JP2001023759A - 熱分解窒化ホウ素放射ヒーター - Google Patents
熱分解窒化ホウ素放射ヒーターInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射率が80%以上である放射加熱装置を提
供する。 【解決手段】 窒化ホウ素の誘電体基部(12)、この誘
電体基部上の熱分解グラファイト加熱要素(14)、この
加熱要素を包み込んでおり且つ熱分解窒化ホウ素から構
成されている第1の外側コーティング(16)、及びこの
第1の外側コーティングを包み込んでおり且つ1.55
μmの波長において放射率を少なくとも約80%超にす
る組成の第2の外側コーティング(18)、を具備した熱
分解窒化ホウ素放射加熱装置(10)とする。
供する。 【解決手段】 窒化ホウ素の誘電体基部(12)、この誘
電体基部上の熱分解グラファイト加熱要素(14)、この
加熱要素を包み込んでおり且つ熱分解窒化ホウ素から構
成されている第1の外側コーティング(16)、及びこの
第1の外側コーティングを包み込んでおり且つ1.55
μmの波長において放射率を少なくとも約80%超にす
る組成の第2の外側コーティング(18)、を具備した熱
分解窒化ホウ素放射加熱装置(10)とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱分解窒化ホウ素
加熱装置、特に熱分解窒化ホウ素放射ヒーターに関す
る。
加熱装置、特に熱分解窒化ホウ素放射ヒーターに関す
る。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】熱分解
窒化ホウ素加熱装置は、窒化ホウ素の誘電体本体及びこ
の窒化ホウ素本体に保持されている加熱要素を具備して
いる。加熱要素は、伝導性材料、好ましくはグラファイ
ト、より特に熱分解グラファイトで構成されている。熱
分解窒化ホウ素加熱装置は、熱分解窒化ホウ素基材上に
伝導性加熱材料の層を堆積させ、そしてこれに熱分解窒
化ホウ素の外側層を堆積させることによって製造するこ
とができる。これは例えば、米国特許第5,343,022 号明
細書において教示されており、この文献はここで参照す
ることによって本発明の記載に含める。熱分解窒化ホウ
素の外側層は、加熱要素の表面を電気的に絶縁し、且つ
機械的な損傷から加熱要素を保護する。
窒化ホウ素加熱装置は、窒化ホウ素の誘電体本体及びこ
の窒化ホウ素本体に保持されている加熱要素を具備して
いる。加熱要素は、伝導性材料、好ましくはグラファイ
ト、より特に熱分解グラファイトで構成されている。熱
分解窒化ホウ素加熱装置は、熱分解窒化ホウ素基材上に
伝導性加熱材料の層を堆積させ、そしてこれに熱分解窒
化ホウ素の外側層を堆積させることによって製造するこ
とができる。これは例えば、米国特許第5,343,022 号明
細書において教示されており、この文献はここで参照す
ることによって本発明の記載に含める。熱分解窒化ホウ
素の外側層は、加熱要素の表面を電気的に絶縁し、且つ
機械的な損傷から加熱要素を保護する。
【0003】加熱要素は、伝導性材料に電気を流す電力
供給源に接続して、抵抗加熱によって熱を発生させる。
加熱する部材又は装置を加熱要素と物理的に接触させる
ほとんどの用途においては、伝熱は伝導によって達成す
る。しかしながら、加熱要素と加熱しようとする部材又
は装置との物理的な接触をもたらすことは、必ずしも実
質的ではなく又は場合によっては不可能でもある。この
場合には、伝熱は対流又は放射によって達成しなければ
ならない。伝導又は対流のいずれもが伝熱に使用できな
い1つの例は、分子ビームエピタキシー「MBE」であ
り、これは半導体フィルムの成長に有益な方法である。
この方法においては、伝導による伝熱が実質的ではなく
且つ対流による伝熱が不可能である比較的高真空の雰囲
気において、半導体フィルムを成長させる。従って、一
例として挙げたこの用途においては、放射が唯一利用可
能な伝熱機構である。
供給源に接続して、抵抗加熱によって熱を発生させる。
加熱する部材又は装置を加熱要素と物理的に接触させる
ほとんどの用途においては、伝熱は伝導によって達成す
る。しかしながら、加熱要素と加熱しようとする部材又
は装置との物理的な接触をもたらすことは、必ずしも実
質的ではなく又は場合によっては不可能でもある。この
場合には、伝熱は対流又は放射によって達成しなければ
ならない。伝導又は対流のいずれもが伝熱に使用できな
い1つの例は、分子ビームエピタキシー「MBE」であ
り、これは半導体フィルムの成長に有益な方法である。
この方法においては、伝導による伝熱が実質的ではなく
且つ対流による伝熱が不可能である比較的高真空の雰囲
気において、半導体フィルムを成長させる。従って、一
例として挙げたこの用途においては、放射が唯一利用可
能な伝熱機構である。
【0004】放射によって熱エネルギーを伝える加熱装
置の効率は、加熱装置における加熱要素の放射率に直接
に比例する。加熱要素の放射率は、加熱要素の実際の表
面の放射力と、同じ温度の理想黒体の放射力の比として
定義されている。商業的に入手可能な熱分解窒化ホウ素
加熱装置の放射率は、1.55μmの波長で測定値が
0.55である。比較をすると、同じ波長における理想
黒体は100%の放射熱効率を有し、これを測定値で
1.00としている。従って、商業的に入手可能な熱分
解窒化ホウ素加熱装置は、放射ヒーターとして利用する
ためはあまり効率的ではない。
置の効率は、加熱装置における加熱要素の放射率に直接
に比例する。加熱要素の放射率は、加熱要素の実際の表
面の放射力と、同じ温度の理想黒体の放射力の比として
定義されている。商業的に入手可能な熱分解窒化ホウ素
