JPWO2002058086A1 - グラニュラ磁性薄膜及びその製造方法,積層磁性膜,磁性部品,電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、絶縁体中に磁性粒子が点在するグラニュラ磁性薄膜及びその製造方法,積層磁性膜,磁性部品,電子機器に関し、更に具体的には、高周波帯域における磁気特性の改善に関するものである。
「背景技術」
携帯電話などに代表される移動体通信の高速化・大容量化(広帯域化)に伴い、電子部品には動作周波数の向上が求められている。インダクタ・トランスに代表される磁気デバイスもその例に漏れず、高周波帯域での応用が検討されている。この高周波帯域での応用が期待される材料の1つとして、絶縁体中に磁性体粒子を混在させたナノグラニュラ磁性薄膜が挙げられる。ナノグラニュラ磁性薄膜は、ナノスケール(nm,10−9m)のオーダーの磁性粒子を絶縁体の粒界で包み込んだ構造をとっている。磁性粒子の微細化による結晶磁気異方性の低減と、絶縁体の粒界による電気比抵抗の向上が期待できるため、高周波帯域用の磁性材料として広く研究が行われている。
例えば、特開平9−82522号公報には、適度な大きさの一軸磁気異方性を有し、且つ大きな電気抵抗と高い飽和磁化とを有する優れた高周波特性の透磁率を得ることを目的とした磁性膜が提案されている。また、特開平10−270246号公報には、異方性磁界が20エルステッド(Oe)以上,電気比抵抗値が50μΩcm以上,飽和磁束密度が16kG以上を有する高周波帯域で優れた軟磁性を得ることを目的とした磁性膜が提案されている。これらのCoFe合金を使用するナノグラニュラ磁性薄膜は、CoFe合金結晶による磁性粒子をセラミックスによる絶縁体の粒界で包み込む構造をとっており、高い飽和磁化と高い電気比抵抗を両立している点で注目される。
ところで、高周波帯域で用いられる磁性材料においては、その動作帯域を制限する透磁率の共振周波数を高める必要がある。透磁率の共振周波数を高めるためには、大きな飽和磁化(ひいては大きな透磁率)と電気比抵抗,更には適度な大きさの異方性磁界を持つことが求められる。
しかしながら、上述した従来のCoFe合金使用のナノグラニュラ膜は、酸素雰囲気中で成膜する反応性スパッタによって磁性膜を得ている。このため、磁性粒子中の金属や絶縁体を形成する金属が酸化する。磁性金属が酸化すると、飽和磁化が減少して共振周波数の低下を引き起こし、結果的に動作帯域が低下してしまう。更に、磁性粒子が大きくなりすぎると粒子内の結晶磁気異方性が大きくなって軟磁気特性が劣化する点や、絶縁体が薄すぎると抵抗率が低下して渦電流損失が増大する点について配慮されていない。
また、上述したナノグラニュラ膜は、磁性粒子が絶縁体に包み込まれた構造となっているため、金属磁性膜よりは比較的抵抗率が高いものの、フェライトなどの酸化物磁性体と比べて抵抗率が十分に大きいとはいえない。このため、磁性体膜の抵抗率を高めるために、膜全体に対する絶縁体の割合を増やしたり、ナノグラニュラ膜による磁性層と金属酸化物などにより形成される絶縁層を交互に積層して得られる多層膜が提案されている。
ところが、上述のようにナノグラニュラ膜中の絶縁体の割合を増やすと、磁性粒子を分断する絶縁体が厚くなるため全体の抵抗率は高くなるが、その反面、隣接する磁性粒子間の平均距離が増加するため、磁性粒子間の交換相互作用が低下し、保磁力が大きくなる。また、相対的に磁性粒子の割合が減少するため、飽和磁化の減少も避けることができない。高周波で使用する磁性体膜にとって、飽和磁化は異方性磁界とともに、共振周波数を決定する重要な物理量であるため、このような方法による高抵抗化は高周波特性の劣化を伴う可能性が大きい。
更に、上述した多層化した磁性体膜では、絶縁層の導入により抵抗率は高くなるものの、多層化することによって磁性体膜内部にキャパシタが形成された状態となり、変位電流による損失が発生する。更に、前記絶縁層の厚さが100nm〜数μmと比較的厚いため、絶縁層を挟んだ磁性粒子間の磁気的な結合が弱くなってしまうという不都合もあり、結果的に十分な磁気特性が得られていない。
本発明は、以上の点に着目したもので、グラニュラ膜を利用した高周波特性の良好な磁性薄膜及びその製造方法,積層磁性膜,それを利用した磁性部品及び電子機器を提供することを、その目的とするものである。
「発明の開示」
前記目的を達成するため、本発明は、磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するグラニュラ磁性薄膜であって、
(1)透磁率の共振周波数が2GHz以上であること,
(2)前記絶縁体の厚み(前記磁性粒子の間隔)が0.5nm〜1.5nmであること,もしくは、
(3)X線光電子分光法による測定によって磁性金属の酸化物のスペクトルのピークが観測されないこと,
を特徴とする。本発明のグラニュラ磁性薄膜の製造方法は、磁性金属ターゲットと絶縁体ターゲットを各々用意するとともに、非酸化性雰囲気中で両ターゲットを同時にスパッタすることで、磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在する薄膜を基板上に形成することを特徴とする。
本発明のナノグラニュラ磁性薄膜は、
(1)磁性金属ターゲット(例えば、Co,Fe,Niなど)と酸化物セラミックスターゲット(例えば、Al2O3,MgOなど)を分離して同時にスパッタする多元同時スパッタ,もしくは、
(2)雰囲気中に酸素を流さないで成膜する非反応性スパッタ,
を用いて成膜することを特徴とする。
まず、非反応性スパッタを行うことで、磁性金属の酸化がなくなる。このため、飽和磁化が増大し、ひいては共振周波数が高くなり、高周波帯域における使用が可能となる。また、成膜時に酸素を導入する必要が無くなるため、膜形成条件のパラメータが減り、結果的に成膜が容易になる。次に、多元同時スパッタと非反応性スパッタを組み合わせることによって、磁性粒子と絶縁体からなる微細構造(グラニュラ構造)における磁性粒子の大きさや絶縁体の厚み(磁性粒子の間隔)の制御を行ってその最適化を図ることができ、結果的に高周波特性が向上する。ナノグラニュラ磁性薄膜の軟磁性発現のメカニズムから考えると、磁性粒子の大きさは10nm(100Å)以下が望ましい。このように磁性粒子の大きさの最適化を図ることで、粒子内の結晶磁気異方性が適度な大きさとなり、優れた軟磁気特性を得ることができる。また、絶縁体の厚み,すなわち磁性粒子間の間隔は、0.5nm(5Å)から1.5nm(15Å)の間であることが望ましい。このように絶縁体の厚さの最適化を図ることで、抵抗率が向上して渦電流が低減され、更には磁性粒子間の交換相互作用も良好となる。
