JPS60254614A - 光誘導による導電性ケイ化チタンフイルムの化学蒸着法 - Google Patents
光誘導による導電性ケイ化チタンフイルムの化学蒸着法Info
- Publication number
- JPS60254614A JPS60254614A JP60102515A JP10251585A JPS60254614A JP S60254614 A JPS60254614 A JP S60254614A JP 60102515 A JP60102515 A JP 60102515A JP 10251585 A JP10251585 A JP 10251585A JP S60254614 A JPS60254614 A JP S60254614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- silicon
- gas
- film
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 45
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 72
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 45
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 35
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- -1 titanium halide Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical group [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229910021352 titanium disilicide Inorganic materials 0.000 description 2
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000589631 Homo sapiens Putative N-acetyltransferase 8B Proteins 0.000 description 1
- 102100032379 Putative N-acetyltransferase 8B Human genes 0.000 description 1
- 229910009871 Ti5Si3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000013332 literature search Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000000247 postprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910000601 superalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J titanium tetraiodide Chemical compound I[Ti](I)(I)I NLLZTRMHNHVXJJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229940007392 tylan Drugs 0.000 description 1
- WBPYTXDJUQJLPQ-VMXQISHHSA-N tylosin Chemical compound O([C@@H]1[C@@H](C)O[C@H]([C@@H]([C@H]1N(C)C)O)O[C@@H]1[C@@H](C)[C@H](O)CC(=O)O[C@@H]([C@H](/C=C(\C)/C=C/C(=O)[C@H](C)C[C@@H]1CC=O)CO[C@H]1[C@@H]([C@H](OC)[C@H](O)[C@@H](C)O1)OC)CC)[C@H]1C[C@@](C)(O)[C@@H](O)[C@H](C)O1 WBPYTXDJUQJLPQ-VMXQISHHSA-N 0.000 description 1
- 235000019375 tylosin Nutrition 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28097—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being a metallic silicide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/42—Silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28035—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
- H01L21/28044—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer
- H01L21/28052—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer the conductor comprising a silicide layer formed by the silicidation reaction of silicon with a metal layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電性ケイ化チタン含有フィルム、ならびに基
板およびフィルムからなる複合材料の製造に関する。よ
り詳細には本発明は強度の高い光で照射された気相反応
体から基板上に形成される導電性ケイ化チタン含有フィ
ルムの製造に関する。
板およびフィルムからなる複合材料の製造に関する。よ
り詳細には本発明は強度の高い光で照射された気相反応
体から基板上に形成される導電性ケイ化チタン含有フィ
ルムの製造に関する。
詳細には本発明はハロゲン化チタンおよびケイ素含有化
合物よりなる気体状反応体からあらかじめ加熱された基
板上に多結晶質ケイ化チタン含有薄膜を光誘導により化
学的に蒸着することを目的とする。これらのフィルムお
よび複合材料はＶＬＳ ＩおよびＶＶＬＳ 工の製造に
用いるのに理想−に適している。
合物よりなる気体状反応体からあらかじめ加熱された基
板上に多結晶質ケイ化チタン含有薄膜を光誘導により化
学的に蒸着することを目的とする。これらのフィルムお
よび複合材料はＶＬＳ ＩおよびＶＶＬＳ 工の製造に
用いるのに理想−に適している。
近年のエレクトロニクス工業の発展により集積回路の造
作寸法が着実に縮小されてきた。２５６にチップの導入
および進行中の５１２にチップに関する研究に伴って、
造作寸法は伝統的な半導体加工技術がもはや適切でない
ほどにまで縮小されている。最近までドーピングしたポ
リシリコンが金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス上の
ゲートインターコネクト用導体として広く用いられてき
た。ドーピングしたポリシリコンはその後の高温加工工
程に耐えうるため、またそれが望ましい電気的特性、た
とえば約１，０００μΩ−儂の体積抵抗率をもつため選
ばれた。しかし導体のライン幅が２μ以下に低下するの
に伴ってポリシリコン導体ラインの抵抗はデバイスの高
速パホーマンスを低下させるほど大きくなる。従って１
μ以下という小さな造作寸法については、エレクトロニ
クス業界では耐熱金属ケイ化物を高密度チップの製造に
おけるゲートインターコネクトに対する解決策として注
目してきた。
作寸法が着実に縮小されてきた。２５６にチップの導入
および進行中の５１２にチップに関する研究に伴って、
造作寸法は伝統的な半導体加工技術がもはや適切でない
ほどにまで縮小されている。最近までドーピングしたポ
リシリコンが金属酸化物半導体（ＭＯＳ）デバイス上の
ゲートインターコネクト用導体として広く用いられてき
た。ドーピングしたポリシリコンはその後の高温加工工
程に耐えうるため、またそれが望ましい電気的特性、た
とえば約１，０００μΩ−儂の体積抵抗率をもつため選
ばれた。しかし導体のライン幅が２μ以下に低下するの
に伴ってポリシリコン導体ラインの抵抗はデバイスの高
速パホーマンスを低下させるほど大きくなる。従って１
μ以下という小さな造作寸法については、エレクトロニ
クス業界では耐熱金属ケイ化物を高密度チップの製造に
おけるゲートインターコネクトに対する解決策として注
目してきた。
耐熱金属ケイ化物は今日ポリシリコンの代わりに、また
はポリシリコンに加えて（２層ポリシリコン−ケイ化物
導体として；時にポリサイドと呼ばれる）用いられてい
る。耐熱金属ケイ化物はきわめて低い体積抵抗率（約１
５〜１００μΩ−ｃｒｒＬ）をもち、ｉ、ｏｏｏ℃を越
える温度に耐えることができ、かつ一般には容易に酸化
されない。ゲートインターコネクトの作成に一般に用い
られているケイ化物はケイ化チタン（ＴＬＳｉ２）、ケ
イ化タングステン（ＷＳｔ−２）、ケイ化モリブデ／
（Ｍ Ｏ８’ ２ ）およびケイ化タンタル（ＴａＳ
Ｚ２ ）である。
はポリシリコンに加えて（２層ポリシリコン−ケイ化物
導体として；時にポリサイドと呼ばれる）用いられてい
る。耐熱金属ケイ化物はきわめて低い体積抵抗率（約１
５〜１００μΩ−ｃｒｒＬ）をもち、ｉ、ｏｏｏ℃を越
える温度に耐えることができ、かつ一般には容易に酸化
されない。ゲートインターコネクトの作成に一般に用い
られているケイ化物はケイ化チタン（ＴＬＳｉ２）、ケ
イ化タングステン（ＷＳｔ−２）、ケイ化モリブデ／
（Ｍ Ｏ８’ ２ ）およびケイ化タンタル（ＴａＳ
Ｚ２ ）である。
現在導電性ケイ化物被膜を製造するために各種小士圧ぶ
埋田シ七イーへＡ−とれにはスパッタリング法もしくは
混合スパッタリング法、蒸発法もしくは混合蒸発法、高
い基板温度を必要とする化学蒸着法（予備蒸着または後
蒸着）、およびプラズマ誘導性化学蒸着法が含まれる。
埋田シ七イーへＡ−とれにはスパッタリング法もしくは
混合スパッタリング法、蒸発法もしくは混合蒸発法、高
い基板温度を必要とする化学蒸着法（予備蒸着または後
蒸着）、およびプラズマ誘導性化学蒸着法が含まれる。
これらの方法の多くについての詳細な考察に関しては、
ムラルカ著”ＶＳＬ工製造のための耐熱ケイ化物”（ア
カデミツク・プレス、１９８３年％１１５−１３１頁）
を参照されたい。
ムラルカ著”ＶＳＬ工製造のための耐熱ケイ化物”（ア
カデミツク・プレス、１９８３年％１１５−１３１頁）
を参照されたい。
スパッタリング法は基板に析出させるための材料の遊離
原子のエネルギーを与えられたイオンにより衝撃される
ターゲット材料を使用する。この方法にはシリコンもし
くはポリシリコン上に金属をスパッターさせるもの、ま
たは同時に２種のターゲットからスパッターさせるもの
（混合スパッタリング）が含まれる。両技術ともケイ化
物生成のために高周波（ＲＦ、プラズマ）または直流（
ＤＣ）マグネトロンスパッタリングを採用する。
原子のエネルギーを与えられたイオンにより衝撃される
ターゲット材料を使用する。この方法にはシリコンもし
くはポリシリコン上に金属をスパッターさせるもの、ま
たは同時に２種のターゲットからスパッターさせるもの
（混合スパッタリング）が含まれる。両技術ともケイ化
物生成のために高周波（ＲＦ、プラズマ）または直流（
