JPH0717148Y2 - 基板装置 - Google Patents
基板装置Info
- Publication number
- JPH0717148Y2 JPH0717148Y2 JP1992064030U JP6403092U JPH0717148Y2 JP H0717148 Y2 JPH0717148 Y2 JP H0717148Y2 JP 1992064030 U JP1992064030 U JP 1992064030U JP 6403092 U JP6403092 U JP 6403092U JP H0717148 Y2 JPH0717148 Y2 JP H0717148Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- radiant heat
- heated
- heat absorber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、例えば、分子線エピタ
キシー処理で必要となる技術であって、半導体もしくは
絶縁体の基板において基板表面の一部又は全面を真空中
で加熱する場合に効果を発揮する基板装置に関する。
キシー処理で必要となる技術であって、半導体もしくは
絶縁体の基板において基板表面の一部又は全面を真空中
で加熱する場合に効果を発揮する基板装置に関する。
【０００２】イオン注入後の半導体基板では、注入不純
物を電気的に活性化するために、フラッシュアニールと
いう基板加熱方法がとられているが、この基板を面内均
一に昇温する際にも本考案の基板装置は極めて有効性を
発揮する。
物を電気的に活性化するために、フラッシュアニールと
いう基板加熱方法がとられているが、この基板を面内均
一に昇温する際にも本考案の基板装置は極めて有効性を
発揮する。
【０００３】
【従来の技術】従来、分子線エピタキシー成長処理等の
工程で、輻射熱で半導体もしくは絶縁体の基板を３００
℃〜１２００℃等に加熱する場合、この半導体または絶
縁体の基板を熱伝導度のよい部材の上に置き、この部材
を輻射熱で加熱しこの部材からの熱伝導で間接的に基板
を加熱していた。加熱を間接的にする理由は、Ｓｉ、Ｇ
ａＡｓなどの半導体、もしくは透明な絶縁体は、赤外波
長領域では透過率が高く、輻射熱をほとんど透過してし
まい、基板の温度を上昇させることに困難があるためで
ある。この間接的な方法で基板を加熱する場合には、裏
面に設置した部材をも加熱することになり、基板単体の
場合に比べて熱容量が大きくなるため、加熱電力が増大
する。それと同時に、部材周辺部も加熱されるので、こ
れが真空へのガス放出の原因となり、基板表面が汚染さ
れるなどの欠点があった。またこの加熱部材からゴミが
遊離して基板表面に付着する現象も見られ、これらはデ
バイス製造プロセス上大きい問題となっていた。
工程で、輻射熱で半導体もしくは絶縁体の基板を３００
℃〜１２００℃等に加熱する場合、この半導体または絶
縁体の基板を熱伝導度のよい部材の上に置き、この部材
を輻射熱で加熱しこの部材からの熱伝導で間接的に基板
を加熱していた。加熱を間接的にする理由は、Ｓｉ、Ｇ
ａＡｓなどの半導体、もしくは透明な絶縁体は、赤外波
長領域では透過率が高く、輻射熱をほとんど透過してし
まい、基板の温度を上昇させることに困難があるためで
ある。この間接的な方法で基板を加熱する場合には、裏
面に設置した部材をも加熱することになり、基板単体の
場合に比べて熱容量が大きくなるため、加熱電力が増大
する。それと同時に、部材周辺部も加熱されるので、こ
れが真空へのガス放出の原因となり、基板表面が汚染さ
れるなどの欠点があった。またこの加熱部材からゴミが
遊離して基板表面に付着する現象も見られ、これらはデ
バイス製造プロセス上大きい問題となっていた。
【０００４】本考案は、上記問題を解決し、基板のみ、
もしくは、基板の必要部分のみを効率よく輻射熱で加熱
できる基板装置を提供することを目的とする。
もしくは、基板の必要部分のみを効率よく輻射熱で加熱
できる基板装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案は、真空中で輻射
熱を用いて加熱する半導体もしくは絶縁体の基板の、加
熱したい表面の丁度その部分の裏面に、蒸着又は放電反
応処理で輻射熱吸収体薄膜層を主体とする多層膜を被覆
したものである。
熱を用いて加熱する半導体もしくは絶縁体の基板の、加
熱したい表面の丁度その部分の裏面に、蒸着又は放電反
応処理で輻射熱吸収体薄膜層を主体とする多層膜を被覆
したものである。
【０００６】
【実施例】以下、図に基づいて、本考案の実施例を説明
する。
