JP3190885B2 - 高周波プローブの先端構造 - Google Patents
高周波プローブの先端構造Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デバイスステージ
上に配置された被測定デバイスの電極に中心導体の一方
の先端を押し当ててこの中心導体の他端に接続されたコ
ネクタにより外部コネクタに接続する高周波プローブの
先端構造に関し、特に、被測定デバイス表面にグラウン
ド電極がない場合の高周波測定、更に接触するデバイス
側の電極への一定量の加圧などが可能である高周波プロ
ーブの先端構造に関する。
上に配置された被測定デバイスの電極に中心導体の一方
の先端を押し当ててこの中心導体の他端に接続されたコ
ネクタにより外部コネクタに接続する高周波プローブの
先端構造に関し、特に、被測定デバイス表面にグラウン
ド電極がない場合の高周波測定、更に接触するデバイス
側の電極への一定量の加圧などが可能である高周波プロ
ーブの先端構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の高周波プローブの先端構
造では、図４（Ａ）から図４（Ｄ）までに示されるよう
に、プローブ１００の先端では信号用プローブ電極１０
１およびグランド用プローブ電極１０２，１０２Ａが被
測定デバイス１２０の表面で水平方向に一列に並ぶ電極
に接触する。通常ではプローブ１００の中心軸に位置す
る中心導体１０３が信号用プローブ電極１０１となり被
測定デバイス１２０の信号電極１３に接触する。また、
中心導体１０３との間に誘電体１０５を介して表面を被
覆するプローブ１００のグランド導体１０４が、プロー
ブ１００の先端で信号用プローブ電極１０１の左右にグ
ランド用プローブ電極１０２，１０２Ａとして形成さ
れ、被測定デバイス１２０のグランド電極１８に接触す
る。
造では、図４（Ａ）から図４（Ｄ）までに示されるよう
に、プローブ１００の先端では信号用プローブ電極１０
１およびグランド用プローブ電極１０２，１０２Ａが被
測定デバイス１２０の表面で水平方向に一列に並ぶ電極
に接触する。通常ではプローブ１００の中心軸に位置す
る中心導体１０３が信号用プローブ電極１０１となり被
測定デバイス１２０の信号電極１３に接触する。また、
中心導体１０３との間に誘電体１０５を介して表面を被
覆するプローブ１００のグランド導体１０４が、プロー
ブ１００の先端で信号用プローブ電極１０１の左右にグ
ランド用プローブ電極１０２，１０２Ａとして形成さ
れ、被測定デバイス１２０のグランド電極１８に接触す
る。
【０００３】この構造では、被測定デバイスの信号電極
とグラウンド電極とはその配置間隔がプローブ電極と同
一で、かつ、同一平面上に存在する必要がある。しか
し、グラウンド電極がデバイスの表面に存在しない場合
がある。例えば、通常より高周波特性を伸ばしたデバイ
スは、良好なグラウンド特性を得るため裏面全体をべた
グラウンド面としており、グラウンド面がデバイスの裏
面全体にべた状に形成されている場合では、上記構造の
プローブによる接触は不可能である。
とグラウンド電極とはその配置間隔がプローブ電極と同
一で、かつ、同一平面上に存在する必要がある。しか
し、グラウンド電極がデバイスの表面に存在しない場合
がある。例えば、通常より高周波特性を伸ばしたデバイ
スは、良好なグラウンド特性を得るため裏面全体をべた
グラウンド面としており、グラウンド面がデバイスの裏
面全体にべた状に形成されている場合では、上記構造の
プローブによる接触は不可能である。
【０００４】また、この構造では、被測定デバイスの電
極にプローブ電極を押し当てる際、支点が電極のため、
電極に対する加圧力が不安定であり、圧力のかけ過ぎに
よりプローブ電極の破損を引き起こす可能性がある。
極にプローブ電極を押し当てる際、支点が電極のため、
電極に対する加圧力が不安定であり、圧力のかけ過ぎに
よりプローブ電極の破損を引き起こす可能性がある。
【０００５】他方、デバイス側から見ると、従来のプロ
ーブ電極に対応するため同一平面上にある一つの信号電
極に二つのグラウンド電極を設ける必要があり、デバイ
スの大きさが大きくなり、コストも増大する。特に、Ｇ
ａＡｓなどの化合物デバイスはシリコンに比べてウェハ
のコストが高い。そのため、量産デバイスでは、同一平
面上にグラウンド電極を設けず、チップ面積を小さくか
つウェハの厚みを薄くして裏面をグラウンド電極面とす
ることによりコストの削減と高周波特性の確保とを兼ね
併せて実現している。
ーブ電極に対応するため同一平面上にある一つの信号電
極に二つのグラウンド電極を設ける必要があり、デバイ
スの大きさが大きくなり、コストも増大する。特に、Ｇ
ａＡｓなどの化合物デバイスはシリコンに比べてウェハ
