JPH03152944A - 電界効果型トランジスタのワイヤボンディング方法 - Google Patents

電界効果型トランジスタのワイヤボンディング方法

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JPH03152944A
JPH03152944A JP1291003A JP29100389A JPH03152944A JP H03152944 A JPH03152944 A JP H03152944A JP 1291003 A JP1291003 A JP 1291003A JP 29100389 A JP29100389 A JP 29100389A JP H03152944 A JPH03152944 A JP H03152944A
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栗林　繁
Hiroshi Nagayama
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、静電耐圧が極めて低い電界効果型トランジス
タのワイヤボンディング方法に関するものである。
（従来の技術） 従来、半導体素子の組立工程におけるワイヤボンディン
グにおいては、第３図に示すように、第１番目のボンデ
ィング４を半導体素子のボンディングパッド３側に、第
２番目のボンディング５をパッケージ（又はリードフレ
ーム）２例の端子に行うことにより、結線するようにし
ていた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記した従来の半導体素子のワイヤボン
ディング方法においては、これを静電耐圧が極めて低い
半導体素子に対して行うと、ワイヤボンディング時に発
生する静電気は、第１番目のボンドが半導体素子のボン
ディングバントに接触した瞬間、ボンディングバンドか
ら半導体素子の動作層に流れ込み、半導体素子の静電破
壊を誘起したり、或いは、破壊にまで及ばないとしても
半導体素子に静電衝撃を加えることにより、半導体素子
の品質が損なわれるという欠点があった。
本発明は、以上述べた静電耐圧が極めて低い半導体素子
のワイヤボンディング時に発生ずる静電破壊を防止し、
信頼性の高い電界効果型トランジスタのワイヤボンディ
ング方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、上記目的を達成するために、電界効果型トラ
ンジスタのワイヤボンディングにおいて、ソースのボン
ディングパッド（１１）にワイヤボンディングを行う工
程と、ドレインのボンディングバンド（１２）にワイヤ
ボンディングを行う工程と、ゲートのボンディングバン
ド（１３）にワイヤボンディングを行う工程とを施すよ
うにしたものである。
また、各ワイヤボンディングに際しては、第１番目のボ
ンディングをパッケージ（又はリードフレーム）側とな
し、第２番目のボンディングを電界効果型トランジスタ
のボンディングパッド側とするようにしたものである。
（作用） 本発明によれば、第１図に示すように、まず、ソースの
ボンディングパノ）”（１１）にワイヤボンディングを
行い、その後、ドレインのボンディングパッド（１２）
にワイヤボンディングを行い、最後に静電耐圧力月番低
いゲートのボンディングパッド（１３）にワイヤボンデ
ィングを行うようにしたので、一部の静電気が電界効果
型トランジスタに印加されたとしても、ゲートの静電破
壊を防止することができる。
また、ワイヤボンディング時に静電気が発生したとして
も、第１番目のボンディングはパッケージ（又はリード
フレーム）側であるため、発生した静電気をパッケージ
（又はリードフレーム）を通して逃がすことができ、電
界効果型トランジスタに静電衝撃を与えることはない。
更に、第２番目のボンドで静電気が発生したとしても、
ボンディングをするワイヤは既に第１番目のボンドでパ
ッケージ（又はリードフレーム）に接続されているため
に、その静電気はボンディングワイヤを通してパッケー
ジ（又はリードフレーム）側に逃げてしまい、電界効果
型トランジスタに静電衝撃を与えることはない。
（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す電界効果型トランジスタ
のワイヤボンディング工程の説明図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、パッケージ（又はリ
ードフレーム）２０側に第１番目のボンディング２１ａ
を行い、次いで、電界効果型トランジスタ１０のソース
のボンディングパッド１１へのボンディング２２ａを行
う。
次に、第１図（ｂ）に示すように、パッケージ（又はリ
ードフレーム）２０側に第１番目のボンディング２１ｂ
を行い、次いで、電界効果型トランジスタ１０のドレイ
ンのボンディングパッド１２へのボンディング２２ｂを
行う。
最後に、第１図（ｃ）に示すように、パッケージ（又は
リードフレーム）２０側に第１番目のボンディング２１
ｃを行い、次いで、静電耐圧が１番低いゲートのボンデ
ィングパッド１３へのボンディング２２ｃを行う。
上記したように、各ワイヤボンディングにおいては、パ
ッケージ（又はリードフレーム）２０側のボンディング
を先行させ、その後に電界効果型トランジスタ１０側の
ボンディングパッドへのボンディングを行う。例えば、
ゲートのボンディングパッド１３の場合は、第２図に示
すように、まず、パンケージ（又はリードフレーム）２
０側へのボンディング２１ｃを行った後に電界効果型ト
ランジスタ１０側にあるゲートのボンディングパッド１
３へのボンディング２２ｃを行う。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、電界効
果型トランジスタのソース、トレインの順序で先にワイ
ヤボンディングを行い、最後にゲートのワイヤボンディ
ングを行うようにしたので、一部の静電気が電界効果型
トランジスタに印加されたとしても、ゲートの静電破壊
の確率は非常に低く押さえることができる。
また、ワイヤボンディング時に静電気が発生したとして
も、第１番目のボンドはパッケージ（又はリードフレー
ム）側であるため、発生した静電気をパッケージ（又は
リードフレーム）を通して逃がすことができ、電界効果
型トランジスタに静電衝撃を与えることはない。
更に、ワイヤは既に第１番目のボンドでパンケージ（又
はリードフレーム）に接続されているため、いかなる場
合でも、電界効果型トランジスタよりもボンディングワ
イヤの方が電気抵抗が低くなる。そのため、第２番目の
ボンド時に静電気が発生したとしても、その静電気は、
ボンディングワイヤを通してパッケージ（又はリードフ
レーム）側に逃げてしまい、電界効果型トランジスタに
静電衝撃を与えることはない。
実際、静電破壊電圧がＩＯＶという極めて低い単体ＨＥ
　Ｍ　Ｔ　（Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌ
ｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を、３０．０００個製
造した結果、静電破壊による不良は発生していない。ま
た、１０００時間にわたる高温通電試験バイアス印加に
よる加速耐湿試験等も実施しているが、そのような信輔
性試験でも不良も皆無である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例を示す電界効果型トランジスタ
のワイヤボンディング工程の説明図、第２図はその電界
効果型トランジスタのワイヤボンディング状態を示す部
分側面図、第３図は従来の半導体素子のワイヤボンディ
ング状態を示す部分側面図である。 １０・・・電界効果型トランジスタ、ＩＩ・・・ソース
のポンディングバンド、１２・・・ドレインのボンディ
ングバンド、１３・・・ゲートのポンディングパラ「、
２０・・・パッケージ（又はリードフレーム）　、２１
ａ、２１ｂ。 ２１ｃ、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ・・・ボンディング。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電界効果型トランジスタのワイヤボンディング方
    法において、 （ａ）ソースのボンディングパッドにワイヤボンディン
    グを行う工程と、 （ｂ）ドレインのボンディングパッドにワイヤボンディ
    ングを行う工程と、 （ｃ）ゲートのボンディングパッドにワイヤボンディン
    グを行う工程とを有することを特徴とする電界効果型ト
    ランジスタのワイヤボンディング方法。
  2. （２）請求項１記載の電界効果型トランジスタのワイヤ
    ボンディング方法において、第１番目のボンディングを
    パッケージ又はリードフレーム側となし、第２番目のボ
    ンディングを電界効果型トランジスタのボンディングパ
    ッド側とすることを特徴とする電界効果型トランジスタ
    のワイヤボンディング方法。
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