JPS645454B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS645454B2 JPS645454B2 JP4555181A JP4555181A JPS645454B2 JP S645454 B2 JPS645454 B2 JP S645454B2 JP 4555181 A JP4555181 A JP 4555181A JP 4555181 A JP4555181 A JP 4555181A JP S645454 B2 JPS645454 B2 JP S645454B2
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- JP
- Japan
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- water
- cleaning
- tank
- cleaned
- flow control
- Prior art date
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- Expired
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 36
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はオーバーフロー式の洗浄槽に関するも
のである。
のである。
一般に、たとえば半導体製品の連続半田付け工
程等において使用されている洗浄槽の場合、被洗
浄物が上下動することなく、オーバーフローする
洗浄水中を水平方向に通過する構造が用いられる
ことがある。
程等において使用されている洗浄槽の場合、被洗
浄物が上下動することなく、オーバーフローする
洗浄水中を水平方向に通過する構造が用いられる
ことがある。
その場合、被洗浄物を洗浄水中に通すには、オ
ーバーフローする洗浄水の液深を十分に確保する
必要がある。ところが、コスト上の理由等により
洗浄水の水量には限度があるので、従来は洗浄槽
のオーバーフロー部分に制流ブラシを設けること
によつて、オーバーフローする水量を抑制し、液
深を確保する構造が用いられている。
ーバーフローする洗浄水の液深を十分に確保する
必要がある。ところが、コスト上の理由等により
洗浄水の水量には限度があるので、従来は洗浄槽
のオーバーフロー部分に制流ブラシを設けること
によつて、オーバーフローする水量を抑制し、液
深を確保する構造が用いられている。
ところが、前記従来構造においては、制流ブラ
シは簡単に撓み易いので、所望の一定の水位を得
ることが困難であり、一方制流ブラシを硬い材料
で作ると、被洗浄物がオーバーフロー部分を通過
する時に制流ブラシと接触することにより、変形
や損傷あるいは治具からの落下を生じるおそれが
ある。また、制流ブラシの各植毛の取付部が破壊
され易いので、寿命が短い等の問題点もある。
シは簡単に撓み易いので、所望の一定の水位を得
ることが困難であり、一方制流ブラシを硬い材料
で作ると、被洗浄物がオーバーフロー部分を通過
する時に制流ブラシと接触することにより、変形
や損傷あるいは治具からの落下を生じるおそれが
ある。また、制流ブラシの各植毛の取付部が破壊
され易いので、寿命が短い等の問題点もある。
本発明は前記従来技術の問題点を解消するため
になされたもので、洗浄水の水位を一定に維持す
ることができ、しかも被洗浄物の変形や損傷、落
下等を生じることがなく、良好な洗浄効果を得る
ことができる洗浄槽を提供することを目的とする
ものである。
になされたもので、洗浄水の水位を一定に維持す
ることができ、しかも被洗浄物の変形や損傷、落
下等を生じることがなく、良好な洗浄効果を得る
ことができる洗浄槽を提供することを目的とする
ものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがつて
さらに説明する。
さらに説明する。
第１図は本発明による洗浄槽の一実施例を示す
略断面図である。
略断面図である。
本実施例においては、洗浄槽１０は底部に洗浄
水１２用の給水口１４を有し、また長さ方向の両
側に洗浄水１２のオーバーフロー部分１６，１８
を有している。
水１２用の給水口１４を有し、また長さ方向の両
側に洗浄水１２のオーバーフロー部分１６，１８
を有している。
オーバーフロー部分１６，１８の各々の内側に
は、幅方向へのスリツト状噴流口を持つ噴流ノズ
ル２０，２２が固定されている。噴流ノズル２
０，２２は水または空気の如き流体を幅方向への
帯状に上方向に噴出し、その噴出圧により洗浄水
１２のオーバーフロー水量を制御し、洗浄水１２
の水位を所定高さに保つものである。すなわち、
噴流ノズル２０，２２からの噴出流体の噴出圧に
より、洗浄槽１０内の洗浄水１２の水位は、キヤ
リア治具２４上に支持された被洗浄物２６が矢印
の如く洗浄水１２中を水平方向に搬送中に洗浄さ
れるのに十分な深さのままで一定に維持される。
は、幅方向へのスリツト状噴流口を持つ噴流ノズ