ＤＣ）マグネトロンスパッタリングを採用する。
ＤＣマグネトロンスパッタリンクハ、ターゲット材料が
導体でなければならないため用途が制限される。従って
混合スパッタリング法の場合のように金属ターゲットお
よびシリコンターゲットを用いる場合、シリコンターゲ
ットはこれを良導体とするためにドーピングされていな
ければならない。その結果、得られるケイ化物の層は望
ましくないドーピング剤を含む可能性がある。
導体でなければならないため用途が制限される。従って
混合スパッタリング法の場合のように金属ターゲットお
よびシリコンターゲットを用いる場合、シリコンターゲ
ットはこれを良導体とするためにドーピングされていな
ければならない。その結果、得られるケイ化物の層は望
ましくないドーピング剤を含む可能性がある。
スパッタリング法は析出層中にガスの閉じ込めおよび／
または混入を生じる。衝撃イオンはケイ化物層に閉じ込
められる気体イオンである。これらの気体が化学的反応
性をもつ不純物を含有する場合、これらの気体は層を化
学的に汚染する可能性がある。
または混入を生じる。衝撃イオンはケイ化物層に閉じ込
められる気体イオンである。これらの気体が化学的反応
性をもつ不純物を含有する場合、これらの気体は層を化
学的に汚染する可能性がある。
スパッタリングまたは混合スパッタリングという物理的
析出法により製造されたケイ化物被膜は常に非晶質であ
る。これらの非晶質被膜は析出したままでは抵抗率が高
く、抵抗率の低い高品質被膜を製造するためには９００
〜１，１００℃で０．５〜１．０時間焼鈍しなければな
らない。高温焼鈍（約１，０００℃以上）はシリコンチ
ップのそりを生じる可能性があり、これによりその後の
平版印刷が困難になる。さらにｉ、ｏｏｏ℃以上ではド
ーピング剤の拡散くない状態に変化する可能性がある。
析出法により製造されたケイ化物被膜は常に非晶質であ
る。これらの非晶質被膜は析出したままでは抵抗率が高
く、抵抗率の低い高品質被膜を製造するためには９００
〜１，１００℃で０．５〜１．０時間焼鈍しなければな
らない。高温焼鈍（約１，０００℃以上）はシリコンチ
ップのそりを生じる可能性があり、これによりその後の
平版印刷が困難になる。さらにｉ、ｏｏｏ℃以上ではド
ーピング剤の拡散くない状態に変化する可能性がある。
工程付着量が乏しいこともスパッタリングまたは混合ス
パッタリングに伴う他の欠点である。ウェハー表面のト
ポグラフィ−は変化するので、デバイスの分解または損
傷を避けるためには良好な工程付着量が必要である。ス
パッタリングおよび混合スパッタリングによる層は他の
先行技術による方法に比して乏しい工程付着量を示す。
パッタリングに伴う他の欠点である。ウェハー表面のト
ポグラフィ−は変化するので、デバイスの分解または損
傷を避けるためには良好な工程付着量が必要である。ス
パッタリングおよび混合スパッタリングによる層は他の
先行技術による方法に比して乏しい工程付着量を示す。
工程付着量が乏しいため局部的に薄い斑点が生じ、これ
により過熱、導体の電子移動が起こり、結果的にデバイ
スの早期損傷が生じる可能性がある。
により過熱、導体の電子移動が起こり、結果的にデバイ
スの早期損傷が生じる可能性がある。
蒸発法にはシリコンもしくはポリシリコン上における金
属の蒸発、およびシリコン、ポリシリコンもしくは酸化
物上における金属およびシリコンの混合蒸発が含まれる
。この方法では基板表面に析出する元素を蒸発させるた
めに熱（抵抗、誘導（ＲＦ）、電子衝撃、またはレーザ
ー）を用いる。
属の蒸発、およびシリコン、ポリシリコンもしくは酸化
物上における金属およびシリコンの混合蒸発が含まれる
。この方法では基板表面に析出する元素を蒸発させるた
めに熱（抵抗、誘導（ＲＦ）、電子衝撃、またはレーザ
ー）を用いる。
特に混合蒸発に伴う問題は操作毎のケイ化物組成の一致
性である。さらに耐熱金属ケイ化物の生成のために熱源
として慣用される電子銃は照射による損傷を基板に与え
る。
性である。さらに耐熱金属ケイ化物の生成のために熱源
として慣用される電子銃は照射による損傷を基板に与え
る。
採用する個々の蒸発法がいずれであっても、高導電性ケ
イ化物層の形成には９００〜１．ｔｏｏ℃における析出
後処理が必要である。スパッタリング法の場合と同様に
高温（１０００℃以上）での析出後処理工程は基板のそ
りおよびドーピング剤の著しい拡散を生じる可能性があ
る。さらに蒸発法による工程付着量はスパッタリング法
により得られる付着量よりも一般に良くはない。
イ化物層の形成には９００〜１．ｔｏｏ℃における析出
後処理が必要である。スパッタリング法の場合と同様に
高温（１０００℃以上）での析出後処理工程は基板のそ
りおよびドーピング剤の著しい拡散を生じる可能性があ
る。さらに蒸発法による工程付着量はスパッタリング法
により得られる付着量よりも一般に良くはない。
ケイ化物の化学蒸着法（Ｃ’ＶＤ ）は蒸気相での材料
の化学反応、または基板表面で起こる反応を必要とする
。また化学蒸着法は導電性被膜を製造するために高い基
板温度（Ｔ Ｌ Ｓ ｔ２に関しては１，０００〜１，
１００℃）を必要とする。ウエールらのＮｉ−を基体と
する超合金上のＴｉ−８ｉ含有被膜のＣＶＤ析出析出室
気化学会、第８回化学類着法に関する国際会議会報、ニ
ューシャーシー州ベニントン。
の化学反応、または基板表面で起こる反応を必要とする
。また化学蒸着法は導電性被膜を製造するために高い基
板温度（Ｔ Ｌ Ｓ ｔ２に関しては１，０００〜１，
１００℃）を必要とする。ウエールらのＮｉ−を基体と
する超合金上のＴｉ−８ｉ含有被膜のＣＶＤ析出析出室
気化学会、第８回化学類着法に関する国際会議会報、ニ
ューシャーシー州ベニントン。
１９８１年６８５〜９８頁）を参照されたい。 これら
の高温処理が必要であることにより、スパッタリング法
および蒸発法の析出後処理に際して生じたと同じ問題が
生じる。しかしケイ化物フィルムのスパッタリング法ま
たは蒸発法に伴い工程付着量の問題が生じたのとは異な
り、ＣＶＤフィルムは良好な工程付着量を示す。
の高温処理が必要であることにより、スパッタリング法
および蒸発法の析出後処理に際して生じたと同じ問題が
生じる。しかしケイ化物フィルムのスパッタリング法ま
たは蒸発法に伴い工程付着量の問題が生じたのとは異な
り、ＣＶＤフィルムは良好な工程付着量を示す。
低温壁、低圧ＣＶＤ法がごく最近高温基板法に代わるも
のとして開発された。この方法の例は”ソリッド・ステ
ート・テクノロジー”、１９８３年１１月、６３−４寅
の゛低温壁、低圧ＣＶＤ反応器”、およびグロルスらの
６ソリツド・ステート・テクノロジー”、Ｍｏ１．２６
．１９８３年４月、１８３−６頁、“ＩＣ加工条件に関
連する低圧ＣＶＤケイ化タングステンの特性”に記載さ
れている。低温に加熱された基板上で生成した生成物は
微結晶質または非晶質である。しかし導電層を得るため
にはいずれの方法についても高温焼鈍（１，０００−１
，１００℃）が必要である。この場合もこの高温におけ
る析出後処理により基板のそりおよび望ましくないド−
ピング剤分布変化が起こる可能性がある。
のとして開発された。この方法の例は”ソリッド・ステ
ート・テクノロジー”、１９８３年１１月、６３−４寅
の゛低温壁、低圧ＣＶＤ反応器”、およびグロルスらの
６ソリツド・ステート・テクノロジー”、Ｍｏ１．２６
．１９８３年４月、１８３−６頁、“ＩＣ加工条件に関
連する低圧ＣＶＤケイ化タングステンの特性”に記載さ
れている。低温に加熱された基板上で生成した生成物は
微結晶質または非晶質である。しかし導電層を得るため
にはいずれの方法についても高温焼鈍（１，０００−１
，１００℃）が必要である。この場合もこの高温におけ
る析出後処理により基板のそりおよび望ましくないド−
ピング剤分布変化が起こる可能性がある。
プラズマ誘導ＣＶＤ法は”プラズマケイ化チタン−一最
も抵抗の少ない経路“（ソリッド・ステート・テクノロ
ジー、１９８４年１月、３７頁）に略記されている。こ
の方法では若干低い加工温度を採用するが、この方法の
主な欠点は基板に明らかに照射損傷が生じる可能性があ
ることである。
も抵抗の少ない経路“（ソリッド・ステート・テクノロ
ジー、１９８４年１月、３７頁）に略記されている。こ
の方法では若干低い加工温度を採用するが、この方法の
主な欠点は基板に明らかに照射損傷が生じる可能性があ
ることである。
高温加工の影響を低下させる試みにおいて、層を焼鈍す
るためにレーザーおよび電子もしくはイオンビームが用
いられる。これらの熱処理加工では熱が局在し、導電層
を生成するためにごく短期間を必要とするにすぎない。
るためにレーザーおよび電子もしくはイオンビームが用
いられる。これらの熱処理加工では熱が局在し、導電層
を生成するためにごく短期間を必要とするにすぎない。
たとえばムラルカ。
前掲文献１２８頁を参照されたい。
より最近では、レーザー誘導による化学蒸着法（ＬＣｖ
Ｄ）が半導体、絶縁体および導体（金属）被膜の製造に
用いられている。レーザー誘導性反応により気体状成分
が反応し、基板上に被膜を形成する。Ｓｉ半導体層、酸
化物および窒化物絶縁層ならびに導電性金属層の製造に
ついて論じた参考文献には下記のものが含まれる。米国
特許第４．２２７，９０７号；第４，２７０，９９７号
；第４．２６６，６４９号；第４，３２４，８５４号；
ゴレンチらごレーザーにより増強された化学的シリコン
蒸着法゛（電気化学会゛第８回化学蒸着法に関する国際
会議会報”、ニューシャーシー州はニントン、１９８１
年、２７５−８３頁）；ガツツソ（Ｇａｔｔｕｓｏ ）
ら、”ＩＲＬ／−ザー誘導によるシリコン薄膜の析出”
、（Ｍａｔ、 Ｒθｓ、Ｓｏｃ。
Ｄ）が半導体、絶縁体および導体（金属）被膜の製造に
用いられている。レーザー誘導性反応により気体状成分
が反応し、基板上に被膜を形成する。Ｓｉ半導体層、酸
化物および窒化物絶縁層ならびに導電性金属層の製造に
ついて論じた参考文献には下記のものが含まれる。米国
特許第４．２２７，９０７号；第４，２７０，９９７号
；第４．２６６，６４９号；第４，３２４，８５４号；
ゴレンチらごレーザーにより増強された化学的シリコン
蒸着法゛（電気化学会゛第８回化学蒸着法に関する国際
会議会報”、ニューシャーシー州はニントン、１９８１
年、２７５−８３頁）；ガツツソ（Ｇａｔｔｕｓｏ ）
ら、”ＩＲＬ／−ザー誘導によるシリコン薄膜の析出”
、（Ｍａｔ、 Ｒθｓ、Ｓｏｃ。
Ｐｒｏｃ、、 Ｖｏｌ、 １７．１９８３．２１５−２
２頁）；アレンら、”要約抜粋：レーザーＣＶＤにより
析出した数種のフィルムの特性”（Ｖａｃ、Ｓｃｉ、
Ｔθｃｈｎｏ１．、１９８３年３月）；およびムニエー
ルら、゛レーザー誘導によるシランの化学蒸着によって
製造された水素化された非晶質シリコン” （ＡｐｐＩ
、 Ｐｈ７日、Ｌθ１１゜４３（３）、 １．１９８３
年８月、２７３−５頁）。さらに例証つきのレーザーに
よる反応の総合リストはスタインフェルト９の“レーザ
ー誘導による化学反応：文献探索、 １９６５−１９７
９”（プレナム：ニューヨーク、１９８１年、２４３−
６７頁）に示されている。
２頁）；アレンら、”要約抜粋：レーザーＣＶＤにより
析出した数種のフィルムの特性”（Ｖａｃ、Ｓｃｉ、
Ｔθｃｈｎｏ１．、１９８３年３月）；およびムニエー
ルら、゛レーザー誘導によるシランの化学蒸着によって
製造された水素化された非晶質シリコン” （ＡｐｐＩ
、 Ｐｈ７日、Ｌθ１１゜４３（３）、 １．１９８３
年８月、２７３−５頁）。さらに例証つきのレーザーに
よる反応の総合リストはスタインフェルト９の“レーザ
ー誘導による化学反応：文献探索、 １９６５−１９７
