JP2000090482A

JP2000090482A - 情報記録媒体およびこれを用いた情報記録再生方法

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Publication number: JP2000090482A
Application number: JP10260126A
Authority: JP
Inventors: Naoki Morishita; 直樹森下
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-09-14
Filing date: 1998-09-14
Publication date: 2000-03-31

Abstract

(57)【要約】【課題】ディスク作製直後のディスクに情報を記録
し、この情報を安定して再生する情報記録再生方法を提
供する。【解決手段】グルーブ部とランド部とを有し、ヘッダ
ー部が予め形成された透明基板、及びこの透明基板上に
形成され、結晶状態と非晶質状態との間の相変化を生じ
得る記録膜を具備し、非晶質状態の情報記録領域に情報
が記録され、前記非晶質状態の反射率が10〜30％である
情報記録媒体に第１のビームを照射して情報記録領域に
情報を記録し、第２のビームを照射して、ヘッダー領域
直後及びヘッダー領域直前のランド部又はグルーブ部を
非晶質状態から結晶質状態に局所的に相変化させる工
程、及び非晶質状態のグルーブ部分での反射レベルと、
前記局所的に相変化した結晶部分の反射レベルとの間に
スライスレベルを設定し、このスライスレベルを用いて
情報記録領域を検知する工程を具備する情報記録再生方
法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体に係
り、特に、レーザービーム、電子線ビーム等を照射する
ことにより原子配列の変化にともなう光学的特性の変化
を記録層に生じさせ、情報の記録・消去を繰り返して行
い、この光学的特性変化を検出して情報を記録、再生す
るための情報記録媒体、およびこの情報記録媒体を用い
た情報記録再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】記録、消去が可能な情報記録媒体は、例
えば図１０に示すように、基板１上に、記録層２、無機
誘電体からなる保護層３、および有機保護膜４を順次積
層することにより構成される。一般的に、基板１はガラ
スやプラスチック材料（例えばポリメチルメタクリレー
ト樹脂やポリカーボネート樹脂等）などからなり、記録
層２および無機誘電体層３は真空蒸着、スパッタリング
などの堆積方法により形成することができる。また、有
機保護膜４は、紫外線硬化樹脂などを用いて形成され
る。

【０００３】このような情報記録媒体５への情報の記録
および情報の消去は、例えば次のようにして行われる。
まず、情報記録媒体５の全面に光ビームを照射して加熱
し、記録層２を結晶性の高い状態（原子が比較的正しく
配列された状態、以下結晶状態と称する）に相変化させ
る。次に、情報の書き込み（記録）のための短い強いパ
ルス光を照射し、記録層２を加熱急冷すると、記録層に
おけるパルス光照射部は結晶性が低下した状態（原子配
列が乱れた状態、以下、非晶質状態と称する）に相変化
する。

【０００４】上述した結晶状態と非晶質状態とでは原子
配列の構造が異なることから、光学的性質（透過率、反
射率）が変化し、情報を記録することができる。このよ
うにして記録層に書き込まれた情報は、記録部に長い弱
いパルス光を照射し、結晶化温度以上に加熱することに
より消去することができる。これは、記録部が元の状態
である結晶状態に戻るためである。

【０００５】また、図１１に示すような弱い連続光ビー
ムに強く短いパルスを重畳した光ビームを用いることに
より以前に形成された記録部（非晶質部分）を消去（結
晶化）するとともに、同時に新しい記録部を形成する、
いわゆるオーバーライトによって上述したような状態を
実現することもできる。データ‘１’のところで強いパ
ワーＰ１を有する書き込みレーザーを照射し、データ
‘０’のところはＰ１より弱いパワーＰ２を有する連続
した消去レーザーを照射する。これによって、データ
‘１’を非晶質として記録が可能になる。

【０００６】実際に情報処理に使用される光記録システ
ムにおいては、セクタと呼ばれる一定の単位ごとに外部
との情報のやりとりが行われる。セクタは、一般に図１
２に示すようにヘッダー部（プリフォーマット部）とユ
ーザーデーター部（記録領域部）とにより構成される。
ヘッダー部は同期信号やセクタの物理的な番地情報（ア
ドレス部）や誤り訂正部などを含む領域である。このヘ
ッダー部は予め基板にピットとして埋め込まれており、
一般にＰＬＬと同期をとるＶＦ０１とアドレスマーク、
ＩＤとＣＲＣにより構成される。

