JPS6412255B2 - - Google Patents
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- JPS6412255B2 JPS6412255B2 JP56167324A JP16732481A JPS6412255B2 JP S6412255 B2 JPS6412255 B2 JP S6412255B2 JP 56167324 A JP56167324 A JP 56167324A JP 16732481 A JP16732481 A JP 16732481A JP S6412255 B2 JPS6412255 B2 JP S6412255B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/58—Preparation of carboxylic acid halides
- C07C51/60—Preparation of carboxylic acid halides by conversion of carboxylic acids or their anhydrides or esters, lactones, salts into halides with the same carboxylic acid part
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は重縮合可能な高純度の芳香族カルボン
酸クロライドの一段階製造方法に関するものであ
る。該方法は塩化チオニルを使用し、そして触媒
として第三級酸化ホスフイン又はそれと塩化チオ
ニル及び/又は生成した酸クロライドとの反応生
成物を使用する。脂肪族及び芳香族カルボン酸と
塩化チオニルとの反応は、対応する酸クロライド
を製造するための製造有機化学で標準的な方法で
ある。残念なことに、96〜99重量%だけのカルボ
ン酸クロライド含有量を有する濃色の反応生成物
が普通得られる。これらのように不純な芳香族ジ
カルボン酸ジクロライドは、例えば芳香族ポリア
ミド又は芳香族ポリエステルの如き高分子量重縮
合物の製造用の二相界面方法により直接反応させ
ることはできない。それらの中の未反応のもしく
は半分反応したジカルボン酸の存在は重縮合反応
を妨害し、望ましくない連鎖終結を生じ、末端カ
ルボキシル基を有する重合体を与え、そしてポリ
エステルの場合には別の無水物構造を含有してい
る重合体を与える。塩化チオニル及び触媒として
のジメチルホルムアミドを使用する酸クロライド
の製造においては〔ドイツ特許1026750参照〕、か
なりの量のジメチルカルバミン酸クロライドが副
生物として生成し、それはさらに生成物を汚染さ
せるか、又は任意に再循環されている過剰の塩化
チオニル中に集積する。
酸クロライドの一段階製造方法に関するものであ
る。該方法は塩化チオニルを使用し、そして触媒
として第三級酸化ホスフイン又はそれと塩化チオ
ニル及び/又は生成した酸クロライドとの反応生
成物を使用する。脂肪族及び芳香族カルボン酸と
塩化チオニルとの反応は、対応する酸クロライド
を製造するための製造有機化学で標準的な方法で
ある。残念なことに、96〜99重量%だけのカルボ
ン酸クロライド含有量を有する濃色の反応生成物
が普通得られる。これらのように不純な芳香族ジ
カルボン酸ジクロライドは、例えば芳香族ポリア
ミド又は芳香族ポリエステルの如き高分子量重縮
合物の製造用の二相界面方法により直接反応させ
ることはできない。それらの中の未反応のもしく
は半分反応したジカルボン酸の存在は重縮合反応
を妨害し、望ましくない連鎖終結を生じ、末端カ
ルボキシル基を有する重合体を与え、そしてポリ
エステルの場合には別の無水物構造を含有してい
る重合体を与える。塩化チオニル及び触媒として
のジメチルホルムアミドを使用する酸クロライド
の製造においては〔ドイツ特許1026750参照〕、か
なりの量のジメチルカルバミン酸クロライドが副
生物として生成し、それはさらに生成物を汚染さ
せるか、又は任意に再循環されている過剰の塩化
チオニル中に集積する。
さらに、この方法で生成した酸クロライドは元
素状及び特に結合形の硫黄を含有しており、それ
は生成する重縮合物の性質に悪影響を与える。
素状及び特に結合形の硫黄を含有しており、それ
は生成する重縮合物の性質に悪影響を与える。
この方法により≧99.9%の純度を有する無色の
ジカルボン酸ジクロライドを得るためには、生成
物を再結晶化又は蒸留により精製しなければなら
ない。これは別の装置を要し、そして収率を低下
させる。蒸留は瞬間的分解の危険を伴なう。
ジカルボン酸ジクロライドを得るためには、生成
物を再結晶化又は蒸留により精製しなければなら
ない。これは別の装置を要し、そして収率を低下
させる。蒸留は瞬間的分解の危険を伴なう。
触媒としての第三級酸化ホスフイン又はそれと
塩化チオニル及び/又は生成した酸クロライドと
の反応生成物の存在下での、塩化チオニルと芳香
族モノ−、ジ−及びトリ−カルボン酸との反応
が、≦0.05%のCOOH−含有量及び≦50ppmの全硫
黄含有量を有する無色の芳香族カルボン酸クロラ
イドを与え、その結果それらをその後精製するこ
となく無色の高分子量重縮合物の製造用に使用で
きる。
塩化チオニル及び/又は生成した酸クロライドと
の反応生成物の存在下での、塩化チオニルと芳香
