JP4948475B2 - 低抵抗グラニュラ膜及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の低抵抗グラニュラ膜は、(111)配向を有するMgOバリア層と、前記MgOバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を具備することを特徴とする。
(実施例)
図1に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いてタンデム式で基板上にグラニュラ膜を形成した。このとき、バリア層の材料としてMgOを用い、強磁性体としてFeCoを用いた。基板−ターゲット間距離を85mmとし、放電出力をFeCo 120W、MgO 1000Wとし、基板公転数を5rpmとした。このような条件でプラズマ干渉状態を最適化することにより、グラニュラ膜のバリア層においては、(111)配向のMgOが形成された。また、グラニュラ膜における強磁性体/MgOの組成比は25.7原子%であり、強磁性体微粒子の粒径は2nm〜5nmであった。
図1に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いてタンデム式で基板上にグラニュラ膜を形成した。このとき、バリア層の材料としてMgOを用い、強磁性体としてFeCoを用いた。基板−ターゲット間距離を85mmとし、放電出力をFeCo 170W、MgO 1000Wとし、基板公転数を7rpmとした。このような条件を用いることにより、グラニュラ膜のバリア層においては、(100)配向のMgOが形成された。また、グラニュラ膜における強磁性体/MgOの組成比は25.8原子%であり、強磁性体微粒子の粒径は2nm〜5nmであった。
図1に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いてタンデム式で基板上にグラニュラ膜を形成した。このとき、バリア層の材料としてMgF2を用い、強磁性体としてFeCoを用いた。基板−ターゲット間距離を105mmとし、放電出力をFeCo 250W、MgF2 400Wとし、基板公転数を11rpmとした。また、グラニュラ膜における強磁性体/MgF2の組成比は25.8原子%であり、強磁性体微粒子の粒径は2nm〜5nmであった。
2 ターゲット取り付け台
3 バリア層用ターゲット
4 強磁性体用ターゲット
5 下部シールド
6 上部シールド
7 載置台
8 基板
9 シャッタ
Claims (3)
- (111)配向を有するMgOバリア層と、前記MgOバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を具備することを特徴とする低抵抗グラニュラ膜。
- MgOターゲット及び強磁性体ターゲットを備え、基板に対してMgO及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板上に(111)配向を有するMgOバリア層と、前記MgOバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成することを特徴とする低抵抗グラニュラ膜の製造方法。
- 請求項1記載の低抵抗グラニュラ膜を用いてなることを特徴とするGIG素子。
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