形成する。その後、ニオブ焼結体の三次元の網目状の細孔となっている空隙に二酸化マンガン等の陰極材を充填し、さらに表面に導電性のペーストを積層した後該ニオブ化成体をリードフレームに固定し、樹脂で封止することによりコンデンサを得る。
ニオブコンデンサの欠点は、コンデンサに電圧を印加したとき誘電体膜を貫いて流れる漏れ電流が高いことである。この理由は、ニオブが空気中の酸素を容易に取り込む性質を持つことに起因する。
酸素を取り込んだニオブを焼結した場合、導体である結晶質の酸化ニオブが生成する。一般にニオブを陽極酸化することによりニオブの表面に誘電体である非晶質の酸化ニオブの膜が生成するが、結晶質の酸化ニオブを含むニオブを陽極酸化した場合、結晶質の酸化ニオブが混入した非晶質の酸化ニオブの膜が生成する。すなわち非晶質酸化ニオブの誘電体膜は微少な結晶質の導体を多数内部に含有することになる。その結果、コンデンサの漏れ電流は上昇し、信頼性は低下する。
これまでニオブコンデンサの漏れ電流を低減する方法が研究され、中でも効果的な方法として、ニオブ粉やニオブ焼結体を窒素化する技術が開発されている。しかしながら、市場が要求する水準に必ずしも達していない。
発明の開示
本発明の目的は、漏れ電流値の小さいコンデンサを提供し得るニオブ粉、ニオブ焼結体、その化成体、及びそれらを用いたコンデンサを提供することにある。
本発明者等は前記課題を解決するために鋭意検討した結果、ニオブ粒子の表面と内部の窒素濃度を鋭意検討することにより、ニオブ粒子表面から深さ50〜200nmまでの平均窒素濃度を0.29〜4質量%、さらに好ましくはニオブ粒子の表面からの深さ50nmまでの層の窒素濃度を0.19〜1質量%に制御することによりニオブコンデンサの漏れ電流が従来より低減することを見出し、本発明を完成するに至った。
このように漏れ電流が従来より低減する理由として以下のことが考えられる。
ニオブを陽極酸化した場合、ニオブの表面に酸化ニオブの誘電体膜が形成され、内部のニオブと表面の酸化ニオブ層とからなる構造を成す。内部のニオブはコンデンサの陽極、酸化ニオブ層はコンデンサの誘電体層である。
内部のニオブに存在する窒素には、ニオブの結晶格子の間に固溶した窒素と、ニオブと共有結合(以下、単に結合という。)した窒素の二種類がある。ニオブの結晶格子の間に固溶した窒素は、酸化ニオブ層の酸素がニオブ層へ拡散することを抑制する。また、ニオブと結合した窒素は酸化ニオブ層の酸素が内部のニオブと結合することを抑制する。よって、内部のニオブに存在する二種類の窒素は共に漏れ電流を低減する効果を持つ。
一方、酸化ニオブ層に存在する窒素にも、酸化ニオブの結晶格子の間に固溶した窒素とニオブと結合した窒素の二種類がある。酸化ニオブの結晶格子の間に固溶した窒素は酸化ニオブ層の酸素が内部のニオブに拡散することを抑制し、漏れ電流を低減させる。しかしニオブと結合した窒素は電気伝導性を持つ窒化ニオブの結晶を形成し、漏れ電流を増大させる。よって、酸化ニオブ層に存在する窒素はその結合状態により漏れ電流に及ぼす影響が異なる。
ゆえに、内部のニオブを高濃度に、酸化ニオブ層を低濃度に窒素化することにより、ニオブコンデンサの漏れ電流が低減することができる。
すなわち、本発明は以下の発明に関する。
(1)窒素を含むコンデンサ用ニオブ粉において、ニオブ粉粒子表面からの深さ50〜200nmまでの平均窒素濃度が0.29〜4質量%であることを特徴とするニオブ粉。
(2)粒子表面からの深さ50nmまでの平均窒素濃度が0.19〜1質量%である前項1に記載のニオブ粉。
(3)ニオブ粉粒子が、0.1〜1000μmの粒子径を持つ前項1または2に記載のニオブ粉。
(4)ニオブ粉粒子が、0.5〜40m2/gの比表面積を持つ前項1乃至3のいずれか1項に記載のニオブ粉。
(5)前項1乃至4の何れか1項に記載のニオブ粒子を焼結して得られる焼結体。
(6)陽極酸化により、前項5に記載の焼結体表面上に酸化ニオブを主体とする誘電体を設けた焼結体。
(7)前項5に記載の焼結体を一方の電極とし、その焼結体表面上に設けられた酸化ニオブを主体とする誘電体と、前記誘電体上に設けられた対電極とから構成されたコンデンサ。
(8)対電極が、電解液、有機半導体、及び無機半導体からなる群より選ばれた少なくとも一種である前項7記載のコンデンサ。
(9)対電極が、有機半導体であって、該有機半導体が、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体及び導電性高分子からなる群より選ばれた少なくとも1種の材料である前項8に記載のコンデンサ。
(10)導電性高分子が、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン及びこれらの置換誘導体から選ばれた少なくとも1種である前項9に記載のコンデンサ。
(11)導電性高分子が、下記一般式(1)または一般式(2)
(式中、R1〜R4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1乃至10の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアルキルエステル基、またはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、1級、2級もしくは3級アミノ基、CF3基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。R1とR2及びR3とR4の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に少なくとも1つ以上の3〜7員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含んでもよい。Xは酸素、硫黄または窒素原子を表わし、R5はXが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素または炭素数1乃至10の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基を表わす。)で示される繰り返し単位を含む重合体に、ドーパントをドープした導電性高分子である前項9に記載のコンデンサ。
(12)導電性高分子が、下記一般式(3)
(式中、R6及びR7は、各々独立して水素原子、炭素数1乃至6の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、2つの酸素元素を含む少なくとも1つ以上の5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。)で示される繰り返し単位を含む導電性高分子である前項11に記載のコンデンサ。
(13)導電性高分子が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)にドーパントをドープした導電性高分子である前項12に記載のコンデンサ。
(14)対電極が、層状構造を少なくとも一部に有する導電性高分子材料からなる前項7に記載のコンデンサ。
(15)対電極が、有機スルホン酸アニオンをドーパントとして含む材料からなる前項7に記載のコンデンサ。
(16)ニオブ焼結体を一方の電極とし、その焼結体表面上に設けられた酸化ニオブを主体とする誘電体と、前記誘電体上に設けられた対電極とから構成されたコンデンサにおいて、一方の電極であるニオブ焼結体を主体とする誘電体膜を除いた部分の平均窒素濃度が0.3〜4質量%であるコンデンサ。
(17)ニオブ焼結体を主体とする誘電体の平均窒素濃度が0.2〜1質量%である前項16に記載のコンデンサ。
(18)前項1乃至4のいずれか1項に記載の窒素を含むコンデンサ用ニオブ粉の製造方法において、窒素を含むニオブ粉を不活性ガス雰囲気中で加熱する工程を含むことを特徴とするニオブ粉の製造方法。
(19)窒素を含むニオブ粉を真空中で加熱する工程を含む前項18に記載のニオブ粉の製造方法。
(20)不活性ガスがアルゴンである前項18に記載のニオブ粉の製造方法。
発明の実施の形態
ニオブコンデンサの原料であるニオブ粉粒子(以下、単にニオブ粒子という。)には、一次粒子、一次粒子が凝集した二次粒子、及び/または二次粒子が凝集した粒子(以下、「三次粒子」という。)が使用される。これら粒子の平均粒子径は、通常、0.1〜1000μmの範囲内にある。
例えば、平均粒子径が0.1〜50μmである一次粒子を得る方法として、水素化したニオブの粉砕を挙げることができる。水素化するニオブには、製造方法が公知であるニオブ粒子(平均粒子径が0.5〜100μm)やニオブインゴットを用いる。粉砕機は、例えばジェットミルがある。ニオブを粉砕した後、脱水素することにより本発明で使用することのできる一次粒子が得られる。