９”（プレナム：ニューヨーク、１９８１年、２４３−
６７頁）に示されている。
今日まで、金属酸化物がＶＬＳＩおよびＶ ＶＬＳＩの
製造における手段であることがエレクトロニクス業界で
認識されているにもかかわらず、また今日被膜形成法に
ついて論じた文献の量にもかかわらず、堅固な高導電層
を得るための高温処理を必要としない方法により満足す
べき金属ケイ化物被膜を製造することは不可能であった
。
製造における手段であることがエレクトロニクス業界で
認識されているにもかかわらず、また今日被膜形成法に
ついて論じた文献の量にもかかわらず、堅固な高導電層
を得るための高温処理を必要としない方法により満足す
べき金属ケイ化物被膜を製造することは不可能であった
。
本発明者らは導電性ケイ化チタン含有フィルムおよび複
合材料を製造するための新規な方法を見出した。この方
法によれば、導電性ケイ化チタン含有フィルムの製造に
普通必要とされる高温処理工程が除かれる。この方法は
好ましくはレーザーを用いて基板上の多結晶質導電性ケ
イ化チタン含有フィルムの化学蒸着を誘導する。この導
電性フィルムは容易に調整できる組成をもち、複合材料
を形成する際この複合材料は卓越した工程付着量を示す
。新規な方法により、集積回路の製造に理想的に適した
フィルムおよび複合材料が製造される。
合材料を製造するための新規な方法を見出した。この方
法によれば、導電性ケイ化チタン含有フィルムの製造に
普通必要とされる高温処理工程が除かれる。この方法は
好ましくはレーザーを用いて基板上の多結晶質導電性ケ
イ化チタン含有フィルムの化学蒸着を誘導する。この導
電性フィルムは容易に調整できる組成をもち、複合材料
を形成する際この複合材料は卓越した工程付着量を示す
。新規な方法により、集積回路の製造に理想的に適した
フィルムおよび複合材料が製造される。
本発明は多結晶質ケイ化チタンからなる導電性フィルム
の製造を目的とする。この方法は α）基板を処理位置
に置き；ｂ）ノ・ロゲン化チタンおよびシリコン含有化
合物からなる気相反応体を処理位置に供給し；Ｃ）この
気体を処理位置において強度の高い光で照射し：’）基
板表面を照射気体に暴露してケイ化チタンからなるフィ
ルムをその上に析出″させ；そしてｇ）基板を工程ｂ）
、Ｃ）およびｄ）の間、気相反応体間の熱反応を誘導す
る温度よりも低いあらかじめ定められた温度に保持する
工程からなる。一般に基板の温度は約５００℃以下であ
る。高い強度をもつ好ましい光源はレーザーである。金
属ケイ化物含有フィルムの厚さは約１μ以下であってよ
く、このフィルムｔｄ約３００μΩ−い以下の体積抵抗
率（ρ）を示す。複合材料は基板上の層として形成され
たケイ化チタン含有フィルムからなる。これらの基板は
好ましくはシリコン、＃？リシリコン、ドーピングされ
たシリコン、アルミナ、窒化ケイ素またはシリカよりな
る群から選ばれる。
の製造を目的とする。この方法は α）基板を処理位置
に置き；ｂ）ノ・ロゲン化チタンおよびシリコン含有化
合物からなる気相反応体を処理位置に供給し；Ｃ）この
気体を処理位置において強度の高い光で照射し：’）基
板表面を照射気体に暴露してケイ化チタンからなるフィ
ルムをその上に析出″させ；そしてｇ）基板を工程ｂ）
、Ｃ）およびｄ）の間、気相反応体間の熱反応を誘導す
る温度よりも低いあらかじめ定められた温度に保持する
工程からなる。一般に基板の温度は約５００℃以下であ
る。高い強度をもつ好ましい光源はレーザーである。金
属ケイ化物含有フィルムの厚さは約１μ以下であってよ
く、このフィルムｔｄ約３００μΩ−い以下の体積抵抗
率（ρ）を示す。複合材料は基板上の層として形成され
たケイ化チタン含有フィルムからなる。これらの基板は
好ましくはシリコン、＃？リシリコン、ドーピングされ
たシリコン、アルミナ、窒化ケイ素またはシリカよりな
る群から選ばれる。
第１図は新規方法を実施する際に用いられる基本的装置
を概略的に示したものである。
を概略的に示したものである。
第２ａ、２ｂおよび２Ｃ図は上記フィルムの結晶性を明
瞭に示す走査電子顕微鏡写真である。
瞭に示す走査電子顕微鏡写真である。
第３α、３ｂおよび３０図は第２α、２ｂおよび２Ｃ図
に示したフィルムと異なる条件下で形成された多結晶質
ケイ化チタンフィルムの走査電子顕微鏡写真である。
に示したフィルムと異なる条件下で形成された多結晶質
ケイ化チタンフィルムの走査電子顕微鏡写真である。
第１図は反応器１０、気体状反応体配送システム３０、
高強度光源５０、基板固定機構７０、排気システム９０
および反応監視機構■０からなる、本発明の実施に好ま
しい装置を示す。
高強度光源５０、基板固定機構７０、排気システム９０
および反応監視機構■０からなる、本発明の実施に好ま
しい装置を示す。
反応器１０は多数の開口が含まれるように設計されてい
る。反応器１０の側壁と共軸に光線用開口１１および１
２が配置される。強度の高い光を透過させる窓１３およ
び１４（たとえばＮａＣ１の窓）を備えた開口１１およ
び１２は、高強度光源から発生する光度の高い光が反応
器１０の反応室１５を貫通するのを可能にする。光線用
開口１１および１２のほかに反応器１０にハ拡散／メカ
ニカルポンプコンビネーションおよび耐薬品性メカニカ
ルポンプと流体連絡をもつ排気用開口１６が備えられて
いる。それぞれレーザービーム透光性の窓１９および２
０を備えた検出器用開口１７および１８ｄル−ザーから
発生する検出ビームが検出器用開口１７を貫通し、基板
固定機構に固定された基板に衝突し、基板により反射し
たのち検出器用開口１８を貫通するのを可能にする。気
体反応体供給用開口２１は気体反応体が高光度光線の通
路中へ供給されるように配置される。
る。反応器１０の側壁と共軸に光線用開口１１および１
２が配置される。強度の高い光を透過させる窓１３およ
び１４（たとえばＮａＣ１の窓）を備えた開口１１およ
び１２は、高強度光源から発生する光度の高い光が反応
器１０の反応室１５を貫通するのを可能にする。光線用
開口１１および１２のほかに反応器１０にハ拡散／メカ
ニカルポンプコンビネーションおよび耐薬品性メカニカ
ルポンプと流体連絡をもつ排気用開口１６が備えられて
いる。それぞれレーザービーム透光性の窓１９および２
０を備えた検出器用開口１７および１８ｄル−ザーから
発生する検出ビームが検出器用開口１７を貫通し、基板
固定機構に固定された基板に衝突し、基板により反射し
たのち検出器用開口１８を貫通するのを可能にする。気
体反応体供給用開口２１は気体反応体が高光度光線の通
路中へ供給されるように配置される。
気体反応体配送システム３０は気体反応体を反応室１５
に供給する。このシステムはシリコン含有化合物や供給
源３１およびハロゲン化チタンの供給源３３からなる。
に供給する。このシステムはシリコン含有化合物や供給
源３１およびハロゲン化チタンの供給源３３からなる。
ガス反応体はそれぞれ別個の管路３２および３４を介し
て混合管路３５へ供給される。反応体供給用開口２１と
流体連絡をもつ混合管路３５には、好ましくは不純物粒
子を除去する粒子フィルター３６（たとえば細孔寸法２
μのフィルター）が含まれる。供給源３１および３３か
らの気体反応体の流速は、別個の電子素材流速制御ユニ
ット３７および３８により制御される。ハロゲン化チタ
ンの供給源３３はキャリヤーガス供給源３９、および液
体ハロゲン化チタンを入れたバブラーユニット４０から
なる。
て混合管路３５へ供給される。反応体供給用開口２１と
流体連絡をもつ混合管路３５には、好ましくは不純物粒
子を除去する粒子フィルター３６（たとえば細孔寸法２
μのフィルター）が含まれる。供給源３１および３３か
らの気体反応体の流速は、別個の電子素材流速制御ユニ
ット３７および３８により制御される。ハロゲン化チタ
ンの供給源３３はキャリヤーガス供給源３９、および液
体ハロゲン化チタンを入れたバブラーユニット４０から
なる。
キャリヤーガスはキャリヤーガス供給管路４１を経てバ
フラ−ユニット４０中の液体ハロゲン化チタンの液面下
に導入され、バブラーユニット内の液面上方に含まれる
キャリヤーガス／ハロゲン化チタン蒸気は供給管路３４
に流入する。ハロゲン化チタンをガスキャリヤーの使用
なしに直接気化システム、たとえば液体ハロゲン化物を
直接に気化させる加熱供給システムを採用して供給しう
ることを留意すべきである。
フラ−ユニット４０中の液体ハロゲン化チタンの液面下
に導入され、バブラーユニット内の液面上方に含まれる
キャリヤーガス／ハロゲン化チタン蒸気は供給管路３４
に流入する。ハロゲン化チタンをガスキャリヤーの使用
なしに直接気化システム、たとえば液体ハロゲン化物を
直接に気化させる加熱供給システムを採用して供給しう
ることを留意すべきである。
高光度光源５０は好ましくはレーザーである。光源はた
とえばＣ０２レーザーにより発せられる連続ビーム、ま
たはエキシマ−レーザーにより発せられるパルスビーム
のいずれを発生してもよい。図面に示した実施態様にお
いては、ビーム５１はｃｏ２レーザー源から発止し、鏡
５２により反応器を経由する方向へ向けられる。光線を
直接に反応器ｌｏ中へ向けることができるので、鏡を用
いることは必要ではない。
とえばＣ０２レーザーにより発せられる連続ビーム、ま
たはエキシマ−レーザーにより発せられるパルスビーム
のいずれを発生してもよい。図面に示した実施態様にお
いては、ビーム５１はｃｏ２レーザー源から発止し、鏡
５２により反応器を経由する方向へ向けられる。光線を
直接に反応器ｌｏ中へ向けることができるので、鏡を用
いることは必要ではない。
基板固定機構７０は固定ブロック７１（ガス供給用開口
２１の反対側に配置される）、ブロックヒーター７２お
よび熱電対７３からなる。基板固定ブロック７１は供給
用開口２１と固定ブロック上に固定された基板７４との
間隔を制御するために移動可能な状態に設計される。ブ
ロックヒーター７２、たとえば電気抵抗加熱器を用めで
固定ブロック７１上に固定された基板の温度を独立して
制御する。熱電対７３は高光度光線に最も近い基板の表
面に接触する。
２１の反対側に配置される）、ブロックヒーター７２お
よび熱電対７３からなる。基板固定ブロック７１は供給
用開口２１と固定ブロック上に固定された基板７４との
間隔を制御するために移動可能な状態に設計される。ブ
ロックヒーター７２、たとえば電気抵抗加熱器を用めで
固定ブロック７１上に固定された基板の温度を独立して
制御する。熱電対７３は高光度光線に最も近い基板の表
面に接触する。
電子素材流速制御ユニット（タイラン・コーポレーショ
ン、カリフォルニア州カーンン）と接続した排気システ
ム９０は反応室主゛カを制御する機能をもつ。排気シス
テム９ｏは初期反応器排気のための拡散／メカニカルポ
ンプの組合せ９１を含み、これは排気用開口１６に連結
した排気管路９２を介して反応室１５と連絡している。
ン、カリフォルニア州カーンン）と接続した排気システ
ム９０は反応室主゛カを制御する機能をもつ。排気シス
テム９ｏは初期反応器排気のための拡散／メカニカルポ
ンプの組合せ９１を含み、これは排気用開口１６に連結
した排気管路９２を介して反応室１５と連絡している。
排気システムは約１０−６トルの室圧を生じることが可
能でなければならない。排気システム９ｏは処理中に反
応器ガス流を維持するための耐薬品性メカニカルポンプ
９３（アルカチル、マサチュセッッ州ヒンガム）を含む
。排気管路９２には反応室圧力を調整するニードルバル
ブ９４が備えられている。
能でなければならない。排気システム９ｏは処理中に反
応器ガス流を維持するための耐薬品性メカニカルポンプ
９３（アルカチル、マサチュセッッ州ヒンガム）を含む
。排気管路９２には反応室圧力を調整するニードルバル
