JPH021161A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH021161A JPH021161A JP63142292A JP14229288A JPH021161A JP H021161 A JPH021161 A JP H021161A JP 63142292 A JP63142292 A JP 63142292A JP 14229288 A JP14229288 A JP 14229288A JP H021161 A JPH021161 A JP H021161A
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- JP
- Japan
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- layer
- resistance layer
- polysilicon resistance
- polysilicon
- ohmically
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、入力保護装置に関し、特に−導電型不純物を
含むポリシリコン抵抗層を有する入力保護装置に関する
。
含むポリシリコン抵抗層を有する入力保護装置に関する
。
従来、この種の入力保護装置は、例えば第３図一端がボ
ンディングパッド２１に接続されたＮ型不純物を含むポ
リシリコン抵抗層２ｏとＰ型ウェル１６中に塑成され一
端がポリシリコン抵抗層２０とオーミック接続され、他
端がゲート入力へと通じるＮ型拡散層１７とから形成さ
れていた。
ンディングパッド２１に接続されたＮ型不純物を含むポ
リシリコン抵抗層２ｏとＰ型ウェル１６中に塑成され一
端がポリシリコン抵抗層２０とオーミック接続され、他
端がゲート入力へと通じるＮ型拡散層１７とから形成さ
れていた。
なお、Ｐ型ウェル１６はＶＳＳ電源線２４にオーミック
接続されている。また、第４図のダイオードＤはＰ型ウ
ェル１６とＮ型拡散層１７とで形成されたものである。
接続されている。また、第４図のダイオードＤはＰ型ウ
ェル１６とＮ型拡散層１７とで形成されたものである。
上述した従来の入力保護装置は、一端をボンディングパ
ッドにオーミック接続し、他端をＮ型拡散抵抗層にオー
ミック接続したＮ型不純物を含むポリシリコン抵抗層が
絶縁層間膜中に単独で形成されているので、ボンディン
グパッドにサージ電圧が印加された場合に、ポリシリコ
ン抵抗層で発生するジュール熱の大部分は、ポリシリコ
ン抵抗層自体で消費され、ポリシリコン抵抗層が溶断し
やすいという欠点がある。
ッドにオーミック接続し、他端をＮ型拡散抵抗層にオー
ミック接続したＮ型不純物を含むポリシリコン抵抗層が
絶縁層間膜中に単独で形成されているので、ボンディン
グパッドにサージ電圧が印加された場合に、ポリシリコ
ン抵抗層で発生するジュール熱の大部分は、ポリシリコ
ン抵抗層自体で消費され、ポリシリコン抵抗層が溶断し
やすいという欠点がある。
本発明の入力保護装置は、入力用ボンディングパッドに
一端がオーミック接続された゛−一導電型不純物含むポ
リシリコン抵抗層と、このポリシリコン抵抗層の他端に
接続された一導電型不純物を含む拡散抵抗層とから構成
される半導体集積回路の入力保護装置において、前記ポ
リシリコン抵抗層と第２層ポリシリコン抵抗層を接続し
、更に接続点から１ＧΩ以上の抵抗値をもつ第２層ポリ
シリコンの領域において電源パッドに連なるアルミ配線
と接続した構造の特徴を有する。
一端がオーミック接続された゛−一導電型不純物含むポ
リシリコン抵抗層と、このポリシリコン抵抗層の他端に
接続された一導電型不純物を含む拡散抵抗層とから構成
される半導体集積回路の入力保護装置において、前記ポ
リシリコン抵抗層と第２層ポリシリコン抵抗層を接続し
、更に接続点から１ＧΩ以上の抵抗値をもつ第２層ポリ
シリコンの領域において電源パッドに連なるアルミ配線
と接続した構造の特徴を有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の相補型ＭＯ８集積回路における実施例
の平面図で第２図は第１図のＡ−Ａ’縁線上おける断面
図を示す。第１図及び第２図において第１層ポリシリコ
ン抵抗層１がコンタクト２．３．４により所定の抵抗層
（１ＧΩ以上）の第２層ポリシリコン抵抗層５とオーミ
ック接続している。
の平面図で第２図は第１図のＡ−Ａ’縁線上おける断面
図を示す。第１図及び第２図において第１層ポリシリコ
ン抵抗層１がコンタクト２．３．４により所定の抵抗層
（１ＧΩ以上）の第２層ポリシリコン抵抗層５とオーミ
ック接続している。
また、所定の抵抗値（１ＧΩ以上）の第２層ポリシリコ
ン抵抗層５とｖｏ。電源線又はＧＮＤ６は、コンタクト
７を介してオーミック接続している。
ン抵抗層５とｖｏ。電源線又はＧＮＤ６は、コンタクト
７を介してオーミック接続している。
一方、ボンディングパッド８はコンタクト９を介して第
１層ポリシリコン抵抗層とオーミック接続している。
１層ポリシリコン抵抗層とオーミック接続している。
第５図は本発明の実施例２の平面図である。
第１層ポリシリコン抵抗層を前述の実施例より長くする
ことでより効果的にジュール熱を放散させることができ
る。
ことでより効果的にジュール熱を放散させることができ
る。
以上説明したよりに本発明は、ポリシリコン抵抗層上に
