JPS6395245U - - Google Patents
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- JPS6395245U JPS6395245U JP19132886U JP19132886U JPS6395245U JP S6395245 U JPS6395245 U JP S6395245U JP 19132886 U JP19132886 U JP 19132886U JP 19132886 U JP19132886 U JP 19132886U JP S6395245 U JPS6395245 U JP S6395245U
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- resin
- coating
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- Pending
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
第１図、第２図はこの考案の一実施例を示す斜
視図と断面図、第３図は従来の樹脂封止方法を示
す斜視図、第４図は従来の樹脂封止方法によつて
発生した不良例を説明するための斜視図である。 図中、１は半導体装置基板、２は半導体チツプ
、３はワイヤボンド線、５は高粘度の封止用樹脂
、６は低粘度の封止用樹脂である。尚、図中同一
符号は同一または相当部分を示す。
視図と断面図、第３図は従来の樹脂封止方法を示
す斜視図、第４図は従来の樹脂封止方法によつて
発生した不良例を説明するための斜視図である。 図中、１は半導体装置基板、２は半導体チツプ
、３はワイヤボンド線、５は高粘度の封止用樹脂
、６は低粘度の封止用樹脂である。尚、図中同一
符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置用基板の所定部位に半導体チツプを
接着してワイヤボンデイングを施した後、上記半
導体チツプを含む所定の範囲を樹脂で封止するも
のにおいて、上記半導体チツプの所定範囲の外周
部に、高粘度の樹脂を塗布し、その内側に低粘度
の樹脂を塗布して半導体チツプを含む所定範囲を
封止してなる半導体装置用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19132886U JPS6395245U (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19132886U JPS6395245U (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6395245U true JPS6395245U (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=31145367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19132886U Pending JPS6395245U (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6395245U (ja) |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP19132886U patent/JPS6395245U/ja active Pending
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