JPS6315714B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6315714B2 JPS6315714B2 JP59003622A JP362284A JPS6315714B2 JP S6315714 B2 JPS6315714 B2 JP S6315714B2 JP 59003622 A JP59003622 A JP 59003622A JP 362284 A JP362284 A JP 362284A JP S6315714 B2 JPS6315714 B2 JP S6315714B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- vapor deposition
- deposition mask
- emitting layer
- film
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 40
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 39
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、薄膜ELパネルの均一発光を得るた
めの発光層を有したELパネルの形成法に関する。
めの発光層を有したELパネルの形成法に関する。
薄膜ELパネルにおいては、表面に所定の発光
層を蒸着法またはスパツタ法で膜形成をしてい
る。該膜による発光層で均一な発光を得るために
は膜厚を均一にしなければならない。
層を蒸着法またはスパツタ法で膜形成をしてい
る。該膜による発光層で均一な発光を得るために
は膜厚を均一にしなければならない。
以下に、従来のELパネルの形成法について図
面を基に説明すると共に、その欠点を述べる。
面を基に説明すると共に、その欠点を述べる。
第1図は従来のELパネルの形成法を示す概略
説明図であり、1は蒸着マスク、2は蒸着マスク
1の中程にテーパを有して形成した蒸着窓、3は
蒸着窓2上に載置したガラス基板、4は蒸着マス
ク1の下方に配置した熱源、5は蒸着マスク1の
上方に配置した熱源、6は例えばZnS:Mnから
なる発光層材料による蒸発源、7は蒸発源6の蒸
気である。
説明図であり、1は蒸着マスク、2は蒸着マスク
1の中程にテーパを有して形成した蒸着窓、3は
蒸着窓2上に載置したガラス基板、4は蒸着マス
ク1の下方に配置した熱源、5は蒸着マスク1の
上方に配置した熱源、6は例えばZnS:Mnから
なる発光層材料による蒸発源、7は蒸発源6の蒸
気である。
このように構成される、従来のELパネルの形
成法は次のようにして行なわれる。
成法は次のようにして行なわれる。
蒸着マスク1上にガラス基板3を密接させて保
持する。これに熱源4又は5によりガラス基板3
を加熱する。そして、例えば電子ビームなどで蒸
発源6を加熱して蒸気7を発生させる。該蒸気7
は蒸発源6をZnS:Mnのものを使用しているの
でZnS:Mnの蒸気となる。
持する。これに熱源4又は5によりガラス基板3
を加熱する。そして、例えば電子ビームなどで蒸
発源6を加熱して蒸気7を発生させる。該蒸気7
は蒸発源6をZnS:Mnのものを使用しているの
でZnS:Mnの蒸気となる。
該蒸気7は蒸着マスク1の蒸着窓2からガラス
基板3の下方表面に付着して膜を形成する。該膜
が発光層である。
基板3の下方表面に付着して膜を形成する。該膜
が発光層である。
従来は、このようにして発光層の膜形成を行な
つていたが、しかし次のような欠点が生じてく
る。
つていたが、しかし次のような欠点が生じてく
る。
それは、熱源4または5でガラス基板3を加熱
した場合、蒸着マスク1とガラス基板3の熱伝導
率や熱容量の差により蒸着マスク1の温度がガラ
ス基板3の温度より高くなり蒸着マスク1からガ
ラス基板3への熱移動が生じる。従つて、ガラス
基板3における蒸着マスク1との接触部の蒸着窓
2付近の温度がガラス基板3の中央部に比べて高
くなるので、前記で例示したZnS:Mnによる発
光層材料はガラス基板3の温度により膜の生成速
度が異なり、高温になる程遅くなる特性を有する
ため、前記ガラス基板3の温度分布ではガラス基
板3の周辺部の膜厚が薄くなるという欠点であ
り、これは当然発光時の輝度ムラにつながる欠点
である。
した場合、蒸着マスク1とガラス基板3の熱伝導
率や熱容量の差により蒸着マスク1の温度がガラ
ス基板3の温度より高くなり蒸着マスク1からガ
ラス基板3への熱移動が生じる。従つて、ガラス
基板3における蒸着マスク1との接触部の蒸着窓
2付近の温度がガラス基板3の中央部に比べて高
くなるので、前記で例示したZnS:Mnによる発
光層材料はガラス基板3の温度により膜の生成速
度が異なり、高温になる程遅くなる特性を有する