本発明の積層磁性膜は、磁性粒子が絶縁体に包み込まれたグラニュラ膜による磁性層と絶縁層とを交互に積層した積層磁性膜であって、前記磁性層及び前記絶縁層の厚みを、絶縁層によって磁性粒子の成長を妨げるように設定したことを特徴とする。
主要な形態の一つは、前記磁性層をCoFeAlO膜によって形成し、前記絶縁層をAl2O3膜によって形成したことを特徴とする。より具体的には、前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
▲1▼5Å<WM≦130Å,WI≦10Å,
▲2▼10Å≦WM≦100Å,WI≦10Å,
▲3▼5Å<WM≦130Å,5Å≦WI≦8Å,
▲4▼10Å≦WM≦100Å,5Å≦WI≦8Å,
のいずれかの関係を満たすことを特徴とする。
他の形態は、前記磁性層をCoFeSiO膜によって形成し、前記絶縁層をSiO2膜によって形成したことを特徴とする。より具体的には、前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
▲1▼40≦WM≦90Å,5Å≦WI≦25Å,
▲2▼40Å≦WM≦90Å,7Å≦WI≦25Å,
▲3▼40Å≦WM≦90Å,7Å≦WI≦20Å,
▲4▼50Å≦WM≦75Å,5Å≦WI≦25Å,
▲5▼50Å≦WM≦75Å,7Å≦WI≦25Å,
▲6▼50Å≦WM≦75Å,7Å≦WI≦20Å,
の関係を満たすことを特徴とする。
本発明の磁性部品は、以上のようなグラニュラ薄膜又は積層磁性膜を磁性体として有することを特徴とする。主要な形態の一つは、前記グラニュラ磁性薄膜又は積層磁性膜中の磁性金属の酸化を防止する酸化防止膜を形成したことを特徴とする。本発明の電子機器は、前記磁性部品を使用したことを特徴とする。本発明の前記及び他の目的,特徴,利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
「発明を実施するための最良の形態」
この発明には数多くの実施形態が有り得るが、ここでは適切な数の実施形態を示し、詳細に説明する。
<実施形態1>
本形態は、ナノグラニュラ磁性薄膜及びその製造方法の実施形態である。最初に、CoFe合金ターゲットとAl2O3ターゲットを用いた二元同時非反応性スパッタを用いて、CoFeAlOナノグラニュラ膜を形成した場合について説明する。作製した試料の作製条件は次の通りである。従来の成膜法とは違い、成膜時に酸素を流さないのが特徴である。また、スパッタガスとして、アルゴンなどの希ガスを使用する。
スパッタガス圧:0.42Pa,
基板温度:20℃,
基板:Si単結晶基板,
膜厚:0.5μm,
図1には、作製した試料の磁性薄膜の様子が示されており、Al2O3による絶縁体10中に、CoFe合金による磁性粒子12が点在している。別言すれば、磁性粒子12を包み込むように、粒界に絶縁体10が存在する構造となっている。
図2に、作製した試料のXPS(X−ray Photoelectron Spectroscopy:X線光電子分光法)による測定結果を示す。同図のグラフは、いずれも、横軸が束縛エネルギー,縦軸が強度を表す。XPSの測定は、MgKα線を使用し、印加電流5mA,印加電圧12kV,で発生させたX線を試料に照射して行った。まず、図2(A)は、Al(アルミニウム)の2p軌道の電子について測定したものである。同図に示すように、酸化物であるAl2O3のピークのみが観察されており、試料中のAl2O3が絶縁体として有効に作用していることが推測できる。図2(B)は、Co(コバルト)の2p軌道の電子について測定したものであり、図2(C)はFe(鉄)の2p軌道の電子について測定したものである。これらの図に示すように、Co及びFeについては、いずれも金属のピークのみが観察されており、それらの酸化物のピークは観察されておらず、理想的な成膜が行われていることが分かる。
図17には、他の例として、CoFe合金ターゲットとSiO2ターゲットを用いた二次元同時非反応により作製した磁性薄膜試料のXPSによる測定結果が示されている。同図のグラフは、いずれも、横軸が束縛エネルギー,縦軸が強度を表す。なお、試料の作製条件は、上述したCoFeAlOナノグラニュラ膜の場合と同様であり、成膜時には酸素を流さないものとする。また、XPSの測定条件も同様である。
図17(A)は、Si(シリコン)の2s軌道の電子について測定したものである。同図に示すように、SiO2のピークのみが観察されており、Siのピークは観察されない。従って、Siは、SiO2の状態で存在しており、絶縁体として有効に機能していることが推測できる。通常、Siの分析には2p軌道が用いられるが、本例の場合はCoの3s軌道と重なってしまうため2s軌道を用いることとした。また、同図(B)に示すO(酸素)の1s軌道の結果においても、SiO2のピークのみが観察されているため、SiはSiO2として存在していることがわかる。同図(C)は、Co(コバルト)の2p軌道の電子について測定したものであり、図(D)はFe(鉄)の2p軌道の電子について測定したものである。これらの図に示すように、Co及びFeについては、いずれも金属のピークのみが観察されており、それらの酸化物のピークは観察されていない。このように、CoFe合金ターゲットとSiO2ターゲットを用いた場合にも、理想的な成膜が行われていることが分かる。
図3には、以上のようにして作製した試料のうち、CoFeAlOナノグラニュラ膜のサンプルについて、1ターンコイル法によって測定した透磁率の周波数特性の測定結果が示されている。同図の横軸は周波数であり、縦軸は透磁率である。なお、両軸とも対数目盛となっている。同図に示すように、透磁率の実部μ’の値は300程度で周波数の増大に伴って多少増大し、いずれの測定周波数に対しても充分大きな値となっている。一方、透磁率の虚部μ”は、周波数が2GHzに至るまで50以下の値となっていることから、本例の磁性薄膜の共振周波数が2GHzを超えていることが分かる。