この第１層のポリシリコン抵抗層とオーミック接続する
ように所定の抵抗値（１ＧΩ以上）の第２層ポリシリコ
ン抵抗層を形成し、更ニ、この第２層ポリシリコン抵抗
層上にオーミック接続するように金属層を形成すること
により、サージ電圧印加時に第１層ポリシリコン抵抗層
で発生するジュール熱が、■ｃｏ電源線又はＧＮＤのア
ルミ配線を介して周囲に放熱され、第１層ポリシリコン
抵抗層が溶断ず委のを防ぎ入力保護能力を向上できる効
果がある。
この第１層のポリシリコン抵抗層とオーミック接続する
ように所定の抵抗値（１ＧΩ以上）の第２層ポリシリコ
ン抵抗層を形成し、更ニ、この第２層ポリシリコン抵抗
層上にオーミック接続するように金属層を形成すること
により、サージ電圧印加時に第１層ポリシリコン抵抗層
で発生するジュール熱が、■ｃｏ電源線又はＧＮＤのア
ルミ配線を介して周囲に放熱され、第１層ポリシリコン
抵抗層が溶断ず委のを防ぎ入力保護能力を向上できる効
果がある。
第１図、第５図は本発明による入力保護パターンの平面
図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ’線における断面図
である。第３図は従来の入力保護パターンの平面図であ
り、第４図は第３図の等価回路である。 １．２０・・・・・・第１層ポリシリコン抵抗層、５・
・・・・・第２層ポリシリコン抵抗層、２，３，４゜７
、９．１２．１４．１８．１９．２３・・・・・・コン
タクト、６・・・・・・ＶＣＣ電源線又はＧＮＤ、８．
２１・・・・・・ボンディンダパッドアルミ、１０．１
６・・・・・・Ｐ型ウェル、１１．１７・・・・・・Ｎ
型拡散層、１３．２２・・・・・・Ｐ型拡散層、１５．
２４・・・・・・■８ｓ電源線。 代理人 弁理士 内 原 音 字１ 品 謬２記
図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ’線における断面図
である。第３図は従来の入力保護パターンの平面図であ
り、第４図は第３図の等価回路である。 １．２０・・・・・・第１層ポリシリコン抵抗層、５・
・・・・・第２層ポリシリコン抵抗層、２，３，４゜７
、９．１２．１４．１８．１９．２３・・・・・・コン
タクト、６・・・・・・ＶＣＣ電源線又はＧＮＤ、８．
２１・・・・・・ボンディンダパッドアルミ、１０．１
６・・・・・・Ｐ型ウェル、１１．１７・・・・・・Ｎ
型拡散層、１３．２２・・・・・・Ｐ型拡散層、１５．
２４・・・・・・■８ｓ電源線。 代理人 弁理士 内 原 音 字１ 品 謬２記
Claims (1)
- 入力用ボンディングパッドに一端がオーミック接続され
た一導電型の不純物を含むポリシリコン抵抗層と、この
ポリシリコン抵抗層の他端に接続された一導電型不純物
を含む拡散抵抗層とから構成される半導体集積回路の入
力保護装置において、前記ポリシリコン抵抗層と第２層
ポリシリコン抵抗層間を接続し、更に接続点から１ＧΩ
以上の抵抗値をもつ第２層ポリシリコンの領域において
電源パッドに連なるアルミ配線と接続した構造を特徴と
する半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142292A JPH021161A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142292A JPH021161A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021161A true JPH021161A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=15311988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63142292A Pending JPH021161A (ja) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021161A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010122683A1 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 株式会社ファインプロ | 注射針廃棄用容器 |
| CN108878386A (zh) * | 2017-05-09 | 2018-11-23 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 射频集成电路器件及其制造方法 |
-
1988
- 1988-06-08 JP JP63142292A patent/JPH021161A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010122683A1 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 株式会社ファインプロ | 注射針廃棄用容器 |
| CN108878386A (zh) * | 2017-05-09 | 2018-11-23 | 上海珏芯光电科技有限公司 | 射频集成电路器件及其制造方法 |
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