JP2003272172A - 光ディスク初期化方法及び初期化装置 - Google Patents
光ディスク初期化方法及び初期化装置Info
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- JP2003272172A JP2003272172A JP2002079050A JP2002079050A JP2003272172A JP 2003272172 A JP2003272172 A JP 2003272172A JP 2002079050 A JP2002079050 A JP 2002079050A JP 2002079050 A JP2002079050 A JP 2002079050A JP 2003272172 A JP2003272172 A JP 2003272172A
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- optical disc
- initialization
- laser beam
- disk
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期化プロセスの時間を短縮し、ディスクの
生産性を向上させることができ、初期化を均一に行い反
射率ムラを低減することができ、記録特性の向上を図る
ことができ、特にダイレクトオーバーライトによる信号
品質の劣化を低減することができる相変化型光ディスク
の初期化方法及び装置の提供。 【解決手段】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化方法であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させ、回転する光ディスク
にレーザ光を照射して初期化するに際し、光ディスクの
トラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複
数のレーザビームスポットを、互いの間隔が２０μｍ以
上１００μｍ以下となるように光ディスクのトラック方
向に直列に配置する光ディスク初期化方法。
生産性を向上させることができ、初期化を均一に行い反
射率ムラを低減することができ、記録特性の向上を図る
ことができ、特にダイレクトオーバーライトによる信号
品質の劣化を低減することができる相変化型光ディスク
の初期化方法及び装置の提供。 【解決手段】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化方法であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させ、回転する光ディスク
にレーザ光を照射して初期化するに際し、光ディスクの
トラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複
数のレーザビームスポットを、互いの間隔が２０μｍ以
上１００μｍ以下となるように光ディスクのトラック方
向に直列に配置する光ディスク初期化方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光ディス
クを初期化する光ディスク初期化方法及び初期化装置に
関する。
クを初期化する光ディスク初期化方法及び初期化装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光の照射により記録・再生を行な
う光情報記録媒体として、一度だけ記録可能（追記型）
なＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ、書き換えが可能なＣＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＤ、ＭＯディス
クなどの様々な媒体が実用化されており、リムーバブル
な媒体として、カセットテープやフロッピー（登録商
標）ディスクなどの磁気記録媒体に代わり、年々需要が
高まっている。これらの光情報記録媒体のうち、ＣＤ−
ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどは、記録層の
材料として、結晶−非結晶（アモルファス）相間或いは
結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化材料
を使用している。特に、ＭＤ、ＭＯなどの光磁気メモリ
ーでは困難な単一ビームによるオーバーライトが容易で
あり、記録・再生装置側の光学系もより単純であること
などから、相変化型光情報記録媒体の需要が高まりつつ
ある。
う光情報記録媒体として、一度だけ記録可能（追記型）
なＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒ、書き換えが可能なＣＤ−Ｒ
Ｗ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＤ、ＭＯディス
クなどの様々な媒体が実用化されており、リムーバブル
な媒体として、カセットテープやフロッピー（登録商
標）ディスクなどの磁気記録媒体に代わり、年々需要が
高まっている。これらの光情報記録媒体のうち、ＣＤ−
ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどは、記録層の
材料として、結晶−非結晶（アモルファス）相間或いは
結晶−結晶相間の転移を利用する、いわゆる相変化材料
を使用している。特に、ＭＤ、ＭＯなどの光磁気メモリ
ーでは困難な単一ビームによるオーバーライトが容易で
あり、記録・再生装置側の光学系もより単純であること
などから、相変化型光情報記録媒体の需要が高まりつつ
ある。
【０００３】相変化型光ディスクの代表的な層構造を図
２に示す。この例は、ディスク基板上に第１保護層、記
録層、第２保護層、反射放熱層及び樹脂層を順次積層し
て構成されている。保護層の材料としては、第１、第２
保護層の何れもＺｎＳ・ＳｉＯ２やＡｌＮ、ＳｉＮ等が
用いられている。記録層の材料としては、ＧｅＳｂＴｅ
やＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等が用いられてい
る。反射放熱層の材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎ
ｉ等の金属、或いはそれらの合金が用いられている。こ
の相変化型光ディスクの記録原理は、主に記録層の非結
晶相と結晶相の間の変化を利用しており、それぞれの相
の反射率が異なることから、２値のデジタル記録が可能
となる。
２に示す。この例は、ディスク基板上に第１保護層、記
録層、第２保護層、反射放熱層及び樹脂層を順次積層し
て構成されている。保護層の材料としては、第１、第２
保護層の何れもＺｎＳ・ＳｉＯ２やＡｌＮ、ＳｉＮ等が
用いられている。記録層の材料としては、ＧｅＳｂＴｅ
やＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ等が用いられてい
る。反射放熱層の材料としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎ
ｉ等の金属、或いはそれらの合金が用いられている。こ
の相変化型光ディスクの記録原理は、主に記録層の非結
晶相と結晶相の間の変化を利用しており、それぞれの相
の反射率が異なることから、２値のデジタル記録が可能
となる。
【０００４】記録層の作製方法としては、主にスパッタ
法が用いられているが、この場合、作製直後の記録層は
非結晶相の状態であり、この状態で光ディスクとして用
いると、記録層は殆どが不安定な非結晶状態であること
から、ディスクの信頼性が問題となる。そこで従来か
ら、ディスク作製後に初期化という工程を通して記録層
全体を結晶化させていた。従来の初期化装置では、初期
化の方法として、高パワーのレーザ光を照射する方法や
ランプなどを用いて加熱する方法などを採用している。
中でもレーザ光を用いる方法は制御性に優れ、多くの場
合この方法が用いられる。ところが、通常のレーザ光の
ビーム径は数μｍと小さいため、ディスク全体を初期化
するには時間がかかる。この問題の解決法としては、デ
ィスク面上でのレーザ光のスキャン速度を速くするか、
レーザ光のビーム径を広げるようにビーム整形すること
が考えられる。
法が用いられているが、この場合、作製直後の記録層は
非結晶相の状態であり、この状態で光ディスクとして用
いると、記録層は殆どが不安定な非結晶状態であること
から、ディスクの信頼性が問題となる。そこで従来か
ら、ディスク作製後に初期化という工程を通して記録層
全体を結晶化させていた。従来の初期化装置では、初期
化の方法として、高パワーのレーザ光を照射する方法や
ランプなどを用いて加熱する方法などを採用している。
中でもレーザ光を用いる方法は制御性に優れ、多くの場
合この方法が用いられる。ところが、通常のレーザ光の
ビーム径は数μｍと小さいため、ディスク全体を初期化
するには時間がかかる。この問題の解決法としては、デ
ィスク面上でのレーザ光のスキャン速度を速くするか、
レーザ光のビーム径を広げるようにビーム整形すること
が考えられる。
【０００５】しかし、スキャン速度の変更は、ディスク
の加熱又は冷却速度に大きく影響するため、高速化には
限界がある。また、レーザ光のビーム径を広げた場合、
パワー密度が低下することから、より高いパワーのレー
ザ光が必要となるが、ビーム径が大きくしかも高いパワ
ーのレーザ光を照射すると、ディスクそのものにダメー
ジを与えてしまう。更にビーム径を広げた場合、そのビ
ームの強度分布を均一にすることが難しくなり、初期化
が不均一になる。このような問題の解決策として、特開
平４−２１６３２３号公報には、半導体レーザから出射
したレーザ光のビームを、シリンドリカルレンズ系によ
り楕円形状に整形して相変化型光ディスクの記録層に照
射することにより初期化を行う初期化装置が提案されて
いる。そして、この装置によれば、初期化の際に記録層
から発生する熱による基板等の熱変形、形成膜の熱歪み
による反りやクラックの発生を防止できるとされている
が、初期化速度等において未だ十分な解決策とは言えな
い。
の加熱又は冷却速度に大きく影響するため、高速化には
限界がある。また、レーザ光のビーム径を広げた場合、
パワー密度が低下することから、より高いパワーのレー
ザ光が必要となるが、ビーム径が大きくしかも高いパワ
ーのレーザ光を照射すると、ディスクそのものにダメー
ジを与えてしまう。更にビーム径を広げた場合、そのビ
ームの強度分布を均一にすることが難しくなり、初期化
が不均一になる。このような問題の解決策として、特開
平４−２１６３２３号公報には、半導体レーザから出射
したレーザ光のビームを、シリンドリカルレンズ系によ
り楕円形状に整形して相変化型光ディスクの記録層に照
射することにより初期化を行う初期化装置が提案されて
いる。そして、この装置によれば、初期化の際に記録層
から発生する熱による基板等の熱変形、形成膜の熱歪み
による反りやクラックの発生を防止できるとされている
が、初期化速度等において未だ十分な解決策とは言えな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
初期化技術の問題点を解決するためになされたものであ
り、その目的は次の（１）〜（３）の通りである。 （１）相変化型光ディスクの初期化プロセスの時間を短
縮し、ディスクの生産性を向上させること。 （２）初期化を均一に行い反射率ムラを低減すること。 （３）記録特性を向上させること、特にダイレクトオー
バーライトによる信号品質の劣化を低減すること。
初期化技術の問題点を解決するためになされたものであ
り、その目的は次の（１）〜（３）の通りである。 （１）相変化型光ディスクの初期化プロセスの時間を短
縮し、ディスクの生産性を向上させること。 （２）初期化を均一に行い反射率ムラを低減すること。 （３）記録特性を向上させること、特にダイレクトオー
バーライトによる信号品質の劣化を低減すること。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、次の１）〜
８）の発明によって解決される。 １） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化方法であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させ、回転する光ディスクにレーザ
光を照射して初期化するに際し、光ディスクのトラック
方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数のレー
ザビームスポットを、互いの間隔が２０μｍ以上１００
μｍ以下となるように光ディスクのトラック方向に直列
に配置することを特徴とする光ディスク初期化方法。 ２） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化方法であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させ、回転する光ディスクにレーザ
光を照射して初期化するに際し、光ディスクのトラック
方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数のレー
ザビームスポットを、光ディスクのトラック方向に直列
に配置し、光ディスク面上の一点を走査するレーザビー
ムスポットの周期が、レーザビームスポットの数に拘わ
らず、１μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下となるようにす
ることを特徴とする光ディスク初期化方法。 ３） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化方法であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させ、回転する光ディスクにレーザ