加熱装置の放射率は、1.55μmの波長で測定値が
0.55である。比較をすると、同じ波長における理想
黒体は100%の放射熱効率を有し、これを測定値で
1.00としている。従って、商業的に入手可能な熱分
解窒化ホウ素加熱装置は、放射ヒーターとして利用する
ためはあまり効率的ではない。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明では、放射率が8
0%超、好ましくは少なくとも85%超である熱分解窒
化ホウ素放射加熱装置を開発した。本発明の熱分解窒化
ホウ素放射加熱装置は、窒化ホウ素の誘電体基部、この
誘電体基部に重ねられた熱分解グラファイトの加熱要素
であって、1対の接触端を持つ形状の加熱要素、熱分解
窒化ホウ素で構成されており、前記加熱要素を取り囲ん
でいる第1の外側コーティング、及び前記第1の外側コ
ーティングを取り囲んでおり、炭化ケイ素及び炭化ホウ
素からなる群より選択される第2の外側コーティング
を、具備しており、前記加熱要素の前記一対の接触端
は、前記第1と第2の外側コーティングを通って、この
加熱装置の接触端を形成している。
0%超、好ましくは少なくとも85%超である熱分解窒
化ホウ素放射加熱装置を開発した。本発明の熱分解窒化
ホウ素放射加熱装置は、窒化ホウ素の誘電体基部、この
誘電体基部に重ねられた熱分解グラファイトの加熱要素
であって、1対の接触端を持つ形状の加熱要素、熱分解
窒化ホウ素で構成されており、前記加熱要素を取り囲ん
でいる第1の外側コーティング、及び前記第1の外側コ
ーティングを取り囲んでおり、炭化ケイ素及び炭化ホウ
素からなる群より選択される第2の外側コーティング
を、具備しており、前記加熱要素の前記一対の接触端
は、前記第1と第2の外側コーティングを通って、この
加熱装置の接触端を形成している。
【0006】本発明の他の有点は、添付の図を参照する
以下の本発明の詳細な説明から明らかになる。
以下の本発明の詳細な説明から明らかになる。
【0007】
【発明の実施の形態】図1及び図2の(a)〜(c)に
おいて示される本発明の熱分解窒化ホウ素加熱装置10
は、熱分解窒化ホウ素基部プレート12、熱分解グラフ
ァイトのコーティング層14、熱分解窒化ホウ素の第1
のオーバーコーティング層16、及び炭化ケイ素又は炭
化ホウ素の第2のオーバーコーティング層18を具備し
ている。熱分解窒化ホウ素(PBN)は、アンモニアと
ホウ素含有ガス、例えば三塩化ホウ素(BCl3 )との
気相反応による、特に米国特許第3,152,006 号明細書で
説明されるような、反応器内における窒化ホウ素の化学
気相堆積で作ることができる。基材から離れるとこの熱
分解窒化ホウ素は、純化された熱分解窒化ホウ素の自立
性物品(self standing article )を形成する。この熱
分解窒化ホウ素基部プレート12の厚さは、本発明の課
題にとっては重要ではない。基部プレート12は、任意
の所望の形状にすることができる。図1においては、基
部プレート12は、テーブル状の(tabular )2つの端
部19及び21を伴う実質的な円形状にされている。
おいて示される本発明の熱分解窒化ホウ素加熱装置10
は、熱分解窒化ホウ素基部プレート12、熱分解グラフ
ァイトのコーティング層14、熱分解窒化ホウ素の第1
のオーバーコーティング層16、及び炭化ケイ素又は炭
化ホウ素の第2のオーバーコーティング層18を具備し
ている。熱分解窒化ホウ素(PBN)は、アンモニアと
ホウ素含有ガス、例えば三塩化ホウ素(BCl3 )との
気相反応による、特に米国特許第3,152,006 号明細書で
説明されるような、反応器内における窒化ホウ素の化学
気相堆積で作ることができる。基材から離れるとこの熱
分解窒化ホウ素は、純化された熱分解窒化ホウ素の自立
性物品(self standing article )を形成する。この熱
分解窒化ホウ素基部プレート12の厚さは、本発明の課
題にとっては重要ではない。基部プレート12は、任意
の所望の形状にすることができる。図1においては、基
部プレート12は、テーブル状の(tabular )2つの端
部19及び21を伴う実質的な円形状にされている。
【0008】熱分解グラファイト層14は、基部プレー
ト12を直接にコーティングしており、また外部電力供
給源(図示せず)への接続を伴って熱分解窒化ホウ素加
熱装置10の加熱要素を形成している。任意の伝導性材
料を使用することができるが、グラファイト、特に熱分
解グラファイトが好ましい。熱分解グラファイトは、例
えば、反応器中における適当な不活性希釈剤を伴う非常
に高温のメタンガスの化学気相成長によって作ることが
できる。熱分解グラファイトのコーティング14は、熱
の発生を最大化させるように所望の形状に加工する。熱
分解グラファイト14伝導体は、好ましくは加熱装置1
0の一方のテーブル状の端部19から他方のテーブル状
の端部21へのらせん状又は蛇状の連続ストリップに加
工する。外部電力源(図示せず)は、好ましくはこれら
2つのテーブル状の端部19及び21に孔23及び24
を開け、そこに熱分解グラファイト層14を作ることに
よって、これらの2つの端部19及び21の間に接続す
る。孔23及び24は、第1と第2のオーバーコーティ
ング16及び18の形成の間にはマスキングをして、孔
23及び24によって、熱分解グラファイト14の加工
されたストリップへの接触を提供する。
ト12を直接にコーティングしており、また外部電力供
給源(図示せず)への接続を伴って熱分解窒化ホウ素加
熱装置10の加熱要素を形成している。任意の伝導性材
料を使用することができるが、グラファイト、特に熱分