図4に、作製した試料のTEM(Transmission Electron Microscopy,透過電子顕微鏡)観察像を示す。同図を参照すれば、粒径が10nm(100Å)程度のCoFeからなる結晶相(磁性粒子)が、厚さが1nm(10Å)程度のAl2O3からなるアモルファス層(絶縁体)に包み込まれている構造であることが分かる。ここで、絶縁体10の厚み(磁性粒子12の間隔ないし距離に相当)が0.5nm(5Å)より小さくなると電気比抵抗が小さくなって渦電流損失が増大し、結果として実用には適さなくなる。一方、絶縁体10の厚みが1.5nm(15Å)より大きくなると、磁性粒子12間の交換相互作用が小さくなるため、軟磁気特性が劣化してしまう。従って、絶縁体10の厚みは、0.5nm〜1.5nmの範囲であることが好ましい。特に、透磁率の最適化の観点からすると、絶縁体10の厚みは、0.8nm〜1.2nmの範囲がより好ましい。
<実施形態2>
次に、実施形態2について説明する。この形態は、上述したナノグラニュラ磁性薄膜を装荷して得た薄膜インダクタの実施例である。図5には、その斜視図が示されており、主要部について断面を示している。同図において、厚さ400μmのSi基板20の主面上に、まず、ポリイミドによる絶縁層22を、7μmの厚さにスピンコータなどの適宜の方法で形成する。そして、この絶縁層22上に、上述した実施形態1のCoFeAlOによる磁性薄膜24を、多元同時スパッタと非反応性スパッタを組み合わせて0.5μmの厚さに形成する。この磁性薄膜24上には、スパッタなどの適宜の方法でAl2O3による保護膜(パッシベーション膜)26が0.1μmの厚さに形成される。保護膜26上には、再びポリイミドによる絶縁層28を7μmの厚さにスピンコータなどの適宜の方法で形成する。電流を流す導体である電極30は、絶縁層28上に例えばAlによって3μmの厚さの渦巻状に形成される。
なお、絶縁層22,28は、磁性薄膜24との間に形成されるキャパシタンス成分を小さくするために設けられている。しかし、実際の部品としては、絶縁層22,28の厚さを薄くして、積極的にキャパシタンス成分を形成するようにしてもよい。
電極30に通電すると、渦巻状となっているためにインダクタとして作用する。この通電によって生じた磁束が磁性薄膜24に作用し、所定の特性のインダクタが得られる。図6には、試作した薄膜インダクタにおけるインダクタンスの周波数特性の測定結果が、磁性薄膜のない場合の特性とともに示されている。同図中、横軸は周波数,縦軸はインダクタンスである。また、横軸は対数目盛となっており、横軸・縦軸のいずれにおいてもEは、10のべき乗を表す。例えば、「E−09」は、「10−9」を表す。同図に示すように、3GHz程度までは、磁性薄膜24が存在しない場合よりも存在する場合のほうが高いインダクタンス値を得ることができる。このインダクタンス値の上昇は、磁性薄膜24による磁束の閉じ込め効果によるものであると考えられる。このような結果からすると、磁性薄膜24の共振周波数は、低く見積もっても3GHz以上であり、2GHzの高周波帯域において充分な磁気特性を得られると考えられる。
<実施形態3>
次に、実施形態3について説明する。この実施形態3は、前記実施形態2のより好ましい形態の一つであって、図7に示すように磁性薄膜24の表裏に酸化防止膜23,25をそれぞれ設けるようにしたものである。上述したように、本発明は、磁性薄膜24の磁性金属が非酸化であることを特徴とするものである。しかしながら、磁性薄膜24を形成した後に真空を破ると、磁性薄膜24の磁性金属が空気中の酸素や水分と結合して酸化してしまい、飽和磁化が低下して磁気特性が全体として劣化してしまう。磁性薄膜24を加熱するような処理を施すことによっても、磁性金属の酸化が進行する。
そこで本実施例は、磁性薄膜24の表裏に酸化防止膜23,25を形成することで、磁性薄膜24中の磁性金属の酸化を防止する。酸化防止膜23,25としては、例えばAl2O3膜やSiO2膜などが好適である。
なお、図示の例では、酸化防止膜を磁性薄膜24の表裏に設けたが、いずれか一方,特に酸素に触れやすい面のみに形成するようにしてもよい。また、保護膜26も酸化防止膜として作用する。従って、酸化防止膜25と保護膜26の少なくとも一方を設けるようにしてよいし、積層順序を逆にしてもよい。
<実施形態4>
次に、本発明の実施形態4について説明する。上述した実施形態1〜3では、単層構造のグラニュラ磁性薄膜について説明したが、本実施形態では、磁性層と絶縁層を積層して形成した積層磁性膜について説明する(以下の実施形態についても同様)。最初に、図8を参照して、本実施形態の積層磁性膜の基本構造について説明する。
図8には、本発明にかかる積層磁性膜ないし積層グラニュラ膜50の主要断面が示されている。同図に示すように、積層磁性膜50は、絶縁体58と非酸化金属などの磁性粒子(非酸化磁性粒子)56が分離・共存するグラニュラ薄膜よりなる磁性層52と、金属酸化物などによる絶縁層54を、交互に複数積層した積層構造となっている。
更に、表裏面には、酸化防止膜60がそれぞれ形成されている。製造工程中で真空を破ると、積層磁性膜50の表面にO2やH2Oが付着する。この状態で例えば加熱処理を行うと、磁性層52中の磁性粒子56が酸化する恐れがある。磁性粒子56が酸化すると、積層磁性膜50の磁気特性が全体として劣化し、特に飽和磁化が低下する。このような磁性粒子56の酸化を防止するため、酸化防止膜60が形成される。酸化防止膜60としては、絶縁体58を比較的厚く形成したものでもよい。また、酸化防止膜60は、図示のように積層膜の表裏両方に設けるようにしてもよいし、いずれか一方,特に外気に触れる表面側にのみ設けるようにしてもよい。
次に、前記図8の他に、図9〜図13も参照しながら、本実施形態について詳細に説明する。本実施形態では、前記積層磁性膜50の磁性層52がCoFeAlO膜によって形成され、前記絶縁層54がAl2O3膜によって形成される。製造方法の一例を示すと、スパッタリングのターゲットとして、CoFe合金ターゲット(Co:Fe=80:20at%(原子%))とAl2O3ターゲットを用いる。そして、Si基板を用意し、▲1▼スパッタガス圧0.42Pa,▲2▼基板温度20℃の成膜条件で、前記ターゲットを交互に用いてスパッタリングを行い、基板上にCoFeAlO膜とAl2O3膜の積層膜(膜厚0.5μm)を形成する。