ル２０，２２が固定されている。噴流ノズル２
０，２２は水または空気の如き流体を幅方向への
帯状に上方向に噴出し、その噴出圧により洗浄水
１２のオーバーフロー水量を制御し、洗浄水１２
の水位を所定高さに保つものである。すなわち、
噴流ノズル２０，２２からの噴出流体の噴出圧に
より、洗浄槽１０内の洗浄水１２の水位は、キヤ
リア治具２４上に支持された被洗浄物２６が矢印
の如く洗浄水１２中を水平方向に搬送中に洗浄さ
れるのに十分な深さのままで一定に維持される。
次に、本実施例の作用について説明する。ま
ず、洗浄槽１０の中に洗浄水１２を給水口１４か
ら一杯に供給しながら、噴流ノズル２０，２２か
ら水または空気の如き流体を幅方向への帯状に上
方向に噴出すると、その流体噴出圧により、洗浄
水１２の水位は、キヤリア治具２４上の被洗浄物
２６が水平方向への移動中に洗浄水１２中に完全
に水没するのに十分な深さの一定水位ままで保た
れる。
ず、洗浄槽１０の中に洗浄水１２を給水口１４か
ら一杯に供給しながら、噴流ノズル２０，２２か
ら水または空気の如き流体を幅方向への帯状に上
方向に噴出すると、その流体噴出圧により、洗浄
水１２の水位は、キヤリア治具２４上の被洗浄物
２６が水平方向への移動中に洗浄水１２中に完全
に水没するのに十分な深さの一定水位ままで保た
れる。
この状態で、キヤリア治具２４上に支持された
被洗浄物２４を矢印で示す如く第１図の左側から
右方向に搬送すると、被洗浄物２４はオーバーフ
ロー部分１６を通過するあたりから洗浄水１２中
に水没し、そのまま被洗浄物２４を水平方向右側
に移動させて行くにつれて、被洗浄物２４は洗浄
水１２によつて清浄化される。洗浄を終えた被洗
浄物２４はオーバーフロー部分１８上を通過して
洗浄槽１０の外部に搬出される。
被洗浄物２４を矢印で示す如く第１図の左側から
右方向に搬送すると、被洗浄物２４はオーバーフ
ロー部分１６を通過するあたりから洗浄水１２中
に水没し、そのまま被洗浄物２４を水平方向右側
に移動させて行くにつれて、被洗浄物２４は洗浄
水１２によつて清浄化される。洗浄を終えた被洗
浄物２４はオーバーフロー部分１８上を通過して
洗浄槽１０の外部に搬出される。
本実施例においては、洗浄水１２中を通過する
被洗浄物２４は何ら機械的抵抗を受けることがな
く、変形や摩耗、損傷、落下等を生じることを防
止できる。また、本実施例では、噴流ノズル２
０，２２からの噴出流体の噴出圧を一定に制御す
ることにより洗浄水１２の水位を常に一定に保つ
ことができる。さらに、被洗浄物２４が噴流ノズ
ル２０，２２からの噴出流体中を通過する際に該
噴出流体の噴流により良好な洗浄作用を受けるの
で、洗浄効果が著しく向上し、また洗浄水１２の
節約を図ることができる。
被洗浄物２４は何ら機械的抵抗を受けることがな
く、変形や摩耗、損傷、落下等を生じることを防
止できる。また、本実施例では、噴流ノズル２
０，２２からの噴出流体の噴出圧を一定に制御す
ることにより洗浄水１２の水位を常に一定に保つ
ことができる。さらに、被洗浄物２４が噴流ノズ
ル２０，２２からの噴出流体中を通過する際に該
噴出流体の噴流により良好な洗浄作用を受けるの
で、洗浄効果が著しく向上し、また洗浄水１２の
節約を図ることができる。
第２図は本発明による洗浄槽の他の１つの実施
例を示す略断面図である。本実施例においては、
洗浄水１２の水位を所定高さに制御するための手
段として３枚の可撓性プラスチツクフイルム材料
よりなる制流板３２，３４が取付バー２８，３０
の各上面に直立状に設けられている。本実施例の
制流板３２，３４はいずれも３枚のうちの最も内
側のものが最も高く、外側に向けて階段状に低く
なるよう選ばれており、制流板３２，３４上をオ
ーバーフローする洗浄水１２は階段状に流れる。
制流板３２，３４を可撓性プラスチツクフイルム
の段差構造にしたことにより、本実施例によれ
ば、洗浄水１２は全体的に十分大きい液深を得る
ことができ、しかも制流ブラシを用いる場合より
も安定した所定の水位を維持できる上に、制流板
３２，３４は相互間の段差分の水圧しか受けない
ので、その厚さを薄くすることができ、被洗浄物
２４が制流板３２，３４とのこすれにより変形等
を受けることを最少限に抑制しうる等の利点が得
られる。また、制流板３２，３４はその取付バー
２８，３０への取付部が制流ブラシの場合よりも
堅牢であるので、寿命がより長いという利点もあ
り、洗浄水１２を節約することもできる。
例を示す略断面図である。本実施例においては、
洗浄水１２の水位を所定高さに制御するための手
段として３枚の可撓性プラスチツクフイルム材料
よりなる制流板３２，３４が取付バー２８，３０
の各上面に直立状に設けられている。本実施例の
制流板３２，３４はいずれも３枚のうちの最も内
側のものが最も高く、外側に向けて階段状に低く
なるよう選ばれており、制流板３２，３４上をオ
ーバーフローする洗浄水１２は階段状に流れる。
制流板３２，３４を可撓性プラスチツクフイルム
の段差構造にしたことにより、本実施例によれ
ば、洗浄水１２は全体的に十分大きい液深を得る
ことができ、しかも制流ブラシを用いる場合より