ブ９４が備えられている。
基板上の層の析出は、処理中に基板の表面を視覚的に、
機械的に、または電気的に検査することによって監視で
きる。好ましい監視機構はＨｅ−Ｎｅレーザー１１１お
よびホトディテクター■３からなるシステムである。操
作に際しては、Ｈθ−Ｎｅレーザーから発せられたビー
ム１１２が検出器用開口１７を貫通し、基板７４により
反射される。反射ビームは検出器用開口１８を貫通し、
ホトディテクター■３に衝突する。ホトディテクター■
３は反射ビームの光度の変化を検出し、これにより基板
上の層の存否を示す。ホトディテクターは一般にユナイ
テイツド・ディテクター・テクノロジー社（カリフォル
ニア州すンタ・モニカ）により製造されるホトダイオー
ドである。ホトディテクターは反射ビームの強度の変化
に応答して信号を発する。この種の変化はいずれも容易
に記録され、一般にはチャート記録計（ヒユーリット・
パラカードにより製造されたもの、カリフォルニア州パ
ロアルト）を用いて表示される。
機械的に、または電気的に検査することによって監視で
きる。好ましい監視機構はＨｅ−Ｎｅレーザー１１１お
よびホトディテクター■３からなるシステムである。操
作に際しては、Ｈθ−Ｎｅレーザーから発せられたビー
ム１１２が検出器用開口１７を貫通し、基板７４により
反射される。反射ビームは検出器用開口１８を貫通し、
ホトディテクター■３に衝突する。ホトディテクター■
３は反射ビームの光度の変化を検出し、これにより基板
上の層の存否を示す。ホトディテクターは一般にユナイ
テイツド・ディテクター・テクノロジー社（カリフォル
ニア州すンタ・モニカ）により製造されるホトダイオー
ドである。ホトディテクターは反射ビームの強度の変化
に応答して信号を発する。この種の変化はいずれも容易
に記録され、一般にはチャート記録計（ヒユーリット・
パラカードにより製造されたもの、カリフォルニア州パ
ロアルト）を用いて表示される。
まず、加熱された固定ノロツクに基板を熱電対が層を析
出させるべき基板面と接触した状態で固定する。基板は
適切な材料のいずれか、たとえばシリコン、ポリシリコ
ン、アルミナ、シリカ、ドーピングしたポリシリコン、
窒化シリコン、これらの材料の複合体、金属と非金属、
金属または合金からなる複合体、金属または合金の複合
体、ガラスなどのウェハーから構成することができる。
出させるべき基板面と接触した状態で固定する。基板は
適切な材料のいずれか、たとえばシリコン、ポリシリコ
ン、アルミナ、シリカ、ドーピングしたポリシリコン、
窒化シリコン、これらの材料の複合体、金属と非金属、
金属または合金からなる複合体、金属または合金の複合
体、ガラスなどのウェハーから構成することができる。
好ましくは、ウェハーはシリコン、ポリシリコン。
ドーピングしたポリシリコン、アルミナ、窒化シリコン
またはシリカよりなる群から選ばれる材料からなる。
またはシリカよりなる群から選ばれる材料からなる。
基板を反応体間および反応体と基板の間の反応を誘導す
る温度（限界温度）より低い温度に予熱する。あらかじ
め定められた温度に達した時点で基板温度を一定期間安
定させる（通常は約５〜１０分）。熱電対が操作の予熱
、安定化および反応の各工程を通して基板温度を連続的
に監視する。本発明の新規な特色は基板温度であり、約
５００℃以下に保持することができる。
る温度（限界温度）より低い温度に予熱する。あらかじ
め定められた温度に達した時点で基板温度を一定期間安
定させる（通常は約５〜１０分）。熱電対が操作の予熱
、安定化および反応の各工程を通して基板温度を連続的
に監視する。本発明の新規な特色は基板温度であり、約
５００℃以下に保持することができる。
反応体を反応室に供給する前に室内をまず排気して不純
物（たとえば０゜、、 Ｈ２０） を除去する。反応室
圧力を約１０トル（この値は好ましい初期反応室圧力を
表わす）に低下させることができる各種排気システムの
いずれを用いてもよいと解すべきである。上記の拡散／
メカニカルポンプの組合せを用いることが好ましい。次
いで不活性ガス（たとえばアルゴン）を透光性の窓から
導入してそこにケイ化物が析出するのを避ける。
物（たとえば０゜、、 Ｈ２０） を除去する。反応室
圧力を約１０トル（この値は好ましい初期反応室圧力を
表わす）に低下させることができる各種排気システムの
いずれを用いてもよいと解すべきである。上記の拡散／
メカニカルポンプの組合せを用いることが好ましい。次
いで不活性ガス（たとえばアルゴン）を透光性の窓から
導入してそこにケイ化物が析出するのを避ける。
次いで反応体ガスを反応室に供給する。反応体は限界温
度より低い温度において反応室に供給されなければなら
ない。本発明の好ましい実施態様においては、シリコン
含有化合物（室温で気体）を直接に反応室に供給し、ノ
・ロゲン化チタン（室温で液体）をガスキャリヤーによ
り反応室に供給する。キャリヤーガスを用いて反応体を
反応室に供給する場合、これは反応体と化学的に反応す
べきでない。好ましいキャリヤーガスには不活性ガスお
よび水素が含まれる。
度より低い温度において反応室に供給されなければなら
ない。本発明の好ましい実施態様においては、シリコン
含有化合物（室温で気体）を直接に反応室に供給し、ノ
・ロゲン化チタン（室温で液体）をガスキャリヤーによ
り反応室に供給する。キャリヤーガスを用いて反応体を
反応室に供給する場合、これは反応体と化学的に反応す
べきでない。好ましいキャリヤーガスには不活性ガスお
よび水素が含まれる。
本発明によれば、チタンをハロゲン化チタンとして反応
室に導入する。ノ・ロゲン化チタンには四塩化チタン、
四フッ化チタン、四ホウ化チタン。
室に導入する。ノ・ロゲン化チタンには四塩化チタン、
四フッ化チタン、四ホウ化チタン。
および四ヨウ化チタンが含まれる。原則的な原子価のハ
ロゲン化物のほかに次ノ・ロゲン化物（５ｕｂｈａｌｉ
ｄｅ ）、たとえば次項化物または次フッ化物も使用で
きる。さらにハロゲン化物の混合物およびハロゲン化物
と次ハロゲン化物の混合物も使用できる。使用できるハ
ロゲン化チタンのうちでは、四塩化チタンおよび四フッ
化チタンが好ましい。最も好ましいハロゲン化チタンは
四塩化チタンである。
ロゲン化物のほかに次ノ・ロゲン化物（５ｕｂｈａｌｉ
ｄｅ ）、たとえば次項化物または次フッ化物も使用で
きる。さらにハロゲン化物の混合物およびハロゲン化物
と次ハロゲン化物の混合物も使用できる。使用できるハ
ロゲン化チタンのうちでは、四塩化チタンおよび四フッ
化チタンが好ましい。最も好ましいハロゲン化チタンは
四塩化チタンである。
シリコン源は気体状のシリコン含有化合物として反応室
に導入される。好ましい群の化合物はケイ化水素（シラ
ン）、たとえばＳ ｔ Ｈ４，Ｓ ｔ ２Ｈ６１Ｓｔ、
３Ｈ８などである。他の潜在的なシリコン供給源には四
ハロゲン化ケイ素たとえば四塩化ケイ素、ならびにハロ
ゲン化ケイ化水素たとえばＥ３ｉＨ３Ｃｔｌ、 ＳｉＨ
，、Ｃｔ１２およびＳｔ、ＨＣ７１ａが含まれる。
に導入される。好ましい群の化合物はケイ化水素（シラ
ン）、たとえばＳ ｔ Ｈ４，Ｓ ｔ ２Ｈ６１Ｓｔ、
３Ｈ８などである。他の潜在的なシリコン供給源には四
ハロゲン化ケイ素たとえば四塩化ケイ素、ならびにハロ
ゲン化ケイ化水素たとえばＥ３ｉＨ３Ｃｔｌ、 ＳｉＨ
，、Ｃｔ１２およびＳｔ、ＨＣ７１ａが含まれる。
反応を誘導するためには、ハロゲン化チタンガスおよび
シリコン含有化合物ガスのうち少なくとも一方は強度の
高い光を吸収すべきである。しかしいずれの反応体も強
度の高い光を吸収しない場合、反応を誘導するために追
加の化学的に不活性の吸光性ガスを供給すべきである。
シリコン含有化合物ガスのうち少なくとも一方は強度の
高い光を吸収すべきである。しかしいずれの反応体も強
度の高い光を吸収しない場合、反応を誘導するために追
加の化学的に不活性の吸光性ガスを供給すべきである。
この種の吸光性カスにハ塩化ビニル、ベルクロルエチレ
ン、トリクロルエチレン、シエネトロン（Ｇｅｈｅｔｒ
ｏｎ、 登録商標）−１１、ジエネトロン−１２、ジエ
ネトロン−１１３，ジエネトｏ ｙ −１１４，ＳｉＦ
およびＳＦ６ が含まれ、ＳＦ６がＣＯ２レーザー励起
のためには好ましい。
ン、トリクロルエチレン、シエネトロン（Ｇｅｈｅｔｒ
ｏｎ、 登録商標）−１１、ジエネトロン−１２、ジエ
ネトロン−１１３，ジエネトｏ ｙ −１１４，ＳｉＦ
およびＳＦ６ が含まれ、ＳＦ６がＣＯ２レーザー励起
のためには好ましい。
ガス反応体の流量比（ハロゲン化チタンガスの標準立方
センチ（ＳＣＣＭ）／シリコン含有化合物ガスの標準立
方センナ）は目的とする層組成に応じて変えられる。こ
の比率はケイ化チタンの判定の化学量論的量を与える原
子流量比に相当する。特定の原子流量比に応じてフィル
ムはニケイ化チタン。
センチ（ＳＣＣＭ）／シリコン含有化合物ガスの標準立
方センナ）は目的とする層組成に応じて変えられる。こ
の比率はケイ化チタンの判定の化学量論的量を与える原
子流量比に相当する。特定の原子流量比に応じてフィル
ムはニケイ化チタン。
またはニケイ化チタンと少なくとも１種の高級ケイ化物
（たとえばＴ Ｌ ｓ３ ｔ ３またはＴｉＳｉ ）、
および場合によりシリコンからなる。シリコンが存在す
る場合、遊離シリコンとして存在する。電気デバイス製
造のためには、原子流量比は約２：１〜約１０：１の範
囲にある。
（たとえばＴ Ｌ ｓ３ ｔ ３またはＴｉＳｉ ）、
および場合によりシリコンからなる。シリコンが存在す
る場合、遊離シリコンとして存在する。電気デバイス製
造のためには、原子流量比は約２：１〜約１０：１の範
囲にある。
導電性フィルムを製造する反応は強度の高い光により誘
導される。強度の高い光とは気相反応体間の反応を熱に
より誘導するかまたは光分解により誘導する（または双
方）のに十分な光波（紫外線、可視光線または赤外線）
と定義される。一般に反応を誘導するのに十分な強度は
少なくとも約１０ワツト／ＣＭＬ２である。好ましくは
光度の高い光はレーザーによめ発せられる。使用できる
レーザーのうちではＣＯ２レーザーおよびエキシマ−レ
ーザーが好ましい。上記のように光は連続ビームとして
、または単一パルスとして供給することができる。さら
に光は気相反応体のうち少なくとも１種により吸収され
る波長に対応する特定の波長の光として（たとえば同調
可能なＣＯ２レーザーはレーザーのＰ （２０）発光線
に対応する９４４．２ｃｒｆＬ−１の周波数をもつ強度
の高い光を発することができ、これは５ｔＨ４反応体ガ
スによって強く吸光される）供給でき、あるいはこれは
−組の波長の光（蒸気相反応体のうち少なくとも１種に
より吸収される波長を少なくとも１種含む）として供給
できる。
導される。強度の高い光とは気相反応体間の反応を熱に
より誘導するかまたは光分解により誘導する（または双
方）のに十分な光波（紫外線、可視光線または赤外線）
と定義される。一般に反応を誘導するのに十分な強度は
少なくとも約１０ワツト／ＣＭＬ２である。好ましくは
光度の高い光はレーザーによめ発せられる。使用できる
レーザーのうちではＣＯ２レーザーおよびエキシマ−レ
ーザーが好ましい。上記のように光は連続ビームとして
、または単一パルスとして供給することができる。さら
に光は気相反応体のうち少なくとも１種により吸収され
る波長に対応する特定の波長の光として（たとえば同調
可能なＣＯ２レーザーはレーザーのＰ （２０）発光線
に対応する９４４．２ｃｒｆＬ−１の周波数をもつ強度
の高い光を発することができ、これは５ｔＨ４反応体ガ
スによって強く吸光される）供給でき、あるいはこれは
−組の波長の光（蒸気相反応体のうち少なくとも１種に