図9(A)には、このようにして作製したCoFeAlO/Al2O3の積層膜である積層磁性膜50のサンプルにおける透磁率の周波数特性が示されており、同図(B)には、比較例としてCoFeAlO単層膜の周波数特性が示されている。これらの図において、横軸は周波数(Hz),縦軸は透磁率をそれぞれ表している(いずれも対数)。
同図(A)に示すように、CoFeAlO/Al2O3積層膜の透磁率の実部μ1’は、70〜100程度となっている。一方、同図(B)に示すように、CoFeAlO単層膜の透磁率の実部μ2’は、300〜400程度となっている。これらを比較すれば、本実施形態のCoFeAlO/Al2O3積層膜の透磁率実部は、CoFeAlO単層膜と比較して、1/3〜1/4程度に減少している。
しかし、透磁率の虚部を比較すると、同図(A)のCoFeAlO/Al2O3積層膜では、同図(B)に示すCoFeAlO単層膜よりも大幅に減少し、ほとんど観察されない。このように、透磁率の虚部μ1”がμ2”よりも大幅に減少したことから、本実施形態の積層構造をとることによって、渦電流損失が大幅に減少することが分かる。また、本実施形態の積層磁性膜50の共振周波数は2GHz以上であり、高周波帯域でも十分に使用可能である。なお、同図(C)及び(D)については後述する。
次に、磁性層52(CoFeAlO膜)の厚みWMについて検討する。なお、磁性層52及び絶縁層54の膜厚は、水晶振動子を用いて計測した。図10(A)には、抵抗率と磁性層52の厚みWMとの関係が示されており、横軸は磁性層52の厚みWM(Å),縦軸は抵抗率(μΩcm)をそれぞれ表している。また、図11(A)には、1GHzにおける透磁率の実部と磁性層52の厚みWMとの関係が示されており、横軸は磁性層52の厚みWM(Å),縦軸は透磁率実部を表している。どちらの場合も、絶縁層54の厚みWIは4Åで固定した。
まず、図10(A)に示すように、磁性層52の厚みWMを薄くすることで抵抗値は上昇し、厚みWMが10Å以下では急激に上昇する。磁性層52の厚みWMが、磁性粒子56の粒径よりも小さい範囲では、絶縁層54間に挟まれて磁性粒子56の粒成長が制限される。このため、絶縁層54の導入効果に加え、粒界による電気伝導防止効果により、全体として高い電気抵抗が得られると考えられる。また、磁性粒子56の微細化は、結晶磁気異方性の低減と、磁性粒子56間の交換相互作用の増大をもたらすため、軟磁気特性の点からも好都合である。
一方、磁性層52の厚みWMが100Åを越えると、抵抗率の増加の程度は小さくなる。これは、磁性層52の厚みWMが100Åを越えると、磁性層52中での磁性粒子56の粒成長が生じるため微細化の効果が減少し、抵抗率の増加が少なくなるためであると考えられる。磁性層52の厚みWMが150Åになると、CoFeAlOの単層膜の抵抗率80μΩcm(図示せず)と比較して、顕著な差が確認されなくなる。従って、CoFeAlO単層膜の場合よりも高い抵抗率を得るためには、磁性層52の厚みWMを130Å以下,好ましくは100Å以下に設定する。一方、図11(A)に示すように、磁性層52の厚みWMを薄くすると、透磁率は低下する。特に、厚みWMが5Å以下では、磁性粒子56が孤立して、超常磁性的な挙動を示すため、磁性膜としてほとんど機能しない。
以上のような抵抗率と透磁率の両方の関係を考慮すると、
▲1▼抵抗率の観点からは、WM≦130Å,好ましくは、WM≦100Å,がよい。
▲2▼透磁率の観点からは、5Å<WM,好ましくは、10Å≦WM,がよい。
となる。従って、全体としては、磁性層52の厚みWMは、5Å<WM≦130Å,より好ましくは、10Å≦WM≦100Åを満たす範囲とするのがよいことが分かる。
次に、絶縁層54(Al2O3膜)の厚みWIについて検討する。図12(A)は、抵抗率と絶縁層54の厚みWIとの関係を示す図であり、横軸は絶縁層54の厚みWI(Å),縦軸は抵抗率(μΩcm)をそれぞれ表している。また、図13(A)には、1GHzにおける透磁率の実部と絶縁層54の厚みWIとの関係が示されており、横軸は絶縁層54の厚みWI(Å),縦軸は透磁率実部を表している。どちらの場合も、磁性層52の厚みWMは50Åで固定した。
まず、CoFeAlOの単層膜の抵抗率が80μΩcmであることを考えると、図12(A)に示すように、絶縁層54の厚みWIを厚くするに従って抵抗率が大幅に上昇していることから、絶縁層54の導入による高抵抗化が生じていることが確認できる。一方、図13(A)に示すように、透磁率実部の値は、絶縁層54の厚みWIを増やすことで減少する。これは、絶縁層54の厚みWIが増加すると、絶縁層54を挟んだ磁性粒子52間の交換相互作用が小さくなるためであり、厚みWIが10Åを越えるとその影響が大きくなる。特に、厚みWIが15Åでは、磁性膜として有効に機能しなくなる。
以上の結果からすると、絶縁層54の厚みWIは、
▲1▼抵抗率の観点からは、厚いほうがよい,
▲2▼透磁率の観点からは、WI≦10Åがよい,
▲3▼抵抗率,透磁率の両方の観点からみたより好ましい範囲は、5Å≦WI≦8Åがよい,
となる。従って、全体としては、絶縁層54の厚みWIは、WI≦10Å,好ましくは5Å≦WI≦8Åの範囲とするのがよい。
このように、本実施形態によれば、磁性層52の厚みWMを、5Å<WM≦130Å,好ましくは、10Å≦WM≦100Å,を満たす範囲とし、かつ、絶縁層14の厚みWIを、WI≦10Å,好ましくは、5Å≦WI≦8Å,を満たす範囲とし、これらを複数積層して積層磁性膜50を得ることとしたので、
▲1▼絶縁層54が導入されるため、電気抵抗が上昇し、渦電流損失が軽減される,
▲2▼絶縁層54により磁性粒子56の粒成長が妨げられて微細化するため、粒界密度が上昇して電気抵抗が高くなり、結晶磁気異方性が低減されて軟磁気特性が向上する,
という効果が得られる。
<実施形態5>
次に、図14(A)を参照して本発明の実施形態5の薄膜インダクタについて説明する。本実施形態の薄膜インダクタは、上述した実施形態4で説明した積層磁性膜50を用いて作製したものである。図14(A)には、積層膜による薄膜インダクタのインダクタンスLAと、比較例として、単層膜を用いて作製したインダクタのインダクタンスLBの周波数特性が比較して示されている。同図において、横軸は周波数(Hz)を表し、縦軸はインダクタンス(nH)を表している。