【０００７】図１３に示すようにランド／グルーブ記録
媒体６においては、ランド部７とグルーブ部８とにセク
タ９が配置され、ランド部とグルーブ部にデータ記録が
できる方式である。従来はランド／グルーブが連続につ
ながったシングルスパイラルが一般的であり、ランド／
グルーブのセクタのヘッダー部はランド／グルーブの中
央にプリフォーマットされており、ランド部やグルーブ
上にトラッキングされていても検知できるよう構成され
ている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の相変化光ディス
クは、ディスク作製直後では非晶質状態であり反射率が
低く、一方、結晶質状態では反射率が高いのが一般的で
あった。反射率が低いとドライブ装置で安定して記録再
生ができないため、作製直後のディスクに記録を行う前
には結晶質になるように初期化して、反射率を高める必
要がある。しかしながら、ディスク作製直後の反射率が
高ければ、ディスク作製直後でもドライブ装置で記録再
生が可能になる。

【０００９】また、ディスク作製直後のディスクに記録
を行った場合、図１４に示すように、物理アドレスなど
の予めプリピットで記録されているヘッダー部分は非晶
質であるため反射率が高いが、情報記録領域は結晶化し
て反射率が低くなる。グルーブ部分またはランド部分で
は、回折効果により反射率はさらに低められる。このよ
うにヘッダー部分と記録データ部分とでは反射レベルの
変動が大きいため、データ２値化回路の引き込みが難し
く、ディスク作製直後のディスクに記録された情報を安
定して再生する方法は未だ得られていないのが現状であ
る。

【００１０】そこで本発明は、初期化作業をせずに、デ
ィスク作製直後の非晶質状態の記録膜に情報を直接記録
可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。また
本発明は、ディスク作製直後のディスクに情報を記録
し、この情報を安定して再生する情報記録再生方法を提
供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明（請求項１）は、グルーブ部と、このグルー
ブ間であるランド部とから構成されるトラックを有し、
ヘッダー部が予め形成された透明基板、および、この透
明基板上に形成され、結晶状態と非晶質状態との間の相
変化を生じ得る記録膜を具備し、非晶質状態の情報記録
領域に情報が記録され、前記非晶質状態の反射率が１０
％以上３０％以下であることを特徴とする情報記録媒体
を提供する。

【００１２】また本発明（請求項２）は、グルーブ部
と、このグルーブ間であるランド部とから構成されるト
ラックを有し、ヘッダー部が予め形成された透明基板、
およびこの透明基板上に形成され、結晶状態と非晶質状
態との間の相変化を生じ得る記録膜を具備し、非晶質状
態の情報記録領域に情報が記録され、前記非晶質状態の
反射率が１０％以上３０％以下である情報記録媒体に、
第１のパワーを有する第１のビームを照射して、非晶質
状態ののヘッダー領域間に設けられた情報記録領域に情
報を記録し、第２のパワーを有する第２のビームを照射
して、前記ヘッダー領域の直後および直前のランド部ま
たはグルーブ部を、非晶質状態から結晶質状態に局所的
に相変化させる工程と、前記非晶質状態のグルーブ部分
での反射レベルと、前記局所的に相変化させた結晶部分
の反射レベルとの間にスライスレベルを設定し、このス
ライスレベルを用いて情報記録領域を検知する工程とを
具備する情報記録再生方法を提供する。

【００１３】本発明の情報記録再生方法においては、ス
ライスレベルを用いて情報記録領域を検知する工程の後
にデータを２値化する工程を具備し、この２値化の方法
は、前記情報記録領域と、前記ヘッダー領域とで異なる
ことが好ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明を
さらに詳細に説明する。（実施例１）本発明の情報記録媒体においては、非晶質
部の反射率を１０％以上３０％以下に限定している。

【００１５】非晶質部分の反射率を１０％未満に低下さ
せると、ヘッダー部分の信号が小さくなるのでセクタを
検出することが困難になる。一方、非晶質部分の反射率
を過剰に高くすると非晶質部分の吸収率が低下してしま
う。再度溶融する際には６００℃以上まで温度を高めな
ければならない。このため高記録パワーが必要となるも
のの、現在、レーザーダイオードのディスク上での最大
パワーは１５ｍＷが一般的である。非晶質部分の吸収率
が低い場合には、これ以上のパワーが要求されるので、
非晶質部分の反射率をあまり高くすることができない。
また、結晶部分と非晶質部分との吸収率差を大きくする
と、結晶部分と非晶質部分とに記録するパワーに差が生
じてしまう。これらを考慮して、非晶質部分における反
射率の上限を３０％とした。

