JP2633039B2 - 化合物半導体ウエハの熱処理方法 - Google Patents
化合物半導体ウエハの熱処理方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は、化合物半導体ウエハの熱処理方法に関す
る。特に、化合物半導体ウエハにイオン注入法によって
注入された未活性不純物を活性化するランプ熱処理に適
用される。
る。特に、化合物半導体ウエハにイオン注入法によって
注入された未活性不純物を活性化するランプ熱処理に適
用される。
（ロ）従来の技術 化合物半導体装置の製造工程においては、イオン注入
法によって注入された不純物の原子を電気的に活性化す
るための熱処理や、固相拡散による不純物導入のための
加熱などの熱処理が施されている。このような熱処理は
電気炉によって行われているが、加熱時間がイオン注入
後の熱処理の場合で数十分を要するため、注入原子が熱
拡散し注入原子分布が拡大する。半導体素子のサイズが
大きい場合には、この注入原子分布の拡大はそれほど問
題とはならないが、半導体素子を微細化する際の妨げと
なる。そこで近年は熱源に光を用いたランプ加熱技術が
採用されるようになった。
法によって注入された不純物の原子を電気的に活性化す
るための熱処理や、固相拡散による不純物導入のための
加熱などの熱処理が施されている。このような熱処理は
電気炉によって行われているが、加熱時間がイオン注入
後の熱処理の場合で数十分を要するため、注入原子が熱
拡散し注入原子分布が拡大する。半導体素子のサイズが
大きい場合には、この注入原子分布の拡大はそれほど問
題とはならないが、半導体素子を微細化する際の妨げと
なる。そこで近年は熱源に光を用いたランプ加熱技術が
採用されるようになった。
ランプ加熱技術は、短時間（１〜200秒）の熱処理
が可能、低温から高温までの幅広い温度（400〜1300
℃）での熱処理が可能、急速加熱（〜200℃／秒）が
でき、かつ加熱速度を制御できる等の特徴を有し、高温
短時間の熱処理が可能となり、注入原子分布が拡大する
ことなく注入原子の活性化が行える。
が可能、低温から高温までの幅広い温度（400〜1300
℃）での熱処理が可能、急速加熱（〜200℃／秒）が
でき、かつ加熱速度を制御できる等の特徴を有し、高温
短時間の熱処理が可能となり、注入原子分布が拡大する
ことなく注入原子の活性化が行える。
（ハ）発明が解決しようとする課題 ランプ熱処理によってイオン注入後の注入原子を活性
化する場合には、半導体ウエハの周辺からスリップライ
ンが生じたり、ウエハが著しく反ったりすることがあ
る。このスリップライン等の発生原因は急熱・急冷でウ
エハ面内に熱分布が生じ、それが熱応力・熱歪となるた
めと推定されている。半導体ウエハ面内に熱分布が生じ
るメカニズムとしては、ウエハ端からの熱放射による
ウエハ周辺部の低温化、ウエハを支持するホルダー内
での（ウエハが載っている部分とそうでない部分との）
単位面積当りでの熱容量の差などが考えられている。
化する場合には、半導体ウエハの周辺からスリップライ
ンが生じたり、ウエハが著しく反ったりすることがあ
る。このスリップライン等の発生原因は急熱・急冷でウ
エハ面内に熱分布が生じ、それが熱応力・熱歪となるた
めと推定されている。半導体ウエハ面内に熱分布が生じ
るメカニズムとしては、ウエハ端からの熱放射による
ウエハ周辺部の低温化、ウエハを支持するホルダー内
での（ウエハが載っている部分とそうでない部分との）
単位面積当りでの熱容量の差などが考えられている。
最近のランプ熱処理装置の中には、これらの問題点を
取り除くための工夫が行われている装置がある。具体的
には図２に示すように、ホルダーなしで熱処理が行え、