同図(A)に示すように、積層膜の場合と単層膜の場合のインダクタンスLA,LBを比較すると、本形態の薄膜インダクタのインダクタンスLAは、単層膜の薄膜インダクタのインダクタンスLBよりも高い値を示している。これは、単層膜を利用した場合と比較して抵抗値が高いために、渦電流損失が軽減したことや、電極配線との寄生容量が軽減され、薄膜インダクタの損失が大幅に減少したためであると考えられる。また、上述した実施形態4でも説明したように、積層化により透磁率の虚部が減少した(図9(A)参照)ことも、損失低減に有効に作用したと考えられる。このように、積層化によって高抵抗化した磁性体膜を磁心材料として利用することにより、高周波帯域での利用に好適な薄膜インダクタを得ることができる。
<実施形態6>
次に、図9〜図13を参照しながら本発明の実施形態6について説明する。本実施形態の積層構造も、前記図8と同様である。しかし、本実施形態では、積層磁性膜50の磁性層52がCoFeSiO膜によって形成され、前記絶縁層54がSiO2膜によって形成される。製造方法の一例を示すと、スパッタリングのターゲットとして、CoFe合金ターゲット(Co:Fe=80:20at%)とSiO2ターゲットを用いる。そして、厚さ400μmのSi基板を用意し、その(100)面に、▲1▼スパッタガス圧0.42Pa,▲2▼基板温度20℃の成膜条件で、前記ターゲットを交互に用いてスパッタリングを行い、基板上にCoFeSiO膜とSiO2膜の積層膜(膜厚0.5μm)を形成する。
図9(C)には、このようにして作製したCoFeSiO/SiO2の積層膜である積層磁性膜50のサンプルにおける透磁率の周波数特性が示されており、同図(D)には、比較例としてCoFeSiO単層膜の周波数特性が示されている。これらの図において、横軸は周波数(Hz),縦軸は透磁率をそれぞれ表している(いずれも対数)。図9(C)に示すように、CoFeSiO/SiO2積層膜の透磁率の実部μ3’は、200程度となっている。一方、同図(D)に示すように、CoFeSiO単層膜の透磁率の実部μ4’は、30〜90程度となっている。これらを比較すれば、本実施形態のCoFeSiO/SiO2積層膜の透磁率の実部は、CoFeSiO単層膜と比較して、2〜7倍程度に増加している。
一方、透磁率の虚部μ3”は、同図(A)に示す実施形態4よりも大きく観察されるものの、同図(B)と比較すれば十分に小さい。また、同図(D)のCoFeSiO単層膜と比較しても若干小さくなっている。このように、透磁率の虚部が低く抑えられているため、本実施形態の積層構造によっても渦電流損失は大幅に減少する。また、本実施形態の積層磁性膜50の共振周波数は2GHz以上であり、高周波帯域でも十分に使用可能である。
次に、磁性層52(CoFeSiO膜)の厚みWMについて検討する。なお、磁性層52及び絶縁層54の膜厚は、水晶振動子を用いて計測した。図10(B)には、抵抗率と磁性層12の厚みWMとの関係が示されており、横軸は磁性層52の厚みWM(Å),縦軸は抵抗率(mΩcm,対数表示)をそれぞれ表している。また、図11(B)には、2GHzにおける透磁率の実部と磁性層52の厚みWMとの関係が示されており、横軸は磁性層52の厚みWM(Å),縦軸は透磁率実部を表している。どちらの場合も、絶縁層54の厚みWIは10Åで固定した。
まず、図10(B)に示すように、磁性層52の厚みWMを薄くすることで抵抗値は上昇し、厚みWMが45Å以下では大きな傾きで上昇している。従って、抵抗率の値からは磁性層52の厚みWMは薄い方が適していることが分かる。本実施形態においても、磁性層52の厚みWMが、磁性粒子56の粒径よりも小さい範囲では、絶縁層54間に挟まれて磁性粒子56の粒成長が制限される。このため、絶縁層54の導入効果に加え、粒界による電気伝導防止効果により、全体として高い電気抵抗が得られると考えられる。磁性粒子56の微細化が、結晶磁気異方性の低減と磁性粒子56間の交換相互作用の増大をもたらすことによる軟磁気特性の改善も、前記実施形態4と同様である。
一方、磁性層52の厚みWMが45Åを越えると、抵抗率の増加の程度は小さくなる。これは、磁性層52の厚みWMが45Åを越えると、絶縁層54による粒成長の抑止効果が小さくなるため微細化の効果が減少し、抵抗率の増加が少なくなるためであると考えられる。また、磁性層52の厚みWMが少なくとも90Å程度では、CoFeSiOの単層膜の抵抗率0.52mΩcm(図示せず)よりも大きく、積層構造としたことの効果が確認できる。従って、CoFeSiO単層膜の場合よりも高い抵抗率を得るためには、磁性層52の厚みWMを90Å以下に設定する。
一方、図11(B)に示すように、透磁率の値は磁性層52の厚みWMが60Åのときに最大となる。磁性層52の厚みWMが50〜75Åでは透磁率の値が100以上,厚みWMが40〜90Åでは透磁率の値が50以上となっている。磁性層52の厚みが40Å以下では、磁性粒子56が小さくなりすぎて超常磁性的な振舞いを示すようになり、これが透磁率の減少に影響すると考えられる。ここで、超常磁性を示す磁性層の厚みの範囲が上述した実施形態4のCoFeAlO膜の場合よりも厚いのは、CoFeSiO膜の磁性層中の絶縁体の体積比率が、CoFeAlO膜のものより大きいためであると考えられる。これに対し、磁性層52の厚みが90Å以上では、磁性粒子56の粒径が大きくなることによる結晶磁気異方性の増大が透磁率の減少に影響していると考えられる。以上のような観点からすると、磁性層52の厚みは40〜90Å,好ましくは50〜75Åの範囲が好都合である。
以上のような抵抗率と透磁率の両方の関係を考慮すると、
▲1▼抵抗率の観点からは、WM≦90Åがよい,
▲2▼透磁率の観点からは、40Å≦WM≦90Å,好ましくは50Å≦WM≦75Åがよい,
となる。従って、全体として、磁性層52の厚みWMは、40Å≦WM≦90Å,好ましくは50Å≦WM≦75Åを満たす範囲とするのがよいことが分かる。