【００１６】図１には、本発明の情報記録媒体の一例の
層構成を表す断面図を示す。図示するように、透明基板
１１上には、干渉層１２、第２保護層１３、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録層１４、第１保護層１５、ＡｌＴｉ反射層１６、
およびＵＶ硬化樹脂層１７が順次積層されている。

【００１７】透明基板１１は、例えばガラスやプラスチ
ック材料（例えばポリメチルメタクリレート樹脂やポリ
カーボネート樹脂等）から構成することができ、干渉層
１２は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｇｅ及びこれらを主
成分とする合金からなる。また第１の保護層１５および
第２の保護層１３は、例えばＺｎＳ、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂
Ｏ₃ およびこれらの混合物からなる。記録層１４は、例
えば真空蒸着、スパッタリングなどの堆積方法により形
成することができる。また、反射層１６は、光学的な反
射の目的のほかに記録層１４で発生した熱を効果的に放
熱する役割を有する。

【００１８】図１に示すような構成の情報記録媒体１０
においては、例えば、各層の膜厚を適宜選択することに
よって、非晶質部分の反射率を１０％以上３０％以下の
範囲内に設定することができる。

【００１９】図２のグラフには、かかる構成の情報記録
媒体１０における第２保護層１３の膜厚と、結晶質部分
および非晶質部分の反射率、これらの反射率の差との関
係を示す。ここでは、ＡｌＴｉ反射層１６の厚さ１００
ｎｍ、第１保護層１５の厚さ２０ｎｍ、記録層１４の厚
さ２０ｎｍ、干渉層１２の厚さを１３ｎｍとした。図２
のグラフ中、曲線ａは、結晶部分の反射率を表し、曲線
ｂは非晶質部分の反射率を示し、曲線ｃは反射率差（非
晶質反射率−結晶反射率）を示している。

【００２０】図２のグラフに示されるように、ＡｌＴｉ
反射層１６、第１保護層１５、記録層１４、および干渉
層１２の厚さを前述のように設定した場合には、第２保
護層１３の厚さを９５ｎｍ〜１１５ｎｍとした際に、非
晶質部分の反射率が１０％〜３０％となり、かつ結晶部
分の反射率より高くなる。かかる反射率を有する情報記
録媒体は、初期化作業をせずに非晶質の状態に情報を直
接記録することが可能である。

【００２１】非晶質部分の反射率が１０％以上３０％以
下である本発明の情報記録媒体は、上述したように、例
えば第２保護層の厚さを適宜決定することなどにより作
製することができるが、これに限定されるものではな
い。（実施例２）本発明の情報記録媒体を構成する層を成膜
するための成膜装置の概略構成を表わす側面図を図３に
示し、その上面図を図４に示す。

【００２２】図示するように、真空容器７１の底部に
は、この容器内を排気して所定の真空度に設定するため
の排気装置７７がガス排気ボード７２を介して接続され
ている。真空容器７１内の上部には、円盤状の基板７５
が、その面を水平にして支持装置７８により支架されて
いる。成膜の際には、支持装置７８がモーター（図示せ
ず）により回転することによって、基板７５が回転駆動
する。

【００２３】支持装置７８に支架された基板７５に対向
するように、真空容器７１内の底部近傍には、所定元素
で形成されたスパッタ源８０，８１，８２，８３が配設
され、これら各スパッタ源には高周波電源（図示せず）
が接続されている。各スパッタ源８０，８１，８２，８
３の上方には、モニタ装置８４，８５，８６，８７がそ
れぞれ設けられており、各スパッタ源からの元素のスパ
ッタ値をモニタする。このモニタした値が所定の値にな
るように、各スパッタ源に投入する電源が調整される。