光を照射して初期化するに際し、光ディスクのトラック
方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数のレー
ザビームスポットを、光ディスクのトラック方向に直列
に配置すると共に、光ディスクの回転線速度を４ｍ／ｓ
ｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下とすることを特徴とする光
ディスク初期化方法。 ４） 回転方向先頭に位置するレーザビームスポットの
初期化レーザパワー密度を、後続のレーザビームスポッ
トの初期化レーザパワー密度よりも小さくすることを特
徴とする１）〜３）の何れかに記載の光ディスク初期化
方法。 ５） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化装置であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させる回転手段と、回転する光ディ
スクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディスクのト
ラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数
のレーザビームスポットが、光ディスクのトラック方向
に直列に、２０μｍ以上１００μｍ以下の間隔で配置さ
れていることを特徴とする光ディスク初期化装置。 ６） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化装置であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させる回転手段と、回転する光ディ
スクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディスクのト
ラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数
のレーザビームスポットが、光ディスクのトラック方向
に直列に、かつ、光ディスク面上の一点を走査するレー
ザビームスポットの周期が、レーザビームスポットの数
に拘わらず、１μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下となるよ
うに配置されていることを特徴とする光ディスク初期化
装置。 ７） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化装置であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させる回転手段と、回転する光ディ
スクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディスクのト
ラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数
のレーザビームスポットが、光ディスクのトラック方向
に直列に配置され、かつ、光ディスクの回転線速度が４
ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下に設定されているこ
とを特徴とする光ディスク初期化装置。 ８） 回転方向先頭に位置するレーザビームスポットの
初期化レーザパワー密度が、後続のレーザビームスポッ
トの初期化レーザパワー密度よりも小さくなるように設
定されていることを特徴とする５）〜７）の何れかに記
載の光ディスク初期化装置。
８）の発明によって解決される。 １） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化方法であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させ、回転する光ディスクにレーザ
光を照射して初期化するに際し、光ディスクのトラック
方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数のレー
ザビームスポットを、互いの間隔が２０μｍ以上１００
μｍ以下となるように光ディスクのトラック方向に直列
に配置することを特徴とする光ディスク初期化方法。 ２） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化方法であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させ、回転する光ディスクにレーザ
光を照射して初期化するに際し、光ディスクのトラック
方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数のレー
ザビームスポットを、光ディスクのトラック方向に直列
に配置し、光ディスク面上の一点を走査するレーザビー
ムスポットの周期が、レーザビームスポットの数に拘わ
らず、１μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下となるようにす
ることを特徴とする光ディスク初期化方法。 ３） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化方法であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させ、回転する光ディスクにレーザ
光を照射して初期化するに際し、光ディスクのトラック
方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数のレー
ザビームスポットを、光ディスクのトラック方向に直列
に配置すると共に、光ディスクの回転線速度を４ｍ／ｓ
ｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下とすることを特徴とする光
ディスク初期化方法。 ４） 回転方向先頭に位置するレーザビームスポットの
初期化レーザパワー密度を、後続のレーザビームスポッ
トの初期化レーザパワー密度よりも小さくすることを特
徴とする１）〜３）の何れかに記載の光ディスク初期化
方法。 ５） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化装置であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させる回転手段と、回転する光ディ
スクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディスクのト
ラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数
のレーザビームスポットが、光ディスクのトラック方向
に直列に、２０μｍ以上１００μｍ以下の間隔で配置さ