解グラファイトが好ましい。熱分解グラファイトは、例
えば、反応器中における適当な不活性希釈剤を伴う非常
に高温のメタンガスの化学気相成長によって作ることが
できる。熱分解グラファイトのコーティング14は、熱
の発生を最大化させるように所望の形状に加工する。熱
分解グラファイト14伝導体は、好ましくは加熱装置1
0の一方のテーブル状の端部19から他方のテーブル状
の端部21へのらせん状又は蛇状の連続ストリップに加
工する。外部電力源(図示せず)は、好ましくはこれら
2つのテーブル状の端部19及び21に孔23及び24
を開け、そこに熱分解グラファイト層14を作ることに
よって、これらの2つの端部19及び21の間に接続す
る。孔23及び24は、第1と第2のオーバーコーティ
ング16及び18の形成の間にはマスキングをして、孔
23及び24によって、熱分解グラファイト14の加工
されたストリップへの接触を提供する。
【0009】熱分解窒化ホウ素の第1のオーバーコーテ
ィング層16は、基部プレート12の形成と同様な化学
気相堆積によって形成し、このコーティング16は、テ
ーブル状の端部19及び21の接続部を除いて、熱分解
グラファイト層14を包み込むようにする。第1のコー
ティングは、機械的な損傷から伝導性層14を保護し且
つ絶縁をする。炭化ケイ素又は炭化ホウ素の第2の外側
コーティング18は、テーブル状の端部19及び21の
接続部を除く物体全体に作る。第2の外側コーティング
18も化学気相堆積によって作ることができる。第2の
外側コーティング18は、放射ヒーターとして使用する
加熱装置10の放射率を増加させる。炭化ケイ素のコー
ティングでは、加熱装置10の放射率は、1.55μm
の波長で0.92であった。炭化ホウ素のコーティング
も、炭化ケイ素の放射率と同様なかなりの放射率を提供
し、また少なくとも約80%超、好ましくは85%超の
放射率を提供するのに十分であると考えられる。加熱装
置10に放射性の外側オーバーコーティング18を提供
して放射率が80%を超えるようにすると、伝熱速度は
増加する。これは、基材を加熱するための予備加熱時間
を減少させる。
ィング層16は、基部プレート12の形成と同様な化学
気相堆積によって形成し、このコーティング16は、テ
ーブル状の端部19及び21の接続部を除いて、熱分解
グラファイト層14を包み込むようにする。第1のコー
ティングは、機械的な損傷から伝導性層14を保護し且
つ絶縁をする。炭化ケイ素又は炭化ホウ素の第2の外側
コーティング18は、テーブル状の端部19及び21の
接続部を除く物体全体に作る。第2の外側コーティング
18も化学気相堆積によって作ることができる。第2の
外側コーティング18は、放射ヒーターとして使用する
加熱装置10の放射率を増加させる。炭化ケイ素のコー
ティングでは、加熱装置10の放射率は、1.55μm
の波長で0.92であった。炭化ホウ素のコーティング
も、炭化ケイ素の放射率と同様なかなりの放射率を提供
し、また少なくとも約80%超、好ましくは85%超の
放射率を提供するのに十分であると考えられる。加熱装
置10に放射性の外側オーバーコーティング18を提供
して放射率が80%を超えるようにすると、伝熱速度は
増加する。これは、基材を加熱するための予備加熱時間
を減少させる。
【図1】図1は、本発明の熱分解窒化ホウ素加熱装置で
あって、上側層を取り除いて熱分解グラファイト加熱要
素を露出させたものの平面図である。
あって、上側層を取り除いて熱分解グラファイト加熱要
素を露出させたものの平面図である。
【図2】図2は、図1の熱分解窒化ホウ素加熱装置の製
造において使用する処理工程((a)〜(c))を示す
断面側面図である。
造において使用する処理工程((a)〜(c))を示す
断面側面図である。
10…熱分解窒化ホウ素加熱装置 12…熱分解窒化ホウ素基部プレート 14…熱分解グラファイトのコーティング層 16…熱分解窒化ホウ素の第1のオーバーコーティング
層 18…炭化ケイ素(炭化ホウ素)の第2のオーバーコー
ティング層 19、21…テーブル状端部 23、24…孔
層 18…炭化ケイ素(炭化ホウ素)の第2のオーバーコー
ティング層 19、21…テーブル状端部 23、24…孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K092 QA05 QB15 QB33 QB45 QB62 QB78 RF03 RF11 RF22 SS34 VV40
Claims (3)
- 【請求項1】 窒化ホウ素の誘電体基部、この誘電体基
部上の熱分解グラファイト加熱要素、この加熱要素を包
み込んでおり且つ熱分解窒化ホウ素から構成されている
第1の外側コーティング、及びこの第1の外側コーティ
ングを包み込んでおり且つ1.55μmの波長において
放射率を少なくとも約80%超にする組成の第2の外側
コーティング、を具備した熱分解窒化ホウ素放射加熱装
置であって、所定の形状にされた前記加熱要素がその端
部に一対の接触端を有し、この接触端が前記第1と第2
の外側コーティングを通って、この加熱装置の接触端を
形成している熱分解窒化ホウ素放射加熱装置。 - 【請求項2】 前記第2の外側コーティングが、炭化ケ
イ素及び炭化ホウ素からなる群より選択される請求項1
に記載の熱分解窒化ホウ素放射加熱装置。 - 【請求項3】 前記第2の外側コーティングが炭化ケイ
素であり、且つ1.55μmの波長において前記放射率
が約0.9よりも大きい請求項2に記載の熱分解窒化ホ
ウ素放射加熱装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010517224A (ja) * | 2007-01-21 | 2010-05-20 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 封入されたグラファイト加熱器および方法 |
