JPS6217873B2 - - Google Patents
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- JPS6217873B2 JPS6217873B2 JP14238380A JP14238380A JPS6217873B2 JP S6217873 B2 JPS6217873 B2 JP S6217873B2 JP 14238380 A JP14238380 A JP 14238380A JP 14238380 A JP14238380 A JP 14238380A JP S6217873 B2 JPS6217873 B2 JP S6217873B2
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- mold film
- mold
- lead
- semiconductor device
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4835—Cleaning, e.g. removing of solder
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置製造工程において樹脂モー
ルド後の外部リードの仕上げめつき前処理に係る
自動モールド膜除去方法に関するものである。
ルド後の外部リードの仕上げめつき前処理に係る
自動モールド膜除去方法に関するものである。
一般にリードフレームのアイランドにシリコン
半導体素子を接着し金細線などで半導体素子とリ
ードフレームの外部リードとなる内側端部とをボ
ンデング組立を行なつた後、第１図、第２図の如
くリードフレームに樹脂モールド２を施しモール
ド済みリードフレーム１を作る。然る後完成半導
体装置の外部リードとなる部分３，４および連結
体（タイバー）５，５′と外側連結体６，７の付
いたままでモールド部以外を一般に錫、半田又は
金などの仕上げめつきを施して半田付け性、耐食
性をよくしたる後上記連結体の大部分を除去して
個々の完成半導体装置している。しかし樹脂モー
ルドを施す部分は第１図の斜線を施した部分２に
局限されるべきであるがモールド型およびその消
耗、リードフレームの変形およびその抜き加工に
よる変形などで半導体外部リードとなる部分３，
４と連結体５などで囲まれた空隙（第２図で交叉
斜線で示す部分）にモールド充填膜８となり張り
付いたり、またその周辺や外部リードとなる他の
部分にモールド材が食み出して被覆被膜として固
着する。これらを仕上げめつき前に除去する必要
がある。したがつてこのモールド充填膜８及び外
部リード上のモールド材被覆被膜（以下これらを
モールド膜と呼称する）は不要なモールド膜であ
る。これらが残存すると半導体装置の露出外部リ
ードの仕上けめつきを施す場合の障害となる。こ
れらモールド膜を除去るためには一般に研磨剤を
利用するサンドブラストや液体ホーニングを用い
てこれを除去しているが研磨剤により外部リード
に疵を付けたり、また削り取られた金属粉の外部
流出防止の処理を必要とする欠点がある。また、
苛性ソーダ又はシアン化ソーダなどのアルカリ水
溶液に浸漬し電解して不要モールド膜を膨潤した
る後手作業で刷子掛けしたり回転刷子掛けして
個々に除去したりしているが除去作業に時間がか
かり能率極めて悪く不要モールド膜の完全除去が
困難である欠点がある。
半導体素子を接着し金細線などで半導体素子とリ
ードフレームの外部リードとなる内側端部とをボ
ンデング組立を行なつた後、第１図、第２図の如
くリードフレームに樹脂モールド２を施しモール
ド済みリードフレーム１を作る。然る後完成半導
体装置の外部リードとなる部分３，４および連結
体（タイバー）５，５′と外側連結体６，７の付
いたままでモールド部以外を一般に錫、半田又は
金などの仕上げめつきを施して半田付け性、耐食
性をよくしたる後上記連結体の大部分を除去して
個々の完成半導体装置している。しかし樹脂モー
ルドを施す部分は第１図の斜線を施した部分２に
局限されるべきであるがモールド型およびその消
耗、リードフレームの変形およびその抜き加工に
よる変形などで半導体外部リードとなる部分３，
４と連結体５などで囲まれた空隙（第２図で交叉
斜線で示す部分）にモールド充填膜８となり張り
付いたり、またその周辺や外部リードとなる他の
部分にモールド材が食み出して被覆被膜として固
着する。これらを仕上げめつき前に除去する必要
がある。したがつてこのモールド充填膜８及び外
部リード上のモールド材被覆被膜（以下これらを
モールド膜と呼称する）は不要なモールド膜であ
る。これらが残存すると半導体装置の露出外部リ
ードの仕上けめつきを施す場合の障害となる。こ
れらモールド膜を除去るためには一般に研磨剤を
利用するサンドブラストや液体ホーニングを用い
てこれを除去しているが研磨剤により外部リード
に疵を付けたり、また削り取られた金属粉の外部
流出防止の処理を必要とする欠点がある。また、
苛性ソーダ又はシアン化ソーダなどのアルカリ水
溶液に浸漬し電解して不要モールド膜を膨潤した
る後手作業で刷子掛けしたり回転刷子掛けして
個々に除去したりしているが除去作業に時間がか
かり能率極めて悪く不要モールド膜の完全除去が
困難である欠点がある。
本発明はかかる欠点を除去する自動モールド膜
除去方法を提供するもである。即ち樹脂モールド
