JPS6387803A - トランジスタ特性の測定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はストリップ線路型のトランジスタ固定装置に関
するものである。

従来の技術 ＦＥＴ等ＬＤトランジスタの高周波特性（Ｓ、＜うメー
タや雑音指数）を測定するにはトランジスタをまずトラ
ンジスタ固定装置に実装し、そのトランジスタ固定装置
の入出力に同調回路やバイアス供給回路を接続する方法
が一般的であった。そして、トランジスタ固定装置、同
調回路、バイアス供給回路はそれぞれ独立した装置であ
り、それらの装置を接続してトランジスタの高周波特性
を測定していた。しかも、それらの装置は同軸線路型で
あることがほとんどであるためトランジスタ固定装置も
同軸線路型が一般的であった。

第６図に従来の同軸線路型トランジスタ固定装置の一部
分を示す。１はトランジスタ、２，３はそれぞれトラン
ジスタ１の入出力端子、接地端子である。４は同軸線路
の中心導体で中心導体４にはスリット６が設けられてお
り、このスリット６内に入出力端子２を入れて、入出力
端子２の位置決めを行なっている。６は同軸線路の外導
体で外導体６はトランジスタ１の実装部分では狭くなっ
ており、そしてその狭くなった部分には接地端子３を固
定するための浅い溝７が設けである。そして、外導体ら
と同形の別の外導体（図示せず）を外導体６と一体化す
ることによりトランジスタ１は外導体内に実装・固定さ
れる。

第６図は従来の同軸線路型トランジスタ固定装置を用い
てトランジスタの高周波特性を測定するブロック図であ
る。第６図において８は同軸線路型トランジスタ固定装
置、９は同調回路、１０はバイアス供給回路であり、同
軸線路量トランジスタ固定装置８と同調回路９の接続、
および同調回路９とバイアス供給回路１ｏの接続は同軸
コネクタで接続される。そして、同調回路９によりトラ
ンジスタの入出力整合回路を同調して高周波特性を測定
する。

発明が解決しようとする問題点 以上のような従来の同軸線路型トランジスタ固定装置、
および、その同軸線路型トランジスタ固定装置を用いた
トランジスタの高周波特性測定方法では次のような問題
点があった。

まず同軸線路型トランジスタ固定装置では、トランジス
タ１の接地端子３による寄生インダクタンスを小さくす
るため、外部導体ｅの形状をトランジスタ１のパッケー
ジ形状に合わせ、トランジスタ１と外部導体６間に生じ
る間隙を小さくする必要がある。従って、パッケージ形
状の異なるトランジスタに対しては外部導体の形状の異
なるものが必要となり、そのために、パッケージごとに
外導体の異なるトランジスタ固定装置が必要になるとい
う欠点があった。また、同じパッケージ形状のトランジ
スタであっても、接地端子３０幅が溝７の幅より狭いも
のに対しては、トランジスタ１の位置固定を再現性よく
行なえない、接地端子３の幅が溝７の幅より広いものに
対してはトランジスタ１を実装できなくなるなどの欠点
があった。

更に、中心導体４は平面状でなく、円柱状であるため、
トランジスタ１の入出力端子２を中心導体４に固着させ
るには、中心導体４の形状を部分的に平面状にする必要
があり、そのために中心導体４を加工するなど構成か複
雑になった９、中心導体４を空間で堅固に支持しておく
ために、その支持方法に特別の工夫がいるなど構造的に
複雑になるという欠点があった。

次に、第６図に示すように同軸線路型トランジスタ固定
装置８を用いた高周波特性測定方法では。

同調手段やバイアス供給手段として同軸コネクタ付きの
同調回路９やバイアス供給回路１０を使用するため、測
定系が大きくなる、測定系の損失が大きいため測定精度
が低下する、同調回路９とトランジスタとの距離が離れ
るので同調の周波数特性が狭帯域となシ同調がとりにく
くなるなどで測定時間がかかる、トランジスタが実際に
使用される実装回路では誘電体基板上のストリップ線路
による平面回路でおるのに対して測定系は同軸線路によ
る回路であるため測定系による特性結果が実際の回路へ
の実装時の特性結果と必ずしも一致しないという問題点
をかかえていた。

本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、トランジス
タのパッケージおよびパッケージ端子の形状に対して柔
軟に対応でるトランジスタ固定装置を提供することを目
的とする。

問題点を解決するための手段 本発明は接地導体板上に配置された誘電体基板と、この
誘電体基板上：で形成されたストリップ線路と、前記接
地導体板上に設けられた端子接地導体と、前記誘電体基
板上に配置された遮へい板と、この遮へい板に取り付け
られ、かつ、トランジスタの入出力端子を前記ストリッ
プ線路上に圧着する誘電体棒と、前記遮へい板に固着さ
れ、かつ、前記トランジスタの接地端子を前記端子接地
導体上に圧着する接地端子圧着部と、前記トランジスタ
の前記接地端子の両端に設けられ、前記接地端子を位置
決めする接地端子位置決め部品と、前記遮へい板および
前記接地導体板の両方に対して垂直方向に設けられたガ
イドピンを有することを特徴とするトランジスタ固定装
置である。