JP2017051659A (ja) * | 2011-06-16 | 2017-03-16 | レスメド・リミテッドResMed Limited | 加湿器および層状の加熱エレメント |
JP2023504618A (ja) * | 2019-12-05 | 2023-02-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 固体ヒータ及び製造の方法 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001203257A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体 |
JP3963788B2 (ja) * | 2002-06-20 | 2007-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 静電吸着機能を有する加熱装置 |
US20040074898A1 (en) * | 2002-10-21 | 2004-04-22 | Mariner John T. | Encapsulated graphite heater and process |
CN101818336B (zh) * | 2004-07-05 | 2011-09-14 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置和加热器单元 |
EP1809788A4 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-21 | Gallium Entpr Pty Ltd | METHOD AND APPARATUS FOR GROWING GROUP (III) METAL NITRIDE FILM AND GROUP (III) METAL FILM |
US20070181065A1 (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-09 | General Electric Company | Etch resistant heater and assembly thereof |
JP5103677B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2012-12-19 | ソイテック | Cvdリアクタにおける気体状前駆体の熱化 |
WO2009106942A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-03 | S.O.I.T.E.C Silicon On Insulator Technologies | Semiconductor growth system which includes a boron carbide reactor component |
JP2011225949A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Ibiden Co Ltd | 炭素部品および炭素部品の製造方法 |
US8763161B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-06-24 | The United States of America, as represented by the Secretary of Commerce, The National Institute of Standards and Technology | Zero thermal expansion, low heat transfer, variable temperature sample assembly for probe microscopy |
WO2015009538A1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-22 | Momentive Performance Materials Inc. | Coated graphite heater configuration |
US10679873B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic heater |
CN110572889B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-02-11 | 山东国晶新材料有限公司 | 一种制备内cvd沉积立体式复合陶瓷加热器的方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3152006A (en) * | 1961-06-29 | 1964-10-06 | High Temperature Materials Inc | Boron nitride coating and a process of producing the same |
US3805024A (en) * | 1973-06-18 | 1974-04-16 | Irex Corp | Electrical infrared heater with a coated silicon carbide emitter |
JPH0687463B2 (ja) * | 1989-08-24 | 1994-11-02 | 株式会社東芝 | 半導体気相成長装置 |