本発明では、前述した一次粒子を例えば適当な温度雰囲気中に放置することにより、あるいは、放置後解砕するか、またはさらに解砕後分級することにより、該一次粒子が数個から数百個凝集した二次粒子とすることができる。該二次粒子の平均粒子径は任意のものが作製可能であるが、通常0.2〜1000μmの平均粒子径を持つ二次粒子が使用される。前述したジェットミル法によって一次粒子を得た場合、ジェットミルの容器から該一次粒子を外部に取り出す前にジェットミルの容器中で、またはジェットミルと連続した別の容器中で二次粒子を製造することにより、過度な酸化を防ぐことができ好ましい。
また、ニオブ一次粒子が数個から数百個凝集した、平均粒子径が0.2〜1000μmのコンデンサ用二次粒子を得る他の方法として、例えば、(1)ハロゲン化ニオブのアルカリ金属、アルカリ土類金属またはカーボンによる還元、(2)ニオブ五酸化物のアルカリ金属、アルカリ土類金属、カーボンまたは水素による還元、(3)フッ化ニオブ酸カリのアルカリ金属による還元、(4)フッ化ニオブ酸カリのニッケル陰極上への溶融塩(NaCl+KCl)電解がある。また、(5)ニオブをハロゲン化しさらに連続して水素還元する、いわゆる連続法もある。
前述した二通りの方法で得たニオブ二次粒子の比表面積は、任意に変更可能であるが、通常、0.5〜40m2/gのものが使用される、通常、0.5〜40m2/g。
三次粒子は、前記二次粒子を適当な大きさに造粒して得られる。造粒方法として、従来公知の方法が採用できる。例えば、粉体を500〜2000℃の高温真空下に放置した後、湿式または乾式解砕する方法、アクリル樹脂やポリビニルアルコール等の適当なバインダーと粉体とを混合した後、解砕する方法、アクリル樹脂や樟脳、燐酸や、硼酸等の適当な化合物と混合した後、高温真空下に放置し、その後湿式または乾式解砕する方法等が挙げられる。
造粒と解砕の程度によって三次粒子の粒子径は、任意に変更可能であるが、通常、平均粒子径で0.4〜1000μmのものが使用される。造粒・解砕後に分級して用いても良い。また、造粒後に造粒前の粉体を適量混合して用いても良いし、あるいは、複数の平均粒子径を持つ三次粒子を適量混合して用いても良い。このようにして作製した三次粒子の比表面積は、任意に変更可能であるが、通常、0.3〜20m2/gのものが使用される。
本発明のニオブ粒子は、粒子径によって異なるが、通常自然酸化により酸素を0.05〜9質量%含む。漏れ電流をより小さくするために、酸素濃度は9質量%以下であることが好ましい。酸素濃度が9質量%より高いニオブ粒子からニオブコンデンサを製造した場合、漏れ電流が大きいため実用に適さないことがある。
ニオブ粒子の酸素濃度が9質量%より高い場合、例えば、ニオブ粒子をニオブより酸化されやすい金属粒子と混合し、真空中で加熱することにより、ニオブ粒子の酸素濃度を低減することができる。酸素濃度を低減した後ニオブ粒子から、混合した金属粒子及びその酸化物を分離する方法として、粒子径の相違を利用した分級、酸またはアルカリによる選択エッチング等の方法を用いることができる。
本発明のニオブ粒子の平均窒素濃度は、粒子表面から深さ方向に不均一であり、粒子表面からの深さ50〜200nmの層において0.29〜4質量%であることが肝要である。平均窒素濃度がこの範囲外であるニオブ粒子から製造したコンデンサは漏れ電流が大きくなる。
本発明のニオブ粒子の平均窒素濃度は、さらに好ましくは、粒子表面から深さ50nmまでの層において0.19〜1質量%であることが望ましい。平均窒素濃度をこの範囲内に制御することにより、コンデンサの漏れ電流がさらに低減する。
本発明のニオブ粒子では、通常、粒子表面から深さ200nmより深い部分の平均窒素濃度は、それより浅い部分より低い。
前記した範囲の平均窒素濃度のニオブ粒子は、例えばニオブ粒子を窒素雰囲気中で200〜1000℃に加熱することにより得ることができる。好ましくは、窒素雰囲気中で加熱したニオブ粒子を、さらに、不活性ガス雰囲気中、例えば、アルゴン雰囲気中で200〜1000℃に加熱する。さらに好ましくは、窒素雰囲気中で加熱した後アルゴン雰囲気中で加熱したニオブ粒子を真空中で200〜1000℃に加熱する。特に好ましくは、これら加熱中及びその間に、ニオブ粒子を酸素に触れさせないようにする。これらの方法では加熱温度、加熱時間、及びガスの圧力を調整することにより平均窒素濃度及びその分布を制御することができる。
この他の方法として、例えば、窒素イオンをイオン銃で加速しニオブ粒子の内部に打ち込む方法がある。この方法では加速電圧とイオンの数を調整することにより平均窒素濃度を制御することができる。
粒子の深さ方向の窒素濃度の測定は、例えば、粒子と同様な方法で窒素化処理したニオブ箔の深さ方向の窒素分布をオージェ分析(AES)で求め、これをニオブ粒子の窒素分布とする方法が挙げられる。これは、ニオブ粒子の深さ方向の窒素分布は、同様な方法でしたニオブ箔の深さ方向の窒素分布と同じと考えられるためである。
本発明のニオブ焼結体は、前述したニオブ粒子(好ましくは、二次粒子または三次粒子)を焼結して製造する。焼結体の製造方法は特に限定されるものではないが、例えば、ニオブ粒子を所定の形状に加圧成形した後、10−5〜102Paの減圧下、もしくはAr等の不活性気体中で、1分〜10時間、500〜2000℃で加熱して得られる。
また、適当な形状・長さの、ニオブやタンタル等の弁作用金属からなるリードワイヤーを用意し、前述したニオブ粒子の加圧成形時に該リードワイヤーの一部が成形体の内部に挿入されるように一体成形して、該リードワイヤーを前記焼結体の引き出しリードとなるように設計することもできる。このようにして作製された本発明のニオブ焼結体の比表面積は、任意に変更可能であるが、通常1〜10m2/gのものが使用される。
前述した焼結体を一方の電極とし、対電極の間に介在した誘電体とからコンデンサを製造することができる。
ここでコンデンサの誘電体として、酸化ニオブを主体とする誘電体が好ましく挙げられる。酸化ニオブを主体とする誘電体は、例えば、一方の電極であるニオブ焼結体を電解液中で化成(陽極酸化)することによって得られる。ニオブ電極を電解液中で化成するには、通常プロトン酸水溶液、例えば、0.1%リン酸水溶液、硫酸水溶液または1%の酢酸水溶液、アジピン酸水溶液等を用いて行われる。ニオブ電極を電解液中で化成して酸化ニオブ誘電体を得る場合、本発明のコンデンサは、電解コンデンサとなりニオブ電極が陽極となる。
本発明のニオブコンデンサを構成するニオブ粒子のうち、誘電体膜を除いた部分の平均窒素濃度は0.3〜4質量%であることが肝要である。平均窒素濃度がこの範囲外の場合、漏れ電流が大きくなる。
ついで、さらに好ましくは、本発明のニオブコンデンサの誘電体膜の平均窒素濃度を0.2〜1質量%であることが望ましい。平均窒素濃度をこの範囲内に制御することによりニオブコンデンサの漏れ電流がさらに低減する。
本発明のコンデンサにおいて、ニオブ焼結体の対電極は格別限定されるものではなく、例えば、アルミ電解コンデンサ業界で公知である電解液、有機半導体及び無機半導体から選ばれた少なくとも1種の材料(化合物)が使用できる。
電解液の具体例としては、イソブチルトリプロピルアンモニウムボロテトラフルオライド電解質を5質量%溶解したジメチルホルムアミドとエチレングリコールの混合溶液、テトラエチルアンモニウムボロテトラフルオライドを7質量%溶解したプロピレンカーボネートとエチレングリコールの混合溶液などが挙げられる。
有機半導体の具体例としては、ベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、あるいは下記一般式(1)または一般式(2)で表わされる繰り返し単位を含む導電性高分子が挙げられる。
式中、R1〜R4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1乃至10の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアルキルエステル基、またはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、1級、2級もしくは3級アミノ基、CF3基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。R1とR2及びR3とR4の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に少なくとも1つ以上の3〜7員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含んでもよい。Xは酸素、硫黄または窒素原子を表わし、R5はXが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素または炭素数1乃至10の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基を表わす。