かつウエハ周辺部に裏面からも光が入射することにより
低温化を抑えられるようになっている。しかし、化合物
半導体ウエハ（例えばGaAs）をこの方法で熱処理するた
めには、ウエハ表面からのキャリア濃度の低下や成分元
素（As）の解離を防ぐため、ウエハ表面に1000Å程度の
厚さの耐熱性の膜を付ける必要がある。この耐熱性の膜
としては、ｐ−CVD法（プラズマ−CVD法）によるSiNXや
SiO2、スパッタによるAlN,W系メタルなどが用いられて
いる。
取り除くための工夫が行われている装置がある。具体的
には図２に示すように、ホルダーなしで熱処理が行え、
かつウエハ周辺部に裏面からも光が入射することにより
低温化を抑えられるようになっている。しかし、化合物
半導体ウエハ（例えばGaAs）をこの方法で熱処理するた
めには、ウエハ表面からのキャリア濃度の低下や成分元
素（As）の解離を防ぐため、ウエハ表面に1000Å程度の
厚さの耐熱性の膜を付ける必要がある。この耐熱性の膜
としては、ｐ−CVD法（プラズマ−CVD法）によるSiNXや
SiO2、スパッタによるAlN,W系メタルなどが用いられて
いる。
これらの耐熱性の膜は、例えば公開特許公報昭63−77
124に示されているように、半導体ウエハの両面に被着
しないとスリップライン等を低減することはできなかっ
た。つまり、この熱処理方法では耐熱性膜と半導体ウエ
ハの熱膨張係数が異なっているため、ウエハと耐熱性の
膜の界面に熱応力が発生する。そのため、半導体ウエハ
の両面に耐熱性の膜を被着することにより熱応力による
ウエハの変形（スリップライン、反り）を抑えている。
124に示されているように、半導体ウエハの両面に被着
しないとスリップライン等を低減することはできなかっ
た。つまり、この熱処理方法では耐熱性膜と半導体ウエ
ハの熱膨張係数が異なっているため、ウエハと耐熱性の
膜の界面に熱応力が発生する。そのため、半導体ウエハ
の両面に耐熱性の膜を被着することにより熱応力による
ウエハの変形（スリップライン、反り）を抑えている。
しかし、ウエハの両面に同時に耐熱性の膜を被着でき
るｐ−CVDやスパッタ装置は存在しないため、半導体ウ
エハの表面（素子を作成する側）に耐熱性の膜を被着し
た後、半導体ウエハの裏面に耐熱性の膜を被着する。ウ
エハ裏面に被着する時には、ウエハ表面が装置のデポジ
ション用ステージに密着させられるが、この時ウエハ表
面の耐熱性の膜に傷が入る事がある。傷が入るとランプ
熱処理を行った時にその部分からキャリアの蒸発や成分
元素（As）の解離が起こり、素子が形成できなくなると
いう問題が生じる。
るｐ−CVDやスパッタ装置は存在しないため、半導体ウ
エハの表面（素子を作成する側）に耐熱性の膜を被着し
た後、半導体ウエハの裏面に耐熱性の膜を被着する。ウ
エハ裏面に被着する時には、ウエハ表面が装置のデポジ
ション用ステージに密着させられるが、この時ウエハ表
面の耐熱性の膜に傷が入る事がある。傷が入るとランプ
熱処理を行った時にその部分からキャリアの蒸発や成分
元素（As）の解離が起こり、素子が形成できなくなると
いう問題が生じる。
この発明は、この問題を解決するためになされたもの
であって、化合物半導体ウエハの上面のみに耐熱性の膜
を形成して熱処理ができ、ウエハの変形（スリップライ
ン、反り）を抑え、しかも化合物半導体ウエハ表面から
の成分元素の解離や注入された不純物の蒸発を防ぐこと
のできる化合物半導体ウエハの熱処理方法を提供しよう
とするものである。
であって、化合物半導体ウエハの上面のみに耐熱性の膜
を形成して熱処理ができ、ウエハの変形（スリップライ
ン、反り）を抑え、しかも化合物半導体ウエハ表面から
の成分元素の解離や注入された不純物の蒸発を防ぐこと
のできる化合物半導体ウエハの熱処理方法を提供しよう