済み半導体装置リードフレーム上のモールド膜を
アルカリ水溶液中で電解し膨潤せしめたる後リー
ドフレームの外側連結体で横振れ振動防止の搬送
機構とこれを挾んで高圧タン箱に取り付けられた
ノズル群を別々に配置し、前記ノズル群に相対し
変形防止受具を具備せしめ、搬送されるリードフ
レームの表裏に向つてノズルよりの高速ジエツト
水流を噴き付けることにより半導体装置の外部リ
ード上のモールド膜を除去することを特徴とする
自動モールド膜を除去する仕上げめつき前の処理
方法である。
除去方法を提供するもである。即ち樹脂モールド
済み半導体装置リードフレーム上のモールド膜を
アルカリ水溶液中で電解し膨潤せしめたる後リー
ドフレームの外側連結体で横振れ振動防止の搬送
機構とこれを挾んで高圧タン箱に取り付けられた
ノズル群を別々に配置し、前記ノズル群に相対し
変形防止受具を具備せしめ、搬送されるリードフ
レームの表裏に向つてノズルよりの高速ジエツト
水流を噴き付けることにより半導体装置の外部リ
ード上のモールド膜を除去することを特徴とする
自動モールド膜を除去する仕上げめつき前の処理
方法である。
本発明を実施例を挙げ詳細に説明する。
実施例 １
第４図の如くモールド膜を膨潤せしめたリード
フレーム１（以下リードフレームと呼称する）を
その外側連結体をローラ９，９′の内側周縁にお
いて挾み合い且つ位置決めするようにしてこれら
ガイド兼送りローラを第３図の如く一連配置す
る。上部ローラ９′には荷重をかけ（この荷重は
図には省略してある。）リードフレーム（第３図
においては樹脂モールド部は省略してある。）を
挾持しつつローラ駆動装置１０により各ローラを
回転せしめ左より右に搬送する。この場合リード
フレームの位置決めを確実にし且つ横振れ上下振
動を防止しつつ搬送するものである。その途中に
おいてこの一連のローラ群の上部および下部に
別々に配置された圧力タンク箱１１，１１′に高
圧ポンプ１６，１６′より連続供給される圧水が
圧力タンク箱１１，１１′に取り付けられた多数
のノズル１２，１２′より高速ジエツト水流を上
下よりリードフレームの表裏に向つて噴射されリ
ードフレームの表裏上の不要モールド膜を短時間
内に噴き離して水とともに水飛散防止用のケース
１３の下部に流され排水口１４より排出される。
ノズル群の反対側に配置される受板１５，１５′
は射出水圧によるリードフレームの変曲、変形を
防ぐためのもである。清浄ずみのリードフレーム
はケース１３外に送り出されて受け箱１７に収容
され仕上けめつき工程に移される。リードフレー
ムの品種による寸法変化に対応してローラ保持間
隔を調整するにはローラ間隔調整器１８を付する
と便利である。不要モールド膜除去後の排出水を
循還再利用するためにはこれをフイルター、濾過
器を利用して清浄水にて再利用も可能である。
フレーム１（以下リードフレームと呼称する）を
その外側連結体をローラ９，９′の内側周縁にお
いて挾み合い且つ位置決めするようにしてこれら
ガイド兼送りローラを第３図の如く一連配置す
る。上部ローラ９′には荷重をかけ（この荷重は
図には省略してある。）リードフレーム（第３図
においては樹脂モールド部は省略してある。）を
挾持しつつローラ駆動装置１０により各ローラを
回転せしめ左より右に搬送する。この場合リード
フレームの位置決めを確実にし且つ横振れ上下振
動を防止しつつ搬送するものである。その途中に
おいてこの一連のローラ群の上部および下部に
別々に配置された圧力タンク箱１１，１１′に高
圧ポンプ１６，１６′より連続供給される圧水が
圧力タンク箱１１，１１′に取り付けられた多数
のノズル１２，１２′より高速ジエツト水流を上
下よりリードフレームの表裏に向つて噴射されリ
ードフレームの表裏上の不要モールド膜を短時間
内に噴き離して水とともに水飛散防止用のケース
１３の下部に流され排水口１４より排出される。
ノズル群の反対側に配置される受板１５，１５′
は射出水圧によるリードフレームの変曲、変形を
防ぐためのもである。清浄ずみのリードフレーム
はケース１３外に送り出されて受け箱１７に収容
され仕上けめつき工程に移される。リードフレー
ムの品種による寸法変化に対応してローラ保持間
隔を調整するにはローラ間隔調整器１８を付する
と便利である。不要モールド膜除去後の排出水を
循還再利用するためにはこれをフイルター、濾過
器を利用して清浄水にて再利用も可能である。
実施例 ２
第５、第６図に示す如くチエーン１９をドラム
２０に掛け駆動機１０でエンドレスに回転しこの
チエーンはピン２２を間隔を置いてピン付きチエ
ーン２１とする。このピンの位置間隔大きさはリ
ードフレームの外側連結体の孔に合わして設置す
る。このピンは必ずしも外側連結体の孔に合わす
必要はなく場合によつてはリードフレームをそれ
ぞれ後押しするようにしてもよい。また第５図、
第６図では第３図、第４図で縦長リードフレーム
の向きが違つていて横長の向きになつているが何
れでも構わない。第５図の左端でリードフレーム
を次々にチエーンに装着送り込む。この位置での
リードフレームの位置決め横振防止のためリード
フレームの両側にガイドを設置するが、ケース１
３内においては第６図の如くリードフレームのガ
イド２３はコの字型にしてその中にリードフレー
ム両側が納まり上下振動を防止してノズル１２，
１２′よりの高速ジエツト水流による上下振動、
横振れを防止する如くする。この他の圧力タンク