さらに、本発明においては前記一般式(1)または一般式(2)のR1〜R4は、好ましくは、それぞれ独立して水素原子、炭素数1乃至6の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基またはアルコキシ基を表わし、R1とR2及びR3とR4は互いに結合して環状になっていてもよい。
さらに、本発明においては、前記一般式(1)で表わされる繰り返し単位を含む導電性高分子としては、好ましくは下記一般式(3)で示される構造単位を繰り返し単位として含む導電性高分子が挙げられる。
式中、R6及びR7は、各々独立して水素原子、炭素数1乃至6の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、2つの酸素元素を含む少なくとも1つ以上の5〜7員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。
このような化学構造を含む導電性高分子は荷電されており、ドーパントがドープされる。ドーパントには公知のドーパントが制限なく使用できる。
無機半導体の具体例としては、二酸化鉛または二酸化マンガンを主成分とする無機半導体、四三酸化鉄からなる無機半導体などが挙げられる。このような半導体は単独でも、または2種以上組み合わせて使用してもよい。
一般式(1)または一般式(2)で表わされる繰り返し単位を含む重合体としては、例えば、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、及びこれらの置換誘導体や共重合体などが挙げられる。中でもポリピロール、ポリチオフェン及びこれらの置換誘導体(例えばポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)等)が好ましい。
上記有機半導体及び無機半導体として、電導度10−2〜103S/cmの範囲のものを使用すると、作製したコンデンサのインピーダンス値がより小さくなり高周波での容量をさらに一層大きくすることができる。
前記導電性高分子層を製造する方法としては、例えばアニリン、チオフェン、フラン、ピロール、メチルピロールまたはこれらの置換誘導体の重合性化合物を、脱水素的2電子酸化の酸化反応を充分行わせ得る酸化剤の作用で重合する方法が採用される。重合性化合物(モノマー)からの重合反応は、例えばモノマーの気相重合、溶液重合等があり、誘電体を有するニオブ焼結体の表面に形成される。導電性高分子が溶液塗布可能な有機溶媒可溶性のポリマーの場合には、表面に塗布して形成する方法が採用される。
溶液重合による好ましい製造方法の1つとして、誘電体層を形成したニオブ焼結体を、酸化剤を含む溶液(溶液1)に浸漬し、次いでモノマー及びドーパントを含む溶液(溶液2)に浸漬して重合し、該表面に導電性高分子層を形成得する方法が例示される。また、前記焼結体を、溶液2に浸漬した後で溶液1に浸漬してもよい。また、前記溶液2においては、ドーパントを含まないモノマー溶液として前記方法に使用してもい。また、ドーパントを使用する場合、酸化剤を含む溶液に共存させて使用してもよい。
このような重合工程操作を、誘電体を有する前記ニオブ焼結体に対して1回以上、好ましくは3〜20回繰り返すことによって緻密で層状の導電性高分子層を容易に形成することができる。
本発明のコンデンサの製造方法においては、酸化剤はコンデンサ性能に悪影響を及ぼすことなく、その酸化剤の還元体がドーパントになって導電性高分子の電動度を向上させ得る酸化剤であればよく、工業的に安価で製造上取り扱いの容易な化合物が好まれる。
このような酸化剤としては、具体的には、例えばFeCl3やFeClO4、Fe(有機酸アニオン)塩等のFe(III)系化合物類、または無水塩化アルミニウム/塩化第一銅、アルカリ金属過硫酸塩類、過硫酸アンモニウム塩類、過酸化物類、過マンガン酸カリウム等のマンガン類、2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノン(DDQ)、テトラクロロ−1,4−ベンゾキノン、テトラシアノ−1,4−ベンゾキノン等のキノン類、よう素、臭素等のハロゲン類、過酸、硫酸、発煙硫酸、三酸化硫黄、クロロ硫酸、フルオロ硫酸、アミド硫酸等のスルホン酸、オゾン等及びこれら複数の酸化剤の組み合わせが挙げられる。
これらの中で、前記Fe(有機酸アニオン)塩を形成する有機酸アニオンの基本化合物としては、有機スルホン酸または有機カルボン酸、有機リン酸、有機ホウ酸等が挙げられる。有機スルホン酸の具体例としては、ベンゼンスルホン酸やp−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、α−スルホ−ナフタレン、β−スルホ−ナフタレン、ナフタレンジスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸(アルキル基としてはブチル、トリイソプロピル、ジ−t−ブチル等)等が使用される。
一方、有機カルボン酸の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、シュウ酸等が挙げられる。さらに本発明においては、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリビニル硫酸ポリ−α−メチルスルホン酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリリン酸等の高分子電解質アニオンも使用される。なお、これら有機スルホン酸または有機カルボン酸の例は単なる例示であり、これらに限定されるものではない。また、前記アニオンの対カチオンとしては、H+、Na+、K+等のアルカリ金属イオン、または水素原子やテトラメチル基、テトラエチル基、テトラブチル基、テトラフェニル基等で置換されたアンモニウムイオン等が例示されるが、これらに限定されるものではない。前記の酸化剤のうち、特に好ましいのは、3価のFe系化合物類、または塩化第一銅系、過硫酸アルカリ塩類、過硫酸アンモニウム塩類酸類、キノン類を含む酸化剤である。
導電性高分子の重合体組成物の製造方法において必要に応じて共存させるドーパント能を有するアニオン(酸化剤の還元体アニオン以外のアニオン)としては、前述の酸化剤から産生される酸化剤アニオン(酸化剤の還元体)を対イオンに持つ電解質アニオンまたは他の電解質アニオンを使用することができる。具体的には、PF6 −、SbF6 −、AsF6 −の如き5B族元素のハロゲン化物アニオン、BF4 −の如き3B族元素のハロゲン化物アニオン、I−(I3 −)、Br−、Cl−の如きハロゲンアニオン、ClO4 −の如き過ハロゲン酸アニオン、AlCl4 −、FeCl4 −、SnCl5 −等の如きルイス酸アニオン、あるいはNO3 −、SO4 2−の如き無機酸アニオン、またはp−トルエンスルホン酸やナフタレンスルホン酸、炭素数1乃至5(C1〜5と略する。)のアルキル置換ナフタレンスルホン酸等のスルホン酸アニオン、CF3SO3 −,CH3SO3 −の如き有機スルホン酸アニオン、またはCH3COO−、C6H5COO−のごときカルボン酸アニオン等のプロトン酸アニオンを挙げることができる。
また、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリビニル硫酸、ポリ−α−メチルスルホン酸、ポリエチレンスルホン酸、ポリリン酸等の高分子電解質のアニオン等をも挙げることができるが、これらに限定されるものではない。しかしながら、好ましくは、高分子系及び低分子系の有機スルホン酸化合物あるいはポリリン酸化合物のアニオンが挙げられ、望ましくは芳香族系のスルホン酸化合物(ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸ナトリウム等)がアニオン供出化合物として用いられる。
有機スルホン酸アニオンのうち、さらに有効なドーパントとしては、分子内に1つ以上のスルホアニオン基(−SO3 −)とキノン構造を有するスルホキノン化合物や、アントラセンスルホン酸アニオンが挙げられる。