とするものである。
（ニ）課題を解決するための手段 この発明によれば、化合物半導体ウエハの上面のみに
該ウエハとエッチング選択性の異なる材料からなりかつ
熱処理前後における膜厚変化が10％以下で膜厚が50Å〜
300Åの耐熱性の膜を被着し、この後に該化合物半導体
ウェハをランプ加熱によって加熱することを特徴とする
化合物半導体ウエハの熱処理方法が提供される。
該ウエハとエッチング選択性の異なる材料からなりかつ
熱処理前後における膜厚変化が10％以下で膜厚が50Å〜
300Åの耐熱性の膜を被着し、この後に該化合物半導体
ウェハをランプ加熱によって加熱することを特徴とする
化合物半導体ウエハの熱処理方法が提供される。
この発明における化合物半導体ウエハは、化合物半導
体装置の製造過程にある中間体であり熱処理を意図する
ものであって、例えばイオン注入法によって注入された
未活性不純物を含有する化合物半導体ウエハ、固相拡散
によって不純物の拡散を意図する不純物未拡散領域を有
する化合物半導体ウエハ等を挙げることができる。この
化合物半導体は、例えばGaAs、InP等から構成される。
この発明においては、前記化合物半導体ウエハの上面
（素子形成側の面）のみに、該ウエハとエッチング選択
性の異なる材料からなる耐熱性の膜が形成される。この
耐熱性の膜は化合物半導体ウエハの熱処理工程におい
て、ウエハ表面から成分元素（例えばGaAsウエハの場合
はAs）の解離や注入された不純物原子の蒸発を防止する
ためのものであって、該ウエハの熱処理を行った後に適
宜エッチング（除去）され化合物半導体装置が作製され
るので該ウエハとエッチング選択性の異なる材料からな
るのが適している。この材料としては、化合物半導体ウ
エハの種類によって異なるが、例えばGaAs化合物半導体
ウエハを用いる場合は、例えばSiNX，SiO2,AlN,W系メタ
ル等を用いることができ、この中でもSiNXが特に好まし
い。
体装置の製造過程にある中間体であり熱処理を意図する
ものであって、例えばイオン注入法によって注入された
未活性不純物を含有する化合物半導体ウエハ、固相拡散
によって不純物の拡散を意図する不純物未拡散領域を有
する化合物半導体ウエハ等を挙げることができる。この
化合物半導体は、例えばGaAs、InP等から構成される。
この発明においては、前記化合物半導体ウエハの上面
（素子形成側の面）のみに、該ウエハとエッチング選択
性の異なる材料からなる耐熱性の膜が形成される。この
耐熱性の膜は化合物半導体ウエハの熱処理工程におい
て、ウエハ表面から成分元素（例えばGaAsウエハの場合
はAs）の解離や注入された不純物原子の蒸発を防止する
ためのものであって、該ウエハの熱処理を行った後に適
宜エッチング（除去）され化合物半導体装置が作製され
るので該ウエハとエッチング選択性の異なる材料からな
るのが適している。この材料としては、化合物半導体ウ
エハの種類によって異なるが、例えばGaAs化合物半導体
ウエハを用いる場合は、例えばSiNX，SiO2,AlN,W系メタ
ル等を用いることができ、この中でもSiNXが特に好まし
い。
この発明においては、前記材料を用いて、化合物半導
体ウエハの上面に、例えばｐ−CVD（プラズマーCVD）法
又はスパッタ法等によって、熱処理前後における膜厚変
化が10％以下でかつ膜厚が50〜300Åの耐熱性の膜を被
着するのが適している。
体ウエハの上面に、例えばｐ−CVD（プラズマーCVD）法
又はスパッタ法等によって、熱処理前後における膜厚変
化が10％以下でかつ膜厚が50〜300Åの耐熱性の膜を被
着するのが適している。
この耐熱性の膜の熱処理前後における膜厚変化（膜を
構成する分子間の結合や蒸発等による膜厚収縮）が10％