より吸収される波長を少なくとも１種含む）として供給
できる。
ＣＯ２レーザーから発生する強度の高、い光は主として
熱分解反応を生じると考えられる。熱分解”反応は蒸気
相反応体が吸光性反応体分子と非吸光性反応体分子の間
の衝突によりこれらが分解し、反応して目的とする層を
生じる温度にまで加熱され、乙 る反応である。ＣＯ２レーザーを用いる場合、レーザー
により生じる光の強さは少なくとも約１００ワツ） ／
ａｍ”であることが好ましい。
熱分解反応を生じると考えられる。熱分解”反応は蒸気
相反応体が吸光性反応体分子と非吸光性反応体分子の間
の衝突によりこれらが分解し、反応して目的とする層を
生じる温度にまで加熱され、乙 る反応である。ＣＯ２レーザーを用いる場合、レーザー
により生じる光の強さは少なくとも約１００ワツ） ／
ａｍ”であることが好ましい。
エキシマ−レーザーにより誘導される反応は主として光
分解反応であると考えられる。光分解反応により少なく
とも１種の蒸気相反応体が解離して遊離ラジカルとなり
、これは残りの反応体と反応スる。エキシマ−レーザー
を用いる場合、レーザーは少なくとも約１０パルス／秒
の光を発生し、各パルスは少なくとも約１５ナノ秒間持
続し、 メガワット／２のオーダーの強度を与えること
が好ましい。
分解反応であると考えられる。光分解反応により少なく
とも１種の蒸気相反応体が解離して遊離ラジカルとなり
、これは残りの反応体と反応スる。エキシマ−レーザー
を用いる場合、レーザーは少なくとも約１０パルス／秒
の光を発生し、各パルスは少なくとも約１５ナノ秒間持
続し、 メガワット／２のオーダーの強度を与えること
が好ましい。
基板上の層の形成も強度の高い光と基板の間隔に依存す
る。反応室圧力は基板上に層を形成する反応が進行する
か否かを決定する。圧力は監視されている基板表面の状
態に応じて調節される。圧力は常にほぼ数百トル以下、
好ましくは約１〜１００トルの間に保持される。反応室
圧力が６〜７トルの場合、ビームと基板の間隔に関する
一般的な値（ビーム中心から基板表面までを測定）は約
ＩＣｒｒＬである。
る。反応室圧力は基板上に層を形成する反応が進行する
か否かを決定する。圧力は監視されている基板表面の状
態に応じて調節される。圧力は常にほぼ数百トル以下、
好ましくは約１〜１００トルの間に保持される。反応室
圧力が６〜７トルの場合、ビームと基板の間隔に関する
一般的な値（ビーム中心から基板表面までを測定）は約
ＩＣｒｒＬである。
ノズルを通して反応体を反応室に供給する。ノズルは基
板に対向して配置される。一般にノズルと基板の間隔は
約２〜７ｃｒｆＬである。この間隔は基板表面上の層の
形成には決定的ではない。・本方法により生成する生成
物はケイ化チタンからなるフィルムまたは基板とフィル
ムからなる複合材料である。フィルムは実質的に多結晶
質である。フィルムの組成には化学量論的につり合いの
とれたケイ化物（Ｔｔ−８Ｌ ２およびより高級のケイ
化物、たとえばＴｉ５Ｓｉ３． ＴｉＳｉなど）、また
は化学量論的につり合いのとれないケイ化物が含まれる
。
板に対向して配置される。一般にノズルと基板の間隔は
約２〜７ｃｒｆＬである。この間隔は基板表面上の層の
形成には決定的ではない。・本方法により生成する生成
物はケイ化チタンからなるフィルムまたは基板とフィル
ムからなる複合材料である。フィルムは実質的に多結晶
質である。フィルムの組成には化学量論的につり合いの
とれたケイ化物（Ｔｔ−８Ｌ ２およびより高級のケイ
化物、たとえばＴｉ５Ｓｉ３． ＴｉＳｉなど）、また
は化学量論的につり合いのとれないケイ化物が含まれる
。
これらのフィルムにはシリコンが含まれていてもよい。
シリコンは遊離シリコンとして存在する。
フィルムの厚さ′および抵抗率は目的とする構造。
および製品の意図する用途に応じて変えられる。
集積回路構成要素、たとえばゲートおよびゲートインタ
ーコネクト用としては、フィルムの厚さは約２，０００
〜約１０，０００ Ａ （１ｕｎ）である。 フィルム
の抵抗率は一般に体積抵抗率により表わされ、表面抵抗
率の測定により判定される。新規な本発明方法によれば
約３００μΩ−α以下、一般に約２００μΩ−１以下、
多くの場合的１００μΩ−ぼ以下の体積抵抗率（ρ）を
もつフィルムが製造される。
ーコネクト用としては、フィルムの厚さは約２，０００
〜約１０，０００ Ａ （１ｕｎ）である。 フィルム
の抵抗率は一般に体積抵抗率により表わされ、表面抵抗
率の測定により判定される。新規な本発明方法によれば
約３００μΩ−α以下、一般に約２００μΩ−１以下、
多くの場合的１００μΩ−ぼ以下の体積抵抗率（ρ）を
もつフィルムが製造される。
シリコンウェハー上にケイ化チタンを形成する代表的方
法を、ここでは下記の好ましい装置に関連して記述する
。直径１インチ（２，５４ｃｍ）のシリコンウェハーを
基板ホルダーに固定する。電気抵抗加熱器により基板を
４５０℃に予熱する。次いでステンレス鋼製気密室から
なる反応器を拡散／メカニカルポンプシステムにより１
Ｏ−６）ルに排駕する。２本のアルゴンガス流が、光線
が進む窓の近くに位置する開口を経て反応室に付与され
、窓に倒れかの析出物が生じるのを防止するパージとし
て作用する。Ｓ ＬＨ４（室温で気体）をレクチュアボ
トル（１θｃｔｕｒｅ ｂｏｔｔｌｅ）から供給する。
法を、ここでは下記の好ましい装置に関連して記述する
。直径１インチ（２，５４ｃｍ）のシリコンウェハーを
基板ホルダーに固定する。電気抵抗加熱器により基板を
４５０℃に予熱する。次いでステンレス鋼製気密室から
なる反応器を拡散／メカニカルポンプシステムにより１
Ｏ−６）ルに排駕する。２本のアルゴンガス流が、光線
が進む窓の近くに位置する開口を経て反応室に付与され
、窓に倒れかの析出物が生じるのを防止するパージとし
て作用する。Ｓ ＬＨ４（室温で気体）をレクチュアボ
トル（１θｃｔｕｒｅ ｂｏｔｔｌｅ）から供給する。
四塩化チタン（ＴｉＣ７１４，室温で液体）を溜め 〔
熱電冷却機（ＣＰＡプロダクツ社、マサチュセツツ州ダ
ンバーズ）中で約−２０〜＋１０℃に保持〕に入れ。
熱電冷却機（ＣＰＡプロダクツ社、マサチュセツツ州ダ
ンバーズ）中で約−２０〜＋１０℃に保持〕に入れ。
これにキャリヤーガスであるアルゴン流を吹込む。
反応器に入るＴ ＺＣＮ４の量はアルゴン流および溜め
温度により制御される。Ｓ ｚＨ，ｓ およびキャリヤ
ーガスアルゴン流は電子素材流量制御ユニットにより調
節され、反応体のあらかじめ選ばれた原子流量比が得ら
れる。これらのガスは粒子フィルターのすぐ手前に位置
する混合管路中で混合される。
温度により制御される。Ｓ ｚＨ，ｓ およびキャリヤ
ーガスアルゴン流は電子素材流量制御ユニットにより調
節され、反応体のあらかじめ選ばれた原子流量比が得ら
れる。これらのガスは粒子フィルターのすぐ手前に位置
する混合管路中で混合される。
反応体は連続的に反応器に流入し、ケイ化チタン含有フ
ィルムの成長のために一定のチタンおよびシリコン源を
与える。廃ガスは耐薬品性のメカニカルポンプにより連
続的に反応器から除去される。
ィルムの成長のために一定のチタンおよびシリコン源を
与える。廃ガスは耐薬品性のメカニカルポンプにより連
続的に反応器から除去される。
反応器中の総圧は、ニードル弁により制御される廃ガス
流速により測定して約６〜７トルに保持される。ＣＯ２
レーザ−ビームは反応室内の基板とノズルの間に向かっ
て、ノズルと基板の間隔約２儂およびビームと基板の間
隔的１ｃＩＩＬにおいて通過する。ＣＯ□レーザーは９
４４．２ｍ−”のＰ （２０）透過線に相当する光を発
する。この赤外線周波数はＳｔ：Ｈ４により強く吸収さ
れる。フィルムの成長は目的とするフィルム厚が得られ
るまで進められる。生成フィルムは多結晶質ケイ化チタ
ンからなるであろう。
流速により測定して約６〜７トルに保持される。ＣＯ２
レーザ−ビームは反応室内の基板とノズルの間に向かっ
て、ノズルと基板の間隔約２儂およびビームと基板の間
隔的１ｃＩＩＬにおいて通過する。ＣＯ□レーザーは９
４４．２ｍ−”のＰ （２０）透過線に相当する光を発
する。この赤外線周波数はＳｔ：Ｈ４により強く吸収さ
れる。フィルムの成長は目的とするフィルム厚が得られ
るまで進められる。生成フィルムは多結晶質ケイ化チタ
ンからなるであろう。
下記の例は、上記方法および装置を用いたケイ化チタン
含有フィルムの製造について詳述する。
含有フィルムの製造について詳述する。
例 １
基板温度４５０℃で成長させたケイ化チタンフィルム
前記の基本的装置（直径０．７ ｃｍのレーザービーム
、ビームと基板の間隔ＩＣＷＬ、およびノズルと基板の
間隔７ｃＴＬを含む）を用いて下記の方法でシリコン単
結晶ウエノ・−上にケイ化チタンのフィルムを成長させ
た。シリコン基板を反応器内に固定し。
、ビームと基板の間隔ＩＣＷＬ、およびノズルと基板の
間隔７ｃＴＬを含む）を用いて下記の方法でシリコン単
結晶ウエノ・−上にケイ化チタンのフィルムを成長させ
た。シリコン基板を反応器内に固定し。
拡散／メカニカルポンプの組合せを用いて反応器を１０
−６トルに排気して、望ましくない不純物を除去した。
−６トルに排気して、望ましくない不純物を除去した。
次いでポンプ輸送を耐薬品性メカニカルポンプに切換え
、アルゴン流を開始し、光線の入口および出口の窓の内
側をパージした。シリコン基板を４５０℃に予熱し、安
定化させた。次いで反応体ガス流を開始した。シラン流
およびキャリヤーガスアルゴン流、ならびに四塩化チタ
ン溜め温度をＳｉ ： Ｔｉ原子流量比約４．７ ：
１ が得られるように調節した。流動反応体ガスを１６
０ワツトのＣＯ２レーザ−ビームで照射した。ビーム周
波数は９４４．２ｃｍ−１であった。反応器圧力はポン
プ輸送速度をニードル弁で低下させることにより６〜７
トルの圧力に高められた。フィルムの成長はこの範囲の
圧力で開始され、基板の反射能の変化として表わされた
。フィルムの成長は２０分間継続された。次いで照射を
停止し、反応器ガスをポンプにより排除した。
、アルゴン流を開始し、光線の入口および出口の窓の内
側をパージした。シリコン基板を４５０℃に予熱し、安
定化させた。次いで反応体ガス流を開始した。シラン流
およびキャリヤーガスアルゴン流、ならびに四塩化チタ
ン溜め温度をＳｉ ： Ｔｉ原子流量比約４．７ ：
１ が得られるように調節した。流動反応体ガスを１６
０ワツトのＣＯ２レーザ−ビームで照射した。ビーム周
波数は９４４．２ｃｍ−１であった。反応器圧力はポン
プ輸送速度をニードル弁で低下させることにより６〜７
トルの圧力に高められた。フィルムの成長はこの範囲の
圧力で開始され、基板の反射能の変化として表わされた
。フィルムの成長は２０分間継続された。次いで照射を
停止し、反応器ガスをポンプにより排除した。
試料を反応器から取出したのち、フィルムの厚さおよび
電気抵抗を測定した〔それぞれ走査スタイラスゲージ（
アルファ・ステップ、テンコー・インスツルメンツ、カ
リフォルニア州マウンテン・ビュー）および四点試験片
を使用〕。測定された厚さは７．ｏｏｏＡであり体積抵
抗率（ρ）は２００μΩ−σであった。ラザフオード後
方散乱分析により測定したフィルムのモル組成はＴＬＳ
ｚ ２．３であった。
電気抵抗を測定した〔それぞれ走査スタイラスゲージ（
アルファ・ステップ、テンコー・インスツルメンツ、カ
リフォルニア州マウンテン・ビュー）および四点試験片
を使用〕。測定された厚さは７．ｏｏｏＡであり体積抵
抗率（ρ）は２００μΩ−σであった。ラザフオード後
方散乱分析により測定したフィルムのモル組成はＴＬＳ
ｚ ２．３であった。
例 ２
基板温度４５０℃で種々のｓ＝：’ｒｉ反応体流量比に