族モノ−、ジ−及びトリ−カルボン酸との反応
が、≦0.05%のCOOH−含有量及び≦50ppmの全硫
黄含有量を有する無色の芳香族カルボン酸クロラ
イドを与え、その結果それらをその後精製するこ
となく無色の高分子量重縮合物の製造用に使用で
きる。
従つて、本発明は触媒として第三級酸化ホスフ
イン又はそれと塩化チオニル及び/又は生成され
るべき酸クロライドとの反応生成物を用いること
を特徴とする、相当する酸を塩化チオニルと反応
させることによる純粋な、特に硫黄を含まない、
芳香族カルボン酸クロライドの一段階製造方法を
提供するものである。本発明に従い触媒として使
用される酸化ホスフイン及びそれらの反応生成物
は酸クロライド中に残存でき、生成する重縮合物
の性質に亜影響を与えない。
イン又はそれと塩化チオニル及び/又は生成され
るべき酸クロライドとの反応生成物を用いること
を特徴とする、相当する酸を塩化チオニルと反応
させることによる純粋な、特に硫黄を含まない、
芳香族カルボン酸クロライドの一段階製造方法を
提供するものである。本発明に従い触媒として使
用される酸化ホスフイン及びそれらの反応生成物
は酸クロライド中に残存でき、生成する重縮合物
の性質に亜影響を与えない。
本発明に従う触媒は、一般に下記の一般式
()に相当する第三級酸化ホスフインである: 〔式中、R1、R2及びR3は同一であつても又か異
なつていてもよく、そしてC1〜C8−アルキル、
C6〜C12−アリール、C7〜C20−アルキルアリール
又はアリールアルキルを表わす〕。
()に相当する第三級酸化ホスフインである: 〔式中、R1、R2及びR3は同一であつても又か異
なつていてもよく、そしてC1〜C8−アルキル、
C6〜C12−アリール、C7〜C20−アルキルアリール
又はアリールアルキルを表わす〕。
R1、R2及びR3は好適にはC6〜C12−アリール
基、例えばフエニル又はC1〜C4−アルキル基に
より置換されたフエニル、である。このように定
義されている炭化水素基R1、R2及びR3は例えば
ハロゲンによりさらに置換されていてもよい。
基、例えばフエニル又はC1〜C4−アルキル基に
より置換されたフエニル、である。このように定
義されている炭化水素基R1、R2及びR3は例えば
ハロゲンによりさらに置換されていてもよい。
適当な触媒はトリイソプロピルホスフインオキ
シド、トリブチルホスフインオキシド、トリヘキ
シルホスフインオキシド、トリフエニルホスフイ
ンオキシド、トリ−1−ナフチルホスフインオキ
シド、トリ−2−ビフエニリルホスフインオキシ
ド、トリ−4−ビフエニルホスフインオキシド、
トリス−4−メチルフエニルホスフインオキシ
ド、ジフエニル−(4−メチルフエニル)−ホスフ
インオキシド、フエニル−ビス−4−メチルフエ
ニルホスフインオキシド、トリベンジルホスフイ
ンオキシド、ジメチルベンジルホスフインオキシ
ド、メチルジフエニルホスフインオキシド、ジエ
チルフエニルホスフインオキシド、エチルフエニ
ルベンジルホスフインオキシド及びビス−クロロ
メチル−(3−クロロフエニル)−ホスフインオキ
シドである。
シド、トリブチルホスフインオキシド、トリヘキ
シルホスフインオキシド、トリフエニルホスフイ
ンオキシド、トリ−1−ナフチルホスフインオキ
シド、トリ−2−ビフエニリルホスフインオキシ
ド、トリ−4−ビフエニルホスフインオキシド、
トリス−4−メチルフエニルホスフインオキシ
ド、ジフエニル−(4−メチルフエニル)−ホスフ
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ニルホスフインオキシド、トリベンジルホスフイ
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ド、メチルジフエニルホスフインオキシド、ジエ
チルフエニルホスフインオキシド、エチルフエニ
ルベンジルホスフインオキシド及びビス−クロロ
メチル−(3−クロロフエニル)−ホスフインオキ
シドである。
トリフエニルホスフインオキシドが特に適して
いる。
いる。
本発明に従うと、一般式()に相当する第三
級酸化ホスフインは一般に使用する芳香族酸を基
にして0.1〜5.0重量%の量で、好適には0.1〜1.0
重量%の量で、使用される。
級酸化ホスフインは一般に使用する芳香族酸を基
にして0.1〜5.0重量%の量で、好適には0.1〜1.0
重量%の量で、使用される。
芳香族カルボン酸としては、イソフタル酸、テ
レフタル酸、イソフタル酸とテレフタル酸の混合
物またはトリメシン酸が用いられる。
レフタル酸、イソフタル酸とテレフタル酸の混合
物またはトリメシン酸が用いられる。
本発明に従う方法を実施するには、1個のカル
ボキシル基当り1〜2モルの塩化チオニルを芳香
族カルボン酸に加え、その後本発明に従う触媒を
加え、そして生成した懸濁液又は溶液を50〜150
℃の温度に、好適には80〜100℃の温度に、加熱
する。
ボキシル基当り1〜2モルの塩化チオニルを芳香
族カルボン酸に加え、その後本発明に従う触媒を
加え、そして生成した懸濁液又は溶液を50〜150
℃の温度に、好適には80〜100℃の温度に、加熱
する。
過剰の塩化チオニルを蒸留除去しそして反応温
度において真空を短時間適用した後に、≧99.9重
量%が芳香族カルボン酸クロライドからなる残渣
が得られる。該方法は連続的に又はバツチ中で実