れていることを特徴とする光ディスク初期化装置。 ６） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化装置であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させる回転手段と、回転する光ディ
スクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディスクのト
ラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数
のレーザビームスポットが、光ディスクのトラック方向
に直列に、かつ、光ディスク面上の一点を走査するレー
ザビームスポットの周期が、レーザビームスポットの数
に拘わらず、１μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下となるよ
うに配置されていることを特徴とする光ディスク初期化
装置。 ７） 円盤状の基板上に形成された記録層がレーザ光の
照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相変化を生
じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光ディスク
の製造工程における初期化装置であって、光ディスクを
一定の線速度で回転させる回転手段と、回転する光ディ
スクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディスクのト
ラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複数
のレーザビームスポットが、光ディスクのトラック方向
に直列に配置され、かつ、光ディスクの回転線速度が４
ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下に設定されているこ
とを特徴とする光ディスク初期化装置。 ８） 回転方向先頭に位置するレーザビームスポットの
初期化レーザパワー密度が、後続のレーザビームスポッ
トの初期化レーザパワー密度よりも小さくなるように設
定されていることを特徴とする５）〜７）の何れかに記
載の光ディスク初期化装置。
【０００８】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。図１は、初期化用レーザビームスポットを、一定の
間隔を置いて２つ配置した場合の模式図であり、図示し
たように、各々のレーザビームスポットは、光ディスク
のトラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有す
る。図３は本発明に係る初期化装置の一例を示す概略図
であり、１は初期化用光源部、２は参照光光源部、３は
制御系及び反射率測定系、４は初期化されるべき相変化
型光ディスク、５はＰＢＳ偏光子（偏光ビームスプリッ
タ）、６はλ／４板、７はフィルター、８はハーフミラ
ー、９、９′はミラー、１０は調整板、１１はディスク
支持機構である。本発明の初期化装置は、相変化型光デ
ィスク、即ち、基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって情報の記録又は消去が可能であり、しか
も情報の記録又は消去が非結晶相と結晶相乃至は微結晶
を含む混晶相との間の相変化により行われるタイプの光
ディスクを対象とし、光ディスクの記録層にレーザ光を
照射して初期化を行うものである。
る。図１は、初期化用レーザビームスポットを、一定の
間隔を置いて２つ配置した場合の模式図であり、図示し
たように、各々のレーザビームスポットは、光ディスク
のトラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有す
る。図３は本発明に係る初期化装置の一例を示す概略図
であり、１は初期化用光源部、２は参照光光源部、３は
制御系及び反射率測定系、４は初期化されるべき相変化
型光ディスク、５はＰＢＳ偏光子（偏光ビームスプリッ
タ）、６はλ／４板、７はフィルター、８はハーフミラ
ー、９、９′はミラー、１０は調整板、１１はディスク
支持機構である。本発明の初期化装置は、相変化型光デ
ィスク、即ち、基板上に形成された記録層に光を照射す
ることによって情報の記録又は消去が可能であり、しか
も情報の記録又は消去が非結晶相と結晶相乃至は微結晶
を含む混晶相との間の相変化により行われるタイプの光
ディスクを対象とし、光ディスクの記録層にレーザ光を
照射して初期化を行うものである。
【０００９】初期化用光源部１は、初期化用レーザを出
射する初期化用レーザ装置とビーム成形を行う光学系か
らなる。この光学系は、図３に示すように、初期化用レ
ーザ装置から出射したレーザ光のビームを、楕円形又は
長方形の形状に整形し、その長軸と光ディスク４のトラ
ックとが直交するように光ディスク４の記録層に照射さ
せるもので、光ディスク４の半径方向に移動可能となっ
ている。ビームの整形方法としてはレンズの特性や配置
などで調整する等、公知の任意の方法を使用することが
できる。また、整形されたビームの寸法は、レーザ光の
最大パワーやディスクの回転速度、ディスクの構成や材
料等に依存し一義的には決まらないが、短軸の長さが１
μｍ以上でビーム面積が３００μｍ２以下とすることが
好ましい。レーザ光ビームの短軸の長さが１μｍ未満で
あると、トラック方向の冷却速度が速いため、一部で非
結晶化が起り均一な結晶ができなくなる。また、ビーム
の面積が３００μｍ２よりも大きいと、ディスクそのも
のにダメージを与えてしまう。上記のような形状にビー
ムを整形することにより、１ビーム当りのトラック数が
増え、ディスクにダメージを与えることなく、均一かつ
高速な初期化が行えるようになる。なお、初期化用レー
ザ装置としては、特に限定されないが、省スペース、保
守の簡単さなどから、半導体レーザ装置が望ましい。
射する初期化用レーザ装置とビーム成形を行う光学系か
らなる。この光学系は、図３に示すように、初期化用レ
ーザ装置から出射したレーザ光のビームを、楕円形又は
長方形の形状に整形し、その長軸と光ディスク４のトラ
ックとが直交するように光ディスク４の記録層に照射さ
せるもので、光ディスク４の半径方向に移動可能となっ
ている。ビームの整形方法としてはレンズの特性や配置
などで調整する等、公知の任意の方法を使用することが
できる。また、整形されたビームの寸法は、レーザ光の
最大パワーやディスクの回転速度、ディスクの構成や材
料等に依存し一義的には決まらないが、短軸の長さが１
μｍ以上でビーム面積が３００μｍ２以下とすることが
好ましい。レーザ光ビームの短軸の長さが１μｍ未満で
あると、トラック方向の冷却速度が速いため、一部で非
結晶化が起り均一な結晶ができなくなる。また、ビーム
の面積が３００μｍ２よりも大きいと、ディスクそのも