のコストが高い。そのため、量産デバイスでは、同一平
面上にグラウンド電極を設けず、チップ面積を小さくか
つウェハの厚みを薄くして裏面をグラウンド電極面とす
ることによりコストの削減と高周波特性の確保とを兼ね
併せて実現している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
高周波プローブの先端構造には下記の問題点がある。
高周波プローブの先端構造には下記の問題点がある。
【０００７】第一の問題点は、被測定デバイスの信号電
極とグラウンド電極とが同一平面上に配置されない場合
に対応が非常に困難または不可能なことである。
極とグラウンド電極とが同一平面上に配置されない場合
に対応が非常に困難または不可能なことである。
【０００８】その理由は、デバイス電極に接触するプロ
ーブ電極が横並びで同一平面上にありかつプローブ電極
の間隔がこのような配列のデバイス電極の間隔に合致し
ている構造のため、この構造に合致していない場合に
は、接触できないからである。
ーブ電極が横並びで同一平面上にありかつプローブ電極
の間隔がこのような配列のデバイス電極の間隔に合致し
ている構造のため、この構造に合致していない場合に
は、接触できないからである。
【０００９】第二の問題点は、被測定デバイスの電極に
プローブ電極を接触させた場合、電極の接触圧が不定で
ありプローブ電極が破損しやすいことである。
プローブ電極を接触させた場合、電極の接触圧が不定で
ありプローブ電極が破損しやすいことである。
【００１０】その理由は、電極接触の際の押さえ方向に
垂直な方向にグラウンド電極・信号電極・グラウンド電
極の順に横並びしている構造上、プローブ電極それぞれ
が同様な先端部分をたわませる押圧力を受け、かつ押圧
力の支点がこれら電極上にあるので、押圧力の調整が困
難なためである。
垂直な方向にグラウンド電極・信号電極・グラウンド電
極の順に横並びしている構造上、プローブ電極それぞれ
が同様な先端部分をたわませる押圧力を受け、かつ押圧
力の支点がこれら電極上にあるので、押圧力の調整が困
難なためである。
【００１１】本発明の課題は、上記問題点を解決し、被
測定デバイスの信号電極とグラウンド電極とが同一平面
上に配置されない場合に対処し、かつ先端の電極部分が
接触によりほぼ一定の加圧量を得ることができる高周波
プローブの先端構造を提供することである。
測定デバイスの信号電極とグラウンド電極とが同一平面
上に配置されない場合に対処し、かつ先端の電極部分が
接触によりほぼ一定の加圧量を得ることができる高周波
プローブの先端構造を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明による高周波プロ
ーブは、デバイスステージ上に配置された被測定デバイ
スの電極に接触して測定する高周波プローブの先端構造
において、間に誘電体を挿入され同心状に配置される中
心の中心導体および外周の被覆導体を有すると共に中心
軸方向に対して垂直な切断面を一方の端面として有する
セミリジッドケーブルと、上記切断面にほぼ垂直方向を
なす二面を有し一方を平面として全面に導体であるべた
グラウンドを有し他方の面に上記切断面に露出する中心
導体と凸部を形成する先端部まで電気的導通をもって接
続する信号ラインを有すると共に根元部をセミリジッド
ケーブルの上記切断面に固着する基板と、Ｌ字形状をな
す少なくとも二つの平面を有する導体であり前記平面の
一方を前記べたグラウンドに貼着して電気的導通をとり
かつ基板を保持すると共にセミリジッドケーブルの上記
切断面に固着して被覆導体と電気的導通をもって接続す
る基板取付板とを備えている。
ーブは、デバイスステージ上に配置された被測定デバイ
スの電極に接触して測定する高周波プローブの先端構造
において、間に誘電体を挿入され同心状に配置される中
心の中心導体および外周の被覆導体を有すると共に中心
軸方向に対して垂直な切断面を一方の端面として有する
セミリジッドケーブルと、上記切断面にほぼ垂直方向を
なす二面を有し一方を平面として全面に導体であるべた
グラウンドを有し他方の面に上記切断面に露出する中心
導体と凸部を形成する先端部まで電気的導通をもって接
続する信号ラインを有すると共に根元部をセミリジッド
ケーブルの上記切断面に固着する基板と、Ｌ字形状をな
す少なくとも二つの平面を有する導体であり前記平面の
一方を前記べたグラウンドに貼着して電気的導通をとり
かつ基板を保持すると共にセミリジッドケーブルの上記
切断面に固着して被覆導体と電気的導通をもって接続す
る基板取付板とを備えている。
【００１３】この構造により、被測定デバイスの信号電
極とグラウンド電極とが同一平面上に配置されず、デバ
イスステージに接する面にグラウンド面がある被測定デ