前記スルホキノン化合物のスルホキノンアニオンの基本骨格として、p−ベンゾキノン、o−ベンゾキノン、1,2−ナフトキノン、1,4−ナフトキノン、2,6−ナフトキノン、9,10−アントラキノン、1,4−アントラキノン、1,2−アントラキノン、1,4−クリセンキノン、5,6−クリセンキノン、6,12−クリセンキノン、アセナフトキノン、アセナフテンキノン、カンホルキノン、2,3−ボルナンジオン、9,10−フェナントレンキノン、2,7−ピレンキノンが挙げられる。
さらに対電極が固体の場合には、その上に外部引き出しリード(例えば、リードフレーム)との電気的接触をよくするために、導電体層を設けてもよい。
導電体層としては、例えば、導電ペーストの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フィルムの形成等により形成することができる。導電ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましいが、これらは1種を用いても2種以上を用いてもよい。2種以上を用いる場合、混合してもよく、または別々の層として重ねてもよい。導電ペーストを適用した後、空気中に放置するか、または加熱して固化せしめる。
メッキとしては、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、アルミメッキ等が挙げられる。また蒸着金属としては、アルミニウム、ニッケル、銅、銀等があげられる。
具体的には、例えば対電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層しエポキシ樹脂のような材料で封止してコンデンサが構成される。このコンデンサは、ニオブ焼結体と一体に焼結成形された、または後で溶接されたニオブまたはタンタルリードを有していてもよい。
以上のような構成の本発明のコンデンサは、例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、金属性の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフイルムによる外装などの外装により各種用途のコンデンサ製品とすることができる。
また、対電極が液体の場合には、前記両極と誘電体から構成されたコンデンサを、例えば、対電極と電気的に接続した缶に収納してコンデンサが形成される。この場合、ニオブ焼結体の電極側は、前記したニオブまたはタンタルリードを介して外部に導出すると同時に、絶縁性ゴム等により、缶との絶縁がはかられるように設計される。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を具体例を挙げてさらに詳細に説明するが、本発明は下記の例により何等限定されるものではない。
下記の例において、窒素濃度はLECO社製の酸素窒素分析計により測定した。なお、ニオブ粒子の窒素分布は、同様な方法で窒素化したニオブ箔と同じと考えられることから、各実施例または比較例と同様の窒素化処理を別途用意したニオブ箔に適用し、該ニオブ箔の窒素分布をオージェ分析(AES)で求め、これをニオブ粒子の窒素分布とした。
実施例1:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/g、であるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ400℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。
2次粒子を0.1g秤量し、直径0.3mm長さ10mmのニオブ製のリード線と一体成形した。成形体の寸法は1.7mm×3.3mm×4.2mmであり、1.7mm×3.3mmの底面の中心から垂直にリード線を6mm外部に突出させた。
この成形体を高周波誘導加熱炉に入れ、内部を10−2Paに減圧した後、1200℃まで昇温し、30分間焼結した。
炉から取り出した焼結体を温度が80℃、濃度が0.1質量%のリン酸水溶液にリード線が液面の上に出た状態で浸漬した。さらに別途用意したニオブ板をマイナス電極としてリン酸溶液に浸漬し、リード線をプラス電極に接続した。始め電流密度を10mAに保持しつつ焼結体を陽極酸化し、焼結体に印加される電圧が20Vに達した後は電圧を20Vに保持しつつ焼結体を3時間陽極酸化し、化成体を作製した。
陽極酸化した化成体に濃度が40%の硝酸マンガン水溶液を含浸した後、化成体を105℃に加熱することにより水分を蒸発させ、さらに200℃に加熱することにより硝酸マンガンを二酸化マンガンに分解した。硝酸マンガンの含浸から熱分解までを複数回繰り返し、化成体の内部に陰極材となる二酸化マンガンを充填し対電極を形成した。
二酸化マンガンを充填した化成体にカーボンペーストと銀ペーストを順次積層した後、化成体をリードフレームに装填し、樹脂で封止した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、2μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を表面からAr+イオンでエッチングすると同時にAESでエッチング面を分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.3質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.3質量%であった。
また、実施例1の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化し、実施例1の焼結体と同様の方法で化成したニオブ箔を、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.3質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.3質量%であった。
比較例1:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/g、であるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を0.1g秤量し、直径0.3mm長さ10mmのニオブ製のリード線と一体成形した。成形体の寸法は1.7mm×3.3mm×4.2mmであり、1.7mm×3.3mmの底面の中心から垂直にリード線を6mm外部に突出させた。
該成形体を高周波誘導加熱炉に入れ、内部を10−2Paに減圧した後、1200℃まで昇温し、30分間焼結した。
炉から取り出した焼結体を温度が80℃、濃度が0.1質量%のリン酸水溶液にリード線が液面の上に出た状態で浸漬した。さらに別途用意したニオブ板をマイナス電極としてリン酸溶液に浸漬し、リード線をプラス電極に接続した。始め電流密度を10mAに保持しつつ焼結体を陽極酸化し、焼結体に印加される電圧が20Vに達した後は電圧を20Vに保持しつつ焼結体を3時間陽極酸化し、化成体を作製した。
陽極酸化した化成体に濃度が40%の硝酸マンガン水溶液を含浸した後、化成体を105℃に加熱することにより水分を蒸発させ、さらに200℃に加熱することにより硝酸マンガンを二酸化マンガンに分解した。硝酸マンガンの含浸から熱分解までを複数回繰り返し、化成体の内部に陰極材となる二酸化マンガンを充填し対電極を形成した。
二酸化マンガンを充填した化成体にカーボンペーストと銀ペーストを順次積層した後、化成体をリードフレームに装填し、樹脂で封止した。
製造したニオブコンデンサに6.3Vを印加し、1分後にコンデンサを流れる電流(漏れ電流)を測定した結果、62.3μAであった。
陽極酸化したニオブ焼結体を切断し、切断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した結果、誘電体膜の厚さ100nmであった。
ニオブ箔を表面からAr+イオンでエッチングすると同時にAESでエッチング面を分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.0質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.0質量%であった。
また、前記の焼結体と同様の方法で化成したニオブ箔をAESで分析した結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.0質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.0質量%であった。
比較例2:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ400℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、43.4μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.7質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.3質量%であった。
