JPS59163573A - 高周波電力測定装置 - Google Patents

高周波電力測定装置

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JPS59163573A
JPS59163573A JP3950883A JP3950883A JPS59163573A JP S59163573 A JPS59163573 A JP S59163573A JP 3950883 A JP3950883 A JP 3950883A JP 3950883 A JP3950883 A JP 3950883A JP S59163573 A JPS59163573 A JP S59163573A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frequency power
semiconductor device
high frequency
measuring device
input
Prior art date
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Pending
Application number
JP3950883A
Other languages
English (en)
Inventor
Jun Fukaya
深谷 潤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP3950883A priority Critical patent/JPS59163573A/ja
Publication of JPS59163573A publication Critical patent/JPS59163573A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 fa)  発明の技術分野 本発明は良好な再現性を有する高周波電力測定装置に関
する。
(b)  従来技術と問題点 高周波高出力半導体装置例えばGaAs電界効果トラン
ジスタ(FET)の高周波電力測定を行うに際し、従来
は第1図に示すようなストリップ線路を用いていた。こ
れは同図に見られるように真鍮等よりなる基部1の両端
面に、入出力端子とじての同軸コネクタ2を取り付けた
端子板3が一体化されて筐体を構成し、前記基部1上面
に配線4が形成された2枚のアルミナ或いはテフロング
ラス等よりなる回路基板5が所定の間隔を隔てて配設さ
れ、この形成された配線4に前記同軸コネクタの中心導
体が接続されてなる。この測定回路は、上記基部lと上
記配線4とによりストリップ線路が構成され、2枚の回
路基板5間に取り付けられた被測定半導体装置6のリー
ド7をそれぞれ上記配線5に接触させることにより、前
記半導体装置6にバイアス電圧とともに所定の信号を入
力させて測定を行う。
ところが上記構造の測定回路では、同軸コネクタ2と上
記ストリップ線路との変換部から空間への電磁波の放射
が生じる。このため入出力間が結合され、入力側に出力
側からの帰還を生して被測定半導体装置6の動作が不安
定となり、高周波特性の測定に誤差を生じ、ときには測
定不能となる場合がある。
この問題を解消するため上述のようなストリップ線路を
用いず、第2図(a)の断面図及び同図(blの側面図
に示すような、同軸線路によって入出力回路を構成した
例もある。同図において、8は中心導体、9は外導体、
10はスペーサを示す。、この構造では被測定半導体装
置近傍に整合回路を設けることが困難である。
(C)発明の目的 本発明の目的は上記問題点を解消して、入出力間の結合
を少なくし、安定且つ良好な再現性をもって高周波特性
の測定を行うことの出来る洒周波電力測定装置を提供す
ることにある。
(dl  発明の構成 本発明の特徴は、被測定半導体素子か接続されるストリ
ップ線路が形成された絶縁基板と、開閉可能な直方体状
の空間と、前記空間内に収容され−る前記絶縁基板上の
ストリップ線路か接続される端子部を備えた導電性筐体
とを備えてなることにある。
(e+  発明の実施例 以下本発明の一実施例を図面を参照しなから説明する。
第3図(al、 (b)に上記本発明に係る高周波電力
測定装置の一実施例を示す。同図において、■は真鍮等
よりなる基部、2は入出力端子としての同軸コネクタ、
3は端子板、4は配線、5はアルミナ或いはテフロング
ラス等よりなる回路基板、11は上蓋、12はビス、1
3はテフロン等よりなるリード押さえ用ウェイト、14
は貫通孔、15は側板、16はタップを示す。
本実施例は同図に見らhる如く、従来の基部1及び端子
板3とからなる筐体に側板15を取り付けるとともに、
この上に上蓋11を被せ、ビス12を貫通孔14を通し
てタップ16にねし込んで固定するようにした。ここで
2枚の側板15の間隔W及び上蓋11下面と基部lの上
面との間隔りを、それぞれ次のようにする。
W〈λ/2 h〈λ/2          ・・・・・・■但し、
λは測定周波数における波長である。
本実施例の測定装置は、上記構造としたことにより導波
管を構成し、更に各部の寸法を」二連のように選ぶこと
により、次元の最も低いT T5 to及びTE、、モ
ートの伝播が防止されるので、これより次元の高い他の
モードも一切伝播されない。そのため本実施例では測定
回路内における電磁波の放射が防止され、入力側への帰
還を生しるこ出もない。従って被測定半導体装置の動作
か不安定となることも、高周波特性の測定に誤差を生じ
たり測定不能となることもなくなる。
なおウェイト13は、被測定半導体装置6 (第3図に
は図示せず、第1図参照)を測定部に載置した後、被測
定半導体装置6のリード7 (同図には図示せず、第1
図参照)と測定回路の接続用1’71if子17との接
触を良好なものとするため、リー17を接続用端子I7
上に押さえ付けるためのものである。
上記一実施例においては、基部l、端子扱3及び側板1
5が一体化された筐体の例を掲げて説明したか、これら
はそれぞれ別々に作成し、ヒス等で固定して一体化され
た筐体を構成して良い。
(f)  発明の詳細 な説明した如く本発明によれば、半導体装置の高周波電
力の測定を安定にJlつ再現性良く行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図ta+、 (b)は従来の高周波電力
測定装置を示す斜視図、断面図、側面図、第3図(a)
。 (b)は本発明の一実施例を示す分解斜視図である。 図において、■は基部、2は同軸コネクタ、3は端子板
、4は配線、5は回路基板、6は被測定半導体装置、7
ばリード、8ば中心導体、9は外導体、11は上蓋、1
5は側板を示す。 第1図 ノ 第2図 第3図 fb)                 15と

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被測定半導体素子が接続されるストリップ線路が形成さ
    れた絶縁基板と、開閉可能な直方体状の空間と、前記空
    間内に収容される前記絶縁基板上のストリップ線路が接
    続される端子部を備えた導電性筐体とを備えてなること
    を特徴とする高周波電力測定装置。
JP3950883A 1983-03-09 1983-03-09 高周波電力測定装置 Pending JPS59163573A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62151772A (ja) * 1985-12-20 1987-07-06 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 高周波回路チップの試験装置
JPS62163984A (ja) * 1985-12-20 1987-07-20 エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン 検査装置
JPS6310472U (ja) * 1986-07-08 1988-01-23
JPS6387803A (ja) * 1986-10-01 1988-04-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd トランジスタ特性の測定方法
US4851764A (en) * 1986-05-16 1989-07-25 Fujitsu Limited High temperature environmental testing apparatus for a semiconductor device having an improved holding device and operation method of the same
JP2009168471A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Tamagawa Electronics Co Ltd 半導体装置の試験装置

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