バイスを測定することが可能である。また、弾性をもた
ない被覆導体先端部を押圧力の支点となる接触基準面と
し、基板の信号ライン先端部を被測定デバイスの電極と
接触させるので、加圧量を一定にすることができる。
極とグラウンド電極とが同一平面上に配置されず、デバ
イスステージに接する面にグラウンド面がある被測定デ
バイスを測定することが可能である。また、弾性をもた
ない被覆導体先端部を押圧力の支点となる接触基準面と
し、基板の信号ライン先端部を被測定デバイスの電極と
接触させるので、加圧量を一定にすることができる。
【００１４】また、上記基板が有する信号ラインは、中
心導体の中心軸と同一方向を有する直線状をなし、中心
導体と前記切断面においてハンダにより接着することが
できる。また、信号ラインは先端部露出面にバンプ接点
を設けることができる。この構造の結果、中心導体を被
測定デバイスの信号電極と接触させることが容易であ
り、電極寿命も長くなる。
心導体の中心軸と同一方向を有する直線状をなし、中心
導体と前記切断面においてハンダにより接着することが
できる。また、信号ラインは先端部露出面にバンプ接点
を設けることができる。この構造の結果、中心導体を被
測定デバイスの信号電極と接触させることが容易であ
り、電極寿命も長くなる。
【００１５】また、基板取付板は、弾性を有し、基板が
先端部で応力を受けてたわむ際にべたグラウンドに貼着
する部分で信号ライン側に押圧する力を有することによ
り基板を破損から保護し、また、セミリジッドケーブル
にある切断面の円周を覆う位置で被覆導体と電気的導通
をもって固着する金属リングを有することにより安定し
てグラウンド面と接触することができる。更に、金属リ
ングは、信号ラインが露出する面の側で割れ目を有する
ことにより、プローブ電極の接触が確実となる。
先端部で応力を受けてたわむ際にべたグラウンドに貼着
する部分で信号ライン側に押圧する力を有することによ
り基板を破損から保護し、また、セミリジッドケーブル
にある切断面の円周を覆う位置で被覆導体と電気的導通
をもって固着する金属リングを有することにより安定し
てグラウンド面と接触することができる。更に、金属リ
ングは、信号ラインが露出する面の側で割れ目を有する
ことにより、プローブ電極の接触が確実となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１７】図１（Ａ）は本発明の実施の一形態を示す
説明用側面図、また、図１（Ｂ）は高周波プローブ１０
の先端構造を被測定デバイス６側から見た正面図であ
る。
説明用側面図、また、図１（Ｂ）は高周波プローブ１０
の先端構造を被測定デバイス６側から見た正面図であ
る。
【００１８】図１に示された高周波プローブ１０の先端
構造では、セミリジッドケーブル２の中心軸方向に対し
て垂直な切断面に基板３が基板取付板４により取り付け
られている。図１（Ａ）では更に、表面にグラウンド面
を有するデバイスステージ５の表面にべたグラウンド裏
面を有する被測定デバイス６を配置して高周波プローブ
１０により高周波測定を行なう様子を示している。
構造では、セミリジッドケーブル２の中心軸方向に対し
て垂直な切断面に基板３が基板取付板４により取り付け
られている。図１（Ａ）では更に、表面にグラウンド面
を有するデバイスステージ５の表面にべたグラウンド裏
面を有する被測定デバイス６を配置して高周波プローブ
１０により高周波測定を行なう様子を示している。
【００１９】セミリジッドケーブル２は、中心に中心導
体１１、外周に被覆導体１２、およびその中間に誘電体
１３を挿入されそれぞれが同心状に配置されるているも
のであり、中心軸方向に対して垂直な切断面を一方の端
面として有している。
体１１、外周に被覆導体１２、およびその中間に誘電体
１３を挿入されそれぞれが同心状に配置されるているも
のであり、中心軸方向に対して垂直な切断面を一方の端
面として有している。
【００２０】基板３は、取付られた際、セミリジッドケ
ーブル２の垂直切断面に垂直な二面を有し、一方の面で
は中心線に沿って根本部と先端部とを直線状に結ぶ伝送
線路である信号ライン１４が設けられている。信号ライ
ン１４は根本部でセミリジッドケーブル２の垂直切断面
に露出する中心導体１１と密着しかつ例えばハンダ１５
による電気的導通をもって接続されているものとする。
また、他方の面は平面として被覆導体１２の近辺にあり
全面に導体であるべたグラウンド１６を有するものとす
る。
ーブル２の垂直切断面に垂直な二面を有し、一方の面で
は中心線に沿って根本部と先端部とを直線状に結ぶ伝送
線路である信号ライン１４が設けられている。信号ライ
ン１４は根本部でセミリジッドケーブル２の垂直切断面
に露出する中心導体１１と密着しかつ例えばハンダ１５
による電気的導通をもって接続されているものとする。