また、比較例2の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.7質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.3質量%であった。
実施例2:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ400℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。さらに炉内を真空に引き800℃の温度に10分間保持することによりニオブ粒子の表面近傍に存在する窒素を粒子の外部に拡散した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、9.2μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.1質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.3質量%であった。
また、実施例2の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.1質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.3質量%であった。
実施例3:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ500℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、10.5μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は1.7質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.9質量%であった。
また、実施例3の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は1.7質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.9質量%であった。
実施例4:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ500℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、5.8μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.9質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.9質量%であった。
また、実施例4の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.9質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.9質量%であった。
実施例5:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ500℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。さらに炉内を真空に引き800℃の温度に10分間保持することによりニオブ粒子の表面近傍に存在する窒素を粒子の外部に拡散した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、3.5μAであった。
誘電体膜の厚さを測定した結果、100nmであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.2質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.9質量%であった。
また、実施例5の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.1質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.3質量%であった。
実施例6:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ600℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、10.9μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は5.3質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は3.2質量%であった。
また、実施例6の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は5.3質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は3.2質量%であった。
実施例7:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ600℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、8.8μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は3.4質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は3.4質量%であった。
また、実施例7の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は3.4質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は3.4質量%であった。
実施例8:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ600℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。さらに炉内を真空に引き800℃の温度に10分間保持することによりニオブ粒子の表面近傍に存在する窒素を粒子の外部に拡散した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、2.1μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.5質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は3.4質量%であった。
また、実施例8の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.5質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は3.4質量%であった。
比較例3:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ700℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、163.5μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.7質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は5.1質量%であった。
また、比較例3の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.7質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は5.1質量%であった。
比較例4:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ700℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、84.6μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は5.3質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は5.3質量%であった。