作　　用 本発明は上記した構成により、トランジスタを平面状の
誘電体基板上に固定できるだめ、パッケージ形状に対し
て柔軟に対応できるだけでなく、同じ誘電体基板上に同
調回路やバイアス供給回路を形成できるので測定系を小
さくできる。更に、同調回路を実装回路と同じにするこ
とにより、実装時の特性を測定系により事前に評価でき
るだけでなく測定時間を大幅に短縮できるものである。

実施例 第１図、第２図は本発明のストリップ線路型のトランジ
スタ固定装置の一実施例である。第１図。

第２図において、１１は接地導体板で、接地導体板１１
上には誘電体基板１２が配置されている。

１３は端子接地導体で、接地導体板１１から突起するよ
うに設けられておシ、その高さは誘電体基板１２の厚さ
にほぼ等しい。一方、誘電体基板１２には溝穴１４が設
けられ端子接地導体１３がこの溝穴１４にはオるように
なっている。トランジスタ１５は、トランジスタ１５の
接地端子１６が端子接地導体１３上に重なるように配置
されるが、１７はトランジスタ１６を位置決めするため
の接　　　　・他端子位置決め部品、で、この位置決め
部品１７の先端には、接地端子１６の幅より少し広くし
た溝１８が設けられている。接地端子位置決め部品１７
は、トランジスタ１５の接地端子１６ならびに入出力端
子１９がストリップ線路２０に対して対称位置にくるよ
うにするものであり、接地端子１６が位置決めできるよ
うな位置でネジ留めされている。２１は遮へい板で、遮
へい板２１のトランジスタ１５に対向する部分において
は遮へい板２１の高さは台座２２により低くなっている
。この台座２２上には接地端子１６を接地端子導体１３
に圧着させるための接地端子圧着部２３と入出力端子１
９をストリング線路２０に圧着させるための誘電体棒２
４が取り付けられている。２５はガイドピンで、ガイド
ピンク５は接地導体板１１および遮へい板２１に垂直に
設けられたビン穴２６とかん合するように作られている
。従って、第１図（ａ）、β）のようにトランジスタ１
５を位置決めし、その上から第１図ＣＣ）に示す遮へい
板２１をかぶせ、遮へい板２１を接地導体板１１に押え
つけると、トランジスタ１５の接地端子１６は接地導体
板１１に接地され、入出力端子１９はストリップ線路２
゜に圧着されて、ストリップ線路型のトランジスタ固定
装置として機能する。

上記第１図および第２図に示した実施例では、トランジ
スタ１５のパッケージ形状が多少変化しても、トランジ
スタ１５の配置が妨害されることがないので、パッケー
ジ形状の変化に対して柔軟性がある。接地端子１６の長
さおよび幅の変化に対しては接地端子位置決め部品１７
の長さ寸法および位置決め部品１７の先端にある溝１８
の溝曙を変えるなど、接地端子位置決め部品１７のみを
取替えることにより対応できる。更に、ストリップ線路
２ｏは平坦であるので、トランジスタ１５の入出力端子
１９の圧着には特別に複雑な加工を必要としない簡単な
構成でよい。また遮へい板２１のトランジスタ１５に対
向する部分に台座２２を設けて遮へい板２１の高さを低
くしているので、トランジスタ１６０入出力端子１９近
辺での電磁界の輻射が押えられ、電気特性の良好なトラ
ンジスタ固定装置が得られる。

第３図は本発明のストリップ線路型のトランジスタ固定
装置の別の実施例で、遮へい板の構造に関するものであ
り、第１図（Ｃ）と同一箇所には同一番号を付して説明
する。第３図において、２１は遮へい板、２２は台座、
２３は接地端子圧着部、２４は誘電体棒である。誘電体
棒２４は比誘電率が低く、誘電体損失が小さい弾性のあ
る誘電体材料、例えば四フッ化エチレン樹脂で作られて
いる。ネジ２７により誘電体棒２４の台座２２からの突
出長を調整し、トランジスタ１６の入出力端子１９のス
トリップ線路２０への圧着強度を調整できる。

上記第３図に示した実施例では、入出力端子１９のスト
リップ線路２０へＱ圧着を誘電体棒２４の弾性を利用し
、しかもネジ２７により圧着強度を自由に調整できるた
め、入出力端子１９とストリップ線路２０間の接触抵抗
を極めて少なくできるとともに、圧着の再現性を確実に
できるものである。

第４図は本発明のス）　Ｉ）ツブ線路型のトランジスタ
固定装置の別の実施例で、同調回路およびバイアス供給
回路の構成に関するものであり、第２図と同一箇所には
同一番号を付して説明する。誘電体基板１２上には低域
通過フィルタで形成されているバイアス供給回路２８．
トランジスタ１５の同調回路２９．直流阻止回路３０が
設けられている。１４は溝穴で、端子接地導体１３が、
この溝穴１４にはいるようになってい。３１は接地端子
位置決め部品１７を接地導体板１１にネジで固定するだ
めのネジ穴でちる。通常、溝穴１４の幅はトランジスタ
１５のパッケージ寸法の大きさよりも狭く、接地端子１
６の幅よりも広くなるように選んである。その理由は、
同調回路２９がトランジスタ１５に最も近接して設けら
れた場合にも端子接地導体１３に同調回路２９が接触し
ないようにするためである。