US5336324A (en) * | 1991-12-04 | 1994-08-09 | Emcore Corporation | Apparatus for depositing a coating on a substrate |
JP2766433B2 (ja) * | 1992-07-23 | 1998-06-18 | 株式会社東芝 | 半導体気相成長装置 |
US5343022A (en) * | 1992-09-29 | 1994-08-30 | Advanced Ceramics Corporation | Pyrolytic boron nitride heating unit |
US5700992A (en) * | 1993-10-08 | 1997-12-23 | Toshiba Machine Co., Ltd. | Zigzag heating device with downward directed connecting portions |
JPH07172963A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱分解窒化ホウ素被覆複層成形体及びその製造方法 |
TW444922U (en) * | 1994-09-29 | 2001-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Heating device and the processing device using the same |
JPH08302474A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-19 | Anelva Corp | Cvd装置の加熱装置 |
US5827371A (en) * | 1995-05-03 | 1998-10-27 | Chorus Corporation | Unibody crucible and effusion source employing such a crucible |
US5820681A (en) * | 1995-05-03 | 1998-10-13 | Chorus Corporation | Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible |
US5830277A (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-03 | Mattson Technology, Inc. | Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry |
ATE287629T1 (de) * | 1997-02-15 | 2005-02-15 | Siemens Building Tech Ag | Infrarot-strahler und dessen verwendung |
FR2773043B1 (fr) * | 1997-12-24 | 2000-03-10 | Messier Bugatti | Panneau radiant a element chauffant en fibres de carbone et son procede de fabrication |
-
1999
- 1999-07-02 US US09/347,335 patent/US6140624A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-13 JP JP2000117191A patent/JP2001023759A/ja active Pending
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010517224A (ja) * | 2007-01-21 | 2010-05-20 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 封入されたグラファイト加熱器および方法 |
JP2017051659A (ja) * | 2011-06-16 | 2017-03-16 | レスメド・リミテッドResMed Limited | 加湿器および層状の加熱エレメント |
US10549064B2 (en) | 2011-06-16 | 2020-02-04 | ResMed Pty Ltd | Humidifier and layered heating element |
US10940285B2 (en) | 2011-06-16 | 2021-03-09 | ResMed Pty Ltd | Humidifier and layered heating element |
US11504495B2 (en) | 2011-06-16 | 2022-11-22 | ResMed Pty Ltd | Humidifier and layered heating element |
JP2023504618A (ja) * | 2019-12-05 | 2023-02-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 固体ヒータ及び製造の方法 |
JP7520117B2 (ja) | 2019-12-05 | 2024-07-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 固体ヒータ及び製造の方法 |
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