ため、前記ガラス基板3の温度分布ではガラス基
板3の周辺部の膜厚が薄くなるという欠点であ
り、これは当然発光時の輝度ムラにつながる欠点
である。
本発明の目的は、前記の欠点を鑑みて成すもの
でありガラス基板の温度分布を極力一定に保つこ
とで、従来の欠点を解決することにある。
でありガラス基板の温度分布を極力一定に保つこ
とで、従来の欠点を解決することにある。
その発明の概要は次の通りである。
蒸着マスクとガラス基板との接触面を少なくす
るために、両者間に所望の間〓を設けることであ
る。
るために、両者間に所望の間〓を設けることであ
る。
例えば、蒸着マスク上にガラス基板の四隅に対
応する所定の凸起部を設けて両者間に間〓を形成
すれば、ガラス基板の蒸着マスクへの接触は凸起
部における極小さな面積となるので、ガラス基板
の温度分布の不均一も膜形成に影響しない小さな
ものとすることができるのである。
応する所定の凸起部を設けて両者間に間〓を形成
すれば、ガラス基板の蒸着マスクへの接触は凸起
部における極小さな面積となるので、ガラス基板
の温度分布の不均一も膜形成に影響しない小さな
ものとすることができるのである。
以下に、前記のような目的と概要を特徴とした
本発明によるELパネルの形成法について図面を
基に説明すると共に、その効果を述べる。
本発明によるELパネルの形成法について図面を
基に説明すると共に、その効果を述べる。
第2図は本発明の一実施例によるELパネルの
形成法を示す概略説明図、第3図は蒸着マスクの
斜視図である。
形成法を示す概略説明図、第3図は蒸着マスクの
斜視図である。
図において、3はガラス基板、4,5は熱源、
6は蒸着源、7は蒸気であり、これ等は前記従来
例と同じでなので番号も同一符号としてある。
6は蒸着源、7は蒸気であり、これ等は前記従来
例と同じでなので番号も同一符号としてある。
8は本発明による蒸着マスク、9はガラス基板
3を入れるための蒸着マスク8の凹部、10は蒸
着マスク8の凹部9の中央部に形成した蒸着窓で
あり、該蒸着窓10は従来のものと同じように蒸
着面に対応する大きさで、蒸着源6側にテーパを
成して開いており不均一な膜厚分布を防止する形
となつている。11は凹部9の四隅に設けたガラ
ス基板3を保持する凸状の基板固定部、12は基
板固定部11によつて形成される蒸着マスク8と
ガラス基板3の間〓である。
3を入れるための蒸着マスク8の凹部、10は蒸
着マスク8の凹部9の中央部に形成した蒸着窓で
あり、該蒸着窓10は従来のものと同じように蒸
着面に対応する大きさで、蒸着源6側にテーパを
成して開いており不均一な膜厚分布を防止する形
となつている。11は凹部9の四隅に設けたガラ
ス基板3を保持する凸状の基板固定部、12は基
板固定部11によつて形成される蒸着マスク8と
ガラス基板3の間〓である。
このように構成した本発明でのELパネルの形
成法は、従来同様であり、電子ビームまたはるつ
ぼ等を用いた蒸着法やスパツタ法により蒸発源6
を加熱し蒸気7を発生させて、蒸着マスク1の蒸
着窓2からガラス基板3に蒸気7を付着して発光
層の膜形成を行なうのである。該膜は蒸発源6に
従来同様のZnS:Mnなどからなる発光層材料を
載置しているのでZnS:Mnによる発光層が形成
される。
成法は、従来同様であり、電子ビームまたはるつ
ぼ等を用いた蒸着法やスパツタ法により蒸発源6
を加熱し蒸気7を発生させて、蒸着マスク1の蒸
着窓2からガラス基板3に蒸気7を付着して発光
層の膜形成を行なうのである。該膜は蒸発源6に
従来同様のZnS:Mnなどからなる発光層材料を
載置しているのでZnS:Mnによる発光層が形成
される。
ここで、本発明では蒸着マスク8の基板固定部
11によつて蒸着マスク8とガラス基板3との間
に間〓12を設けているために、蒸着マスク8と
ガラス基板3との熱伝導率や熱容量の差に起因す
る温度差が生じても蒸着マスク8からガラス基板
3への熱の移動は蒸着窓10付近では起らない。
わずかに基板固定部11からガラス基板3へ熱が
移動するが、この基板固定部11はガラス基板3
の蒸着面から十分に離し、また接触面積も小さく
しているため蒸着面への熱伝導は極力おさえられ
る。
11によつて蒸着マスク8とガラス基板3との間
に間〓12を設けているために、蒸着マスク8と
ガラス基板3との熱伝導率や熱容量の差に起因す
る温度差が生じても蒸着マスク8からガラス基板
3への熱の移動は蒸着窓10付近では起らない。
わずかに基板固定部11からガラス基板3へ熱が
移動するが、この基板固定部11はガラス基板3
の蒸着面から十分に離し、また接触面積も小さく
しているため蒸着面への熱伝導は極力おさえられ
る。
従つて、ガラス基板3の蒸着面内での温度分布
は均一となるので、例示しているZnS:Mnの高
温では膜形成速度の低下となる性質からの形成膜
厚の不均一は発生せず均一な発光層が形成でき
る。