おいて成長させたケイ化チタンフィルム 例１と同様に４５０℃で、細々のＳｉ：ＴＬ流量比で多
数のフィルムを成長させた。得られたフィルムの体積抵
抗率を表１に示す。
おいて成長させたケイ化チタンフィルム 例１と同様に４５０℃で、細々のＳｉ：ＴＬ流量比で多
数のフィルムを成長させた。得られたフィルムの体積抵
抗率を表１に示す。
表 １
４、Ｑ ： １ １００
４．３ ： １ ２００
４．６ ： ｉ ２００
４．７ ： １ ２００
６．５ ： １ ３００
６．５ ： １ ２００
７．３ ： １ １００
７．３ ： １ １００
１２．０ ： １ ＞１０００
例 ３
例１に記載したように４５０℃で成長させたケイ化チタ
ンの分析 Ｆ３ｉ ： Ｔｉ原子流量比７．３：１で例１に記載し
た処理工程に従って成長させたフィルムをＸ線分析した
。結果はこのフィルムに結晶質Ｔ ＬＳ Ｌ ２および
シリコン結晶相が存在することを示す。表１に示したよ
うに体積抵抗率は１００μΩ−爪である。
ンの分析 Ｆ３ｉ ： Ｔｉ原子流量比７．３：１で例１に記載し
た処理工程に従って成長させたフィルムをＸ線分析した
。結果はこのフィルムに結晶質Ｔ ＬＳ Ｌ ２および
シリコン結晶相が存在することを示す。表１に示したよ
うに体積抵抗率は１００μΩ−爪である。
例 ４
基板温度５００ ’Ｃで成長させたケイ化チタンフィル
ム基板温度を５００℃に保持して例１に記載したと同様
にケイ化チタンフィルムを成長させた。得られたフィル
ムは測定された厚さ６．ｏｏｏＡおよび体積抵抗率６０
μΩ−儂を有している。フィルム組成はラザフオード後
方散乱により分析してＴｉＳｉ□、９４であった。例１
に記載した組成と比較した組成の差は、例１の基板温度
と比較して原子流量比の変化、または基板温度の差によ
ると考えられる。
ム基板温度を５００℃に保持して例１に記載したと同様
にケイ化チタンフィルムを成長させた。得られたフィル
ムは測定された厚さ６．ｏｏｏＡおよび体積抵抗率６０
μΩ−儂を有している。フィルム組成はラザフオード後
方散乱により分析してＴｉＳｉ□、９４であった。例１
に記載した組成と比較した組成の差は、例１の基板温度
と比較して原子流量比の変化、または基板温度の差によ
ると考えられる。
例 ５
例１に記載したと同様にしてケイ化チタンフィルムを成
長させた。’ ＳｉＨ４／Ｔｉｃｉ４流量比約６．０
において基板温度を４５０℃に保持した。析出を反応器
圧力１０トルで２０分間続け、厚さ３５００１、体積抵
抗率１４０μΩ−硼のフィルムを得た。このフィルムの
走査電子顕微鏡写真を第２α、２ｂおよび２Ｃ図に示す
。第２ｂ図に明瞭に認められる切り子面（ｆａｃｅｔ、
角のある面）はこのケイ化チタンフィルムの結晶性を示
す。第２Ｃ図はフィルムの離層した端および下層のシリ
コン基板を示す。これらの図はシリコンウェハーが連続
的に被覆されていることを示す。
長させた。’ ＳｉＨ４／Ｔｉｃｉ４流量比約６．０
において基板温度を４５０℃に保持した。析出を反応器
圧力１０トルで２０分間続け、厚さ３５００１、体積抵
抗率１４０μΩ−硼のフィルムを得た。このフィルムの
走査電子顕微鏡写真を第２α、２ｂおよび２Ｃ図に示す
。第２ｂ図に明瞭に認められる切り子面（ｆａｃｅｔ、
角のある面）はこのケイ化チタンフィルムの結晶性を示
す。第２Ｃ図はフィルムの離層した端および下層のシリ
コン基板を示す。これらの図はシリコンウェハーが連続
的に被覆されていることを示す。
例 ６
ケイ化チタンフィルムを例１に記載したと同様に成長さ
せた。Ｓ ｉＨ，ｉ ／ＴＬＣＡ４流量比約５．０にお
いて基板温度を４５０℃に保持した。反応器圧力は８〜
９トルの範囲に１５分間保持され、厚さ７０００ Ａの
ケイ化チタンフィルムが得られた。このフィルムの走査
電子顕微鏡写真を第３ａ 、 ３ｈおよび３０図に示す
。このフィルムの形態は例５に示したものと若干異なり
、結晶面がより不明瞭であった（第３ｈ図）。しかし体
積抵抗率は例５のものに匹敵しくρ＝１２０μΩ−ｃｒ
ｒＬ）、これは層が多結晶質であることを示す。第３Ｃ
図はフィルムの離層した端およびシリコン基板を示す。
せた。Ｓ ｉＨ，ｉ ／ＴＬＣＡ４流量比約５．０にお
いて基板温度を４５０℃に保持した。反応器圧力は８〜
９トルの範囲に１５分間保持され、厚さ７０００ Ａの
ケイ化チタンフィルムが得られた。このフィルムの走査
電子顕微鏡写真を第３ａ 、 ３ｈおよび３０図に示す
。このフィルムの形態は例５に示したものと若干異なり
、結晶面がより不明瞭であった（第３ｈ図）。しかし体
積抵抗率は例５のものに匹敵しくρ＝１２０μΩ−ｃｒ
ｒＬ）、これは層が多結晶質であることを示す。第３Ｃ
図はフィルムの離層した端およびシリコン基板を示す。
フィルムの被覆は連続的であり、かつきわめて均一であ
ると思われる。
ると思われる。
第１図は新規方法を実施する際に用いられる基本的装置
を概略的に示したもので、ある。 第２α、２ｈおよび２Ｃ図は上記フィルムの結晶性を明
瞭に示す走査電子顕微鏡写真である。 第３α、３ｈおよび３０図は第２α、２ｈおよび２０図
に示したフィルムと異なる条件下で形成された多結晶質
ケイ化チタンフィルムの走査電子顕微鏡写真である。 第１図において各記号は下記のものを表わす。 １０：反応器； １１，１２：光線用開口１３．１４：
透光性の窓；１５：反応室１６：排気用開口； １７，
１８：検出器用開口１．９．２０：透光性の窓；２１：
反応体供給用開口３０：反応体配送システム； ３１：シリコン含有化合物供給源； ３２ ： ３１のための管路：３３：ハロゲン化チタン
供給源３４ ： ３３のだめの管路；３５：混合管路３
６：粒子フィルター； ３７：３１の制御ユニット３８
： ３３の制御ユニツ）；３９：キャリャーガス供給
源４０：バノラーユニット；４１：３９の制御ユニット
５０：光源；５１：ビーム ５２：鏡； ７０二基板固定機構；７１：固定ブロック７２ニブロッ
クヒーター；７３：熱電対７４：基板； ９０：排気システム；９１：拡散／メカニ彷ルポンプ９
２：排気管路；９３：メカニカルポンプ９４：ニ一ドル
バルブ； １１０：反応監視機構；ｕｌ：レーザー■２：ビーム；
ｕ３：ホトディテクター特許出願人 アライド・コーポ
レーション（外５名）
を概略的に示したもので、ある。 第２α、２ｈおよび２Ｃ図は上記フィルムの結晶性を明
瞭に示す走査電子顕微鏡写真である。 第３α、３ｈおよび３０図は第２α、２ｈおよび２０図
に示したフィルムと異なる条件下で形成された多結晶質
ケイ化チタンフィルムの走査電子顕微鏡写真である。 第１図において各記号は下記のものを表わす。 １０：反応器； １１，１２：光線用開口１３．１４：
透光性の窓；１５：反応室１６：排気用開口； １７，
１８：検出器用開口１．９．２０：透光性の窓；２１：
反応体供給用開口３０：反応体配送システム； ３１：シリコン含有化合物供給源； ３２ ： ３１のための管路：３３：ハロゲン化チタン
供給源３４ ： ３３のだめの管路；３５：混合管路３
６：粒子フィルター； ３７：３１の制御ユニット３８
： ３３の制御ユニツ）；３９：キャリャーガス供給
源４０：バノラーユニット；４１：３９の制御ユニット
５０：光源；５１：ビーム ５２：鏡； ７０二基板固定機構；７１：固定ブロック７２ニブロッ
クヒーター；７３：熱電対７４：基板； ９０：排気システム；９１：拡散／メカニ彷ルポンプ９
２：排気管路；９３：メカニカルポンプ９４：ニ一ドル
バルブ； １１０：反応監視機構；ｕｌ：レーザー■２：ビーム；
ｕ３：ホトディテクター特許出願人 アライド・コーポ
レーション（外５名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１α）基板を処理位置に置き； ｈ）ハロゲン化チタンおよびシリコン含有化合物からな
る気相反応体を処理位置に供給し；Ｃ）この気体を処理
位置において強度の高い光で照射し； ｄ）基板表面を照射された気体に暴露して金属ケイ化物
からなるフィルムをその上に析出させ；そして ｅ）基板を工程ｂ）、Ｃ）およびｄ）の間、気相反応体
間の熱反応を誘起する温度よりも低いあらかじめ定めら
れた温度に保持する 工程からなる、基板上にケイ化チタンよりなるフィルム
を製造する方法。 （２） さらに、基板を照射された気体により発生さｈ
２．皺Ｌ１版の執漬［１っであち男）１−ぬ史めちｈ奔
温度に加熱する工程を含む、特許請求の範囲第１項に記
載の方法。 （３）基板が約５００℃以下の温度に加熱される、特許
請求の範囲第２項に記載の方法。 （４）ケイ化チタンが多結晶質である、特許請求の範囲
第１項に記載の方法。 （５）基板が約４５０℃の温度に加熱される、特許請求
の範囲第４項に記載の方法。 （６）強度の高い光が少なくとも約１０Ｗ／２♂の強度
をもつ集束した光線として供給される、特許請求の範囲
第１項に記載の方法。 （７）基板がアルミナ、シリコン、ポリシリコン。 ドーピングしたポリシリコン、窒化ケイ素およびシリカ
よりなる群から選ばれる材料からなる、特許請求の範囲
第１項に記載の方法。 （８）ハロゲン化チタンおよびシリコン含有化合物から
なる気相反応体を強度の高い光で照射し；そして基板表
面を照射された気体に暴露してケイ化チタンからなるフ
ィルムをその上に形成させる工程からなり、基板が処理
中に気相反応体間の熱反応を誘起する温度よりも低い温
度に保持される方法によって製造された、多結晶質ケイ
化チタンからなる薄膜。 （９）ハロゲン化チタンおよびシリコン含有化合物から
なる気相反応体を強度の高い光で照射し；そして基板表
面を照射された気体に暴露してケイ化チタンからなる層
をその上に形成させる工程からなり、基板が処理中に気
相反応体間の熱反応を誘起する温度よりも低い温度に保
持される方法によって製造された一基板および多結晶質
ケイ化チタンからなる層よりなる複合物品。 ００）基板がアルミナ、シリコン、ポリシリコン。 ドーピングしたシリコン、窒化ケイ素またはシリカより
なる群から選ばれる材料からなる、特許請求の範囲第９
項に記載の複合物品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/609,627 US4568565A (en) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | Light induced chemical vapor deposition of conductive titanium silicide films |
| US609627 | 1984-05-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254614A true JPS60254614A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=24441605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60102515A Pending JPS60254614A (ja) | 1984-05-14 | 1985-05-14 | 光誘導による導電性ケイ化チタンフイルムの化学蒸着法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4568565A (ja) |
| JP (1) | JPS60254614A (ja) |
