JPWO2003010763A1 - 光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置および光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法および光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
光記録媒体10をモータ11により回転させながら記録膜にレーザビームを照射して記録膜の着磁、アニール、初期化を行うときに、強力可視光ランプ15の光をレンズ16を介して平行光として反射ミラー14に投射し、該反射ミラー14で反射された光を、媒体10の前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射し加熱する。この際、制御装置18は、非接触温度センサー17で検出された基板温度情報に基づいて、媒体10の温度を例えば80℃以上で且つ基板軟化点よりも低い温度に上昇させるよう、強力可視光ランプ15の強度を制御する。
Description
技術分野
本発明は、アドレス情報を持ったエンボスピット列が半径方向にゾーニングされた光記録媒体の記録膜を、レーザ照射によって着磁、初期化ないしアニールするバルクイレーズ装置に係り、媒体を回転させながら記録膜への部分的なレーザ照射と共に媒体の温度を上昇させるようにした、光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置および光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法および光記録媒体に関する。
背景技術
従来、光記録媒体においては、記録エリアを有効に使って記録容量を増加させるために、ゾーニングと呼ばれる方法が用いられている。これは、例えば角速度が一定で回転をしている媒体において、半径毎に記録・再生のための記録基準周波数を切り替えることによって、媒体全面にわたって同程度の記録密度となるようにする方法である。
例えばISO規格の光磁気媒体であるISO/IEC14517(130mm4x)、ISO/IEC15286(130mm8x)、ISO/IEC15041(90mm5x)等では、この手法を使って媒体の記録容量を高めている。
すなわちデータ記録再生領域は、図1に示すように半径方向で複数のゾーンに分割され、各ゾーンでは記録再生の周波数が異なるため、1周内のセクター数が変わる。そのためアドレス領域は図示1aのごとく、半径毎に部分的な放射線形状を示すようになる。
さらに、光磁気記録型媒体では、ユーザに提供する前に記録膜の磁化方向を一定に揃える操作を媒体に施している。すなわち記録層の保磁力よりも大きな静磁界を媒体に与えることで、記録層の磁化方向を消去方向へ強制的に向かせる、いわゆる着磁と呼ばれる操作を行っている。
通常、着磁させようとする記録層が0.8×106A・m(A・mは磁界の強さのSI単位)程度の弱い保磁力を持つ場合は、電磁石のような弱い磁界で着磁させることが可能であるが、1.19×106〜1.59×106A・m以上の大きな保磁力を持つ記録層を着磁させる場合、記録層の温度を上げて、保磁力を低下させ、0.8×106A・m以下の弱い静磁界を加えることで、着磁を行っている。
また、相変化型の媒体では、ユーザに提供する前に記録膜全面を結晶させるための操作を媒体に施している。すなわち、記録膜を一定以上に昇温・除冷させて成膜後の結晶・アモルファスの混在した、いわゆるAd−depo状態膜から全面結晶状態へ初期化させている。
こうした初期化のプロセスでは、数百トラックという広い領域の記録膜を一度に昇温させて着磁や結晶化を行っている。この方法をバルクイレーズと呼ぶ。バルクイレーズは、1〜2ワットの半導体レーザを媒体の半径方向に10μm以上の長軸を持つ楕円ビーム径に絞り、記録膜上にフォーカスのみをかけて、回転する媒体に照射し、記録膜を昇温させる方法である。
前記バルクイレーズは、記録層初期化の目的ばかりでなく、媒体の繰り返し記録時に発生する記録感度や再生感度をあらかじめ取っておき、ユーザの媒体使用期間中の感度変化を押さえる(感度シフト)効果も持ち合わせている。これは、記録膜に熱エネルギーを与えることで、アモルファス状の記録層内の原子を予め緩和させて、記録膜を安定化させるためと考えられている。
バルクイレーズのパラメータとしては、媒体の回転数または線速度、レーザスポットの半径方向送りピッチ、レーザパワー、レーザビーム幅等がある。これらのパラメータは容易に制御できるため、最適なバルクイレーズ条件の設定によって、安定に着磁や初期化、感度シフトを起こさせることが可能なため、非常に有効な方法である。
本願発明者は、感度シフトと着磁を行う目的で光磁気記録媒体のバルクイレーズのテストを行ったところ、次のような問題点を見いだした。すなわち、図1に示す、半径方向にゾーニングされ、各ゾーンで半径方向に揃ったエンボスピットによるアドレスを持つ光記録媒体に、所定の感度シフトを起こすに足りるバルクイレーズを施した後、ゾーン境界のトラッキングエラーを観測したところ、図3の信号波形図のようにトラッキングエラー増加領域の存在が認められた。
図3は全面バルクイレーズした媒体のゾーン境界から10トラック目の位置におけるアドレス信号とトラッキングエラー信号の関係を表しており、(a)はアドレス信号、(b)はトラッキングエラー信号、(c)はアドレス信号(a)の領域F部拡大、(d)はトラッキングエラー信号(b)の領域F部拡大を各々示している。また図中、Eはトラックジャンプ信号、Gは領域F内の拡大アドレス、Hはトラッキングエラー上昇部を示している。
尚、図3における測定条件は、線速7.5m/s CLV、レーザパワー:1.5mW、ディスク径φ86、測定場所R40mm、Land部にトラッキングをかける、である。
図3におけるトラッキングエラー上昇部HはアドレスGの影響ではなく、10トラック前のゾーンで存在していたアドレスと同位置関係にあることがわかっており、10トラックも離れたアドレスが何らかの影響をトラッキングエラーに及ぼしているものである。
トラッキングエラー上昇部Hのトラッキングエラー上昇量は、トラックジャンプ信号Eの振幅のピークtoピークに対して17%にも達しており、さらに、この現象はゾーン境界から数百トラックまで達していることが観測されている。このため、ドライブ(媒体駆動系)はこれらのトラッキングエラー増加領域を欠陥領域と認識し、交代処理を行うことになる。したがって、非常に多くの交代セクターが存在する媒体となってしまう。
前記のようなトラッキングエラー増加現象は、バルクイレーズを行わない場合には発生しない。しかし、バルクイレーズを行わない場合には、ユーザが媒体を使用しているうちに記録感度が変化してしまい、最適な記録・再生が行えずエラーになってしまう。
またドライブ等を用いて、トラック1本毎に記録消去等の方法で感度シフトを起こさせる方法も考えられるが、同じトラックを何度も記録消去させなければならず、非常に多くの時間を必要とするため、現実的な方法ではない。
発明の開示
本発明の目的は、バルクイレーズによる着磁または結晶化、および所定の感度シフトが行われ、しかもゾーン境界近傍のトラッキングエラーを低減させることができる光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置および光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法および光記録媒体を提供することにある。
本発明者は、上述した目的を達成するために鋭意検討した結果、媒体の温度を高めてバルクイレーズをする方法が効果的であることを見出した。
バルクイレーズ法は、高出力レーザからのビームをレンズ、プリズム等の光学部品を通して記録膜面上に数百ミクロンの長軸を持つ楕円状の焦点を結ぶことで、記録膜に熱エネルギーを与え、広範囲の領域で感度シフトを起こさせる方法である。
前記レーザビームは図2に示すように、レーザ5からの出力ビームが回転する媒体の読取面6側から樹脂基板7を通して記録膜8に焦点を結ぶよう設計されている。
このレーザ光は主として記録膜8で吸収されるため、樹脂基板7の温度上昇は記録膜8からの熱伝導により起こると考えられる。したがって、樹脂基板7の温度変化も記録膜8と同様に、ビームの通過によって、常温から所定の温度まで急速に上昇し、さらに急速に冷却される。
一方、樹脂基板には局所的に内部応力の高いアドレス部と、比較的内部応力の低いデータ部(グルーブ部)が配列されている。この樹脂基板にビームを照射すると、前述の温度の急速上昇と急速下降が、アドレス部とデータ部を含むビームスポット内で同時に起こり、内部応力のアンバランスが拡大され、ゾーン境界付近のトラックが物理的に変形させられることで、トラッキングエラー増大を引き起こしていたものと考えた。すなわち、樹脂基板の急速温度変化を防ぐことができれば、トラッキングエラー増大は低減させられることになる。
そのため、樹脂基板をレーザスポットよりも広い範囲で予め暖めておくこと、および記録膜を所定の温度にするためにレーザパワーを樹脂基板の温度上昇分だけ低くすることで、バルクイレーズによる急速な温度変化を緩和させることができると考えた。