次に、絶縁層54(SiO2膜)の厚みWIについて検討する。図12(B)は、抵抗率と絶縁層54の厚みWIとの関係を示す図であり、横軸は絶縁層54の厚みWI(Å),縦軸は抵抗率(mΩcm)をそれぞれ表している。また、図13(B)には、2GHzにおける透磁率の実部と絶縁層54の厚みWIとの関係が示されており、横軸は絶縁層54の厚みWI(Å),縦軸は透磁率実部を表している。どちらの場合も、磁性層52の厚みWMは60Åで固定した。
まず、図12(B)に示すように、絶縁層54の厚みWIにほぼ比例するように抵抗率が増加する。抵抗率の値は高いほどよいので、絶縁層54は厚いほうが好ましいことが分かる。一方、図13(B)に示すように、透磁率の値は、絶縁層54の厚みが10Åのときに極大となる。絶縁層54の厚みWIを10Åよりも厚くすると、絶縁層54を挟んで隣接する磁性粒子間の交換相互作用が減少するため、透磁率が減少すると考えられる。また、絶縁層54の厚みWIが5Å以下の場合も透磁率が低い。これは、絶縁層54が薄すぎるために本来の特性が出ていないためであると考えられる。ここで実施形態1と比較して厚みの範囲が異なるのは、磁性層中の絶縁体の体積比率の違いに起因していると考えられる。このような点から判断すると、絶縁層54の厚みWIは、5〜25Å,好ましくは7〜20Åが適切であると考えられる。
以上の結果からすると、絶縁層54の厚みWIは、
▲1▼抵抗率の観点からは、厚いほうがよい。
▲2▼透磁率の観点からは、5Å≦WI≦25Å,好ましくは7Å≦WI≦20Åがよい。
▲3▼従って、抵抗率及び透磁率の両方の観点からみたより好ましい範囲は、5Å≦WI≦25Å,好ましくは7Å≦WI≦25Å,より好ましくは7Å≦WI≦20Åの範囲とするのがよい。
このように、本実施形態によれば、磁性層52の厚みWMを40Å≦WM≦90Å,より好ましくは50Å≦WM≦75Åの範囲とするとともに、絶縁層54の厚みWIを、5Å≦WI≦25Å,好ましくは7Å≦WI≦25Å,更に好ましくは7Å≦WI≦20Åの範囲とし、これらを複数積層して積層磁性膜50を得ることとしたので、上述した実施形態4と同様の効果を得ることができる。特に、前記実施形態4と比較して、磁性粒子56がSiO2絶縁膜によって包まれる構造が得やすく、絶縁層だけではなく粒界による電気伝導防止効果が得られるため、電気抵抗がより高くなる。
<実施形態7>
次に、図14(B)を参照して本発明の実施形態7の薄膜インダクタについて説明する。本実施形態の薄膜インダクタは、上述した実施形態6で説明した積層磁性膜を用いて作製したものである。図14(B)には、積層膜による薄膜インダクタのインダクタンスLCと、比較例として、空芯インダクタのインダクタンスLDの周波数特性が比較して示されている。同図において、横軸は周波数(Hz,対数表示)を表し、縦軸はインダクタンス(nH)を表している。
同図に示すように、インダクタンスLC,LDを比較すると、3.5GHz以下の周波数帯域において、本実施形態のインダクタンスLCが比較例のインダクタンスLDよりも上昇していることが分かる。2GHzにおけるインダクタンスは、本実施形態が7.65nHであり、空心インダクタの6.24nHに対して1.41nH(空心比で23%に相当)上昇していることから、本実施形態の薄膜インダクタは、GHz帯域のインダクタに良好に適用可能である。本実施形態と比較例のインダクタンスが等しくなる周波数が3.6GHzであることから、この積層磁性体膜の共振周波数は3GHz以上であると考えられる。この点からすれば、実施形態6の積層磁性膜は、高周波帯域で使用するインダクタの磁心材料として非常に有効であることが分かる。
<実施形態8>
次に、図15及び図16を参照しながら、本発明の実施形態8について説明する。図15は、本発明の積層磁性膜を利用した電子機器であるMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit,モノリシック・マイクロ波集積回路)の例である。MMICは、マイクロ波領域における信号増幅や変復調を行うためのもので、トランジスタ,抵抗器,コンデンサ,インダクタなどの素子を一体化して1チップに集積したものである。図示の例は、半導体基板100上に、トランジスタ102,抵抗104,MIM(Metal Insulator Metal)キャパシタ106,マイクロストリップ線路108がそれぞれ形成されており、更に磁性部品としてスパイラルインダクタ110が層間絶縁膜112上に形成された構成となっている。
磁性体装荷閉磁路構造のスパイラルインダクタ110は、一部破断して示すように、導体114がスパイラル状にパターン形成されており、一端は前記マイクロストリップ線路108に接続され、他端は引き出し電極116に接続されている。そして、導体114を覆うように、上述した構造の積層磁性膜50が形成されている。積層磁性膜50の表面には酸化防止膜60が形成されている。
図16には、以上のようなMMICによって2段電力増幅器を構成したときの等価回路の一例である。入力端子(RF IN)に入力された高周波信号は、トランジスタQ1を中心とする第1段の増幅器,トランジスタQ2を中心とする第2段の増幅器でそれぞれ増幅され、出力端子(RF OUT)から出力される。同回路図中のトランジスタQ1,Q2は前記トランジスタ102のように構成されており、キャパシタンスC1〜C12は前記MIMキャパシタ106のように構成されている。更に、インダクタンスL1〜L8は前記スパイラルインダクタ110のように構成されており、抵抗Rは、抵抗104のように構成されている。
スパイラルインダクタ110において本発明の積層磁性膜50を使用すると、導体114の単位長当たりのインダクタンスが上昇する。このため、導体114の長さを短くすることができ、全体としてスパイラルインダクタ110の基板上における占有面積が小さくなる。また、導体114の長さが短くなることから、直列抵抗も低減されるようになる。
図16に示す2段電力増幅器の例では、インダクタが全部で8個存在する。これらがいずれも小型化されるため、MMIC全体しても相当の小型化を図ることが可能となる。
<他の実施形態>
本発明には数多くの実施形態があり、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能である。例えば、次のようなものも含まれる。