また、比較例4の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は5.3質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は5.3質量%であった。
比較例5:
平均粒子径が1μm、BET比表面積が2m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が1.2m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ700℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。その後炉内の雰囲気をアルゴンに置換し、炉の温度を800℃に上げ2時間加熱することにより、ニオブ粒子の表面に局在した窒素の一部をニオブ粒子の内部に拡散した。さらに炉内を真空に引き800℃の温度に10分間保持することによりニオブ粒子の表面近傍に存在する窒素を粒子の外部に拡散した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、23.6μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.5質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は5.2質量%であった。
また、比較例5の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.5質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は5.2質量%であった。
実施例9:
平均粒子径が2μm、BET比表面積が1m2/gであるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が0.7m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ400℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、1.1μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.7質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.3質量%であった。
また、実施例9の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.7質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.3質量%であった。
実施例10:
平均粒子径が0.5μm、BET比表面積が5m2/g、であるニオブの1次粒子から、平均粒子径が200μm、BET比表面積が3m2/gである2次粒子を造粒した。2次粒子を高周波誘導加熱炉に入れ大気圧の窒素を流しつつ400℃の温度に1時間加熱することにより窒素化した。
炉から取り出したニオブ粒子を比較例1と同様の方法で加工することによりニオブコンデンサを製造した。
ニオブコンデンサの漏れ電流を測定した結果、5.9μAであった。
2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔をAESで分析した結果、表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度は0.7質量%、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度は0.3質量%であった。
また、実施例10の2次粒子と一緒に高周波加熱炉に入れ窒素化したニオブ箔を比較例1と同様の方法で化成した後、AESで分析した。その結果、誘電体膜の平均窒素濃度は0.7質量%、誘電体膜との境界から深さ100nmまでのニオブ層の平均窒素濃度は0.3質量%であった。
上に記した実施例1〜10及び比較例1〜5で製造したニオブ粒子の表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度、深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度、及びニオブコンデンサの漏れ電流を表1にまとめた。
表1から、ニオブ粒子の深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度が0.3〜4質量%の場合、ニオブコンデンサの漏れ電流は10.9μA以下であることがわかる。さらに、ニオブ粒子の深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度が0.3〜4質量%、かつ表面から深さ50nmまでの平均窒素濃度が0.2〜1質量%の場合、ニオブコンデンサの漏れ電流は5.9μA以下である。一方、ニオブ粒子の深さ50nmから深さ200nmまでの平均窒素濃度が0.3質量%未満または4質量%より大きい場合ニオブコンデンサの漏れ電流は23.6μA以上である。
このことから、ニオブ粒子を窒素化し、深さ50nmから深さ200nmまでの層の窒素濃度を0.3〜4質量%に制御することにより、ニオブコンデンサの漏れ電流が低減することがわかる。また、深さ50nmから深さ200nmまでの層の平均窒素濃度を0.29〜4質量%、かつ表面から深さ50nmまでの層の平均窒素濃度を0.19〜1質量%に制御することにより、ニオブコンデンサの漏れ電流がさらに低減することがわかる。
産業上の利用可能性
粒子の表面から深さ50〜200nmまでの層の平均窒素濃度を0.29〜4質量%にさらに好ましくは深さ50nmまでの層の窒素濃度を0.19〜1質量%に制御された本発明のニオブ粉粒子を、ニオブコンデンサに用いることにより漏れ電流が小さいコンデンサを製造することができる。
Claims (20)
- 窒素を含むコンデンサ用ニオブ粉において、ニオブ粉粒子表面からの深さ50〜200nmまでの平均窒素濃度が0.29〜4質量%であることを特徴とするニオブ粉。
- 粒子表面からの深さ50nmまでの平均窒素濃度が0.19〜1質量%である請求の範囲1に記載のニオブ粉。
- ニオブ粉粒子が、0.1〜1000μmの粒子径を持つ請求の範囲1または2に記載のニオブ粉。
- ニオブ粉粒子が、0.5〜40m2/gの比表面積を持つ請求の範囲1乃至3のいずれか1項に記載のニオブ粉。
- 請求の範囲1乃至4のいずれ1項に記載のニオブ粉を焼結して得られる焼結体。
- 陽極酸化により、請求の範囲5に記載の焼結体表面上に酸化ニオブを主体とする誘電体を設けた焼結体。
- 請求の範囲5に記載の焼結体を一方の電極とし、その焼結体表面上に設けられた酸化ニオブを主体とする誘電体と、前記誘電体上に設けられた対電極とから構成されたコンデンサ。
- 対電極が、電解液、有機半導体、及び無機半導体からなる群より選ばれる少なくとも一種である請求の範囲7記載のコンデンサ。
- 対電極が有機半導体であって、該有機半導体がベンゾピロリン4量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体及び導電性高分子からなる群より選ばれる少なくとも1種の材料である請求の範囲8に記載のコンデンサ。
- 導電性高分子が、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン及びこれらの置換誘導体から選ばれる少なくとも1種である請求の範囲9に記載のコンデンサ。
- 導電性高分子が、下記一般式(1)または一般式(2)
(式中、R1〜R4はそれぞれ独立して水素原子、炭素数1乃至10の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、アルコキシ基あるいはアルキルエステル基、またはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、1級、2級もしくは3級アミノ基、CF3基、フェニル基及び置換フェニル基からなる群から選ばれる一価基を表わす。R1とR2及びR3とR4の炭化水素鎖は互いに任意の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭素原子と共に少なくとも1つ以上の3〜7員環の飽和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を形成してもよい。前記環状結合鎖には、カルボニル、エーテル、エステル、アミド、スルフィド、スルフィニル、スルホニル、イミノの結合を任意の位置に含んでもよい。Xは酸素、硫黄または窒素原子を表わし、R5はXが窒素原子の時のみ存在して、独立して水素または炭素数1乃至10の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基を表わす。)で示される繰り返し単位を含む重合体に、ドーパントをドープした導電性高分子である請求の範囲9に記載のコンデンサ。 - 導電性高分子が、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)にドーパントをドープした導電性高分子である請求の範囲12に記載のコンデンサ。