箱１１，１１′、ノズル１２，１２′受板１５，１
５′の配置作用は実施例１と同じであるので説明
を省略する。
２０に掛け駆動機１０でエンドレスに回転しこの
チエーンはピン２２を間隔を置いてピン付きチエ
ーン２１とする。このピンの位置間隔大きさはリ
ードフレームの外側連結体の孔に合わして設置す
る。このピンは必ずしも外側連結体の孔に合わす
必要はなく場合によつてはリードフレームをそれ
ぞれ後押しするようにしてもよい。また第５図、
第６図では第３図、第４図で縦長リードフレーム
の向きが違つていて横長の向きになつているが何
れでも構わない。第５図の左端でリードフレーム
を次々にチエーンに装着送り込む。この位置での
リードフレームの位置決め横振防止のためリード
フレームの両側にガイドを設置するが、ケース１
３内においては第６図の如くリードフレームのガ
イド２３はコの字型にしてその中にリードフレー
ム両側が納まり上下振動を防止してノズル１２，
１２′よりの高速ジエツト水流による上下振動、
横振れを防止する如くする。この他の圧力タンク
箱１１，１１′、ノズル１２，１２′受板１５，１
５′の配置作用は実施例１と同じであるので説明
を省略する。
以上の実施例はいづれもリードフレームを水平
にしてジエツト水流も上下向きにしてあるが必ず
しもリードフレームを水平にしなくても垂直にし
てこれに伴いジエツト水流はこのリードフレーム
の表裏に噴き付けるようにしてもよい。
にしてジエツト水流も上下向きにしてあるが必ず
しもリードフレームを水平にしなくても垂直にし
てこれに伴いジエツト水流はこのリードフレーム
の表裏に噴き付けるようにしてもよい。
また、ノズルの噴口形状は円に限らず楕円、矩
形、長方形を含むものとする。
形、長方形を含むものとする。
本発明の装置の高能率性の１例を挙けると水に
与える圧力を40Kg／cm2〜80Kg／cm2とし、ノズル直
径0.3mm〓〜0.5mm〓ノズルとリードフレームとの
距離30mmでリードフレームの移動速度300mm／sec
の条件で縦長さ、230mmリードフレーム１枚を清
浄に処理する時間はただの１秒に過ぎない。また
横長さ225〜70mmリードフレーム１枚を流して処
理する時間はただの0.1〜0.3秒になることは勿論
である。従来の方法では１枚当り10秒以下にする
ことは極めて困難である。従来の回転刷子を用い
る装置では大型で刷子消耗がありその取替え時間
調整時間がかかるに比し本発明では小型で、消耗
部品殆んどなく維持費も極めて少なく調整極めて
簡単で小人数で工数少なく経済的である特徴があ
る。
与える圧力を40Kg／cm2〜80Kg／cm2とし、ノズル直
径0.3mm〓〜0.5mm〓ノズルとリードフレームとの
距離30mmでリードフレームの移動速度300mm／sec
の条件で縦長さ、230mmリードフレーム１枚を清
浄に処理する時間はただの１秒に過ぎない。また
横長さ225〜70mmリードフレーム１枚を流して処
理する時間はただの0.1〜0.3秒になることは勿論
である。従来の方法では１枚当り10秒以下にする
ことは極めて困難である。従来の回転刷子を用い
る装置では大型で刷子消耗がありその取替え時間
調整時間がかかるに比し本発明では小型で、消耗
部品殆んどなく維持費も極めて少なく調整極めて
簡単で小人数で工数少なく経済的である特徴があ
る。
上述の実施例は噴出ジエツト水の噴射をリード
フレームの表裏にそれぞれ１回づつについて述べ
たがこれを２回以上繰り返しすれば清浄効果、送
り速度の向上も可能なこと勿論である。
フレームの表裏にそれぞれ１回づつについて述べ
たがこれを２回以上繰り返しすれば清浄効果、送
り速度の向上も可能なこと勿論である。
以上詳述せる如く本発明の方法はリードフレー
ム上の不要モールド膜の除去において高能率、高
性能で経済的処理可能な特徴を有するものであ
る。
ム上の不要モールド膜の除去において高能率、高
性能で経済的処理可能な特徴を有するものであ
る。
第１図はモールド済み半導体装置リードフレー
ム説明用上面図、第２図はモールド済み半導体装
置リードフレームの一部拡大の説明図、第３図は
本発明の一実施例の構成を示す側面図、第４図は
本発明の一実施例の第３図Ａ―A′の断面図、第
５図は本発明の他の実施例の構成を示す側面図、
第６図は本発明の一実施例の第５図Ｂ―B′断面
図。 １…樹脂モールド済みリードフレーム、２…樹
脂モールド部、６，７…リードフレーム外側連結
体、９，９′…ガイド兼送りローラ、１０…リー
ドフレーム送り駆動機、１１，１１′…圧力タン
ク箱、１２，１２′…ノズル、１５，１５′…受
板、１６，１６′…高圧ポンプ、１８…ローラ間
隔調整器、１９…チエーン、２０…ドラム、２１
…ピン付きチエーン、２２…ピン、２３…ガイ、
２４…チエーンガイド。
ム説明用上面図、第２図はモールド済み半導体装
置リードフレームの一部拡大の説明図、第３図は
本発明の一実施例の構成を示す側面図、第４図は
本発明の一実施例の第３図Ａ―A′の断面図、第
５図は本発明の他の実施例の構成を示す側面図、
第６図は本発明の一実施例の第５図Ｂ―B′断面
図。 １…樹脂モールド済みリードフレーム、２…樹
脂モールド部、６，７…リードフレーム外側連結
体、９，９′…ガイド兼送りローラ、１０…リー
ドフレーム送り駆動機、１１，１１′…圧力タン
ク箱、１２，１２′…ノズル、１５，１５′…受
板、１６，１６′…高圧ポンプ、１８…ローラ間