を越えると熱処理後の化合物半導体ウエハにスリップラ
インや反り等の欠陥が生じやすくなるので好ましくな
い。また前記膜厚が300Å超では化合物半導体ウエハに
スリップラインや反り等の欠陥が生じやすく、50Å未満
ではウエハ表面から成分元素が解離したり注入された不
純物が蒸発しやすくなるので好ましくない。また、この
耐熱性の膜の耐熱温度は、通常1000〜1050℃である。次
に、耐熱性の膜としてSiNX膜を化合物半導体ウエハの上
面に形成する場合について具体的に述べると、ｐ−CVD
法の条件は、例えば供給ガス及びガス流量比…SiH4／NH
3／N2＝５〜20/140/40〜60、圧力…1.0〜1.5mTorr、RF
パワー…20〜100W（0.45〜2.25w/cm2）、ウエハの温度
…200〜300℃を用いることができる。
構成する分子間の結合や蒸発等による膜厚収縮）が10％
を越えると熱処理後の化合物半導体ウエハにスリップラ
インや反り等の欠陥が生じやすくなるので好ましくな
い。また前記膜厚が300Å超では化合物半導体ウエハに
スリップラインや反り等の欠陥が生じやすく、50Å未満
ではウエハ表面から成分元素が解離したり注入された不
純物が蒸発しやすくなるので好ましくない。また、この
耐熱性の膜の耐熱温度は、通常1000〜1050℃である。次
に、耐熱性の膜としてSiNX膜を化合物半導体ウエハの上
面に形成する場合について具体的に述べると、ｐ−CVD
法の条件は、例えば供給ガス及びガス流量比…SiH4／NH
3／N2＝５〜20/140/40〜60、圧力…1.0〜1.5mTorr、RF
パワー…20〜100W（0.45〜2.25w/cm2）、ウエハの温度
…200〜300℃を用いることができる。
この発明における加熱は、化合物半導体ウエハを熱処
理するためのものであって、例えば化合物半導体ウエハ
内にイオン注入によって注入された未活性不純物の活性
化、化合物半導体ウエハ内への固相拡散による不純物の
拡散等の作用を呈することがてきる。
理するためのものであって、例えば化合物半導体ウエハ
内にイオン注入によって注入された未活性不純物の活性
化、化合物半導体ウエハ内への固相拡散による不純物の
拡散等の作用を呈することがてきる。
この加熱は、通常800〜1000℃で０〜60秒間行われ、
例えばランプ加熱、グラファイトヒータ加熱法、レーザ
加熱法、イオン又は電子ビーム加熱法等を用いることが
でき、この中でもランプ加熱法が特に好ましい。
例えばランプ加熱、グラファイトヒータ加熱法、レーザ
加熱法、イオン又は電子ビーム加熱法等を用いることが
でき、この中でもランプ加熱法が特に好ましい。
（ホ）作用 特定の膜質を有する耐熱性の膜が熱処理に際し、化合
物半導体ウエハに対してひずみを与えず、成分元素の解
離や注入された不純物の蒸発を抑える。
物半導体ウエハに対してひずみを与えず、成分元素の解
離や注入された不純物の蒸発を抑える。
（ヘ）実施例 実施例１ この発明の実施例を図面を用いて説明する。
GaAsウエハ上面への耐熱性の膜の形成 予め50KeVのSi+が４×1012cm-2のドーズ量でイオン注
入された半絶縁性GaAsウエハの上面にｐ−CVD法によっ
て膜厚200ÅのSiNXの膜（耐熱性の膜）を形成する。た
だしｐ−CVD法の条件は、供給ガス…SiH412.0SCCM,NH31
40SCCM,N242SCCM、圧力…1.5mTorr、RFパワー…20W（0.
45w/cm2）、ウエハ温度…300℃である。
入された半絶縁性GaAsウエハの上面にｐ−CVD法によっ
て膜厚200ÅのSiNXの膜（耐熱性の膜）を形成する。た
だしｐ−CVD法の条件は、供給ガス…SiH412.0SCCM,NH31
40SCCM,N242SCCM、圧力…1.5mTorr、RFパワー…20W（0.