- 対電極が、層状構造を少なくとも一部に有する導電性高分子材料からなる請求の範囲7に記載のコンデンサ。
- 対電極が、有機スルホン酸アニオンをドーパントとして含む材料からなる請求の範囲7に記載のコンデンサ。
- ニオブ焼結体を一方の電極とし、その焼結体表面上に設けられた酸化ニオブを主体とする誘電体膜と、前記誘電体上に設けられた対電極とから構成されたコンデンサにおいて、一方の電極であるニオブ焼結体を主体とする誘電体膜を除いた部分の平均窒素濃度が0.3〜4質量%であるコンデンサ。
- ニオブ焼結体を主体とする誘電体膜の平均窒素濃度が0.2〜1質量%である請求の範囲16に記載のコンデンサ。
- 請求の範囲1乃至4のいずれか1項に記載の窒素を含むコンデンサ用ニオブ粉の製造方法において、窒素を含むニオブ粉を不活性ガス雰囲気中で加熱する工程を含むことを特徴とするニオブ粉の製造方法。
- 窒素を含むニオブ粉を真空中で加熱する工程を含む請求の範囲18に記載のニオブ粉の製造方法。
- 不活性ガスがアルゴンである請求の範囲18に記載のニオブ粉の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001305907 | 2001-10-02 | ||
JP2001305907 | 2001-10-02 | ||
PCT/JP2002/010231 WO2003032344A1 (en) | 2001-10-02 | 2002-10-01 | Niobium powder, sintered compact thereof, chemically modified product thereof and capacitor using them |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009000383A Division JP4906130B2 (ja) | 2001-10-02 | 2009-01-05 | ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2003032344A1 true JPWO2003032344A1 (ja) | 2005-01-27 |
Family
ID=19125624
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003535217A Pending JPWO2003032344A1 (ja) | 2001-10-02 | 2002-10-01 | ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ |
JP2009000383A Expired - Fee Related JP4906130B2 (ja) | 2001-10-02 | 2009-01-05 | ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ |
JP2011233767A Expired - Fee Related JP5601692B2 (ja) | 2001-10-02 | 2011-10-25 | ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009000383A Expired - Fee Related JP4906130B2 (ja) | 2001-10-02 | 2009-01-05 | ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ |
JP2011233767A Expired - Fee Related JP5601692B2 (ja) | 2001-10-02 | 2011-10-25 | ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1434243B1 (ja) |
JP (3) | JPWO2003032344A1 (ja) |
KR (3) | KR100784335B1 (ja) |
CN (1) | CN100456399C (ja) |
AT (1) | ATE456852T1 (ja) |
BR (1) | BRPI0206094B1 (ja) |
DE (1) | DE60235247D1 (ja) |
WO (1) | WO2003032344A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7423862B2 (en) | 2004-12-24 | 2008-09-09 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and production method thereof |
TWI469163B (zh) * | 2004-12-24 | 2015-01-11 | Showa Denko Kk | Solid electrolytic capacitor element, solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
DE102005043829A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
CN100528418C (zh) * | 2008-01-11 | 2009-08-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法,阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极 |
DE102013206603A1 (de) * | 2013-04-12 | 2014-10-16 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von sauerstoffarmen Ventilmetallsinterkörpern mit hoher Oberfläche |
JP6412501B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2018-10-24 | 昭和電工株式会社 | ニオブ造粒粉末の製造方法 |
CN104021940B (zh) * | 2014-05-29 | 2016-09-07 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 | 一种降低氧化铌电容器等效串联电阻的阴极制备工艺 |
JP2019145696A (ja) * | 2018-02-22 | 2019-08-29 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
CN115968499A (zh) * | 2020-08-27 | 2023-04-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器用电极箔、电解电容器、电解电容器用电极箔的制造方法及电解电容器的制造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR200142216Y1 (ko) * | 1994-09-29 | 1999-06-01 | 정몽규 | 자동차용 부유 엔진 마운트 |
US6185090B1 (en) * | 1997-01-29 | 2001-02-06 | Vishay Sprague, Inc. | Method for doping sintered tantalum and niobium pellets with nitrogen |
JP3254163B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