また、他方の面は平面として被覆導体１２の近辺にあり
全面に導体であるべたグラウンド１６を有するものとす
る。
【００２１】また、基板取付板４は、例えばバネ材によ
る板状導体で弾性を有し、Ｌ字の形状を成すものとす
る。Ｌ字形状の外側を成す一方の面はセミリジッドケー
ブル２の垂直切断面の半円形部分に密着し、他方の面は
基板３のべたグラウンド１６に貼着して基板３の根本部
をセミリジッドケーブル２の垂直切断面に密着保持する
ものとする。基板取付板４は、セミリジッドケーブル２
の被覆導体１２と密着し例えばハンダにより電気的導通
をもって接続されるものとする。
る板状導体で弾性を有し、Ｌ字の形状を成すものとす
る。Ｌ字形状の外側を成す一方の面はセミリジッドケー
ブル２の垂直切断面の半円形部分に密着し、他方の面は
基板３のべたグラウンド１６に貼着して基板３の根本部
をセミリジッドケーブル２の垂直切断面に密着保持する
ものとする。基板取付板４は、セミリジッドケーブル２
の被覆導体１２と密着し例えばハンダにより電気的導通
をもって接続されるものとする。
【００２２】図示されるデバイスステージ５の表面はグ
ラウンド面であり、図示されるようにべたグラウンドの
裏面を有する被測定デバイス６をデバイスステージ表面
に配置した場合、信号ライン１４を被測定デバイス６の
信号電極１７に接触させセミリジッドケーブル２の被覆
導体１２をデバイスステージ５のグラウンド表面に突き
当たるまで押し付けて測定が行われる。したがって、被
覆導体１２はデバイスステージ５のグラウンド表面を基
準面として被測定デバイス６の信号電極１７に接触する
ので、信号電極１７への接触圧力はある一定値に再現で
きる。
ラウンド面であり、図示されるようにべたグラウンドの
裏面を有する被測定デバイス６をデバイスステージ表面
に配置した場合、信号ライン１４を被測定デバイス６の
信号電極１７に接触させセミリジッドケーブル２の被覆
導体１２をデバイスステージ５のグラウンド表面に突き
当たるまで押し付けて測定が行われる。したがって、被
覆導体１２はデバイスステージ５のグラウンド表面を基
準面として被測定デバイス６の信号電極１７に接触する
ので、信号電極１７への接触圧力はある一定値に再現で
きる。
【００２３】このように、デバイスステージ５のグラウ
ンド表面を接触基準面として弾性のない被覆導体１２の
先端部を押し当てるので、信号電極１７に対する接触圧
は基板３のたわみ量で定まる。また、基板３を固定する
基板取付板４に弾性をもたせることにより所望する接触
圧を得ることができる。
ンド表面を接触基準面として弾性のない被覆導体１２の
先端部を押し当てるので、信号電極１７に対する接触圧
は基板３のたわみ量で定まる。また、基板３を固定する
基板取付板４に弾性をもたせることにより所望する接触
圧を得ることができる。
【００２４】また、上述したような高周波プローブ１０
の先端構造では、信号伝送路となる基板３上の信号ライ
ン１４がべたグラウンド１６およびデバイスステージ５
の表面のグラウンド面により挟まれることとなる。
の先端構造では、信号伝送路となる基板３上の信号ライ
ン１４がべたグラウンド１６およびデバイスステージ５
の表面のグラウンド面により挟まれることとなる。
【００２５】上記説明では、基板の信号ラインが直線状
をなし直接ハンダにより中心導体と接続するとしたが、
その形状ならびに接続位置および接続形態は自由であり
上記説明に限定されるものではない。また、基板の信号
ラインの面を平面として図示し説明したが同様に形状が
限定されるものではない。更に、基板取付板の形状およ
び取付位置についても同様である。
をなし直接ハンダにより中心導体と接続するとしたが、
その形状ならびに接続位置および接続形態は自由であり
上記説明に限定されるものではない。また、基板の信号
ラインの面を平面として図示し説明したが同様に形状が
限定されるものではない。更に、基板取付板の形状およ
び取付位置についても同様である。
【００２６】
【実施例】次に、図２に図１を併せ参照して図１とは別
の実施例について説明する。
の実施例について説明する。
【００２７】図２（Ａ）は本発明における上記実施の形
態とは別の第１の実施例を示す側面図、また、図２
（Ｂ）は高周波プローブ２０の先端構造を被測定デバイ
ス側から見た正面図である。
態とは別の第１の実施例を示す側面図、また、図２
（Ｂ）は高周波プローブ２０の先端構造を被測定デバイ
ス側から見た正面図である。
【００２８】高周波プローブ２０の先端構造が図１と相
違する点は、基板３において、被測定デバイスの信号電
極に接触する側にある信号ライン１４の先端に金属によ
るバンプ接点２１を備えたことである。このような構造
により、被測定デバイスの信号電極との接触部分が凸形