(1)前記実施形態では、磁性粒子としてCoFe合金を用いたが、各種の磁性金属を用いるようにしてよい。例えば、NiFeなどを用いることができる。また、絶縁体として酸化セラミックスであるAl2O3を用いたが、他のアモルファス絶縁体などを用いるようにしてもよい。MgO,SiO2,希土類の酸化物等の化学的に安定な酸化物なども好適である。
(2)前記形態に示した磁性層52及び絶縁層54の材質は一例であり、同様の作用を奏するように適宜変更可能である。
(3)前記実施形態に示した成膜条件も一例であり、所望の特性が得られるように適宜設定してよい。また、磁性層52と絶縁層54の積層数や積層磁性膜50の成膜条件についても同様である。
(4)前記形態では磁性部品として薄膜インダクタを例に挙げ、電子機器としてMMICを挙げたが、薄膜トランスなど高周波帯域で利用される各種磁性部品や機器に適用してよく、更にはそれらを携帯電話などの機器に適用してもよい。また、前記形態では、積層磁性膜を利用したMMICを例にあげたが、グラニュラ磁性薄膜を利用したMMICとするようにしてもよい。
「産業上の利用可能性」
以上説明したように、本発明によれば、次のような効果がある。
(1)非反応性スパッタを行うこととしたので、磁性金属の酸化がない。このため、飽和磁化が増大して透磁率の共振周波数が高くなり、高周波帯域(特に2GHz以上)における使用が可能となる。
(2)多元同時スパッタと非反応性スパッタを組み合わせることによって、絶縁体の厚みを0.5nm〜1.5nmとしたので、優れた軟磁気特性を得られ、渦電流も抑制されて損失が低減される。
(3)磁性粒子が絶縁体に包み込まれたグラニュラ膜による磁性層と絶縁層とを交互に積層し、絶縁層によって磁性粒子の成長を妨げることで微細化することとしたので、電気抵抗の向上,軟磁気特性の向上を図ることができる。
(4)前記磁性層をCoFeAlO膜によって形成し、前記絶縁層をAl2O3膜によって形成するとともに、磁性層の厚みWMを、5Å<WM≦130Å,好ましくは、10Å≦WM≦100Å,を満たす範囲とし、かつ、絶縁層の厚みWIを、WI≦10Å,好ましくは、5Å≦WI≦8Å,を満たす範囲としたので、電気抵抗の向上,磁気特性の向上を図ることができる。
(5)前記磁性層をCoFeSiO膜によって形成し、前記絶縁層をSiO2膜によって形成するとともに、磁性層の厚みWMを、40Å≦WM≦90Å,好ましくは50Å≦WM≦75Åを満たす範囲とし、かつ、絶縁層の厚みWIを、5Å≦WI≦25Å,好ましくは7Å≦WI≦25Å,更に好ましくは7Å≦WI≦20Å,の範囲としたので、電気抵抗の向上,磁気特性の向上を図ることができる。
(6)酸化防止膜を形成することとしたので、磁性粒子の酸化を防止し、更には磁気特性の劣化を低減することができる。
(7)以上のグラニュラ磁性薄膜または積層磁性膜を磁性部品や電子機器に適用することにより、磁性部品や電子機器の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の実施形態1にかかるナノグラニュラ磁性薄膜の構造を示す図である。
図2は、前記実施形態の磁性薄膜のX線光電子分光法による金属粒子スペクトルの測定例を示すグラフである。
図3は、前記実施形態の磁性薄膜の1ターンコイル法による透磁率の周波数特性の測定例を示すグラフである。
図4は、前記実施形態の磁性薄膜のTEM観察像の一例を示す図である。
図5は、本発明の実施形態2の薄膜インダクタを示す主要部の断面・斜視図である。
図6は、前記薄膜インダクタにおけるインダクタンスの周波数特性の測定例を示すグラフである。
図7は、本発明の実施形態3の薄膜インダクタを示す主要部の断面・斜視図である。
図8は、本発明の積層磁性膜の基本構造を示す主要断面図である。
図9は、前記積層磁性膜の実施形態及び比較例の透磁率の周波数特性を示すグラフである。
図10は、前記実施形態の抵抗率と磁性層の厚みの関係を示すグラフである。
図11は、前記実施形態の透磁率の実部と磁性層の厚みの関係を示すグラフである。
図12は、前記実施形態の抵抗率と絶縁層の厚みの関係を示すグラフである。
図13は、前記実施形態の透磁率の実部と絶縁層の厚みの関係を示すグラフである。
図14は、前記実施形態の積層磁性膜を利用した薄膜インダクタ及び比較例のインダクタンスの周波数特性を示すグラフである。
図15は、本発明の磁性部品及び電子機器の実施形態の一例を示す斜視図である。
図16は、本発明を適用したMMICの等価回路の一例を示す回路図である。
図17は、実施形態1の磁性薄膜のX線光電子分光法による金属粒子スペクトルの他の測定例を示すグラフである。
Claims (35)
- 磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するグラニュラ磁性薄膜であって、透磁率の共振周波数が2GHz以上であることを特徴とするグラニュラ磁性薄膜。
- 磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するグラニュラ磁性薄膜であって、前記絶縁体の厚みが0.5nm〜1.5nmであることを特徴とするグラニュラ磁性薄膜。
- 磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するグラニュラ磁性薄膜であって、前記磁性粒子が非酸化磁性金属であることを特徴とするグラニュラ磁性薄膜。
- X線光電子分光法による測定によって磁性金属の酸化物のスペクトルのピークが観測されない磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在することを特徴とするグラニュラ磁性薄膜。
- 前記磁性粒子は、Co,Feの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項4記載のグラニュラ磁性薄膜。
- 前記絶縁体を酸化物セラミックスによって形成したことを特徴とする請求項4記載のグラニュラ磁性薄膜。
- 前記絶縁体がアモルファスであることを特徴とする請求項4記載のグラニュラ磁性薄膜。
- 前記絶縁体の厚みないし前記磁性粒子の間隔が0.5nm〜1.5nmであることを特徴とする請求項4記載のグラニュラ磁性薄膜。