する。
【０００７】図１の実施例において、１は加熱される基
板、２は輻射熱吸収体薄膜層を含む多層膜、３は発熱体
である。輻射熱吸収体薄膜としては、モリブデン、タン
グステンなどの高融点金属又はカーボンが用いられる。
板、２は輻射熱吸収体薄膜層を含む多層膜、３は発熱体
である。輻射熱吸収体薄膜としては、モリブデン、タン
グステンなどの高融点金属又はカーボンが用いられる。
【０００８】図２では、４が輻射熱吸収体薄膜層を含む
多層膜の生成室、５は基板加熱室である。生成室４内で
基板の裏面に真空蒸着又は放電反応処理などの成膜技術
をもちいて輻射熱吸収体薄膜層等を被覆する。基板が充
分に薄いときには、加熱したい表面部のすぐ裏面に被覆
が行なわれる。次いで、ゲート７を開いて被覆された基
板を基板加熱室５へ送り出し、この加熱室５で所定の表
面加工が行なわれる。
多層膜の生成室、５は基板加熱室である。生成室４内で
基板の裏面に真空蒸着又は放電反応処理などの成膜技術
をもちいて輻射熱吸収体薄膜層等を被覆する。基板が充
分に薄いときには、加熱したい表面部のすぐ裏面に被覆
が行なわれる。次いで、ゲート７を開いて被覆された基
板を基板加熱室５へ送り出し、この加熱室５で所定の表
面加工が行なわれる。
【０００９】図３は、輻射熱吸収体薄膜を多層に被覆し
た本考案の実施例である。多層膜は、その組成薄膜層が
熱線の波長に対し、互に異なる吸収・反射の選択性を持
つ場合に、それを互に補完できる効果があるが、殊に基
板と輻射熱吸収体薄膜が反応する場合には、その反応の
防止策として効果が著るしい。このときは基板と輻射熱
吸収体薄膜の間に基板と反応しない薄膜を挿入するもの
で、例えば、基板がＳｉのときに、先づＳｉＯ2 の薄膜
を被覆したのち、その上にモリブデン薄膜を被覆すると
か、基板がＧａＡｓのときに、先づＳｉ3 Ｎ4 の薄膜を
置いてその上にモリブデン薄膜を被覆するとかである。
た本考案の実施例である。多層膜は、その組成薄膜層が
熱線の波長に対し、互に異なる吸収・反射の選択性を持
つ場合に、それを互に補完できる効果があるが、殊に基
板と輻射熱吸収体薄膜が反応する場合には、その反応の
防止策として効果が著るしい。このときは基板と輻射熱
吸収体薄膜の間に基板と反応しない薄膜を挿入するもの
で、例えば、基板がＳｉのときに、先づＳｉＯ2 の薄膜
を被覆したのち、その上にモリブデン薄膜を被覆すると
か、基板がＧａＡｓのときに、先づＳｉ3 Ｎ4 の薄膜を
置いてその上にモリブデン薄膜を被覆するとかである。
【００１０】なお、実施に当って、本考案の輻射熱吸収
体を含む多層薄膜又はその一部の薄膜層の生成は、これ
を完全に別工程で、バッチ処理で行なうことも可能であ
る。また、基板表面に加熱したい部分が局在するとき
は、輻射熱吸収体薄膜生成時にマスクを用いることもで
きる。
体を含む多層薄膜又はその一部の薄膜層の生成は、これ
を完全に別工程で、バッチ処理で行なうことも可能であ
る。また、基板表面に加熱したい部分が局在するとき
は、輻射熱吸収体薄膜生成時にマスクを用いることもで
きる。
【００１１】なおまた、裏面に被覆する膜の熱膨張率
は、基板の熱膨張率に近接させることが望ましい。
は、基板の熱膨張率に近接させることが望ましい。
【００１２】次に、もし表面処理後、裏面に電極を設け
たいなどで、裏面の薄膜を除去したいときは、有機物の
レジストを表面に塗布して裏面の薄膜を酸で除くとか、
裏面の薄膜を機械的に除去するとかの方法が採られる。
たいなどで、裏面の薄膜を除去したいときは、有機物の
レジストを表面に塗布して裏面の薄膜を酸で除くとか、
裏面の薄膜を機械的に除去するとかの方法が採られる。
【００１３】
【考案の効果】本考案の装置によれば、基板表面又はそ
の加熱したい部分のみを効率よくしかも迅速に、かつ精
度よく、すぐれた応答性をもって、輻射熱で加熱出来る
基板が提供される。
の加熱したい部分のみを効率よくしかも迅速に、かつ精
度よく、すぐれた応答性をもって、輻射熱で加熱出来る
基板が提供される。
【００１４】また、本考案の副次的効果として次のもの
がある。即ちイオン注入を絶縁体または半絶縁半導体基
板に対して行なう場合、イオン衝突によって多量の２次
電子が放出され、この２次電子で基板全体がチャージア
ップし、所定の場所にイオンを注入することが不可能と
なる現象があるが、このチャージアップを防止する上
で、裏面に高融点金属を被覆した本考案の基板は著効を
もっている。
がある。即ちイオン注入を絶縁体または半絶縁半導体基
板に対して行なう場合、イオン衝突によって多量の２次
電子が放出され、この２次電子で基板全体がチャージア
ップし、所定の場所にイオンを注入することが不可能と
