JPS6388851A - 入力保護装置 - Google Patents
入力保護装置Info
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- JPS6388851A JPS6388851A JP23493386A JP23493386A JPS6388851A JP S6388851 A JPS6388851 A JP S6388851A JP 23493386 A JP23493386 A JP 23493386A JP 23493386 A JP23493386 A JP 23493386A JP S6388851 A JPS6388851 A JP S6388851A
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- resistance layer
- polysilicon resistance
- polysilicon
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0288—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using passive elements as protective elements, e.g. resistors, capacitors, inductors, spark-gaps
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は入力保護装置に関し、特に−導電型不純物を含
むポリシリコン抵抗層を有する入力保護装置の形成法に
関する。
むポリシリコン抵抗層を有する入力保護装置の形成法に
関する。
従来例えば相補型ＭＯｓ構造における入力保護装置は例
えば第３図及び第４図に示すように、一端がポンディン
グパッド２１に接続されたＮ型不純物を含むポリシリコ
ン抵抗層１８と、Ｐ型ウェル１６中に塑成され一端がポ
リシリコン抵抗層１８とオーミック接続され、他端がゲ
ート入力へと通じるＮ型拡散層１７とから形成されてい
た。なお、Ｐ型ウェル１６はＶｓｓ電源線２４にオーミ
ック接続されている。また第４図のダイオードｌ）はＰ
型ウェル１６とＮ型拡散層１７とで形成されたものであ
る。
えば第３図及び第４図に示すように、一端がポンディン
グパッド２１に接続されたＮ型不純物を含むポリシリコ
ン抵抗層１８と、Ｐ型ウェル１６中に塑成され一端がポ
リシリコン抵抗層１８とオーミック接続され、他端がゲ
ート入力へと通じるＮ型拡散層１７とから形成されてい
た。なお、Ｐ型ウェル１６はＶｓｓ電源線２４にオーミ
ック接続されている。また第４図のダイオードｌ）はＰ
型ウェル１６とＮ型拡散層１７とで形成されたものであ
る。
上述した従来の入力保護装置は、一端をポンディングパ
ッドにオーミック接続し、他端をＮ型拡散抵抗層にオー
ミック接続したＮ型不純物を含むポリシリコン抵抗層が
絶縁層間膜中に単独で形成されているので、ポンディン
グパッドにサージ電圧が印加された場合に、ポリシリコ
ン抵抗層で発生するジュール熱の大部分はポリシリコン
抵抗層自体で消費され、ポリシリコン抵抗層が溶断しや
ずいという欠点がある。
ッドにオーミック接続し、他端をＮ型拡散抵抗層にオー
ミック接続したＮ型不純物を含むポリシリコン抵抗層が
絶縁層間膜中に単独で形成されているので、ポンディン
グパッドにサージ電圧が印加された場合に、ポリシリコ
ン抵抗層で発生するジュール熱の大部分はポリシリコン
抵抗層自体で消費され、ポリシリコン抵抗層が溶断しや
ずいという欠点がある。
〔問題点を″ｐ＋イ決するだめの手段〕本発明の入力保
護装置は入力用ポンディングパッドに一端がオーミック
接続された一導電型不純物を含むポリシリコン抵抗層と
、前記ポリシリコン抵抗１−上部にコンタクト穴を介し
て前記ポリシリコン抵抗層とオーミック接続するように
形成された金属層を少くとも１ケ所以上有している。
護装置は入力用ポンディングパッドに一端がオーミック
接続された一導電型不純物を含むポリシリコン抵抗層と
、前記ポリシリコン抵抗１−上部にコンタクト穴を介し
て前記ポリシリコン抵抗層とオーミック接続するように
形成された金属層を少くとも１ケ所以上有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の相補型ＭＯ８集積回路における実施例
の平面図で第２図は第１図のＡ −Ａ’線上における１
新面図を示す。第１図及び第２図においてＰ型りエル１
内に形成されたＮ型拡散抵抗層２の一端とＮ型不純物を
含むポリシリコン抵抗層３の一端はコンタクト８により
オーミック接続されている。ポリシリコン抵抗層３の他
端は所定の抵抗値を得た後、ボンディングパット９とコ
ンタクト４を介してオーミック接続しており、一方Ｎ型
拡散抵抗層２の他端は所定の抵抗値を得た後入力ゲート
電極Ｇへと通じる。ポリシリコン抵抗層３の上部にはコ
ンタクト５．６．７を介してポリシリコン抵抗層３とオ
ーミック接続するようにアルミ層１０．１１．１２が形
成されている。
の平面図で第２図は第１図のＡ −Ａ’線上における１
新面図を示す。第１図及び第２図においてＰ型りエル１
