JPS6390782A - 半導体デバイスのスクリ−ニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体デバイスのスクリーニング方法に関す
るものである。

（従来の技術〕 従来、半導体デバイスのスクリーニング方法としては次
の方法が提案されている。

すなわち、半導体デバイスを高温環境に置き、半導体デ
バイスに所定期間、予め定めた信号を印加する。すると
、全ての酸化膜に熱的、電気的ストレスが加わり、耐圧
の低い微小欠陥を有する酸化膜が加速度的に破壊される
。

酸化膜の寿命ＴＴＦ（ｔｉｍｅ　ｔｏ　ｆａｉｌｕｒｅ
）は、ＴＴＦ　（Ｘ：１０−２”　　（Ｅ　：　ＭＶ／
　ｃａｂ）で表わされ、例えば。

Ｉ　Ｍ　ＤＲＡＭで一般的に用いられているゲート酸化
膜では、１ｖ電圧を増加すると寿命が１１５００短縮さ
れる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来における半導体デバイスのスクリーニング方法によ
ると、半導体デバイスに印加する電圧を高くするほど、
酸化膜破壊が加速度的に進行するためスクリーニング効
果が向上するが、ある電圧値以上で、電流に起因する接
合破壊等が起こるため、印加できる電圧には限度があり
、このことがスクリーニング効率低下の一因となってい
た。

この発明は上記のような問題点を解決なるためになされ
たもので、スクリーニング効率を高めることを目的とす
る。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体デバイスのスクリーニング方法は
、半導体デバイスのパッケージ表面に高電圧を所定期間
印加してパッケージ表面に帯電させ、その後、ダイパッ
ドをアースしてパッケージ表面の電荷を放電させるもの
である。

（作用） この発明における酸化膜の破壊は、パッケージ表面に帯
電した電荷がダイボンドを介して放電されて行なわれ、
この放電電流は微小であるため、接合破壊等の電流破壊
は惹起されない。

（実施例〕 第１図はこの発明を実施する装置の要部を示す。図にお
いて％　１は半導体デバイスで、リードフレーム１ｆの
ダイパッドＩＰに半導体チップＩＣをダイボンドすると
ともに、金線ＩＷを所定のり−ド】ＩＬにワイヤーボン
ドし、樹脂１ｒでモールドしてなるものである。前記ダ
イパッドＩＰは放電スイッチ２を介してアースに接続さ
れている。３はモールドされた樹脂（パッケージ）に当
接された導電板である。４は高電圧の直流電源で、正極
は印加スイッチ５を介して前記導電板３に負極はアース
に接続されている。前記導電板３、樹脂１ｒ、半導体チ
ップ１ｃによりコンデンサが形成されている。

次に、動作を説明する。

まず、放電スイッチ２を開き、印加スイッチ５を閉じる
。すると、高電圧直流電源４の電圧が導電板３に印加さ
れ、樹脂ｌｒ上に電荷が帯電される。

ついで、放電スイッチ２を閉じ、印加スイッチ５を開く
と、導電板３への高電圧の印加が解除されるとともに、
ダイパッドＩＰがアースされる。

すると、樹１ｉ１１ｒ上の電荷は、ダイパッドＩＰを介
してアースに放電され、全ての酸化膜に極端に高い電界
がかかる。従って、耐圧の低い微小欠陥を有する酸化膜
はきわめて短い時間に起こる放電により破壊されること
になる。

しかし、導電板３、樹脂１ｒ、半導体チップＩＣにより
形成されるコンデンサの容量が小さいため、放電電流は
極めて小さく、接合破壊等の電ｔＲ６！Ｉ壊は惹起され
ない。

（発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、半導体デバイスのパ
ッケージ表面に高電圧を所定期間印加してパッケージ表
面に帯電させその後、ダイパッドをアースしてパッケー
ジ表面の電荷を放電させるようにしたので、スクリーニ
ングの効率を高めることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明を実施する装置の要部を示す図である
。 図において、１は半導体デバイス、１ｒは樹脂、ＩＰは
ダイパッドである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体デバイスのパッケージ表面に高電圧を所定期間印
   加してパッケージ表面に帯電させ、その後、ダイパッド
   をアースしてパッケージ表面の電荷を放電させることを
   特徴とする半導体デバイスのスクリーニング方法。