【００２４】なお、スパッタガスとしてのガス７４は、
真空容器７１に接続されたガス導入ボード７３から導入
される。図示する成膜装置を用いて、本発明の情報記録
媒体を成膜するに当たっては、まず、排気装置７７によ
り真空装置７１内を、例えば１０^-6Ｔｏｒｒ台の真空度
まで排気する。次いで、ガス導入ボード７３よりスパッ
タガス７４を導入し、排気装置７７の排気量を調節して
真空容器７１内を所定の減圧下に保持する。そして、基
板７５を回転させつつスパッタ装置源に所定時間電力を
印加することによって、基板７５上に所定の組成の記録
層等が形成される。

【００２５】実際の成膜工程は、次のようにして行われ
る。真空容器７１内にＧｅＳｂＴｅ、ＺｎＳ：ＳｉＯ₂
混合物およびＡｌ合金のスパッタ源を設け、容器内を８
×１０^-6ｔｏｒｒまで排気した。次に、ガス導入ボート
７３からガスを導入して４×１０^-3ｔｏｒｒに真空容器
７１内全体の気圧を調整した。基板として十分に洗浄し
た外径１２０ｍｍ、板厚０．６ｍｍの円板状ポリカーボ
ネート基板を用い、この基板を５０ｒｐｍで回転しつ
つ、モニタにより各元素のスパッタ量をモニタして各ス
パッタ源に投入する電力をコントロールした。

【００２６】まず、基板上に、ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ 、Ｇｅ
ＳｂＴｅ、干渉膜用金属、および金属反射層Ａｌ合金等
を層構成に合わせて堆積させた。具体的には、基板上に
干渉膜、ＺｎＳ：ＳｉＯ₂ 、ＧｅＳｂＴｅ、ＺｎＳ：Ｓ
ｉＯ₂ 、およびＡｌ合金を順次形成した。各層の厚さ
は、それぞれ１３ｎｍ、１００ｎｍ、２０ｎｍ、２０ｎ
ｍ、および１００ｎｍとした。さらにＡｌ合金膜上に紫
外線硬化樹脂をスピンコータによりオーバーコートし、
紫外線を照射して硬化させることにより膜厚１０μｍの
有機保護膜を形成して、本発明の情報記録媒体を形成し
た。

【００２７】得られた情報記録媒体において、非晶質部
分の反射率は２５％であった。（実施例３）次に、本発明の情報記録媒体に情報を記録
再生する記録再生装置の具体例を図５に示す。情報記録
媒体９１はスピンドルモータ９２に固定され、所定の回
転数で回転することができる。記録媒体９１の上部には
媒体上にレーザー光を集光させるための光学系９０が配
置されている。半導体レーザー９４から照射された光
は、コリメータレンズ９５で平行光となり、ビームスプ
リッタ９６とλ／４波長板９７とを通過して対物レンズ
９８により記録媒体９１上に集光する。

【００２８】記録媒体９１からの反射光は、ビームスプ
リッタ９６で分割され、検出レンズ９９を経て受光器９
Ａに入り検出信号となる。この信号は、一方で対物レン
ズ９８を駆動するための駆動コイル９Ｂに電流を流すサ
ーボ系９Ｃにも供給される。このようにして記録媒体と
の距離を常に一定に保ち、記録媒体９１上に集光スポッ
トを結像することができる。

【００２９】図６には、半導体レーザ９４の駆動回路の
一例を示す。相変化光ディスクは、記録パワー、消去パ
ワーおよび再生パワーの３段階の光変調を必要とし、書
き込み時および消去時の動作は、次のように説明され
る。

【００３０】まず、再生信号によりヘッダー領域を検出
してＲ／Ｗ信号１００がＬＯＷとなりマルチプレクサ１
０５に入力すると、再生／消去レーザー駆動電流回路切
り替えスイッチ１０４が消去パワー用レーザー駆動電流
回路１０７を選択する。またそれと同時にユーザーデー
タ信号１０１がデータ変換ＲＯＭ１０２に入力すると、
データ変換ＲＯＭ１０２より（８，１６）変調されたデ
ータが出力される。この出力データは、ＣＬＫ生成部１
０３から出力されるチャネルクロック信号に同期してパ
ラレル／シリアル変換回路によりシリアルデータに変換
され、マルチプレクサ１０５に入力される。