| DE (1) | DE3516840A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021065685A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンの製造装置、製造方法および多結晶シリコン |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780313A (en) | 1985-02-14 | 1998-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
| US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
| JPS61104614A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JPH0752718B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| JPH0669025B2 (ja) * | 1984-12-07 | 1994-08-31 | シャープ株式会社 | 半導体結晶成長装置 |
| US4719122A (en) * | 1985-04-08 | 1988-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD method and apparatus for forming a film |
| JPS61274345A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4689129A (en) * | 1985-07-16 | 1987-08-25 | The Dow Chemical Company | Process for the preparation of submicron-sized titanium diboride |
| US4668530A (en) * | 1985-07-23 | 1987-05-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Low pressure chemical vapor deposition of refractory metal silicides |
| US4619038A (en) * | 1985-08-15 | 1986-10-28 | Motorola, Inc. | Selective titanium silicide formation |
| US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US4766006A (en) * | 1986-05-15 | 1988-08-23 | Varian Associates, Inc. | Low pressure chemical vapor deposition of metal silicide |
| US4756927A (en) * | 1986-05-29 | 1988-07-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for refractory metal deposition |
| US4957775A (en) * | 1986-05-29 | 1990-09-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for refractory metal deposition |
| US4800105A (en) * | 1986-07-22 | 1989-01-24 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Method of forming a thin film by chemical vapor deposition |
| US4684542A (en) * | 1986-08-11 | 1987-08-04 | International Business Machines Corporation | Low pressure chemical vapor deposition of tungsten silicide |
| US5427824A (en) * | 1986-09-09 | 1995-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | CVD apparatus |
| KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
| NL8700820A (nl) * | 1987-04-08 | 1988-11-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| US4814294A (en) * | 1987-07-30 | 1989-03-21 | Allied-Signal Inc. | Method of growing cobalt silicide films by chemical vapor deposition |
| FR2623014B1 (fr) * | 1987-11-09 | 1990-03-23 | France Etat | Procede de depot selectif d'un siliciure de metal refractaire sur des zones de silicium |
| EP0338206A1 (de) * | 1988-03-24 | 1989-10-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum konformen Abscheiden von Wolfram auf Halbleitersubstrate bei der Herstellung von höchstintegrierten Schaltungen |
| US5167986A (en) * | 1988-04-15 | 1992-12-01 | Gordon Roy G | Titanium silicide-coated glass windows |
| US4957777A (en) * | 1988-07-28 | 1990-09-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Very low pressure chemical vapor deposition process for deposition of titanium silicide films |
| US4981717A (en) * | 1989-02-24 | 1991-01-01 | Mcdonnell Douglas Corporation | Diamond like coating and method of forming |
| US5250329A (en) * | 1989-04-06 | 1993-10-05 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of depositing conductive lines on a dielectric |
| US5110760A (en) * | 1990-09-28 | 1992-05-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of nanometer lithography |
| JP3038413B2 (ja) * | 1990-12-21 | 2000-05-08 | 大阪瓦斯株式会社 | 光ｃｖｄ法による膜作成装置 |
| US5240739A (en) * | 1992-08-07 | 1993-08-31 | Micron Technology | Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers |
| US5320880A (en) * | 1992-10-20 | 1994-06-14 | Micron Technology, Inc. | Method of providing a silicon film having a roughened outer surface |
| US5620754A (en) * | 1994-01-21 | 1997-04-15 | Qqc, Inc. | Method of treating and coating substrates |
| US5554415A (en) * | 1994-01-18 | 1996-09-10 | Qqc, Inc. | Substrate coating techniques, including fabricating materials on a surface of a substrate |
| US5731046A (en) * | 1994-01-18 | 1998-03-24 | Qqc, Inc. | Fabrication of diamond and diamond-like carbon coatings |
| US5747116A (en) * | 1994-11-08 | 1998-05-05 | Micron Technology, Inc. | Method of forming an electrical contact to a silicon substrate |
| US5576071A (en) * | 1994-11-08 | 1996-11-19 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds |
| US5661115A (en) * | 1994-11-08 | 1997-08-26 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds |
| US5661064A (en) * | 1995-11-13 | 1997-08-26 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a capacitor having container members |
| US6218237B1 (en) | 1996-01-03 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a capacitor |
| US5693377A (en) * | 1996-01-08 | 1997-12-02 | Micron Technology, Inc. | Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving titanium organometallic and metal-organic precursor compounds |
| US5997634A (en) | 1996-11-14 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a crystalline phase material |
| US6090708A (en) | 1996-11-14 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a crystalline phase material, electrically conductive line and refractory metal silicide |