- 磁性金属ターゲットと絶縁体ターゲットを各々用意するとともに、非酸化性雰囲気中で両ターゲットを同時にスパッタすることで、磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在する薄膜を基板上に形成することを特徴とするグラニュラ磁性薄膜の製造方法。
- 前記磁性金属ターゲットは、Co,Feの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項9記載のグラニュラ磁性薄膜の製造方法。
- 前記絶縁体ターゲットは、酸化物セラミックスからなることを特徴とする請求項9記載のグラニュラ磁性薄膜の製造方法。
- 磁性粒子が絶縁体に包み込まれたグラニュラ膜による磁性層と絶縁層とを交互に積層した積層磁性膜であって、
前記磁性層及び前記絶縁層の厚みを、絶縁層によって磁性粒子の成長を妨げるように設定したことを特徴とする積層磁性膜。 - 前記磁性層をCoFeAlO膜によって形成し、前記絶縁層をAl2O3膜によって形成したことを特徴とする請求項12記載の積層磁性膜。
- 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
5Å<WM≦130Å,WI≦10Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項13記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
10Å≦WM≦100Å,WI≦10Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項13記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
5Å<WM≦130Å,5Å≦WI≦8Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項13記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
10Å<WM≦100Å,5Å≦WI≦8Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項13記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層をCoFeSiO膜によって形成し、前記絶縁層をSiO2膜によって形成したことを特徴とする請求項12記載の積層磁性膜。
- 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
40Å≦WM≦90Å,5Å≦WI≦25Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項18記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
40Å≦WM≦90Å,7Å≦WI≦25Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項18記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
40Å≦WM≦90Å,7Å≦WI≦20Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項18記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
50Å≦WM≦75Å,5Å≦WI≦25Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項18記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
50Å≦WM≦75Å,7Å≦WI≦25Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項18記載の積層磁性膜。 - 前記磁性層の厚みをWM,前記絶縁層の厚みをWIとしたときに、
50Å≦WM≦75Å,7Å≦WI≦20Å;
の関係を満たすことを特徴とする請求項18記載の積層磁性膜。 - 請求項12〜24のいずれかに記載の積層磁性膜を利用したことを特徴とする磁性部品。
- 磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するとともに、透磁率の共振周波数が2GHz以上のグラニュラ磁性薄膜によって、部品中に含まれる磁性体を形成したことを特徴とする磁性部品。
- 磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するとともに、該絶縁体の厚みないし前記磁性粒子の間隔が0.5nm〜1.5nmであるグラニュラ磁性薄膜によって、部品中に含まれる磁性体を形成したことを特徴とする磁性部品。
- 磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するとともに、前記磁性粒子が非酸化磁性金属であるグラニュラ磁性薄膜によって、部品中に含まれる磁性体を形成したことを特徴とする磁性部品。
- X線光電子分光法による測定によって磁性金属の酸化物のスペクトルのピークが観測されない磁性粒子を包み込むように粒界に絶縁体が存在するグラニュラ磁性薄膜によって、部品中に含まれる磁性体を形成したことを特徴とする磁性部品。
- 前記磁性粒子は、Co,Feの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項29記載の磁性部品。
- 前記絶縁体を酸化物セラミックスによって形成したことを特徴とする請求項29記載の磁性部品。
- 前記絶縁体がアモルファスであることを特徴とする請求項29記載の磁性部品。
- 前記絶縁体の厚みないし前記磁性粒子の間隔が0.5nm〜1.5nmであることを特徴とする請求項29記載の磁性部品。
- 前記グラニュラ磁性薄膜又は積層磁性膜中の磁性金属の酸化を防止する酸化防止膜を形成したことを特徴とする請求項25〜33のいずれかに記載の磁性部品。
- 請求項25〜34のいずれかに記載の磁性部品を使用したことを特徴とする電子機器。
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