なる現象があるが、このチャージアップを防止する上
で、裏面に高融点金属を被覆した本考案の基板は著効を
もっている。
【図１】本考案の実施例の基板装置の加熱状況を示す図
である。
である。
【図２】本考案の実施例の基板装置の薄膜生成、加熱処
理装置を略示する図である。
理装置を略示する図である。
【図３】本考案の多層膜を被覆した基板装置の実施例の
図である。
図である。
１ 基板 ２ 輻射熱吸収体薄膜層を含む多層膜 ３ 発熱体 ４ 輻射熱吸収体薄膜層を含む多層膜の生成室 ５ 基板加熱室 ６ 輻射熱吸収体薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−190897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−16971（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−240119（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 真空中で輻射熱を用いて、表面の一部又
は全面に加熱を行なう半導体もしくは絶縁体の基板にお
いて、該加熱したい表面の裏面に、輻射熱吸収体薄膜層
を含む多層膜を被膜したことを特徴とする基板装置。 - 【請求項２】 前記輻射熱吸収体薄膜が、高融点金属又
はカーボンであることを特徴とする請求項１記載の基板
装置。 - 【請求項３】 前記多層膜のうち該基板に接する膜が、
該基板と化学的に反応しない物質で構成されていること
を特徴とする請求項１又は２記載の基板装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992064030U JPH0717148Y2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 基板装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992064030U JPH0717148Y2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 基板装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529140U JPH0529140U (ja) | 1993-04-16 |
| JPH0717148Y2 true JPH0717148Y2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=13246329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992064030U Expired - Lifetime JPH0717148Y2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 基板装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0717148Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5080043B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-21 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造用治具、および半導体装置の製造装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216971A (en) * | 1975-07-30 | 1977-02-08 | Hitachi Ltd | Base plate heat treatment method and wafer for semiconductor |
| JPS58190897A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Fujitsu Ltd | 分子線結晶成長方法 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP1992064030U patent/JPH0717148Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529140U (ja) | 1993-04-16 |
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