この予熱バルクイレーズ法によって作られた媒体は着磁され、所定の感度シフトが得られ、しかもトラッキングエラーが低減されているという特徴を持っていたため、本発明を完成するに至った。
本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置は、光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビーム照射して記録膜の着磁やアニールを行う装置であり、前記レーザビームを照射するときに前記媒体を加熱する加熱手段を備えたことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置は、相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビーム照射して記録膜の初期化を行う装置であり、前記レーザビームを照射するときに前記媒体を加熱する加熱手段を備えたことを特徴としている。
また前記加熱手段は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射することを特徴としている。
また前記加熱手段は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させることを特徴としている。
また前記加熱手段は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御することを特徴としている。
また前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる手段を備えたことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置は、さらに、前記媒体の温度を検出し、該検出温度を前記加熱手段にフィードバックして媒体の温度を一定に保つフィードバック手段を備えたことを特徴としている。
また、本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法は、光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の着磁やアニールを行うことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法は、相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の初期化を行うことを特徴としている。
また前記加熱工程は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射して実行されることを特徴としている。
また前記加熱工程は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させる工程を含んでいることを特徴としている。
また前記加熱工程は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御する工程を含んでいることを特徴としている。
また前記レーザビームの照射および加熱工程の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる工程を実行することを特徴としている。
また前記加熱工程は、前記媒体の温度を検出し、該検出温度をフィードバックして、前記媒体の温度を一定に保つよう制御する工程を含んでいることを特徴としている。
また、本発明の光記録媒体は、光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱して、記録膜の着磁やアニールを行って製造されていることを特徴としている。
また、本発明の光記録媒体は、相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱して、記録膜の初期化を行って製造されていることを特徴としている。
発明を実施するための最良の形態
以下図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
(実施形態例1)
まず、光磁気記録再生可能な多層記録膜を使った実施形態例を説明する。使用した媒体の断面は、例えば図4に示すように、前記図1のアドレス配置を持った樹脂基板10a−1の上に、保護層10b−1、光磁気記録層10c−1−1、10c−1−2、10c−1−3、保護層10d−1および反射層10e−1が順次スパッタ法によって積層成膜されている。
まず、各層をスパッタリングするためのチャンバーを、あらかじめ、到達真空度が10−5Pa以下になるまで、十分排気した。そして、1×10−3Pa〜6×10−3Paの雰囲気にして、2kW〜3kWのパワーでそれぞれの膜を形成した。
保護層10b−1として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜80nmを形成させた。
光磁気記録層10c−1−1として、GdFeCoターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が40nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が350℃以上、室温での飽和磁化が10emu/ccの遷移金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
光磁気記録層10c−1−2として、GdFeCoSiターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ膜厚が40nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が200℃、室温での飽和磁化が150emu/ccの希土類金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
光磁気記録層10c−1−3として、TbFeCoターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が50nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が300℃、室温での保磁力が20KOe以上、室温での飽和磁化が50emu/ccの遷移金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
保護層10d−1として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜20nmを形成させた。
反射層10e−1は、Alをターゲットとし、アルゴン雰囲気中でDCスパッタ法により、膜厚が10nmとなるよう成膜した。
図4のように構成された光媒体を加熱しながらバルクイレーズする装置の一例を図5に示す。従来のバルクイレーザは、図5に示す媒体10を回転させるためのモータ11と、レーザを媒体10の膜面へフォーカシングさせるためのアクチュエータ12と、アクチュエータ12を媒体10の半径方向へ移動させるためのスライダー13とで構成されていた。
本発明ではさらに、以下の要素を追加配設して予熱バルクイレーズ装置を構成した。すなわち、媒体10のレーザ照射側と同一面側に反射ミラー14を所定角度で配設している。そして強力可視光ランプ15の光をレンズ16を介して平行光として反射ミラー14に投射し、該反射ミラー14で反射された光を、媒体10の前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射している。
17は媒体10に近設され、ランプ照射により熱せられた基板の温度を測定する非接触温度センサーである。
18は、モータ11の回転状態や基板温度の情報をもとに前記強力可視光ランプ15のON/OFFや強度を制御したり、モータ11を制御する制御装置である。
尚、媒体の加熱方法に関しては、本実施形態例のように可視光ランプを使う方法以外にも、媒体の周囲温度を高くする方法や、赤外線ヒータによる赤外線加熱等でも構わない。
前記強力可視光ランプ15は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射する。この際、制御装置18は、非接触温度センサー17で検出された基板温度情報に基づいて、媒体10の温度を基板軟化点よりも低い温度に上昇させるように、強力可視光ランプ15の強度を制御する。
このときの媒体10の温度は、前記図3で述べたゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加を十分低減できるという条件を満たす温度として、例えば80℃以上であり且つ軟化点温度以下の範囲で加熱することが好ましい。
また媒体10の面内温度差が大きいと媒体に反りが生じてしまうので、反りが生じてフォーカスが外れるか又はかからなくなることがない範囲の面内温度差として、例えば30℃以内に制御する。
また、レーザビームの照射および強力可視光ランプ15による加熱終了直後は、媒体10は高温状態で軟化しているため、媒体10の回転を直ぐ止めると、媒体が変形したり、媒体がチャッキング部分から外れて飛び出してしまう恐れがある。
