JPS6388788A - 薄膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （従来の技術） 本発明は薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光層の
形成等に利用される＃膜形取決に関する。

（従来の技術） 真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（化学的気相成
長）法など、基板上に薄ｌＩｊ！を形成する場合、装置
内での基板の保持、所望のパターンを得る、電極取出部
を確保する等の理由から蒸着マスク（基板ホルダー）を
用いるのが通例である。その際基板とマスクを＠看させ
る＊甘とスペースを設ける場合、ホルダー上に単純に基
板を載せるＳ甘とネジ等を用いて固定する場合等使分け
られている。

これらのマスク材料としては取扱い、強度等の点でそリ
ブテン、ステンレス、アルミニウム等金属材料を用いる
のが通例である。

（・発明が解決しようとする問題点） 薄膜形成においてに形成する薄膜の特性を同上するため
基板を加熱（１００〜１０００℃）しながら薄膜形成を
する場合が多い。基板の加熱にはへロゲランプ、シース
ヒータ、銹専加熱等が用途に応じて使い分けられている
。ところがマスクと基板が異る材料の場合に加熱さｎる
程度が異ってしまう。例えばマスクがステンレスで基板
がガラスでハロゲンランプで加熱した場合には加熱輻射
線（薄膜形成は減圧下で行なわれるため対流による熱伝
達はきわめて小さい。）に対する透過、吸収率の差から
ステンレスの方がガラスエり高温になり蒸着される部分
のうちマスクに近い部分に遠い部分より高温になり膜厚
、特性等に差全生じマスク近傍部に使用できないという
問題点があった。

本発明は、均一な＝を得ることが出来る薄護形成法を提
供するものである。

（問題点を蟹決するための手段） 不発明は薄膜形成方広において加熱源からのエネルギー
吸収が同じになる工５にマスク材料を基板と同村とする
ことを特徴とする 特に基板がガラス等のＤｏ熱熱射射線一部を透過する場
合にこの効果により顕著になる。

第１図にガラス基板にＥＬ用発光廖でろるＺｎＳ：へ１
ｎ全電子ビーム蒸着する装置の概要デポし７．、（排気
装置等に図示せず）ものである基板にコーニング社＃７
０５９ガラス（１００Ｘ８０×１゜２酎〕、マスクとし
て５ＵＳ３０４と＃７０５９ガラスの２種類用意した。

マスクに基板周囲１０ｆｆｌＥＩＫ膜がつかないよう（
電極取出のため）に８０　Ｘ　６０ｍ１ｃｙ）開口部を
もりたものである。基板の加熱はハロゲンランプに用い
基板温度は２００℃とした。ＺｎＳの場合特性のために
は２００℃程度の加熱が必要であるが第２図に示す工う
に付着確′４は基板温度に極めて強く依存し温度むらに
狭厚むらに直結する。第３図にマスクが５ＵＳ３０４の
場合と＃７０５９ガラスの場合の膜厚分布を長手方向（
８０市）の場合について示した。第３図から明らかなと
５９マスク材料が５ＵＳ３０４の場合マスク近傍の１０
１５１１１−！素子として使用できず８０Ｘ６０ｍ’の
面積に蒸着したにもかかわらず素子として利用できるの
は６０Ｘ４０ｍｌにすぎない。これに反し＃７０５９ガ
ラスをマスクに用いた場合に膜厚むらがほとんどなく８
０ｘ６ｏｍすべてか素子として利用できた。

（発明の効果） 本発明により蒸着面全域に均一な膜を得ることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を示す蒸着装置の正面図、第２図
にＺｎＳ　Ｍ着時の基板温度と付Ｎ確立の関係全示すグ
ラフ第３図は基板内の膜厚分布を示すグラフである。 符号の説明 １　基板　　　　　　　２　マスク ６　ハロゲンランプ　　４　　ＥＢ蒸発源５　シャッタ
　　　　　６　真空ベルジャ（１゛′ 代理人弁理士　黄　瀬　　章に、。 ゝ、−７− 第２図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）マスクを用いて、基板上の蒸着される領域を限定し
   て蒸着する薄膜形成法においてマスク材料を基板と同材
   料とすることを特徴とする薄膜形成法。 ２）基板材料がガラスであることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の薄膜形成法。 ３）蒸着される材料が薄膜エレクトロルミネツセンス用
   発光層であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又
   は第２項記載の薄膜形成法。