のにダメージを与えてしまう。上記のような形状にビー
ムを整形することにより、１ビーム当りのトラック数が
増え、ディスクにダメージを与えることなく、均一かつ
高速な初期化が行えるようになる。なお、初期化用レー
ザ装置としては、特に限定されないが、省スペース、保
守の簡単さなどから、半導体レーザ装置が望ましい。
【００１０】初期化すべき相変化型光ディスク４は、該
光ディスク４を所定の回転速度で回転自在に固定支持す
るディスク支持機構１１により固定支持される。この場
合、ディスク支持機構１１は、光ディスク４に対して、
初期化用光源部１のレーザ出射口と同じ側に設けられて
いてもよいが、図３に示すように、反対側に設けられて
いると、様々なディスクサイズの光ディスクに対して初
期化を行うことができるので好ましい。即ち、光ディス
クを支持するディスク支持機構１１側にレーザ出射口が
ある場合は、レーザ光をその支持部より内側に照射する
ことは構造上、不可能であり、ディスク内径側の初期化
範囲が限定されるが、ディスク支持機構１１とレーザ出
射口が光ディスク４に対して反対側になるように配置さ
れると、このような限定がなくなる。また、ディスク支
持機構１１は、従来のようなクランプ式又はマグネット
チャック式のものでもよいが、エアー吸着方式を採用す
ると、初期化範囲の制限がなくなるので好ましい。
光ディスク４を所定の回転速度で回転自在に固定支持す
るディスク支持機構１１により固定支持される。この場
合、ディスク支持機構１１は、光ディスク４に対して、
初期化用光源部１のレーザ出射口と同じ側に設けられて
いてもよいが、図３に示すように、反対側に設けられて
いると、様々なディスクサイズの光ディスクに対して初
期化を行うことができるので好ましい。即ち、光ディス
クを支持するディスク支持機構１１側にレーザ出射口が
ある場合は、レーザ光をその支持部より内側に照射する
ことは構造上、不可能であり、ディスク内径側の初期化
範囲が限定されるが、ディスク支持機構１１とレーザ出
射口が光ディスク４に対して反対側になるように配置さ
れると、このような限定がなくなる。また、ディスク支
持機構１１は、従来のようなクランプ式又はマグネット
チャック式のものでもよいが、エアー吸着方式を採用す
ると、初期化範囲の制限がなくなるので好ましい。
【００１１】また、本例の初期化装置は、フォーカスサ
ーボ機構、トラッキングサーボ機構及び反射率測定系を
備えている。フォーカスサーボを行うための機構として
は、参照光光源部２は評価装置に用いられているものと
同様な半導体レーザ装置を備えており、出射されたレー
ザ光は、ミラー９、９′、ＰＢＳ偏光子５、λ／４板
６、フィルター７及びハーフミラー８を介して光ディス
ク４に照射され、その反射光は、ハーフミラー８、フィ
ルター７、λ／４板６及びＰＢＳ偏光子５を介して、制
御系及び反射率測定系３のフォトダイオード等の受光素
子に受光される。そして、その受光信号に基づき、フォ
ーカスサーボ、トラッキングサーボ及び反射率測定が行
えるようになっている。これらの各機構は、光ディスク
ドライブや評価装置に用いられている公知の回路技術を
用いて構成することができる。
ーボ機構、トラッキングサーボ機構及び反射率測定系を
備えている。フォーカスサーボを行うための機構として
は、参照光光源部２は評価装置に用いられているものと
同様な半導体レーザ装置を備えており、出射されたレー
ザ光は、ミラー９、９′、ＰＢＳ偏光子５、λ／４板
６、フィルター７及びハーフミラー８を介して光ディス
ク４に照射され、その反射光は、ハーフミラー８、フィ
ルター７、λ／４板６及びＰＢＳ偏光子５を介して、制
御系及び反射率測定系３のフォトダイオード等の受光素
子に受光される。そして、その受光信号に基づき、フォ
ーカスサーボ、トラッキングサーボ及び反射率測定が行
えるようになっている。これらの各機構は、光ディスク
ドライブや評価装置に用いられている公知の回路技術を
用いて構成することができる。
【００１２】また、参照光光源部２は、初期化用レーザ
装置と兼用してもよいが、初期化用レーザ光のビーム形
状が楕円形又は長方形であるため、図３のように別途設
置することが望ましい。また、参照用レーザ光の波長
は、光ディスクの情報を再生するときに用いられる光の
波長と同じであることが望ましい。上記フォーカスサー
ボ機構によれば、効率良く均一にレーザ光のパワーを光
ディスクの記録層に照射することができる。また、上記
トラッキングサーボ機構によれば、初期化過程において
ディスクダメージが分るため、ディスクの不良判定が初
期化過程で行える利点がある。更に、上記反射率測定系
によれば、初期化過程でディスク特性としての反射率を
求めることができ、初期化の判定がその段階で行える利
点がある。
装置と兼用してもよいが、初期化用レーザ光のビーム形
状が楕円形又は長方形であるため、図３のように別途設
置することが望ましい。また、参照用レーザ光の波長
は、光ディスクの情報を再生するときに用いられる光の
波長と同じであることが望ましい。上記フォーカスサー
ボ機構によれば、効率良く均一にレーザ光のパワーを光
ディスクの記録層に照射することができる。また、上記
トラッキングサーボ機構によれば、初期化過程において
ディスクダメージが分るため、ディスクの不良判定が初
期化過程で行える利点がある。更に、上記反射率測定系
によれば、初期化過程でディスク特性としての反射率を
求めることができ、初期化の判定がその段階で行える利
点がある。
【００１３】また、本例の初期化装置は、初期化用レー
ザ光の光路長を調整する手段として調整板１０を設置す
ることができる。初期化用レーザ光の光学系に整合して
いるディスク厚より薄いディスクでは、その分だけ記録
層への焦点距離が変化し、従来用いられているフォーカ
スサーボ機構ではその変化に対応できないが、整合して
いるディスクと薄いディスクとの厚さの差だけの厚みを
有し、かつディスク基板と同様な光学特性を有する調整
板１０を配置することにより、ディスクの厚さが薄くな
っても記録層に焦点が合うように光路長を調整すること
が可能となる。
ザ光の光路長を調整する手段として調整板１０を設置す
ることができる。初期化用レーザ光の光学系に整合して
いるディスク厚より薄いディスクでは、その分だけ記録
層への焦点距離が変化し、従来用いられているフォーカ
スサーボ機構ではその変化に対応できないが、整合して
いるディスクと薄いディスクとの厚さの差だけの厚みを
有し、かつディスク基板と同様な光学特性を有する調整
板１０を配置することにより、ディスクの厚さが薄くな
っても記録層に焦点が合うように光路長を調整すること
が可能となる。
【００１４】本発明では、上記のような装置を用い、複
数のレーザビームスポットを、互いの間隔が２０μｍ以
上１００μｍ以下となるように配置するか、又は光ディ
スク面上の一点を走査するレーザビームスポットの周期
が、レーザビームスポットの数に拘わらず、１μｓｅｃ
以上５０μｓｅｃ以下となるようにするか、又は光ディ