このため、本発明では、前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、制御装置18がモータ11を制御して媒体10の回転を継続させる。
また制御装置18は、非接触温度センサー17から取り込んだ検出温度情報に基づいて、媒体10の温度が一定となるよう強力可視光ランプ15をフィードバック制御する。
上記図5の装置を用いてバルクイレーズされた媒体の特性を調べた。バルクイレーズは、レーザ照射部の線速度が7.5m/sとなる条件で行った。まず図6の表に示す4種類のサンプルを作製し、記録感度の変化を調べた。図6の表において、サンプル番号1はバルクイレーズをしないサンプルであり、サンプル番号2は通常のバルクイレーズを行ったサンプルであり、サンプル番号3は通常のバルクイレーズかつランプ加熱を行ったサンプルであり、サンプル番号4は、サンプル番号2のレーザパワーを800mWから600mWに低下させかつランプ加熱有りでバルクイレーズしたサンプルである。
これらのサンプルについて、最適記録パワーの値を測定した結果を図7に示す。図7の横軸は記録パワー、縦軸は再生信号のジッター値を示しており、ジッター値が最小となるときの記録パワーが小さい程、感度が良いことを表している。
尚図7において、菱形印は図6のサンプル番号1のデータを示し、正方形印は図6のサンプル番号2のデータを示し、三角形印は図6のサンプル番号3のデータを示し、丸印は図6のサンプル番号4のデータを示している。
図7において、バルクイレーズしないサンプル番号1の最適記録パワーが9.2mWであるのに対して、バルクイレーズしたサンプルは高感度化していることが示されている。すなわちサンプル番号3の最適記録パワーは8.9mWであり、サンプル番号2、4の最適記録パワーはともに9.0mWである。
このことから、サンプル番号2とサンプル番号4は感度シフト量が同じであることを示している。すなわち、同じ感度シフト量を達成するためのバルクイレーズのレーザパワーは、本発明のランプ照射を施すことで、800mWから600mWへと低減させることが可能であることを示している。
これらのサンプルのうち、サンプル番号2、3、4について、トラッキングエラー増加量を表したものが図8である。図8において、縦軸はトラッキングエラーの増加量を表し、横軸はゾーン境界から数えたトラック数を表し、TES Noiseとはトラッキングエラー信号のアドレスからのノイズである。
この図8から、トラッキングエラーはサンプル番号3(三角形印)→サンプル番号2(正方形印)→サンプル番号4(丸印)の順序で小さくなっていることがわかる。これらの中で、サンプル番号2(正方形印)およびサンプル番号4(丸印)は同じ感度シフト量であるために、目的の感度シフトを起こすのにはどちらのバルクイレーズ条件でも良いことになり、特にサンプル番号4(丸印)のようにランプ照射による媒体の予熱と低レーザ照射のバルクイレーズを組み合わせた装置を使うことで、トラッキングエラーの増加量の小さい媒体を作製することが可能である。
本発明の加熱手段は、図5の強力可視光ランプ15によるものに限らず、例えば温調設備を用いて媒体の周囲温度を高くするように構成しても良く、また赤外線ヒータによる赤外線加熱を行うように構成しても良い。
これらのように加熱手段を構成した場合も、前記同様に、媒体の温度を軟化点よりも低い温度に上昇させ、また媒体の面内温度差を30℃以内に制御し、またレーザビームの照射および加熱の終了後は、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで媒体の回転を継続させ、またフィードバックにより媒体の温度を一定に保つように構成するものである。
また、本発明の予熱バルクイレーズ方法は、例えば図5の予熱バルクイレーズ装置を用いて、媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の着磁やアニールを行うものである。
この際前記加熱工程は、媒体の温度を軟化点よりも低い温度に上昇させ、また媒体の面内温度差を30℃以内に制御し、またフィードバックにより媒体の温度を一定に保つように制御するものである。また前記加熱工程の終了後は、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで媒体の回転を継続させるものである。
(実施形態例2)
次に、光磁気記録再生可能な単層記録膜を使った実施形態例を説明する。使用した媒体の断面は、例えば図9に示すように、前記図1のアドレス配置を持った樹脂基板10a−2の上に、保護層10b−2、光磁気記録層10c−2、保護層10d−2および反射層10e−2が順次スパッタ法によって積層成膜されている。
まず、各層をスパッタリングするためのチャンバーを、あらかじめ、到達真空度が10−5Pa以下になるまで、十分排気した。
保護層10b−2として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜100nmを形成させた。
光磁気記録層10c−2として、TbFeCoターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が50nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が300℃、室温での保磁力が20KOe以上、室温での飽和磁化が50emu/ccの遷移金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
保護層10d−2として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜30nmを形成させた。
反射層10e−2は、Alをターゲットとし、アルゴン雰囲気中でDCスパッタ法により、膜厚が50nmとなるよう成膜した。
上記の膜構成で作製されたサンプルに対して図5の装置でバルクイレーズを行い、サンプルの特性を調べた。バルクイレーズは、レーザ照射部の線速度が7.5m/sとなる条件で行った。まず図10の表に示す4種類のサンプルを作製し、前記実施形態例1と同様に記録感度の変化を調べた。
その結果、図10の表に示すように、サンプル番号2−2、2−3、2−4はレーザ照射、および、又はランプ加熱されることで、サンプル番号2−1に比べて、感度が高くなっていることがわかる。さらに、サンプル番号2−2とサンプル番号2−4は、同じ最適感度を持っていることがわかる。すなわち、サンプル番号2−2の記録膜と、サンプル番号2−4の記録膜は、同じエネルギーをレーザ照射とランプ加熱により与えられたことになる。
そこで、これらのサンプルについて、アドレス脇のトラックにおけるトラッキングエラー増加量を調べた。アドレスから100トラック目のトラッキングエラーをトラックジャンプ振幅に対する比率で表すと図10の表のトラッキングエラー比となった。これにより、サンプル番号2−4が最もトラッキングエラーが小さくなっていることがわかる。
(実施形態例3)
次に、相変化記録膜を使った実施形態例を説明する。使用した媒体の断面は、例えば図11に示すように、前記図1のアドレス配置を持った樹脂基板10a−3の上に、保護層10b−3、相変化記録層10c−3、保護層10d−3および反射層10e−3が順次スパッタ法によって積層成膜されている。
まず、各層をスパッタリングするためのチャンバーを、あらかじめ、到達真空度が10−5Pa以下になるまで、十分排気した。
保護層10b−3として、ZnS−SiO2ターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタさせ、ZnS−SiO2膜130nmを形成させた。
相変化記録層10c−3として、GeSbTeターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が15nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、結晶化温度が500℃、融点が700℃となるようあらかじめ調整した。
保護層10d−3として、ZnS−SiO2ターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタさせ、ZnS−SiO2膜20nmを形成させた。
反射層10e−3は、Alをターゲットとし、アルゴン雰囲気中でDCスパッタ法により、膜厚が150nmとなるよう成膜した。
上記の膜構成で作製されたサンプルに対して図5の装置でバルクイレーズを行い、サンプルの特性を調べた。バルクイレーズは、レーザ照射部の線速度が4m/sとなる条件で行った。まず図12の表に示す4種類のサンプルを作製し、前記実施形態例1と同様に記録感度の変化を調べた。
その結果、図12の表に示すように、サンプル番号3−2、3−3、3−4はレーザ照射、および、又はランプ加熱されることで、サンプル番号3−1に比べて、感度が高くなっていることがわかる。さらに、サンプル番号3−2とサンプル番号3−4は、同じ最適感度を持っていることがわかる。すなわち、サンプル番号3−2の記録膜と、サンプル番号3−4の記録膜は、同じエネルギーをレーザ照射とランプ加熱により与えられたことになる。