施できる。下記の実施例においては全てのパーセ
ンテージは重量による。
度において真空を短時間適用した後に、≧99.9重
量%が芳香族カルボン酸クロライドからなる残渣
が得られる。該方法は連続的に又はバツチ中で実
施できる。下記の実施例においては全てのパーセ
ンテージは重量による。
実施例 1
下記の成分をスタラー、温度計及び還流冷却器
を備えた1三首フラスコ中に加えそして加熱し
た:83gのイソフタル酸、83gのテレフタル酸、
357gの塩化チオニル及び0.83gのトリフエニル
ホスフインオキシド。無色の懸濁液と30分間にわ
たつて60〜80℃に加熱し、その間にHCl及びSO2
が激しく発生した。約8時間後に、気体発生が止
んだ。薄黄色の溶液が得られ、そこから過剰の塩
化チオニルが最初に常圧で、次に真空中で100℃
において除去された。
を備えた1三首フラスコ中に加えそして加熱し
た:83gのイソフタル酸、83gのテレフタル酸、
357gの塩化チオニル及び0.83gのトリフエニル
ホスフインオキシド。無色の懸濁液と30分間にわ
たつて60〜80℃に加熱し、その間にHCl及びSO2
が激しく発生した。約8時間後に、気体発生が止
んだ。薄黄色の溶液が得られ、そこから過剰の塩
化チオニルが最初に常圧で、次に真空中で100℃
において除去された。
触媒の他に、無色の残渣は≧99.9%の酸クロラ
イド、≦0.05%のCOOH、≦5ppmの全硫黄及び≦
0.05%のCl-を含有していた。収率:100%。
イド、≦0.05%のCOOH、≦5ppmの全硫黄及び≦
0.05%のCl-を含有していた。収率:100%。
実施例 2
実施例1に記されているのと同じ方法で、210
gのトリメシン酸、267.7gの塩化チオニル及び
1.05gのトリフエニルホスフインオキシドがトリ
メシン酸トリクロライドを与えた。触媒の他に、
トリメシン酸トリクロライドは≧99.9%の酸クロ
ライド、≦0.05%のCOOH、≦50ppmの全硫黄及び
≦0.05%のCl-を含有していた。
gのトリメシン酸、267.7gの塩化チオニル及び
1.05gのトリフエニルホスフインオキシドがトリ
メシン酸トリクロライドを与えた。触媒の他に、
トリメシン酸トリクロライドは≧99.9%の酸クロ
ライド、≦0.05%のCOOH、≦50ppmの全硫黄及び
≦0.05%のCl-を含有していた。
収率:100%。
実施例 3
実施例1に記されているのと同じ方法で、166
gのイソフタル酸、261.8gの塩化チオニル及び
1gのトリブチルホスフインオキシドがイソフタ
ル酸ジクロライドを与えた。触媒の他に、イソフ
タル酸ジクロライドは≧99.9%の酸クロライド、
≦0.05%のCOOH、≦5ppmの全硫黄及び≦0.05%
のCl-を含有していた。収率:100%。
gのイソフタル酸、261.8gの塩化チオニル及び
1gのトリブチルホスフインオキシドがイソフタ
ル酸ジクロライドを与えた。触媒の他に、イソフ
タル酸ジクロライドは≧99.9%の酸クロライド、
≦0.05%のCOOH、≦5ppmの全硫黄及び≦0.05%
のCl-を含有していた。収率:100%。
実施例 4〜10
166gのイソフタル酸及び261.8gの塩化チオニ
ルを連続的に、各場合とも1gのトリイソプロピ
ルホスフインオキシド(4)、トリヘキシルホスフイ
ンオキシド(5)、ジメチルベンジルホスフインオキ
シド(6)、トリベンジルホスフインオキシド(7)、メ
チルジフエニルホスフインオキシド(8)、エチルフ
エニルベンジルホスフインオキシド(9)及びビスク
ロロメチル−(3−クロロフエニル)−ホスフイン
オキシド(10)の存在下で反応させた。
ルを連続的に、各場合とも1gのトリイソプロピ
ルホスフインオキシド(4)、トリヘキシルホスフイ
ンオキシド(5)、ジメチルベンジルホスフインオキ
シド(6)、トリベンジルホスフインオキシド(7)、メ
チルジフエニルホスフインオキシド(8)、エチルフ
エニルベンジルホスフインオキシド(9)及びビスク
ロロメチル−(3−クロロフエニル)−ホスフイン
オキシド(10)の存在下で反応させた。
全ての生成物は実施例3に記されている生成物
と同じ分析データを有しそして同じ収率で得られ
た。
と同じ分析データを有しそして同じ収率で得られ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 イソフタル酸、テレフタル酸、テレフタル酸
とイソフタル酸の混合物又はトリメシン酸を、触
媒として第三級酸化ホスフインを使用するか又は
それらと塩化チオニル及び/又は生成されるべき
酸クロライドとの反応生成物を使用して、塩化チ
オニルと反応させることを特徴とする純粋な、特
に硫黄を含まない、芳香族カルボン酸クロライド
を一段階で製造する方法。 2 第三級酸化ホスフインが式 [式中、R1、R2及びR3は同一又は異なつており、
そしてC1〜C8−アルキル、C6〜C12−アリール、
C7〜C20−アルキルアリール又はアリールアルキ
ルを表わす] に相当する化合物である特許請求の範囲第1項記
載の方法。 3 第三級酸化ホスフインが式 [式中、R1、R2及びR3はフエニル又はC1〜C4−
アルキル基により置換されたフエニルである] の化合物である特許請求の範囲第1項記載の方