スクの回転線速度を４ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以
下とすることにより、目的とする初期化を達成すること
ができる。ここで、光ディスク面上の一点を走査するレ
ーザビームスポットの周期とは、配置するレーザビーム
スポットの数に関係なく、光ディスク面上の一点を通過
する照射レーザ光の時間間隔のことである。更に、回転
方向先頭に位置するレーザビームスポットの初期化レー
ザパワー密度を、後続のレーザビームスポットの初期化
レーザパワー密度よりも小さくすることが好ましい。
数のレーザビームスポットを、互いの間隔が２０μｍ以
上１００μｍ以下となるように配置するか、又は光ディ
スク面上の一点を走査するレーザビームスポットの周期
が、レーザビームスポットの数に拘わらず、１μｓｅｃ
以上５０μｓｅｃ以下となるようにするか、又は光ディ
スクの回転線速度を４ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以
下とすることにより、目的とする初期化を達成すること
ができる。ここで、光ディスク面上の一点を走査するレ
ーザビームスポットの周期とは、配置するレーザビーム
スポットの数に関係なく、光ディスク面上の一点を通過
する照射レーザ光の時間間隔のことである。更に、回転
方向先頭に位置するレーザビームスポットの初期化レー
ザパワー密度を、後続のレーザビームスポットの初期化
レーザパワー密度よりも小さくすることが好ましい。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例により限定されるもので
はない。
るが、本発明はこれらの実施例により限定されるもので
はない。
【００１６】実施例１
初期化を行なう相変化型光ディスクとして、図３に示す
初期化装置の光学系に整合している厚さ１．２ｍｍ、直
径１３０ｍｍ、１．６μｍピッチのスパイラルグルーブ
付きポリカーボネート基板上に、スパッタリング法を用
いて、第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層の
順に積層したものを用いた。第１保護層としては、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ２のモル比が８０：２０のターゲットを用い
て厚さ９０ｎｍ形成し、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅから
なる記録層を厚さ２０ｎｍ形成し、更に第１保護層と同
じ材料からなる第２保護層を厚さ３０ｎｍ形成し、更に
その上に、反射放熱層としてＡｌ合金を厚さ１６０ｎｍ
形成した。最後に、反射放熱層上に紫外線硬化樹脂をス
ピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して硬化
させ、厚さ８μｍの樹脂層を形成した。
初期化装置の光学系に整合している厚さ１．２ｍｍ、直
径１３０ｍｍ、１．６μｍピッチのスパイラルグルーブ
付きポリカーボネート基板上に、スパッタリング法を用
いて、第１保護層、記録層、第２保護層、反射放熱層の
順に積層したものを用いた。第１保護層としては、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ２のモル比が８０：２０のターゲットを用い
て厚さ９０ｎｍ形成し、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅから
なる記録層を厚さ２０ｎｍ形成し、更に第１保護層と同
じ材料からなる第２保護層を厚さ３０ｎｍ形成し、更に
その上に、反射放熱層としてＡｌ合金を厚さ１６０ｎｍ
形成した。最後に、反射放熱層上に紫外線硬化樹脂をス
ピンコート法により塗布した後、紫外線を照射して硬化
させ、厚さ８μｍの樹脂層を形成した。
【００１７】次に、図３に示した初期化装置において、
ビーム形状がほぼ長方形で短軸方向の長さが２μｍ、長
軸方向の長さが１００μｍの第１のレーザヘッドと、図
３に示していないほぼ同じビーム形状を有する第２のレ
ーザヘッドを配置した初期化装置を用い、初期化線速
８．０ｍ／ｓｅｃのＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎ
ｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ＝線速度一定）方式で上記デ
ィスクを回転させ、送りピッチ７０μｍ／回転とし、第
1及び第２のレーザヘッドの出射レーザパワーを、第１
／第２＝７００ｍＷ／９００ｍＷ、９００ｍＷ／９００
ｍＷ、９００ｍＷ／７００ｍＷの３種類とし、第1及び
第２のレーザヘッド（即ち、レーザビームスポット）の
間隔を変化させて初期化を行った。こうして得られた光
ディスクに対し、波長７８０ｎｍ、線速度９．２ｍ／ｓ
ｅｃ、周波数３４．６ＭＨｚ、５０％デューティ比で記
録を行い、ディスクとしてのオーバーライト特性を判定
した。その結果、図４に示すように、２つのレーザビー
ムスポットの間隔が２０μｍ以上１００μｍ以下の場合
に良好な特性が得られた。また、第１のレーザパワー
（即ちパワー密度）が第２のレーザパワーより低い方
が、より良好な特性が得られた。
ビーム形状がほぼ長方形で短軸方向の長さが２μｍ、長
軸方向の長さが１００μｍの第１のレーザヘッドと、図
３に示していないほぼ同じビーム形状を有する第２のレ
ーザヘッドを配置した初期化装置を用い、初期化線速
８．０ｍ／ｓｅｃのＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎ
ｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ＝線速度一定）方式で上記デ
ィスクを回転させ、送りピッチ７０μｍ／回転とし、第
1及び第２のレーザヘッドの出射レーザパワーを、第１
／第２＝７００ｍＷ／９００ｍＷ、９００ｍＷ／９００
ｍＷ、９００ｍＷ／７００ｍＷの３種類とし、第1及び
第２のレーザヘッド（即ち、レーザビームスポット）の
間隔を変化させて初期化を行った。こうして得られた光
ディスクに対し、波長７８０ｎｍ、線速度９．２ｍ／ｓ
ｅｃ、周波数３４．６ＭＨｚ、５０％デューティ比で記
録を行い、ディスクとしてのオーバーライト特性を判定
した。その結果、図４に示すように、２つのレーザビー
ムスポットの間隔が２０μｍ以上１００μｍ以下の場合
に良好な特性が得られた。また、第１のレーザパワー
（即ちパワー密度）が第２のレーザパワーより低い方
が、より良好な特性が得られた。
【００１８】実施例２
実施例１と同様の初期化装置を用いて、ビーム間隔５０
μｍとし初期化線速を変えて初期化を行った後、実施例
１と同様の評価を行った。その結果、図５のように初期
化線速が４ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下の場合に
良好な特性が得られた。また、第１のレーザパワー（即