【００３１】書き込み用レーザー駆動電流回路１０６、
および消去パワー用レーザー駆動電流回路１０７には、
予め各出力レーザーパワーレベルを設定しておき、マル
チプレクサ１０５により出力される信号に同期して書き
込み用レーザー駆動電流回路１０６のＯＮ、ＯＦＦを切
り替える。これによって、書き込み用レーザー駆動電流
が加算器１０Ｄへ流れ込み、消去パワー用レーザー駆動
電流に加算される。そして増幅器１０Ｂに流れ込んで増
幅された後、レーザーダイオード１０Ｃに出力され、設
定パワーレベルのレーザーパワーが設定時間だけレーザ
ーダイオードから照射される。

【００３２】再生時には、Ｒ／Ｗ信号１００がＨＩＧＨ
となり、マルチプレクサ１０５に入力すると再生／消去
レーザー駆動電流回路切り替えスイッチ１０４が再生用
レーザー駆動電流回路１０８を選択し、レーザーダイオ
ード１０Ｃからは再生用レーザーパワーが照射される。

【００３３】図７に、消去パワーを有するレーザーの照
射のタイミングを示す。まず、ヘッダー領域を検出して
信号１がＨＩＧＨになり、この信号１がＬＯＷになった
後、遅延時間Ｔ１後に、第１のパワー、すなわち情報を
記録するための記録パワーを照射するに先だって、第２
のパワー、すなわち非晶質を結晶質に相変化させる消去
パワーを有するレーザーの照射が開始される。消去パワ
ーの照射から遅延時間Ｔ２後、記録パワーを有するレー
ザーの照射を開始して所定時間情報を記録した後、記録
パワーの照射を終了する。消去パワーの照射は、記録パ
ワーの照射終了から遅延時間Ｔ３後に終了し、次のセク
タのヘッダー領域を検出して信号１がＨＩＧＨとなる。

【００３４】図８に、本方式を用いたときの再生信号を
示す。図７を参照して説明したように、ヘッダー領域よ
りも後で、記録パワー照射開始より前に消去パワーを照
射し始め、記録パワー照射終了より後、次のセクタのヘ
ッダー領域まで消去パワーを照射する。記録パワーを照
射することにより情報記録領域には、情報が記録され
る。また、非晶質状態のヘッダー領域の直後および直前
のグルーブ部またはランド部においては、消去パワーが
照射されたことにより非晶質部分が結晶化して、図８に
示されるようにこの部分の反射率が急激に低下する。

【００３５】反射率が急激に低下した結晶部分の反射レ
ベルと、非晶質状態のグルーブ部分での反射レベルとの
間にスライスレベルを設定し、このスライスレベルを用
いることにより、記録データ領域を簡単に検出すること
ができる。こうして検出された記録データ領域と、これ
以外のヘッダー領域とを分離し、それぞれ別々に２値化
回路を切り替えることによって、記録データとヘッダー
部データとを安定的に２値化することが可能である。（実施例４）図９に、本方式を用いた場合の２値化ブロ
ック図の一例を示す。再生信号１２０が増幅器１２１，
１２５に入力され、その出力が記録情報検知回路１２２
に入力される。ここで所定の値１２４と比較して、それ
より高い場合には、ヘッダー領域と判定して判定信号１
２３はＨＩＧＨとして出力される。一方、所定値１２４
より低い場合には、情報記録領域と判定して判定信号１
２３はＬＯＷとして出力される。

【００３６】この判定信号によりマルチプレクサ１２６
を用いて、ヘッダー領域用と記録情報領域用の２値化回
路１２７，１２８を切り替えて出力する。そして２値化
回路１２９で増幅した再生信号１２Ａを２値化して、出
力される。

【００３７】このように、２値化回路を切り替えること
によって、情報記録領域とヘッダー領域とで２値化の方
法を変えているので、本発明の方法により記録データと
ヘッダー部データとを安定的に２値化することができ
る。

【００３８】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ディスク作製直後の非晶質状態の記録膜に情報を直接記
録可能な情報記録媒体が提供される。また本発明によれ
ば、ディスク作製直後のディスクに情報を記録し、この
情報を安定して再生する情報記録再生方法が提供され
る。本発明により、初期化作業をせずにディスク作製直
後の非晶質状態の記録膜に直接記録を行うことができる
とともに、こうして記録された情報の再生に当たっては
安定的な２値化や位相制御が可能となり、その工業的価
値は絶大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の情報記録媒体の一例の層構成を表す断
面図。