US6515846B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-02-04 | H.C. Starck, Inc. | Capacitor substrates made of refractory metal nitrides |
JP4547730B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2010-09-22 | 株式会社村田製作所 | 電解コンデンサ用電極、電解コンデンサ及びこれらの製造法 |
JP4049964B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2008-02-20 | キャボットスーパーメタル株式会社 | 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー |
-
2002
- 2002-10-01 AT AT02770230T patent/ATE456852T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-10-01 EP EP02770230A patent/EP1434243B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-10-01 KR KR1020077020385A patent/KR100784335B1/ko active IP Right Grant
- 2002-10-01 KR KR10-2003-7009261A patent/KR20040030487A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-10-01 WO PCT/JP2002/010231 patent/WO2003032344A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2002-10-01 KR KR1020057024274A patent/KR20060006105A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-10-01 JP JP2003535217A patent/JPWO2003032344A1/ja active Pending
- 2002-10-01 CN CNB028036727A patent/CN100456399C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-10-01 BR BRPI0206094A patent/BRPI0206094B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2002-10-01 DE DE60235247T patent/DE60235247D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-01-05 JP JP2009000383A patent/JP4906130B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-10-25 JP JP2011233767A patent/JP5601692B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100456399C (zh) | 2009-01-28 |
KR20060006105A (ko) | 2006-01-18 |
KR20070099699A (ko) | 2007-10-09 |
JP5601692B2 (ja) | 2014-10-08 |
JP2012069967A (ja) | 2012-04-05 |
JP4906130B2 (ja) | 2012-03-28 |
DE60235247D1 (de) | 2010-03-18 |
BR0206094A (pt) | 2004-01-13 |
EP1434243A1 (en) | 2004-06-30 |
EP1434243B1 (en) | 2010-01-27 |
KR100784335B1 (ko) | 2007-12-14 |
JP2009124162A (ja) | 2009-06-04 |
WO2003032344A1 (en) | 2003-04-17 |
ATE456852T1 (de) | 2010-02-15 |
BRPI0206094B1 (pt) | 2016-10-25 |
CN1486498A (zh) | 2004-03-31 |
KR20040030487A (ko) | 2004-04-09 |
EP1434243A4 (en) | 2006-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5601692B2 (ja) | ニオブ粉、その焼結体、その化成体及びそれらを用いたコンデンサ | |
US7374596B2 (en) | Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body | |
US7713466B2 (en) | Valve acting metal sintered body, production method therefor and solid electrolytic capacitor | |
US7986508B2 (en) | Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body | |
JP4712883B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、ニオブ焼結体及びコンデンサ | |
JP4562986B2 (ja) | ニオブ粉、その焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
JP4809463B2 (ja) | タンタル焼結体の製造方法及びコンデンサの製造方法 | |
JP4042995B2 (ja) | ニオブ粉、ニオブ造粒物、ニオブ焼結体及びコンデンサ並びにそれらの製造方法 | |
US20090256014A1 (en) | Niobium powder, niobium granulated powder, niobium sintered body, capacitor and production method thererof | |
JP2009033182A (ja) | コンデンサの製造方法 | |
US6865069B2 (en) | Niobium powder, sintered body thereof, chemically modified product thereof and capacitor using them | |
US20030112577A1 (en) | Niobium particle, niobium sintered body, niobium formed body and niobium capacitor | |
JP2002093666A (ja) | ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
JP5020433B2 (ja) | コンデンサ用ニオブ粉、焼結体及びその焼結体を用いたコンデンサ | |
JP4367827B2 (ja) | ニオブ合金、その焼結体及びそれを用いたコンデンサ | |
JP2003003204A (ja) | ニオブ粉の製造方法 | |
JP4371323B2 (ja) | ニオブ粉、ニオブ焼結体及びニオブ焼結体を用いたコンデンサ | |
AU2008200187A1 (en) | Niobium powder, niobium sintered body and capacitor using the sintered body |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080331 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080530 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090210 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090216 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20090703 |