ちパワー密度）が第２のレーザパワーより低い方が、よ
り良好な特性が得られた。
μｍとし初期化線速を変えて初期化を行った後、実施例
１と同様の評価を行った。その結果、図５のように初期
化線速が４ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下の場合に
良好な特性が得られた。また、第１のレーザパワー（即
ちパワー密度）が第２のレーザパワーより低い方が、よ
り良好な特性が得られた。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、次のような効果が得ら
れる。 （１）光ディスクのトラック方向に直列に複数のレーザ
ビームを配置して相変化型光ディスクを初期化すること
ができるため、単一レーザビームでは均一に初期化する
ことが困難な相変化型光ディスクでも均一に初期化でき
る。 （２）単一レーザビームの場合に比べて、走査速度を速
くしても均一に初期化することが可能なため、初期化プ
ロセスの時間を短縮し、ディスクの生産性を向上させる
ことができる。 （３）相変化型光ディスクの記録層を加熱結晶化する際
に、加熱時間及び冷却速度の制御が可能になるため、光
ディスクの熱ダメージを低減すると共に、結晶性の制御
が可能となり、記録特性を向上させることができる。
れる。 （１）光ディスクのトラック方向に直列に複数のレーザ
ビームを配置して相変化型光ディスクを初期化すること
ができるため、単一レーザビームでは均一に初期化する
ことが困難な相変化型光ディスクでも均一に初期化でき
る。 （２）単一レーザビームの場合に比べて、走査速度を速
くしても均一に初期化することが可能なため、初期化プ
ロセスの時間を短縮し、ディスクの生産性を向上させる
ことができる。 （３）相変化型光ディスクの記録層を加熱結晶化する際
に、加熱時間及び冷却速度の制御が可能になるため、光
ディスクの熱ダメージを低減すると共に、結晶性の制御
が可能となり、記録特性を向上させることができる。
【図１】初期化用レーザビームスポットを、一定の間隔
を置いて２つ配置した場合の模式図。
を置いて２つ配置した場合の模式図。
【図２】相変化型光ディスクの代表的な層構造を示す
図。
図。
【図３】本発明に係る初期化装置の一例を示す概略図。
【図４】オーバーライト１０００回後の３Ｔランドジッ
タの、２つの初期化レーザビームスポットの間隔及びレ
ーザパワー依存性を示す図。
タの、２つの初期化レーザビームスポットの間隔及びレ
ーザパワー依存性を示す図。
【図５】オーバーライト１０００回後の３Ｔランドジッ
タの、初期化線速及びレーザパワー依存性を示す図。
タの、初期化線速及びレーザパワー依存性を示す図。
１ 初期化用光源部
２ 参照光光源部
３ 制御系及び反射率測定系
４ 相変化型光ディスク
５ ＰＢＳ偏光子
６ λ／４板
７ フィルター
８ ハーフミラー
９ ミラー
９′ ミラー
１０ 調整板
１１ ディスク支持機構
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5D090 AA01 BB05 CC11 DD03 EE01
EE05 EE11 FF21 KK01 KK02
KK13 KK20 LL01
5D119 AA12 AA23 AA26 AA27 BA01
BB04 DA08 EA02 EA03 EB04
EB14 EC40 FA05 HA52 JA06
5D121 AA01 GG26 GG28
5D789 AA12 AA23 AA26 AA27 BA01
BB04 DA08 EA02 EA03 EB04
EB14 EC40 FA05 HA52 JA06
Claims (8)
- 【請求項１】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化方法であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させ、回転する光ディスク
にレーザ光を照射して初期化するに際し、光ディスクの
トラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複
数のレーザビームスポットを、互いの間隔が２０μｍ以
上１００μｍ以下となるように光ディスクのトラック方
向に直列に配置することを特徴とする光ディスク初期化
方法。 - 【請求項２】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化方法であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させ、回転する光ディスク
にレーザ光を照射して初期化するに際し、光ディスクの
トラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複
数のレーザビームスポットを、光ディスクのトラック方
向に直列に配置し、光ディスク面上の一点を走査するレ
ーザビームスポットの周期が、レーザビームスポットの
数に拘わらず、１μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下となる
ようにすることを特徴とする光ディスク初期化方法。 - 【請求項３】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化方法であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させ、回転する光ディスク
にレーザ光を照射して初期化するに際し、光ディスクの
トラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有する複
数のレーザビームスポットを、光ディスクのトラック方
向に直列に配置すると共に、光ディスクの回転線速度を
４ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下とすることを特徴
とする光ディスク初期化方法。 - 【請求項４】 回転方向先頭に位置するレーザビームス
ポットの初期化レーザパワー密度を、後続のレーザビー
ムスポットの初期化レーザパワー密度よりも小さくする
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光ディ
スク初期化方法。 - 【請求項５】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化装置であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させる回転手段と、回転す
る光ディスクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディ
スクのトラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有
する複数のレーザビームスポットが、光ディスクのトラ