【図２】図１に示した情報記録媒体における第２保護層
の膜厚と反射率との関係を表すグラフ図。

【図３】成膜装置の概略構成を表す側面図。

【図４】成膜装置の概略構成を表す上面図。

【図５】記録再生装置の構成を表す概略図。

【図６】記録再生装置のレーザー駆動系の一般例を表す
ブロック図。

【図７】本発明における消去パワーおよび記録パワー照
射のタイミング図。

【図８】本発明の情報記録再生方法を表す概念図。

【図９】本発明の方法における２値化部分のブロック
図。

【図１０】従来の情報記録媒体の層構成を表す断面図。

【図１１】レーザー駆動電流波形の一般例を表すグラフ
図。

【図１２】一般的なセクタ内フォーマットの例を表す模
式図。

【図１３】情報記録媒体におけるランドグルーブのセク
タ配置を表す概略図。

【図１４】無初期化ディスクにおける再生波形を表す概
略図。

【符号の説明】

１…基板２…記録層３…保護層４…有機保護膜５…情報記録媒体６…ランド／グルーブ情報記録媒体７…ランド部８…グルーブ部９…セクタ１０…情報記録媒体１１…透明基板１２…干渉層１３…第２保護層１４…ＧｅＳｂＴｅ記録層１５…第１保護層１６…ＡｌＴｉ反射層１７…ＵＶ硬化樹脂層７１…真空容器７２…ガス排気ボード７３…ガス導入ボード７４…ガス７５…基板７７…排気装置７８…支持装置８０，８１，８２，８３…スパッタ源８４，８５，８６，８７…モニタ装置９０…光学系９１…情報記録媒体９２…スピンドルモーター９４…半導体レーザー９５…コリメータレンズ９６…ビームスプリッタ９７…λ／４波長板９８…対物レンズ９９…検出レンズ９Ａ…受光器９Ｂ…駆動コイル９Ｃ…サーボ系１００…Ｒ／Ｗ信号１０１…ユーザーデータ信号１０２…データ変換ＲＯＭ１０３…ＣＬＫ生成部１０４…再生／消去レーザー駆動電流回路切り替えスイ
ッチ１０５…マルチプレクサ１０６…書き込み用レーザー駆動電流回路１０７…消去パワー用レーザー駆動電流回路１０８…再生用レーザー駆動電流回路１０Ｂ…増幅器１０Ｃ…レーザーダイオード１０Ｄ…加算器１２０…再生信号１２１，１２５…増幅器１２２…情報記録検知回路１２３…出力１２６…マルチプレクサ１２７，１２８…２値化回路１２９…２値化回路１２Ａ…再生信号

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】グルーブ部と、このグルーブ間であるラ
ンド部とから構成されるトラックを有し、ヘッダー部が
予め形成された透明基板、およびこの透明基板上に形成
され、結晶状態と非晶質状態との間の相変化を生じ得る
記録膜を具備し、非晶質状態の情報記録領域に情報が記録され、前記非晶
質状態の反射率が１０％以上３０％以下であることを特
徴とする情報記録媒体。
【請求項２】グルーブ部と、このグルーブ間であるラ
ンド部とから構成されるトラックを有し、ヘッダー部が
予め形成された透明基板、およびこの透明基板上に形成
され、結晶状態と非晶質状態との間の相変化を生じ得る
記録膜を具備し、非晶質状態の情報記録領域に情報が記
録され、前記非晶質状態の反射率が１０％以上３０％以
下である情報記録媒体に、第１のパワーを有する第１の
ビームを照射して、非晶質状態のヘッダー領域間に設け
られた情報記録領域に情報を記録し、第２のパワーを有
する第２のビームを照射して、前記ヘッダー領域の直後
および直前のランド部またはグルーブ部を、非晶質状態
から結晶質状態に局所的に相変化させる工程と、前記非晶質状態のグルーブ部分での反射レベルと、前記
局所的に相変化させた結晶部分の反射レベルとの間にス
ライスレベルを設定し、このスライスレベルを用いて情
報記録領域を検知する工程とを具備する情報記録再生方
法。
【請求項３】前記スライスレベルを用いて情報記録領
域を検知する工程の後にデータを２値化する工程を具備
し、この２値化の方法は、前記情報記録領域と、前記ヘ
ッダー領域とで異なることを特徴とする請求項２に記載
の情報記録再生方法。