状になるので接触点の位置再現性の向上を図ることがで
き、したがって、測定再現性の向上をも図ることができ
る。他の構成要素については、図１に示され説明された
ものと同一の構造および機能でよい。
違する点は、基板３において、被測定デバイスの信号電
極に接触する側にある信号ライン１４の先端に金属によ
るバンプ接点２１を備えたことである。このような構造
により、被測定デバイスの信号電極との接触部分が凸形
状になるので接触点の位置再現性の向上を図ることがで
き、したがって、測定再現性の向上をも図ることができ
る。他の構成要素については、図１に示され説明された
ものと同一の構造および機能でよい。
【００２９】次に、図３に図１を併せ参照して図１およ
び図２とは別の実施例について説明する。
び図２とは別の実施例について説明する。
【００３０】図３（Ａ）は本発明における上記実施の形
態とは別の第２の実施例を示す側面図、また、図３
（Ｂ）は高周波プローブ３０の先端構造を被測定デバイ
ス側から見た正面図である。
態とは別の第２の実施例を示す側面図、また、図３
（Ｂ）は高周波プローブ３０の先端構造を被測定デバイ
ス側から見た正面図である。
【００３１】高周波プローブ３０の先端構造が図１と相
違する点は、基板３が固定されるセミリジッドケーブル
２の垂直切断面の外周を囲うように被覆導体１２に密着
する金属製リング３１を取り付けることである。このよ
うな構造により、グラウンド表面に接触する部分の寿命
が伸びる。また、金属製リング３１のデバイスステージ
グラウンド面に接触する部分に割れ目３２を設けること
により、グラウンドに接触する部分の安定性が確保でき
る。更に、割れ目３２のグラウンド面に接触する部分を
凸形状の構造にすることにより、接触安定性およびプロ
ービングの際における位置再現性をより高くして向上を
図ることができ、この結果、優れた測定の再現性を得る
ことができる。他の構成要素については、図１に示され
説明されたものと同一の構造および機能でよい。
違する点は、基板３が固定されるセミリジッドケーブル
２の垂直切断面の外周を囲うように被覆導体１２に密着
する金属製リング３１を取り付けることである。このよ
うな構造により、グラウンド表面に接触する部分の寿命
が伸びる。また、金属製リング３１のデバイスステージ
グラウンド面に接触する部分に割れ目３２を設けること
により、グラウンドに接触する部分の安定性が確保でき
る。更に、割れ目３２のグラウンド面に接触する部分を
凸形状の構造にすることにより、接触安定性およびプロ
ービングの際における位置再現性をより高くして向上を
図ることができ、この結果、優れた測定の再現性を得る
ことができる。他の構成要素については、図１に示され
説明されたものと同一の構造および機能でよい。
【００３２】上記実施例では、図１に対してそれぞれ構
成要素を追加したが、図２に示されるバンプ接点２１と
図３に示される金属製リング３１とを同時に備えること
ができる。
成要素を追加したが、図２に示されるバンプ接点２１と
図３に示される金属製リング３１とを同時に備えること
ができる。
【００３３】上記説明で図示したが、構成要素の形状お
よび組み立て位置は、上記機能を満たす限り自由であ
り、上記説明が本発明を限定するものではない。
よび組み立て位置は、上記機能を満たす限り自由であ
り、上記説明が本発明を限定するものではない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。
のような効果を得ることができる。
【００３５】第一の効果は、被測定デバイスにおいて信
号電極と同一平面上にグラウンド電極がない場合でも高
周波測定が可能なことである。
号電極と同一平面上にグラウンド電極がない場合でも高
周波測定が可能なことである。
【００３６】その理由は、プローブの先端構造が、電極
を接触させる押圧方向を縦方向として、被測定側の信号
電極およびグラウンド電極と接触する基板の信号ライン
先端部およびセミリジッドケーブルの被覆導体先端部を
上記縦方向に容易に位置させることができるからであ
る。したがって、被測定デバイスが置かれるデバイスス
テージ表面のグラウンド面を基準面として測定を正確に
行なうことができる。この結果、デバイスは信号電極と
グラウンド電極とを同一平面に配列して設ける必要がな
いので、デバイスの面積を縮小できるという効果も得る
ことができる。
を接触させる押圧方向を縦方向として、被測定側の信号
電極およびグラウンド電極と接触する基板の信号ライン
先端部およびセミリジッドケーブルの被覆導体先端部を
上記縦方向に容易に位置させることができるからであ
る。したがって、被測定デバイスが置かれるデバイスス
テージ表面のグラウンド面を基準面として測定を正確に
行なうことができる。この結果、デバイスは信号電極と