ック方向に直列に、２０μｍ以上１００μｍ以下の間隔
で配置されていることを特徴とする光ディスク初期化装
置。 - 【請求項６】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化装置であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させる回転手段と、回転す
る光ディスクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディ
スクのトラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有
する複数のレーザビームスポットが、光ディスクのトラ
ック方向に直列に、かつ、光ディスク面上の一点を走査
するレーザビームスポットの周期が、レーザビームスポ
ットの数に拘わらず、１μｓｅｃ以上５０μｓｅｃ以下
となるように配置されていることを特徴とする光ディス
ク初期化装置。 - 【請求項７】 円盤状の基板上に形成された記録層がレ
ーザ光の照射により非結晶相と結晶相との間で可逆的相
変化を生じて情報の記録又は消去が行われる相変化型光
ディスクの製造工程における初期化装置であって、光デ
ィスクを一定の線速度で回転させる回転手段と、回転す
る光ディスクにレーザ光を照射する手段を備え、光ディ
スクのトラック方向と垂直方向に長いスポット形状を有
する複数のレーザビームスポットが、光ディスクのトラ
ック方向に直列に配置され、かつ、光ディスクの回転線
速度が４ｍ／ｓｅｃ以上１６ｍ／ｓｅｃ以下に設定され
ていることを特徴とする光ディスク初期化装置。 - 【請求項８】 回転方向先頭に位置するレーザビームス
ポットの初期化レーザパワー密度が、後続のレーザビー
ムスポットの初期化レーザパワー密度よりも小さくなる
ように設定されていることを特徴とする請求項５〜７の
何れかに記載の光ディスク初期化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079050A JP2003272172A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光ディスク初期化方法及び初期化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002079050A JP2003272172A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光ディスク初期化方法及び初期化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272172A true JP2003272172A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29206215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002079050A Pending JP2003272172A (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | 光ディスク初期化方法及び初期化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003272172A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100767169B1 (ko) | 2006-11-14 | 2007-10-15 | 주식회사 히타치엘지 데이터 스토리지 코리아 | 광디스크의 데이터 삭제 방법 |
| KR100767168B1 (ko) | 2006-11-14 | 2007-10-15 | 주식회사 히타치엘지 데이터 스토리지 코리아 | 광디스크의 데이터 삭제 방법 |
| WO2010026744A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体の初期化方法、情報記録媒体の初期化装置および情報記録媒体 |
| US7817190B2 (en) | 2006-07-24 | 2010-10-19 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for processing an image exposed to backlight |
| US8149658B2 (en) | 2006-11-14 | 2012-04-03 | Hitachi-Lg Data Storage Korea, Inc. | Method of erasing data from optical disc |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002079050A patent/JP2003272172A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7817190B2 (en) | 2006-07-24 | 2010-10-19 | Lg Electronics Inc. | Method and apparatus for processing an image exposed to backlight |
| KR100767169B1 (ko) | 2006-11-14 | 2007-10-15 | 주식회사 히타치엘지 데이터 스토리지 코리아 | 광디스크의 데이터 삭제 방법 |
| KR100767168B1 (ko) | 2006-11-14 | 2007-10-15 | 주식회사 히타치엘지 데이터 스토리지 코리아 | 광디스크의 데이터 삭제 방법 |
| US8149658B2 (en) | 2006-11-14 | 2012-04-03 | Hitachi-Lg Data Storage Korea, Inc. | Method of erasing data from optical disc |
| WO2010026744A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体の初期化方法、情報記録媒体の初期化装置および情報記録媒体 |
| US8040765B2 (en) | 2008-09-05 | 2011-10-18 | Panasonic Corporation | Initialization method for information recording medium, initialization apparatus for information recording medium, and information recording medium |
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