内に形成されたＮ型拡散抵抗層２の一端とＮ型不純物を
含むポリシリコン抵抗層３の一端はコンタクト８により
オーミック接続されている。ポリシリコン抵抗層３の他
端は所定の抵抗値を得た後、ボンディングパット９とコ
ンタクト４を介してオーミック接続しており、一方Ｎ型
拡散抵抗層２の他端は所定の抵抗値を得た後入力ゲート
電極Ｇへと通じる。ポリシリコン抵抗層３の上部にはコ
ンタクト５．６．７を介してポリシリコン抵抗層３とオ
ーミック接続するようにアルミ層１０．１１．１２が形
成されている。
以上説明したように本発明は、ポリシリコン抵抗層上に
このポリシリコン抵抗層とオーミック接続するように金
属＃を形成することによシ、サージ電圧印加時にポリシ
リコン抵抗層で発生するジュール熱が、比較的熱伝導率
の高い金Ｍ層を介して周囲に放熱され、ポリシリコン抵
抗層の温度上昇を緩和してポリシリコン抵抗層が溶断す
るのを防ぎ入力保護能力を向上できる効果がある。
このポリシリコン抵抗層とオーミック接続するように金
属＃を形成することによシ、サージ電圧印加時にポリシ
リコン抵抗層で発生するジュール熱が、比較的熱伝導率
の高い金Ｍ層を介して周囲に放熱され、ポリシリコン抵
抗層の温度上昇を緩和してポリシリコン抵抗層が溶断す
るのを防ぎ入力保護能力を向上できる効果がある。
第１図は本発明による入力保護パターンの平面図であり
、第２図は第１図のＡ−Ａ″線における断面図である。 第３図は従来の入力保護パターンの平面図であり、第４
図は第３図の等価回路である。 １．１６・・・・・・Ｐ型ウェル、２．１７・・・・・
・Ｎ型拡散抵抗層、３，１８・・・・・・Ｎ型ポリシリ
コン抵抗層、４．５，６，７，８，１４，１９，２０．
２３・・・・・・コンタクトホール、９．２１・・・・
・・ボンディングパットアルミ、１０，１１．１２アル
ミ、１３．２２・・・・・・Ｐ型拡散層、１５ 、２４
・・・・・・Ｖｓｓ電源線。
、第２図は第１図のＡ−Ａ″線における断面図である。 第３図は従来の入力保護パターンの平面図であり、第４
図は第３図の等価回路である。 １．１６・・・・・・Ｐ型ウェル、２．１７・・・・・
・Ｎ型拡散抵抗層、３，１８・・・・・・Ｎ型ポリシリ
コン抵抗層、４．５，６，７，８，１４，１９，２０．
２３・・・・・・コンタクトホール、９．２１・・・・
・・ボンディングパットアルミ、１０，１１．１２アル
ミ、１３．２２・・・・・・Ｐ型拡散層、１５ 、２４
・・・・・・Ｖｓｓ電源線。
Claims (1)
- 入力用ボンディングパットに一端がオーミック接続され
た一導電型の不純物を含むポリシリコン抵抗層を有する
入力保護装置において、前記ポリシリコン抵抗層上部に
コンタクト穴を介して前記ポリシリコン抵抗層とオーミ
ック接続するように形成された金属層を少くとも１ケ所
以上有することを特徴とする半導体集積回路の入力保護
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23493386A JPS6388851A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 入力保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23493386A JPS6388851A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 入力保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388851A true JPS6388851A (ja) | 1988-04-19 |
Family
ID=16978547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23493386A Pending JPS6388851A (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 入力保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6388851A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485784B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-04-28 | 삼성전자주식회사 | 테이프 레코더의 자기테이프 인출장치 |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP23493386A patent/JPS6388851A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485784B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-04-28 | 삼성전자주식회사 | 테이프 레코더의 자기테이프 인출장치 |
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