JPS6398639U - - Google Patents

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JPS6398639U
JPS6398639U JP19410986U JP19410986U JPS6398639U JP S6398639 U JPS6398639 U JP S6398639U JP 19410986 U JP19410986 U JP 19410986U JP 19410986 U JP19410986 U JP 19410986U JP S6398639 U JPS6398639 U JP S6398639U
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JP
Japan
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wire
resin
recess
bonded
semiconductor
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JP19410986U
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図a,bはこの考案の一実施例による樹脂
封止したときの平面図と断面正面図、第2図a,
bは従来の樹脂塗布方法による樹脂封止時の平面
図と断面正面図、第3図は樹脂の塗布方法を示し
た図、第4図は塗布された樹脂の時間経過に伴な
う変化を示した図で、aは樹脂塗布直後、bは時
間経過後、表面張力と重力で樹脂が周辺に広がつ
た状態を示した断面図である。 図中、1は半導体基板、2は半導体チツプ、3
はワイヤ、4は樹脂、10は凹部である。尚、図
中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板の所定の位置に半導体チツプを
    ダイボンドし、ワイヤボンドした後に、樹脂によ
    り前記半導体チツプとワイヤを封止するものにお
    いて、前記半導体基板上の一部に底部が平面でな
    る凹部を設け、その平面範囲内に半導体チツプを
    ダイボンドし、ワイヤボンドし、樹脂を塗布する
    ことを特徴とする半導体装置。 (2) 凹部の深さを半導体チツプの厚さと等しく
    したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
    1項記載の半導体装置。 (3) 凹部の深さをワイヤボンド後のワイヤの高
    さと等しくしたことを特徴とする実用新案登録請
    求の範囲第1項記載の半導体装置。
JP19410986U 1986-12-16 1986-12-16 Pending JPS6398639U (ja)

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JP19410986U JPS6398639U (ja) 1986-12-16 1986-12-16

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JP19410986U JPS6398639U (ja) 1986-12-16 1986-12-16

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JPS6398639U true JPS6398639U (ja) 1988-06-25

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ID=31150773

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JP19410986U Pending JPS6398639U (ja) 1986-12-16 1986-12-16

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JP (1) JPS6398639U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240039031A (ko) 2021-09-29 2024-03-26 후지필름 가부시키가이샤 액정 조성물, 액정 경화층, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240039031A (ko) 2021-09-29 2024-03-26 후지필름 가부시키가이샤 액정 조성물, 액정 경화층, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치

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