そこで、これらのサンプルについて、アドレス脇のトラックにおけるトラッキングエラー増加量を調べた。アドレスから100トラック目のトラッキングエラーをトラックジャンプ振幅に対する比率で表すと図12の表のトラッキングエラー比となった。これにより、サンプル番号3−4が最もトラッキングエラーが小さくなっていることがわかる。
以上のように本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置によれば、光記録媒体に対して、バンド境界でのトラッキングエラーの増加を押さえた着磁、アニール、初期化を行うことができる。これにより、媒体一面を高速に着磁、アニール、初期化できるため、プロセス時間を短縮することができ、しかも交代セクター数の少ない高品質の媒体を作ることが可能となる。
また請求項5〜請求項8において、例えば媒体の温度を80℃以上であり且つ軟化点温度以下の範囲とすることにより、ゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加を十分低減することができる。
また請求項9〜請求項12のように、媒体の面内温度差を30℃以内に制御することによって、媒体に反りが生じることは防止され、フォーカスが外れる又はかからなくなるような事態は避けられる。
また請求項13〜請求項16によれば、レーザビームの照射および加熱の終了後、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させることができるので、バルクイレーズ終了後に、媒体が変形したり、媒体がチャッキング部分から外れて飛び出してしまうことが防止される。
また請求項17〜請求項20によれば、媒体の温度が一定に保たれるので、装置の信頼性が向上する。
また、本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法によれば、簡単な方法によって、光記録媒体に対して、バンド境界でのトラッキングエラーの増加を押さえた着磁、アニール、初期化を行うことができる。これにより、媒体一面を高速に着磁、アニール、初期化できるため、プロセス時間を短縮することができ、しかも交代セクター数の少ない高品質の媒体を作ることが可能となる。
また請求項25〜請求項28において、例えば媒体の温度を80℃以上であり且つ軟化点温度以下の範囲とすることにより、ゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加を十分低減することができる。
また請求項29〜請求項32のように、媒体の面内温度差を30℃以内に制御することによって、媒体に反りが生じることは防止され、フォーカスが外れる又はかからなくなるような事態は避けられる。
また請求項33〜請求項36によればレーザビームの照射および加熱の終了後、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させることができるので、バルクイレーズ終了後に、媒体が変形したり、媒体がチャッキング部分から外れて飛び出してしまうことが防止される。
また請求項37〜請求項40によれば、媒体の温度が一定に保たれるので、装置の信頼性が向上する。
また、本発明の請求項41、42に記載の光記録媒体によれば、バルクイレーズが施されていることによって、使用による記録感度変化が抑制され、しかもゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加はみられず、性能、品質が著しく向上した。
産業上の利用可能性
尚本発明は、外形が非円形状に形成されている光記録媒体に適用しても良い。
また本発明は、例えば図13に示すように、データ記録再生領域20aを、例えばハガキサイズや名刺サイズのカード本体20に組み込んで構成されたカード型の光記録媒体に適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
図1は本発明で用いる光記録媒体の平面図、図2はバルクイレーズを実施するための装置構成を示す説明図、図3は全面バルクイレーズした媒体のゾーン境界から10トラック目の位置におけるアドレス信号とトラッキングエラー信号の関係を表す信号波形図、図4は本発明で用いる多層記録膜を使った光記録媒体の断面構成を示す説明図、図5は本発明の予熱バルクイレーズ装置の一実施形態例を示す全体構成図、図6は本発明で用いる各種基板サンプルの内容を示す表、図7は各光記録媒体における再生信号のジッター値と記録パワーの関係を表す特性図、図8は各光媒体におけるトラッキングエラー増加量とゾーン境界からのトラック数の関係を表す特性図、図9は本発明で用いる単層記録膜を使った光記録媒体の断面構成を示す説明図、図10は本発明で用いる各種基板サンプルの内容を示す表、図11は本発明で用いる相変化記録膜を使った光記録媒体の断面構成を示す説明図、図12は本発明で用いる各種基板サンプルの内容を示す表、図13は本発明が適用されるカード型光記録媒体の平面図である。
本発明は、アドレス情報を持ったエンボスピット列が半径方向にゾーニングされた光記録媒体の記録膜を、レーザ照射によって着磁、初期化ないしアニールするバルクイレーズ装置に係り、媒体を回転させながら記録膜への部分的なレーザ照射と共に媒体の温度を上昇させるようにした、光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置および光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法および光記録媒体に関する。
背景技術
従来、光記録媒体においては、記録エリアを有効に使って記録容量を増加させるために、ゾーニングと呼ばれる方法が用いられている。これは、例えば角速度が一定で回転をしている媒体において、半径毎に記録・再生のための記録基準周波数を切り替えることによって、媒体全面にわたって同程度の記録密度となるようにする方法である。
例えばISO規格の光磁気媒体であるISO/IEC14517(130mm4x)、ISO/IEC15286(130mm8x)、ISO/IEC15041(90mm5x)等では、この手法を使って媒体の記録容量を高めている。
すなわちデータ記録再生領域は、図1に示すように半径方向で複数のゾーンに分割され、各ゾーンでは記録再生の周波数が異なるため、1周内のセクター数が変わる。そのためアドレス領域は図示1aのごとく、半径毎に部分的な放射線形状を示すようになる。
さらに、光磁気記録型媒体では、ユーザに提供する前に記録膜の磁化方向を一定に揃える操作を媒体に施している。すなわち記録層の保磁力よりも大きな静磁界を媒体に与えることで、記録層の磁化方向を消去方向へ強制的に向かせる、いわゆる着磁と呼ばれる操作を行っている。
通常、着磁させようとする記録層が0.8×106A・m(A・mは磁界の強さのSI単位)程度の弱い保磁力を持つ場合は、電磁石のような弱い磁界で着磁させることが可能であるが、1.19×106〜1.59×106A・m以上の大きな保磁力を持つ記録層を着磁させる場合、記録層の温度を上げて、保磁力を低下させ、0.8×106A・m以下の弱い静磁界を加えることで、着磁を行っている。
また、相変化型の媒体では、ユーザに提供する前に記録膜全面を結晶させるための操作を媒体に施している。すなわち、記録膜を一定以上に昇温・除冷させて成膜後の結晶・アモルファスの混在した、いわゆるAd−depo状態膜から全面結晶状態へ初期化させている。
こうした初期化のプロセスでは、数百トラックという広い領域の記録膜を一度に昇温させて着磁や結晶化を行っている。この方法をバルクイレーズと呼ぶ。バルクイレーズは、1〜2ワットの半導体レーザを媒体の半径方向に10μm以上の長軸を持つ楕円ビーム径に絞り、記録膜上にフォーカスのみをかけて、回転する媒体に照射し、記録膜を昇温させる方法である。
前記バルクイレーズは、記録層初期化の目的ばかりでなく、媒体の繰り返し記録時に発生する記録感度や再生感度をあらかじめ取っておき、ユーザの媒体使用期間中の感度変化を押さえる(感度シフト)効果も持ち合わせている。これは、記録膜に熱エネルギーを与えることで、アモルファス状の記録層内の原子を予め緩和させて、記録膜を安定化させるためと考えられている。
バルクイレーズのパラメータとしては、媒体の回転数または線速度、レーザスポットの半径方向送りピッチ、レーザパワー、レーザビーム幅等がある。これらのパラメータは容易に制御できるため、最適なバルクイレーズ条件の設定によって、安定に着磁や初期化、感度シフトを起こさせることが可能なため、非常に有効な方法である。
本願発明者は、感度シフトと着磁を行う目的で光磁気記録媒体のバルクイレーズのテストを行ったところ、次のような問題点を見いだした。すなわち、図1に示す、半径方向にゾーニングされ、各ゾーンで半径方向に揃ったエンボスピットによるアドレスを持つ光記録媒体に、所定の感度シフトを起こすに足りるバルクイレーズを施した後、ゾーン境界のトラッキングエラーを観測したところ、図3の信号波形図のようにトラッキングエラー増加領域の存在が認められた。