は均一となるので、例示しているZnS:Mnの高
温では膜形成速度の低下となる性質からの形成膜
厚の不均一は発生せず均一な発光層が形成でき
る。
尚、間〓12の最大値は蒸着マスク8からガラ
ス基板3への輻射熱の影響と膜厚のボケを考慮し
た実験結果からおおよそ3mmであり、最小値は工
作精度やガラス基板3の平面度を考慮し約0.1mm
が良い。
ス基板3への輻射熱の影響と膜厚のボケを考慮し
た実験結果からおおよそ3mmであり、最小値は工
作精度やガラス基板3の平面度を考慮し約0.1mm
が良い。
以上、詳細に説明したように本発明では蒸着マ
スクとガラス基板との間に間〓を設けたので、ガ
ラス基板の加熱時に蒸着マスクからガラス基板へ
の熱の移動を防いでガラス基板内の温度分布を均
一にすることができる。
スクとガラス基板との間に間〓を設けたので、ガ
ラス基板の加熱時に蒸着マスクからガラス基板へ
の熱の移動を防いでガラス基板内の温度分布を均
一にすることができる。
従つて、例示しているZnS:Mnなどの発光層
材料でガラス基板表面に発光層を形成する場合、
その膜厚分布を均一に形成することができるので
発光の輝度ムラが生じない効果がある。
材料でガラス基板表面に発光層を形成する場合、
その膜厚分布を均一に形成することができるので
発光の輝度ムラが生じない効果がある。
また、蒸着マスクとガラス基板とは接触しない
のでガラス基板上に形成した膜の傷や汚れ等も防
止できる効果も有している。
のでガラス基板上に形成した膜の傷や汚れ等も防
止できる効果も有している。
このように、本発明は温度依存性の大きい材料
で膜厚の均一性を要求する絶縁膜、特に高誘電率
絶縁膜の形成において有益に利用することができ
る。
で膜厚の均一性を要求する絶縁膜、特に高誘電率
絶縁膜の形成において有益に利用することができ
る。
第1図は従来のELパネルの形成法を示す概略
説明図、第2図は本発明の一実施例によるELパ
ネルの形成法を示す概略説明図、第3図は本発明
による蒸着マスクの斜視図である。 3……ガラス基板、4,5……熱源、6……蒸
発源、7……蒸気、8……蒸着マスク、10……
蒸着窓、11……基板固定部、12……間〓。
説明図、第2図は本発明の一実施例によるELパ
ネルの形成法を示す概略説明図、第3図は本発明
による蒸着マスクの斜視図である。 3……ガラス基板、4,5……熱源、6……蒸
発源、7……蒸気、8……蒸着マスク、10……
蒸着窓、11……基板固定部、12……間〓。
Claims (1)
- 1 蒸着窓を有した蒸着マスク上にガラス基板を
載置し、該ガラス基板を加熱して、その表面に温
度依存性の大きい材料を加熱蒸発させて付着して
発光層を膜形成するELパネルの形成法において、
前記ガラス基板と蒸着マスクとの間に所定の間〓
を設けてガラス基板を均一な温度に加熱すること
を特徴としたELパネルの形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59003622A JPS60148081A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Elパネルの形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59003622A JPS60148081A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Elパネルの形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60148081A JPS60148081A (ja) | 1985-08-05 |
JPS6315714B2 true JPS6315714B2 (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=11562591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59003622A Granted JPS60148081A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Elパネルの形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60148081A (ja) |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59003622A patent/JPS60148081A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60148081A (ja) | 1985-08-05 |
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