グラウンド電極とを同一平面に配列して設ける必要がな
いので、デバイスの面積を縮小できるという効果も得る
ことができる。
【００３７】第二の効果は、被測定デバイスの信号電極
に対して接触する加圧量を一定にして優れた測定再現性
が得られることである。
に対して接触する加圧量を一定にして優れた測定再現性
が得られることである。
【００３８】その理由は、セミリジッドケーブルの弾性
のない被覆導体先端部を接触基準面に当てて支点とし被
測定デバイスの電極に基板の信号ライン先端部を押し当
てるため、所望する接触圧を得ることができるからであ
る。
のない被覆導体先端部を接触基準面に当てて支点とし被
測定デバイスの電極に基板の信号ライン先端部を押し当
てるため、所望する接触圧を得ることができるからであ
る。
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施の一形態を示す説明
用側面図、また、図１（Ｂ）は図１（Ａ）における高周
波プローブの先端構造を被測定デバイス側から見た正面
図である。
用側面図、また、図１（Ｂ）は図１（Ａ）における高周
波プローブの先端構造を被測定デバイス側から見た正面
図である。
【図２】図２（Ａ）は図１に示される一形態とは別の第
１の実施例を示す側面図、また図２（Ｂ）は図２（Ａ）
における高周波プローブの先端構造を被測定デバイス側
から見た正面図である。
１の実施例を示す側面図、また図２（Ｂ）は図２（Ａ）
における高周波プローブの先端構造を被測定デバイス側
から見た正面図である。
【図３】図３（Ａ）は図１に示される一形態とは別の第
２の実施例を示す側面図、また図３（Ｂ）は図３（Ａ）
における高周波プローブの先端構造を被測定デバイス側
から見た正面図である。
２の実施例を示す側面図、また図３（Ｂ）は図３（Ａ）
における高周波プローブの先端構造を被測定デバイス側
から見た正面図である。
【図４】従来の一例を示す図４（Ａ）は斜視図、図４
（Ｂ）は断面図、図４（Ｃ）は電極接触部分の平面図、
および図４（Ｄ）は電極接触部分の斜視図である。
（Ｂ）は断面図、図４（Ｃ）は電極接触部分の平面図、
および図４（Ｄ）は電極接触部分の斜視図である。
２ セミリジッドケーブル ３ 基板 ４ 基板取付板 １０、２０，３０ 高周波プローブ １１ 中心導体 １２ 被覆導体 １３ 誘電体 １４ 信号ライン １５ ハンダ １６ べたグラウンド ２１ バンプ接点 ３１ 金属製リング ３２ 割れ目
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 種橋 正夫 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 田浦 徹 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 山岸 祐一 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アン リツ株式会社内 (72)発明者 早川 聡 東京都港区南麻布五丁目10番27号 アン リツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−152141（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−21309（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 1/06 - 1/073 G01R 31/26 G01R 31/28 H01L 21/66
Claims (7)
- 【請求項１】 デバイスステージ上に配置された被測定
デバイスの電極に接触して測定する高周波プローブの先
端構造において、間に誘電体を挿入され同心状に配置さ
れる中心の中心導体および外周の被覆導体を有すると共
に中心軸方向に対して垂直な切断面を一方の端面として
有するセミリジッドケーブルと、前記切断面にほぼ垂直
方向をなす二面を有し一方を平面として全面に導体であ
るべたグラウンドを有し他方の面に前記切断面で露出す
る中心導体と凸部を形成する先端部まで電気的導通をも
って接続する信号ラインを有すると共に根元部を前記セ
ミリジッドケーブルの前記切断面に固着する基板と、Ｌ
字形状をなす少なくとも二つの平面を有する導体であり
前記平面の一方を前記べたグラウンドに貼着して電気的
導通をとりかつ前記基板を保持すると共に前記平面の他
方の面を前記セミリジッドケーブルの前記切断面に固着
して前記被覆導体と電気的導通をもって接続する基板取
付板とを備えることを特徴とする高周波プローブの先端
構造。 - 【請求項２】 請求項１において、前記基板が有する信
号ラインは、前記中心導体の中心軸と同一方向を有する