図3は全面バルクイレーズした媒体のゾーン境界から10トラック目の位置におけるアドレス信号とトラッキングエラー信号の関係を表しており、(a)はアドレス信号、(b)はトラッキングエラー信号、(c)はアドレス信号(a)の領域F部拡大、(d)はトラッキングエラー信号(b)の領域F部拡大を各々示している。また図中、Eはトラックジャンプ信号、Gは領域F内の拡大アドレス、Hはトラッキングエラー上昇部を示している。
尚、図3における測定条件は、線速7.5m/s CLV、レーザパワー:1.5mW、ディスク径φ86、測定場所R40mm、Land部にトラッキングをかける、である。
図3におけるトラッキングエラー上昇部HはアドレスGの影響ではなく、10トラック前のゾーンで存在していたアドレスと同位置関係にあることがわかっており、10トラックも離れたアドレスが何らかの影響をトラッキングエラーに及ぼしているものである。
トラッキングエラー上昇部Hのトラッキングエラー上昇量は、トラックジャンプ信号Eの振幅のピークtoピークに対して17%にも達しており、さらに、この現象はゾーン境界から数百トラックまで達していることが観測されている。このため、ドライブ(媒体駆動系)はこれらのトラッキングエラー増加領域を欠陥領域と認識し、交代処理を行うことになる。したがって、非常に多くの交代セクターが存在する媒体となってしまう。
前記のようなトラッキングエラー増加現象は、バルクイレーズを行わない場合には発生しない。しかし、バルクイレーズを行わない場合には、ユーザが媒体を使用しているうちに記録感度が変化してしまい、最適な記録・再生が行えずエラーになってしまう。
またドライブ等を用いて、トラック1本毎に記録消去等の方法で感度シフトを起こさせる方法も考えられるが、同じトラックを何度も記録消去させなければならず、非常に多くの時間を必要とするため、現実的な方法ではない。
発明の開示
本発明の目的は、バルクイレーズによる着磁または結晶化、および所定の感度シフトが行われ、しかもゾーン境界近傍のトラッキングエラーを低減させることができる光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置および光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法および光記録媒体を提供することにある。
本発明者は、上述した目的を達成するために鋭意検討した結果、媒体の温度を高めてバルクイレーズをする方法が効果的であることを見出した。
バルクイレーズ法は、高出力レーザからのビームをレンズ、プリズム等の光学部品を通して記録膜面上に数百ミクロンの長軸を持つ楕円状の焦点を結ぶことで、記録膜に熱エネルギーを与え、広範囲の領域で感度シフトを起こさせる方法である。
前記レーザビームは図2に示すように、レーザ5からの出力ビームが回転する媒体の読取面6側から樹脂基板7を通して記録膜8に焦点を結ぶよう設計されている。
このレーザ光は主として記録膜8で吸収されるため、樹脂基板7の温度上昇は記録膜8からの熱伝導により起こると考えられる。したがって、樹脂基板7の温度変化も記録膜8と同様に、ビームの通過によって、常温から所定の温度まで急速に上昇し、さらに急速に冷却される。
一方、樹脂基板には局所的に内部応力の高いアドレス部と、比較的内部応力の低いデータ部(グルーブ部)が配列されている。この樹脂基板にビームを照射すると、前述の温度の急速上昇と急速下降が、アドレス部とデータ部を含むビームスポット内で同時に起こり、内部応力のアンバランスが拡大され、ゾーン境界付近のトラックが物理的に変形させられることで、トラッキングエラー増大を引き起こしていたものと考えた。すなわち、樹脂基板の急速温度変化を防ぐことができれば、トラッキングエラー増大は低減させられることになる。
そのため、樹脂基板をレーザスポットよりも広い範囲で予め暖めておくこと、および記録膜を所定の温度にするためにレーザパワーを樹脂基板の温度上昇分だけ低くすることで、バルクイレーズによる急速な温度変化を緩和させることができると考えた。
この予熱バルクイレーズ法によって作られた媒体は着磁され、所定の感度シフトが得られ、しかもトラッキングエラーが低減されているという特徴を持っていたため、本発明を完成するに至った。
本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置は、光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビーム照射して記録膜の着磁やアニールを行う装置であり、前記レーザビームを照射するときに前記媒体を加熱する加熱手段を備えたことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置は、相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビーム照射して記録膜の初期化を行う装置であり、前記レーザビームを照射するときに前記媒体を加熱する加熱手段を備えたことを特徴としている。
また前記加熱手段は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射することを特徴としている。
また前記加熱手段は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させることを特徴としている。
また前記加熱手段は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御することを特徴としている。
また前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる手段を備えたことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置は、さらに、前記媒体の温度を検出し、該検出温度を前記加熱手段にフィードバックして媒体の温度を一定に保つフィードバック手段を備えたことを特徴としている。
また、本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法は、光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の着磁やアニールを行うことを特徴としている。
また本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法は、相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の初期化を行うことを特徴としている。
また前記加熱工程は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射して実行されることを特徴としている。
また前記加熱工程は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させる工程を含んでいることを特徴としている。
また前記加熱工程は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御する工程を含んでいることを特徴としている。
また前記レーザビームの照射および加熱工程の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる工程を実行することを特徴としている。
また前記加熱工程は、前記媒体の温度を検出し、該検出温度をフィードバックして、前記媒体の温度を一定に保つよう制御する工程を含んでいることを特徴としている。
また、本発明の光記録媒体は、光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱して、記録膜の着磁やアニールを行って製造されていることを特徴としている。
また、本発明の光記録媒体は、相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱して、記録膜の初期化を行って製造されていることを特徴としている。
発明を実施するための最良の形態
以下図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
(実施形態例1)
まず、光磁気記録再生可能な多層記録膜を使った実施形態例を説明する。使用した媒体の断面は、例えば図4に示すように、前記図1のアドレス配置を持った樹脂基板10a−1の上に、保護層10b−1、光磁気記録層10c−1−1、10c−1−2、10c−1−3、保護層10d−1および反射層10e−1が順次スパッタ法によって積層成膜されている。
まず、各層をスパッタリングするためのチャンバーを、あらかじめ、到達真空度が10−5Pa以下になるまで、十分排気した。そして、1×10−3Pa〜6×10−3Paの雰囲気にして、2kW〜3kWのパワーでそれぞれの膜を形成した。
保護層10b−1として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜80nmを形成させた。
光磁気記録層10c−1−1として、GdFeCoターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が40nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が350℃以上、室温での飽和磁化が10emu/ccの遷移金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