法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19803040295 DE3040295A1 (de) | 1980-10-25 | 1980-10-25 | Verfahren zur herstellung von aromatischen carbonsaeurechloriden |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5799553A JPS5799553A (en) | 1982-06-21 |
JPS6412255B2 true JPS6412255B2 (ja) | 1989-02-28 |
Family
ID=6115175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56167324A Granted JPS5799553A (en) | 1980-10-25 | 1981-10-21 | Manufacture of aromatic carboxylic acid chloride |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4382898A (ja) |
EP (1) | EP0050775B1 (ja) |
JP (1) | JPS5799553A (ja) |
CA (1) | CA1183550A (ja) |
DE (2) | DE3040295A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4693851A (en) * | 1985-04-09 | 1987-09-15 | Raychem Corporation | Purification of acid halides |
DE3927146A1 (de) * | 1989-08-17 | 1991-02-21 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von chlorcarbonsaeurechloriden |
DE102004057146A1 (de) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Phthalsäuredichlorid |
CA2821517A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Basf Se | Process for producing nitrobenzoyl chloride |
WO2009050120A1 (de) * | 2007-10-12 | 2009-04-23 | Basf Se | Verfahren zur herstelung von sulfonsäurediamiden |
CN107290874B (zh) * | 2017-07-05 | 2023-10-31 | 浙江大学 | 大带宽电光调制器 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1127095A (en) * | 1967-05-11 | 1968-09-11 | Aerojet General Co | Preparation of tri-mesoyl chloride |
NL175521C (nl) * | 1973-04-26 | 1984-11-16 | Hoechst Ag | Werkwijze voor het bereiden van carbonzuurchloriden. |
-
1980
- 1980-10-25 DE DE19803040295 patent/DE3040295A1/de not_active Withdrawn
-
1981
- 1981-10-12 EP EP81108189A patent/EP0050775B1/de not_active Expired
- 1981-10-12 DE DE8181108189T patent/DE3160881D1/de not_active Expired
- 1981-10-19 US US06/312,224 patent/US4382898A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-10-21 JP JP56167324A patent/JPS5799553A/ja active Granted
- 1981-10-23 CA CA000388630A patent/CA1183550A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0050775B1 (de) | 1983-09-14 |
DE3040295A1 (de) | 1982-06-03 |
CA1183550A (en) | 1985-03-05 |
US4382898A (en) | 1983-05-10 |
EP0050775A3 (en) | 1982-06-30 |
DE3160881D1 (en) | 1983-10-20 |
EP0050775A2 (de) | 1982-05-05 |
JPS5799553A (en) | 1982-06-21 |
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