直線状をなし、前記中心導体と前記切断面においてハン
ダにより接着することを特徴とする高周波プローブの先
端構造。 - 【請求項３】 請求項１において、前記信号ラインは先
端部露出面にバンプ接点を有することを特徴とする高周
波プローブの先端構造。 - 【請求項４】 請求項１において、前記基板取付板は、
弾性を有し、前記基板が先端部で応力を受けてたわむ際
に前記べたグラウンドに貼着する部分で前記信号ライン
側に押圧する力を有することを特徴とする高周波プロー
ブの先端構造。 - 【請求項５】 請求項１において、前記セミリジッドケ
ーブルにある切断面を覆う位置で前記被覆導体と電気的
導通を持って固着する金属リングを有することを特徴と
する高周波プローブの先端構造。 - 【請求項６】 請求項５において、前記金属リングは、
前記信号ラインが露出する面の側で割れ目を有すること
を特徴とする高周波プローブの先端構造。 - 【請求項７】 請求項１において、前記基板の信号ライ
ンと前記切断面で当該信号ラインが露出する側の前記被
覆導体とのそれぞれは、同一平面上に配置さ れない被測
定デバイスの信号電極と当該被測定デバイスを配置する
グラウンド電極とのそれぞれに接触する位置にあること
を特徴とする高周波プローブの先端構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16799198A JP3190885B2 (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 高周波プローブの先端構造 |
| US09/328,362 US6281691B1 (en) | 1998-06-09 | 1999-06-09 | Tip portion structure of high-frequency probe and method for fabrication probe tip portion composed by coaxial cable |
| US09/886,033 US6400168B2 (en) | 1998-06-09 | 2001-06-22 | Method for fabricating probe tip portion composed by coaxial cable |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16799198A JP3190885B2 (ja) | 1998-06-16 | 1998-06-16 | 高周波プローブの先端構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000002716A JP2000002716A (ja) | 2000-01-07 |
| JP3190885B2 true JP3190885B2 (ja) | 2001-07-23 |
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ID=15859783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16799198A Expired - Fee Related JP3190885B2 (ja) | 1998-06-09 | 1998-06-16 | 高周波プローブの先端構造 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3190885B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420494B1 (en) | 1998-03-20 | 2002-07-16 | Ndsu Research Foundation | Curable coating composition with siloxane reactive diluents |
-
1998
- 1998-06-16 JP JP16799198A patent/JP3190885B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420494B1 (en) | 1998-03-20 | 2002-07-16 | Ndsu Research Foundation | Curable coating composition with siloxane reactive diluents |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000002716A (ja) | 2000-01-07 |
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