光磁気記録層10c−1−2として、GdFeCoSiターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ膜厚が40nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が200℃、室温での飽和磁化が150emu/ccの希土類金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
光磁気記録層10c−1−3として、TbFeCoターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が50nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が300℃、室温での保磁力が20KOe以上、室温での飽和磁化が50emu/ccの遷移金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
保護層10d−1として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜20nmを形成させた。
反射層10e−1は、Alをターゲットとし、アルゴン雰囲気中でDCスパッタ法により、膜厚が10nmとなるよう成膜した。
図4のように構成された光媒体を加熱しながらバルクイレーズする装置の一例を図5に示す。従来のバルクイレーザは、図5に示す媒体10を回転させるためのモータ11と、レーザを媒体10の膜面へフォーカシングさせるためのアクチュエータ12と、アクチュエータ12を媒体10の半径方向へ移動させるためのスライダー13とで構成されていた。
本発明ではさらに、以下の要素を追加配設して予熱バルクイレーズ装置を構成した。すなわち、媒体10のレーザ照射側と同一面側に反射ミラー14を所定角度で配設している。そして強力可視光ランプ15の光をレンズ16を介して平行光として反射ミラー14に投射し、該反射ミラー14で反射された光を、媒体10の前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射している。
17は媒体10に近設され、ランプ照射により熱せられた基板の温度を測定する非接触温度センサーである。
18は、モータ11の回転状態や基板温度の情報をもとに前記強力可視光ランプ15のON/OFFや強度を制御したり、モータ11を制御する制御装置である。
尚、媒体の加熱方法に関しては、本実施形態例のように可視光ランプを使う方法以外にも、媒体の周囲温度を高くする方法や、赤外線ヒータによる赤外線加熱等でも構わない。
前記強力可視光ランプ15は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射する。この際、制御装置18は、非接触温度センサー17で検出された基板温度情報に基づいて、媒体10の温度を基板軟化点よりも低い温度に上昇させるように、強力可視光ランプ15の強度を制御する。
このときの媒体10の温度は、前記図3で述べたゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加を十分低減できるという条件を満たす温度として、例えば80℃以上であり且つ軟化点温度以下の範囲で加熱することが好ましい。
また媒体10の面内温度差が大きいと媒体に反りが生じてしまうので、反りが生じてフォーカスが外れるか又はかからなくなることがない範囲の面内温度差として、例えば30℃以内に制御する。
また、レーザビームの照射および強力可視光ランプ15による加熱終了直後は、媒体10は高温状態で軟化しているため、媒体10の回転を直ぐ止めると、媒体が変形したり、媒体がチャッキング部分から外れて飛び出してしまう恐れがある。
このため、本発明では、前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、制御装置18がモータ11を制御して媒体10の回転を継続させる。
また制御装置18は、非接触温度センサー17から取り込んだ検出温度情報に基づいて、媒体10の温度が一定となるよう強力可視光ランプ15をフィードバック制御する。
上記図5の装置を用いてバルクイレーズされた媒体の特性を調べた。バルクイレーズは、レーザ照射部の線速度が7.5m/sとなる条件で行った。まず図6の表に示す4種類のサンプルを作製し、記録感度の変化を調べた。図6の表において、サンプル番号1はバルクイレーズをしないサンプルであり、サンプル番号2は通常のバルクイレーズを行ったサンプルであり、サンプル番号3は通常のバルクイレーズかつランプ加熱を行ったサンプルであり、サンプル番号4は、サンプル番号2のレーザパワーを800mWから600mWに低下させかつランプ加熱有りでバルクイレーズしたサンプルである。
これらのサンプルについて、最適記録パワーの値を測定した結果を図7に示す。図7の横軸は記録パワー、縦軸は再生信号のジッター値を示しており、ジッター値が最小となるときの記録パワーが小さい程、感度が良いことを表している。
尚図7において、菱形印は図6のサンプル番号1のデータを示し、正方形印は図6のサンプル番号2のデータを示し、三角形印は図6のサンプル番号3のデータを示し、丸印は図6のサンプル番号4のデータを示している。
図7において、バルクイレーズしないサンプル番号1の最適記録パワーが9.2mWであるのに対して、バルクイレーズしたサンプルは高感度化していることが示されている。すなわちサンプル番号3の最適記録パワーは8.9mWであり、サンプル番号2、4の最適記録パワーはともに9.0mWである。
このことから、サンプル番号2とサンプル番号4は感度シフト量が同じであることを示している。すなわち、同じ感度シフト量を達成するためのバルクイレーズのレーザパワーは、本発明のランプ照射を施すことで、800mWから600mWへと低減させることが可能であることを示している。
これらのサンプルのうち、サンプル番号2、3、4について、トラッキングエラー増加量を表したものが図8である。図8において、縦軸はトラッキングエラーの増加量を表し、横軸はゾーン境界から数えたトラック数を表し、TES Noiseとはトラッキングエラー信号のアドレスからのノイズである。
この図8から、トラッキングエラーはサンプル番号3(三角形印)→サンプル番号2(正方形印)→サンプル番号4(丸印)の順序で小さくなっていることがわかる。これらの中で、サンプル番号2(正方形印)およびサンプル番号4(丸印)は同じ感度シフト量であるために、目的の感度シフトを起こすのにはどちらのバルクイレーズ条件でも良いことになり、特にサンプル番号4(丸印)のようにランプ照射による媒体の予熱と低レーザ照射のバルクイレーズを組み合わせた装置を使うことで、トラッキングエラーの増加量の小さい媒体を作製することが可能である。
本発明の加熱手段は、図5の強力可視光ランプ15によるものに限らず、例えば温調設備を用いて媒体の周囲温度を高くするように構成しても良く、また赤外線ヒータによる赤外線加熱を行うように構成しても良い。
これらのように加熱手段を構成した場合も、前記同様に、媒体の温度を軟化点よりも低い温度に上昇させ、また媒体の面内温度差を30℃以内に制御し、またレーザビームの照射および加熱の終了後は、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで媒体の回転を継続させ、またフィードバックにより媒体の温度を一定に保つように構成するものである。
また、本発明の予熱バルクイレーズ方法は、例えば図5の予熱バルクイレーズ装置を用いて、媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の着磁やアニールを行うものである。
この際前記加熱工程は、媒体の温度を軟化点よりも低い温度に上昇させ、また媒体の面内温度差を30℃以内に制御し、またフィードバックにより媒体の温度を一定に保つように制御するものである。また前記加熱工程の終了後は、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで媒体の回転を継続させるものである。
(実施形態例2)
次に、光磁気記録再生可能な単層記録膜を使った実施形態例を説明する。使用した媒体の断面は、例えば図9に示すように、前記図1のアドレス配置を持った樹脂基板10a−2の上に、保護層10b−2、光磁気記録層10c−2、保護層10d−2および反射層10e−2が順次スパッタ法によって積層成膜されている。
まず、各層をスパッタリングするためのチャンバーを、あらかじめ、到達真空度が10−5Pa以下になるまで、十分排気した。
保護層10b−2として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜100nmを形成させた。