上記第４図に示した実施例では、同調回路２９はトラン
ジスタ１５に近接して設けられるので同調の周波数特性
が広帯域となる。同調回路２９が固定されているので測
定時間が短縮される、同調回路２９を実装回路と同一形
状とすることにより実装回路にトランジスタを実装した
時の特性を正［予測できる。バイアス供給回路２８を同
調回路２９と同じ誘電体基板１２上に形成するので、測
定系を小さくできると同時に損失を小さくできるので測
定精度を向上させられる。しかも測定結果を実装回路へ
の実装時の特性結果と定量的に極めて近い値にすること
が可能となり、その実用的効果は非常に大きい。

発明の効果 以上のように本発明によれば、トランジスタ固定装置を
ストリップ線路型にしているので、トランジスタのパッ
ケージ形状に対してトランジスタの固定手段が柔軟にな
る効果を有する。更に、トランジスタ固定装置の誘電体
基板上に同調回路とともにバイアス供給回路を構成でき
るめで測定系を小さくできる、測定時間を大幅に短縮で
きる、実用的な特性結果が得られるなど極めて実用的価
値の大きい効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ロ）、（Ｃ）は本発明の一実施例にお
けるトランジスタ固定装置の平面図、側面図および斜視
図、第２図は第１図のトランジスタ固定装置の分解斜視
図、第３図は本発明の別の実施例におけるトランジスタ
固定装置の遮へい板の部分的断面図、第４図は本発明の
別の実施例におけるトランジスタ固定装置の誘電体基板
の構成図、第５図＜ａ＞、（ｂ）は従来の同軸線路型の
トランジスタ固定装置の平面図および同図ｔａ）のＡ　
−Ａ’断面図、第６図は従来の同軸線路型トランジスタ
固定装置を用いたトランジスタの高周波特性測定のブロ
ック図である。 １１・・・・・・接地導体板、１２・・・・・・誘電体
基板、１３・・・・・・端子接地導体、１４・・・・・
・溝穴、１５・・・・・・トランジスタ、１６・・・・
・・接地端子、１７・・・・・・接地端子位置決め部品
、１８・・・・・・溝、１９・・・・・・入出力線路、
２０・・・・・・ストリップ線路、２１・・・・・・遮
へい板、２２・・・・・・台座、２３・・・・・・接地
端子圧着部、２４・・・・・・誘電体棒、２５・・・・
・・ガイドピン、２６・・・・・・ピン穴、２７・・・
・・・ネジ、２８・・・・・・バイアス供給回路、２９
・・・・・・同調回路、３０・・・・・・直流阻止回路
、３１・・・・・・ネジ穴。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名綜　
　　　　　　は （〕 ヘ　　　　　　　　　　　　　　リ 一〇 第　２　図 ｇｌ　　３　　図　　　　　　　　　　　　　　　　　
　２ｆ−−一遮へいＡ又２２−　負星 ２３−一穫梵訓帝升青部 ２４−　　誼歇体率 ？７−−ネジ ／４−一勇大 第　　４　　口　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　２０　−一一ズトリッフ語Ｚｇ−−バ
朽ス俣餘■江乎 ２？−１司調び刀にト

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）接地導体板上に配置された誘電体基板と、この誘
   電体基板上に形成されたストリップ線路と、前記接地導
   体板上に設けられた端子接地導体と、前記誘電体基板上
   に配置された遮へい板と、この遮へい板に取り付けられ
   、かつ、トランジスタの入出力端子を前記ストリップ線
   路上に圧着する誘電体棒と、前記遮へい板に固着され、
   かつ、前記トランジスタの接地端子を前記端子接地導体
   上に圧着する接地端子圧着部と、前記トランジスタの前
   記接地端子の両端に設けられ、前記接地端子を位置決め
   する接地端子位置決め部品と、前記遮へい板および前記
   接地導体板の両方に対して垂直方向に設けられたガイド
   ピンを有することを特徴とするトランジスタ固定装置。
2. （２）遮へい板に取り付けられた誘電体棒の、遮へい板
   からの突出長を前記遮へい板に設けられたネジにより可
   変できるようにするとともに、前記誘電体棒を弾性材と
   したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のトラ
   ンジスタ固定装置。
3. （３）接地端子圧着部に金属導体を使用するとともに、
   トランジスタに対向する部分においては遮へい板の高さ
   を低く設定したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載のトランジスタ固定装置。
4. （４）トランジスタのバイアス電圧の供給回路を誘電体
   基板上にストリップ線路で形成したことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のトランジスタ固定装置。
5. （５）トランジスタの入出力整合回路を誘電体基板上に
   設けたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のト
   ランジスタ固定装置。