も安定した所定の水位を維持できる上に、制流板
３２，３４は相互間の段差分の水圧しか受けない
ので、その厚さを薄くすることができ、被洗浄物
２４が制流板３２，３４とのこすれにより変形等
を受けることを最少限に抑制しうる等の利点が得
られる。また、制流板３２，３４はその取付バー
２８，３０への取付部が制流ブラシの場合よりも
堅牢であるので、寿命がより長いという利点もあ
り、洗浄水１２を節約することもできる。
以上説明したように、本発明によれば、洗浄水
の水位を所定高さに一定に維持でき、被洗浄物が
機械的抵抗により変形や摩耗、損傷、落下等を起
こすことを防止できる上に、より良好な洗浄効
果、節水効果を得ることが可能である。
の水位を所定高さに一定に維持でき、被洗浄物が
機械的抵抗により変形や摩耗、損傷、落下等を起
こすことを防止できる上に、より良好な洗浄効
果、節水効果を得ることが可能である。
第１図は本発明による洗浄槽の一実施例を示す
略断面図、第２図は本発明の他の１つの実施例を
示す略断面図である。 １０……洗浄槽、１２……洗浄水、１４……給
水口、１６，１８……オーバーフロー部分、２
０，２２……制流ノズル、２４……キヤリア治
具、２６……被洗浄物、２８，３０……取付バ
ー、３２，３４……制流板。
略断面図、第２図は本発明の他の１つの実施例を
示す略断面図である。 １０……洗浄槽、１２……洗浄水、１４……給
水口、１６，１８……オーバーフロー部分、２
０，２２……制流ノズル、２４……キヤリア治
具、２６……被洗浄物、２８，３０……取付バ
ー、３２，３４……制流板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 洗浄水をオーバーフローさせる部分に幅方向
への噴流ノズルを設け、水中から水面方向に向つ
て該噴流ノズルから噴出される流体の圧力により
オーバーフロー水量を制御するようにした洗浄
槽。 ２ 洗浄水をオーバーフローさせる部分に幅方向
への可撓性の制流板を槽の内側から外側に順次高
さが低くなるよう階段状に複数枚設けた洗浄槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4555181A JPS57160131A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Washing cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4555181A JPS57160131A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Washing cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57160131A JPS57160131A (en) | 1982-10-02 |
| JPS645454B2 true JPS645454B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=12722491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4555181A Granted JPS57160131A (en) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | Washing cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57160131A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5974887U (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-21 | ソニー株式会社 | 洗浄装置 |
| JPS60163436A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-26 | Seiichiro Sogo | 半導体材料の洗浄乾燥方法 |
| JPS61254280A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-12 | オムロン株式会社 | 超音波洗浄装置 |
| KR0166831B1 (ko) * | 1995-12-18 | 1999-02-01 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 세정장치 및 방법 |
-
1981
- 1981-03-30 JP JP4555181A patent/JPS57160131A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57160131A (en) | 1982-10-02 |
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