光磁気記録層10c−2として、TbFeCoターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が50nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、キュリー温度が300℃、室温での保磁力が20KOe以上、室温での飽和磁化が50emu/ccの遷移金属リッチ膜となるようあらかじめ調整した。
保護層10d−2として、シリコンターゲットをアルゴンと窒素の雰囲気中で反応スパッタさせ、窒化シリコン膜30nmを形成させた。
反射層10e−2は、Alをターゲットとし、アルゴン雰囲気中でDCスパッタ法により、膜厚が50nmとなるよう成膜した。
上記の膜構成で作製されたサンプルに対して図5の装置でバルクイレーズを行い、サンプルの特性を調べた。バルクイレーズは、レーザ照射部の線速度が7.5m/sとなる条件で行った。まず図10の表に示す4種類のサンプルを作製し、前記実施形態例1と同様に記録感度の変化を調べた。
その結果、図10の表に示すように、サンプル番号2−2、2−3、2−4はレーザ照射、および、又はランプ加熱されることで、サンプル番号2−1に比べて、感度が高くなっていることがわかる。さらに、サンプル番号2−2とサンプル番号2−4は、同じ最適感度を持っていることがわかる。すなわち、サンプル番号2−2の記録膜と、サンプル番号2−4の記録膜は、同じエネルギーをレーザ照射とランプ加熱により与えられたことになる。
そこで、これらのサンプルについて、アドレス脇のトラックにおけるトラッキングエラー増加量を調べた。アドレスから100トラック目のトラッキングエラーをトラックジャンプ振幅に対する比率で表すと図10の表のトラッキングエラー比となった。これにより、サンプル番号2−4が最もトラッキングエラーが小さくなっていることがわかる。
(実施形態例3)
次に、相変化記録膜を使った実施形態例を説明する。使用した媒体の断面は、例えば図11に示すように、前記図1のアドレス配置を持った樹脂基板10a−3の上に、保護層10b−3、相変化記録層10c−3、保護層10d−3および反射層10e−3が順次スパッタ法によって積層成膜されている。
まず、各層をスパッタリングするためのチャンバーを、あらかじめ、到達真空度が10−5Pa以下になるまで、十分排気した。
保護層10b−3として、ZnS−SiO2ターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタさせ、ZnS−SiO2膜130nmを形成させた。
相変化記録層10c−3として、GeSbTeターゲットをアルゴン雰囲気中でDCスパッタさせ、膜厚が15nmとなるよう成膜した。ターゲットの組成および成膜条件は、結晶化温度が500℃、融点が700℃となるようあらかじめ調整した。
保護層10d−3として、ZnS−SiO2ターゲットをアルゴン雰囲気中でスパッタさせ、ZnS−SiO2膜20nmを形成させた。
反射層10e−3は、Alをターゲットとし、アルゴン雰囲気中でDCスパッタ法により、膜厚が150nmとなるよう成膜した。
上記の膜構成で作製されたサンプルに対して図5の装置でバルクイレーズを行い、サンプルの特性を調べた。バルクイレーズは、レーザ照射部の線速度が4m/sとなる条件で行った。まず図12の表に示す4種類のサンプルを作製し、前記実施形態例1と同様に記録感度の変化を調べた。
その結果、図12の表に示すように、サンプル番号3−2、3−3、3−4はレーザ照射、および、又はランプ加熱されることで、サンプル番号3−1に比べて、感度が高くなっていることがわかる。さらに、サンプル番号3−2とサンプル番号3−4は、同じ最適感度を持っていることがわかる。すなわち、サンプル番号3−2の記録膜と、サンプル番号3−4の記録膜は、同じエネルギーをレーザ照射とランプ加熱により与えられたことになる。
そこで、これらのサンプルについて、アドレス脇のトラックにおけるトラッキングエラー増加量を調べた。アドレスから100トラック目のトラッキングエラーをトラックジャンプ振幅に対する比率で表すと図12の表のトラッキングエラー比となった。これにより、サンプル番号3−4が最もトラッキングエラーが小さくなっていることがわかる。
以上のように本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置によれば、光記録媒体に対して、バンド境界でのトラッキングエラーの増加を押さえた着磁、アニール、初期化を行うことができる。これにより、媒体一面を高速に着磁、アニール、初期化できるため、プロセス時間を短縮することができ、しかも交代セクター数の少ない高品質の媒体を作ることが可能となる。
また請求項5〜請求項8において、例えば媒体の温度を80℃以上であり且つ軟化点温度以下の範囲とすることにより、ゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加を十分低減することができる。
また請求項9〜請求項12のように、媒体の面内温度差を30℃以内に制御することによって、媒体に反りが生じることは防止され、フォーカスが外れる又はかからなくなるような事態は避けられる。
また請求項13〜請求項16によれば、レーザビームの照射および加熱の終了後、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させることができるので、バルクイレーズ終了後に、媒体が変形したり、媒体がチャッキング部分から外れて飛び出してしまうことが防止される。
また請求項17〜請求項20によれば、媒体の温度が一定に保たれるので、装置の信頼性が向上する。
また、本発明の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法によれば、簡単な方法によって、光記録媒体に対して、バンド境界でのトラッキングエラーの増加を押さえた着磁、アニール、初期化を行うことができる。これにより、媒体一面を高速に着磁、アニール、初期化できるため、プロセス時間を短縮することができ、しかも交代セクター数の少ない高品質の媒体を作ることが可能となる。
また請求項25〜請求項28において、例えば媒体の温度を80℃以上であり且つ軟化点温度以下の範囲とすることにより、ゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加を十分低減することができる。
また請求項29〜請求項32のように、媒体の面内温度差を30℃以内に制御することによって、媒体に反りが生じることは防止され、フォーカスが外れる又はかからなくなるような事態は避けられる。
また請求項33〜請求項36によればレーザビームの照射および加熱の終了後、媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させることができるので、バルクイレーズ終了後に、媒体が変形したり、媒体がチャッキング部分から外れて飛び出してしまうことが防止される。
また請求項37〜請求項40によれば、媒体の温度が一定に保たれるので、装置の信頼性が向上する。
また、本発明の請求項41、42に記載の光記録媒体によれば、バルクイレーズが施されていることによって、使用による記録感度変化が抑制され、しかもゾーン境界近傍のトラッキングエラー増加はみられず、性能、品質が著しく向上した。
産業上の利用可能性
尚本発明は、外形が非円形状に形成されている光記録媒体に適用しても良い。
また本発明は、例えば図13に示すように、データ記録再生領域20aを、例えばハガキサイズや名刺サイズのカード本体20に組み込んで構成されたカード型の光記録媒体に適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
図1は本発明で用いる光記録媒体の平面図、図2はバルクイレーズを実施するための装置構成を示す説明図、図3は全面バルクイレーズした媒体のゾーン境界から10トラック目の位置におけるアドレス信号とトラッキングエラー信号の関係を表す信号波形図、図4は本発明で用いる多層記録膜を使った光記録媒体の断面構成を示す説明図、図5は本発明の予熱バルクイレーズ装置の一実施形態例を示す全体構成図、図6は本発明で用いる各種基板サンプルの内容を示す表、図7は各光記録媒体における再生信号のジッター値と記録パワーの関係を表す特性図、図8は各光媒体におけるトラッキングエラー増加量とゾーン境界からのトラック数の関係を表す特性図、図9は本発明で用いる単層記録膜を使った光記録媒体の断面構成を示す説明図、図10は本発明で用いる各種基板サンプルの内容を示す表、図11は本発明で用いる相変化記録膜を使った光記録媒体の断面構成を示す説明図、図12は本発明で用いる各種基板サンプルの内容を示す表、図13は本発明が適用されるカード型光記録媒体の平面図である。
Claims (42)
- 光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビーム照射して記録膜の着磁やアニールを行う装置であり、
前記レーザビームを照射するときに前記媒体を加熱する加熱手段
を備えたことを特徴とする光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。 - 相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビーム照射して記録膜の初期化を行う装置であり、