隔調整器、１９…チエーン、２０…ドラム、２１
…ピン付きチエーン、２２…ピン、２３…ガイ、
２４…チエーンガイド。
Claims (1)
- １ 樹脂モールド済み半導体装置リードフレーム
上のモールド膜をアルカリ性水溶液中の電解で膨
潤せしめたる後リードフレームの外側連結体で横
振れ、振動防止の搬送機構とこれを挾んで高圧タ
ンク箱に取り付けられたノズル群を別々に配置
し、前記ノズル群に相対し変形防止受具を具備せ
しめ、搬送されるリードフレームの表裏に向つて
ノズルよりの高速ジエツト水流を噴き付けること
により半導体装置の外部リード上のモールド膜を
除去することを特徴とする外部リード仕上げめつ
き前の自動モールド膜除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14238380A JPS5766657A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Apparatus for automatically removing molded film before finish plating for external lead of molded semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14238380A JPS5766657A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Apparatus for automatically removing molded film before finish plating for external lead of molded semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5766657A JPS5766657A (en) | 1982-04-22 |
| JPS6217873B2 true JPS6217873B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=15314081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14238380A Granted JPS5766657A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Apparatus for automatically removing molded film before finish plating for external lead of molded semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5766657A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59111335A (ja) * | 1982-12-17 | 1984-06-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の不要樹脂除去方法 |
| JPS61119048A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-06 | Kyushu Nogeden:Kk | モ−ルド体より喰み出した被膜除去自動装置 |
| JPS61160944A (ja) * | 1985-01-09 | 1986-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61295637A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-26 | Tamura Seisakusho Co Ltd | Ｉｃリ−ドフレ−ムの過剰モ−ルド除去方法 |
| JPS62190732A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-20 | Hitachi Ltd | 半導体バリ取り装置の搬送レ−ル |
| JPH075632Y2 (ja) * | 1991-09-18 | 1995-02-08 | マコー株式会社 | リードフレームクリーニング装置におけるリードフレーム搬送機構 |
| JP2760339B2 (ja) * | 1996-03-05 | 1998-05-28 | 日本電気株式会社 | リードフレームのばり取り方法およびリードフレーム用ばり取り装置 |
| US20040194803A1 (en) * | 2003-04-04 | 2004-10-07 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Cleaning of an electronic device |
-
1980
- 1980-10-14 JP JP14238380A patent/JPS5766657A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5766657A (en) | 1982-04-22 |
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