45w/cm2）、ウエハ温度…300℃である。
GaAsウエハの熱処理（注入イオンの活性化） 第２図に示すように内部にランプ２と高温計連通口を
有し、鏡面３の内面を有するチャンバー１から構成され
るランプ熱処理装置の中に、上記イオン注入とSiNXの膜
の形成が行われたGaAsウエハ５を配置して熱処理を行
い、イオン注入された不純物を電気的に活性化した。た
だし熱処理条件は、 加熱速度…90℃／秒、熱処理温度…950℃、 熱処理時間…４秒間である。
有し、鏡面３の内面を有するチャンバー１から構成され
るランプ熱処理装置の中に、上記イオン注入とSiNXの膜
の形成が行われたGaAsウエハ５を配置して熱処理を行
い、イオン注入された不純物を電気的に活性化した。た
だし熱処理条件は、 加熱速度…90℃／秒、熱処理温度…950℃、 熱処理時間…４秒間である。
また熱処理後、SiNXの膜は、エリプソメータによって膜
厚を測定したころ、180Åであり10％の膜厚収縮があっ
た。
厚を測定したころ、180Åであり10％の膜厚収縮があっ
た。
実施例２ 実施例１において、SiNXの膜の膜厚を200Åにする代
わりに50Å、100Å及び300Åとし、この他は実施例１と
同様にしてSiNXの膜の形成を行いウエハの熱処理を行っ
た。このSiNXの膜の熱処理による膜厚収縮はいずれも10
％である。
わりに50Å、100Å及び300Åとし、この他は実施例１と
同様にしてSiNXの膜の形成を行いウエハの熱処理を行っ
た。このSiNXの膜の熱処理による膜厚収縮はいずれも10
％である。
比較例１ 実施例１において、SiNXの膜の膜厚を200Åにする代
わりに400Å、500Å及び600Åとし、この他は実施例１
と同様にしてSiNXの膜の形成を行いウエハの熱処理を行
った。このSiNXの膜の熱処理による膜厚収縮はいずれも
10％である。
わりに400Å、500Å及び600Åとし、この他は実施例１
と同様にしてSiNXの膜の形成を行いウエハの熱処理を行
った。このSiNXの膜の熱処理による膜厚収縮はいずれも
10％である。
実施例３ 実施例１において、SiH4の供給量を12.0SCCMとする代
わりに8.0SCCMとし、この他は実施例１と同様にしてSiN
Xの膜を形成しウエハの熱処理を行った。この膜の熱処
理による膜厚収縮は８％である。
わりに8.0SCCMとし、この他は実施例１と同様にしてSiN
Xの膜を形成しウエハの熱処理を行った。この膜の熱処
理による膜厚収縮は８％である。
実施例４ 実施例３においてSiNXの膜の膜厚を200Åにする代わ
りに100Å及び300Åとし、この他は実施例３と同様にし
てSiNXの膜の形成を行いウエハの熱処理を行った。この
膜の熱処理により膜厚収縮はいずれも８％である。
りに100Å及び300Åとし、この他は実施例３と同様にし
てSiNXの膜の形成を行いウエハの熱処理を行った。この
膜の熱処理により膜厚収縮はいずれも８％である。
比較例２ 実施例３においてSiNXの膜の膜厚を200Åにする代わ
りに400Å及び600Åとし、この他は実施例３と同様にし
てSiNXの膜を形成しウエハの熱処理を行った。この熱処
理による膜厚収縮はいずれも８％である。
りに400Å及び600Åとし、この他は実施例３と同様にし
てSiNXの膜を形成しウエハの熱処理を行った。この熱処
理による膜厚収縮はいずれも８％である。
比較例３ 実施例１において、SiN4の供給量を12.0SCCMにする代
わりに20.0SCCMとし、SiNXの膜の膜厚を200Åにする代
わりに300Å、500Å及び1000Åとし、この他は実施例１
と同様にしてSiNXの膜を形成しウエハの熱処理を行っ
た。この膜の熱処理による膜厚収縮は20％である。
わりに20.0SCCMとし、SiNXの膜の膜厚を200Åにする代
わりに300Å、500Å及び1000Åとし、この他は実施例１
と同様にしてSiNXの膜を形成しウエハの熱処理を行っ
た。この膜の熱処理による膜厚収縮は20％である。
上述の実施例及び比較例で得られた熱処理された化合
物半導体ウエハは、スリップライン発生の有無とウエハ
の反りを測定したところ第１図（ａ）に示すような結果
が得られた。ただし＋の符号は熱処理後に化合物半導体
ウエハが凸方向に変化したことを意味する。また、前記
ウエハは、不純物濃度を測定したところ、第１図（ｂ）
に示すような結果が得られた。これらの結果から熱処理
前後における膜厚が10％以下でかつ熱処理前の膜厚が50
Å〜300ÅのSiNXの膜は、熱処理によってスリップライ
ンが発生せずウエハの反りが小さく、ウエハ表面からの
不純物の解離がなく不純物濃度を高く維持できることが
認められた。
物半導体ウエハは、スリップライン発生の有無とウエハ
の反りを測定したところ第１図（ａ）に示すような結果
が得られた。ただし＋の符号は熱処理後に化合物半導体