前記レーザビームを照射するときに前記媒体を加熱する加熱手段
を備えたことを特徴とする光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。 - 前記加熱手段は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射することを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射することを特徴とする請求項2に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させることを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させることを特徴とする請求項2に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させることを特徴とする請求項3に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させることを特徴とする請求項4に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御することを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御することを特徴とする請求項2に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御することを特徴とする請求項3に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記加熱手段は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御することを特徴とする請求項4に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる手段を備えたことを特徴とする請求項2に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる手段を備えたことを特徴とする請求項3に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記レーザビームの照射および加熱の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる手段を備えたことを特徴とする請求項4に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記媒体の温度を検出し、該検出温度を前記加熱手段にフィードバックして媒体の温度を一定に保つフィードバック手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記媒体の温度を検出し、該検出温度を前記加熱手段にフィードバックして媒体の温度を一定に保つフィードバック手段を備えたことを特徴とする請求項2に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記媒体の温度を検出し、該検出温度を前記加熱手段にフィードバックして媒体の温度を一定に保つフィードバック手段を備えたことを特徴とする請求項3に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 前記媒体の温度を検出し、該検出温度を前記加熱手段にフィードバックして媒体の温度を一定に保つフィードバック手段を備えたことを特徴とする請求項4に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ装置。
- 光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の着磁やアニールを行うことを特徴とする光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱する加熱工程を実行して、記録膜の初期化を行うことを特徴とする光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射して実行されることを特徴とする請求項21に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、紫外波長から遠赤外波長内で発光強度のピークを持つランプからの光を、前記レーザビームのスポットよりも広い領域に照射して実行されることを特徴とする請求項22に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させる工程を含んでいることを特徴とする請求項21に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させる工程を含んでいることを特徴とする請求項22に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させる工程を含んでいることを特徴とする請求項23に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を、基板の軟化点よりも低い温度に上昇させる工程を含んでいることを特徴とする請求項24に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項21に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項22に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項23に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の面内温度差を30℃以内に制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項24に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記レーザビームの照射および加熱工程の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる工程を実行することを特徴とする請求項21に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記レーザビームの照射および加熱工程の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる工程を実行することを特徴とする請求項22に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記レーザビームの照射および加熱工程の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる工程を実行することを特徴とする請求項23に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記レーザビームの照射および加熱工程の終了後、前記媒体の温度が常温から50℃までの範囲内の温度になるまで、媒体の回転を継続させる工程を実行することを特徴とする請求項24に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を検出し、該検出温度をフィードバックして、前記媒体の温度を一定に保つよう制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項21に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を検出し、該検出温度をフィードバックして、前記媒体の温度を一定に保つよう制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項22に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を検出し、該検出温度をフィードバックして、前記媒体の温度を一定に保つよう制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項23に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 前記加熱工程は、前記媒体の温度を検出し、該検出温度をフィードバックして、前記媒体の温度を一定に保つよう制御する工程を含んでいることを特徴とする請求項24に記載の光記録媒体の予熱バルクイレーズ方法。
- 光磁気記録媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱して、記録膜の着磁やアニールを行って製造されていることを特徴とする光記録媒体。
- 相変化型媒体を回転させながら記録膜にレーザビームを照射するとともに、該レーザビーム照射時に前記媒体を加熱して、記録膜の初期化を行って製造されていることを特徴とする光記録媒体。
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