| US5908659A (en) * | 1997-01-03 | 1999-06-01 | Mosel Vitelic Inc. | Method for reducing the reflectivity of a silicide layer |
| US6214687B1 (en) | 1999-02-17 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a capacitor and a capacitor construction |
| CA2425838A1 (en) * | 2000-10-17 | 2002-04-25 | Ronald J. Mosso | Coating formation by reactive deposition |
| US7001672B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-02-21 | Medicine Lodge, Inc. | Laser based metal deposition of implant structures |
| US7666522B2 (en) * | 2003-12-03 | 2010-02-23 | IMDS, Inc. | Laser based metal deposition (LBMD) of implant structures |
| US20050212694A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Chun-Ta Chen | Data distribution method and system |
| US7095095B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions |
| JP4592373B2 (ja) * | 2004-09-30 | 2010-12-01 | 株式会社トリケミカル研究所 | 導電性モリブデンナイトライドゲート電極膜の形成方法 |
| JP2006128611A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-05-18 | Tri Chemical Laboratory Inc | 膜形成材料、膜形成方法、及び素子 |
| US7951412B2 (en) * | 2006-06-07 | 2011-05-31 | Medicinelodge Inc. | Laser based metal deposition (LBMD) of antimicrobials to implant surfaces |
| US10145674B2 (en) * | 2016-05-02 | 2018-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Measurement of semiconductor structures with capillary condensation |
| US10041873B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-08-07 | Kla-Tencor Corporation | Porosity measurement of semiconductor structures |
| US10281263B2 (en) * | 2016-05-02 | 2019-05-07 | Kla-Tencor Corporation | Critical dimension measurements with gaseous adsorption |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3364087A (en) * | 1964-04-27 | 1968-01-16 | Varian Associates | Method of using laser to coat or etch substrate |
| US4042006A (en) * | 1973-01-05 | 1977-08-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Pyrolytic process for producing a band-shaped metal layer on a substrate |
| US4260649A (en) * | 1979-05-07 | 1981-04-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Laser induced dissociative chemical gas phase processing of workpieces |
| US4270997A (en) * | 1979-10-22 | 1981-06-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Laser photochemical synthesis of Si3 N4 |
| US4227907A (en) * | 1979-10-22 | 1980-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Laser photochemical synthesis coating of optical fiber |
| US4324854A (en) * | 1980-03-03 | 1982-04-13 | California Institute Of Technology | Deposition of metal films and clusters by reactions of compounds with low energy electrons on surfaces |
| DE3314879A1 (de) * | 1983-04-25 | 1984-10-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von stabilen, niederohmigen kontakten in integrierten halbleiterschaltungen |
-
1984
- 1984-05-14 US US06/609,627 patent/US4568565A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-05-10 DE DE19853516840 patent/DE3516840A1/de not_active Withdrawn
- 1985-05-14 JP JP60102515A patent/JPS60254614A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021065685A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコンの製造装置、製造方法および多結晶シリコン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4568565A (en) | 1986-02-04 |
| DE3516840A1 (de) | 1985-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60254614A (ja) | 光誘導による導電性ケイ化チタンフイルムの化学蒸着法 | |
| EP1340247B1 (en) | Method of forming dielectric films | |
| US5028560A (en) | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate | |
| EP0252667B1 (en) | Chemical vapour deposition methods | |
| US5178682A (en) | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor | |
| EP0536664B1 (en) | A method for forming a thin film | |
| US6150265A (en) | Apparatus for forming materials | |
| US4517026A (en) | Method of backside heating a semiconductor substrate in an evacuated chamber by directed microwaves for vacuum treating and heating a semiconductor substrate | |
| US4830891A (en) | Method for selective deposition of metal thin film | |
| EP0355657B1 (en) | Method of depositing a tungsten film | |
| US5145714A (en) | Metal-organic chemical vapor deposition for repairing broken lines in microelectronic packages | |
| JPS60255985A (ja) | 超微粉からの伝導性金属ケイ化物皮膜の製造 | |
| US6808758B1 (en) | Pulse precursor deposition process for forming layers in semiconductor devices | |
| US5336636A (en) | Method for contacting conductive structures in VLSI circuits | |
| US6287927B1 (en) | Methods of thermal processing and rapid thermal processing | |
| EP0223787B1 (en) | Selective chemical vapor deposition method and apparatus | |
| JPS5884111A (ja) | ケイ素の改良されたプラズマ析出法 | |
| JP2974376B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5074946B2 (ja) | 低誘電率膜およびその成膜方法並びにその膜を用いた電子装置 | |
| JPH09186095A (ja) | 成膜方法ならびにその装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH03274275A (ja) | 有機金属ガス利用薄膜形成装置 | |
| JP2726149B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2545777B2 (ja) | 絶縁物層の界面改質方法 | |
| JP3110472B2 (ja) | 金属の選択堆積方法 | |
| Yoshigoe et al. | Surface hydrogen and growth mechanisms of synchrotron radiation‐assisted silicon gas source molecular beam epitaxy using disilane |