ウエハが凸方向に変化したことを意味する。また、前記
ウエハは、不純物濃度を測定したところ、第１図（ｂ）
に示すような結果が得られた。これらの結果から熱処理
前後における膜厚が10％以下でかつ熱処理前の膜厚が50
Å〜300ÅのSiNXの膜は、熱処理によってスリップライ
ンが発生せずウエハの反りが小さく、ウエハ表面からの
不純物の解離がなく不純物濃度を高く維持できることが
認められた。
（ト）発明の効果 この発明によれば、化合物半導体ウエハの上面のみに
耐熱性の膜を形成して熱処理ができ、ウエハの変形（ス
リップライン、反り）を抑え、化合物半導体ウエハ表面
から成分元素の解離や注入された不純物の蒸発を防ぐこ
とのできる化合物半導体ウエハの熱処理方法を提供する
ことができる。
耐熱性の膜を形成して熱処理ができ、ウエハの変形（ス
リップライン、反り）を抑え、化合物半導体ウエハ表面
から成分元素の解離や注入された不純物の蒸発を防ぐこ
とのできる化合物半導体ウエハの熱処理方法を提供する
ことができる。
第１図（ａ）は、この発明の実施例及び比較例の熱処理
工程における耐熱性の膜の膜質とウエハの変形との関係
図、第１図（ｂ）は、この発明の熱処理工程における表
面キャリア濃度と耐熱性の膜の膜厚との関係図、第２図
は、この発明の実施例及び比較例の熱処理工程で用いた
ランプ熱処理装置の図である。 １……ランプ熱処理装置、２……ランプ、３……鏡面、
４……高温計連通口、５……ウエハ、６……直接入射
光、７……側面反射光、８……裏面反射光。
工程における耐熱性の膜の膜質とウエハの変形との関係
図、第１図（ｂ）は、この発明の熱処理工程における表
面キャリア濃度と耐熱性の膜の膜厚との関係図、第２図
は、この発明の実施例及び比較例の熱処理工程で用いた
ランプ熱処理装置の図である。 １……ランプ熱処理装置、２……ランプ、３……鏡面、
４……高温計連通口、５……ウエハ、６……直接入射
光、７……側面反射光、８……裏面反射光。
Claims (2)
- 【請求項１】化合物半導体ウェハの上面のみに、該ウェ
ハとエッチング選択性の異なる材料からなりかつ熱処理
前後における膜厚変化が10％以下で膜厚が50Å〜300Å
の耐熱性の膜を被着し、この後に該化合物半導体ウェハ
をランプ加熱法によって加熱することを特徴とする化合
物半導体ウェハの熱処理方法。 - 【請求項２】化合物半導体ウェハがイオン注入法によっ
て注入された未活性不純物を含有する請求項１記載の方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1281151A JP2633039B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 化合物半導体ウエハの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1281151A JP2633039B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 化合物半導体ウエハの熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141639A JPH03141639A (ja) | 1991-06-17 |
| JP2633039B2 true JP2633039B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17635071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1281151A Expired - Lifetime JP2633039B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 化合物半導体ウエハの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633039B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110572A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-16 | 小室 美千子 | プラグおよびボデイのシヨ−ト防止装置 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP1281151A patent/JP2633039B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03141639A (ja) | 1991-06-17 |
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