JP3080050B2 - 高周波測定治具 - Google Patents
高周波測定治具Info
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- JP3080050B2 JP3080050B2 JP09318109A JP31810997A JP3080050B2 JP 3080050 B2 JP3080050 B2 JP 3080050B2 JP 09318109 A JP09318109 A JP 09318109A JP 31810997 A JP31810997 A JP 31810997A JP 3080050 B2 JP3080050 B2 JP 3080050B2
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- semiconductor device
- substrate
- measurement
- measurement substrate
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードレスパッケ
ージの測定治具に関し、特に高周波での測定治具に関す
る。
ージの測定治具に関し、特に高周波での測定治具に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】パッケージの底面に電極をもつリードな
しパッケージ型半導体装置に対して高周波測定を行なう
従来例の高周波測定治具を図９に示す。
しパッケージ型半導体装置に対して高周波測定を行なう
従来例の高周波測定治具を図９に示す。
【０００３】図９に示すように従来の高周波測定治具
は、筐体２３に測定用基板５が搭載され、測定用基板５
には、測定対象のパッケージ半導体装置（以下、パッケ
ージという）１の外部接続用電極２、３と接触するため
の測定用基板の電極９及び１０が設けられていた。ま
た、隣り合う測定用基板電極９、１０の間隔は、測定用
基板電極９、１０の特性インピータンスを考慮して決定
される。
は、筐体２３に測定用基板５が搭載され、測定用基板５
には、測定対象のパッケージ半導体装置（以下、パッケ
ージという）１の外部接続用電極２、３と接触するため
の測定用基板の電極９及び１０が設けられていた。ま
た、隣り合う測定用基板電極９、１０の間隔は、測定用
基板電極９、１０の特性インピータンスを考慮して決定
される。
【０００４】従来の高周波測定治具では、半導体装置１
の電極２、３と測定用基板電極９、１０とを接触させ、
かつ半導体装置１を下方に圧下した状態で測定が行なわ
れていた。
の電極２、３と測定用基板電極９、１０とを接触させ、
かつ半導体装置１を下方に圧下した状態で測定が行なわ
れていた。
【０００５】また特開平７−３２１１７０号公報に開示
された測定治具は図１０に示すように、誘電体フィルム
３１の上下を導体３２及び３３でサンドイッチし、一方
の導体３３の先端に突出部３４が設けられ、他方の導体
３２が接地されるプローブを有している。プローブ３５
は、半導体装置１の電極２、３の間隔に対応して複数個
配置されている。
された測定治具は図１０に示すように、誘電体フィルム
３１の上下を導体３２及び３３でサンドイッチし、一方
の導体３３の先端に突出部３４が設けられ、他方の導体
３２が接地されるプローブを有している。プローブ３５
は、半導体装置１の電極２、３の間隔に対応して複数個
配置されている。
【０００６】図１０に示す測定治具では、プローブ３５
を押し下げて半導体装置１の電極２、３へ接地される。
このとき、プローブ３５はバネ性を有しているため、個
々のプローブは最適な圧力で接触が可能である。
を押し下げて半導体装置１の電極２、３へ接地される。
このとき、プローブ３５はバネ性を有しているため、個
々のプローブは最適な圧力で接触が可能である。
【０００７】また特開平４−２０６７５２号公報に開示
された測定治具では、半導体装置１の電極２と接触する
ようにパターニングされた電極９を有する測定基板５
と、厚み方向に多数の金属性微細線４１を有する異方導
伝性ゴム板４２とを組み合わせた構造になっている。
された測定治具では、半導体装置１の電極２と接触する
ようにパターニングされた電極９を有する測定基板５
と、厚み方向に多数の金属性微細線４１を有する異方導
伝性ゴム板４２とを組み合わせた構造になっている。
【０００８】図１１に示す測定治具では、半導体装置１
の電極２が測定基板電極９の上方にくるように配置さ
れ、その上方から圧力を加えると、半導体装置１と異方
導伝性ゴム板４２が接触する。異方性ゴム板４２は、伸
縮可能なため、半導体装置１の電極形状に合わせた形で
変形し、良好な接触状態が得られる。
の電極２が測定基板電極９の上方にくるように配置さ
れ、その上方から圧力を加えると、半導体装置１と異方
導伝性ゴム板４２が接触する。異方性ゴム板４２は、伸
縮可能なため、半導体装置１の電極形状に合わせた形で
変形し、良好な接触状態が得られる。
【０００９】このとき、半導体装置１の電極２と測定基
板電極９は異方導伝性ゴム４２内の金属性微細線４１を
介して接続され、測定可能となる。
板電極９は異方導伝性ゴム４２内の金属性微細線４１を
介して接続され、測定可能となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示す従来の技術においては、半導体装置の高周波測定
時、半導体装置と測定基板でコンタクト不良を生じると
いう問題があった。
示す従来の技術においては、半導体装置の高周波測定
時、半導体装置と測定基板でコンタクト不良を生じると
いう問題があった。
【００１１】その理由は、半導体装置電極の厚さのバラ
ツキ、又は半導体装置自体のそりによる半導体装置電極
の下点のバラツキが生じるためである。
ツキ、又は半導体装置自体のそりによる半導体装置電極
の下点のバラツキが生じるためである。
【００１２】また図１０及び図１１に示す従来例では、
コンタクト不良を低減させることができるが、特性イン
ピータンスが変化してしまうという問題がある。
コンタクト不良を低減させることができるが、特性イン
ピータンスが変化してしまうという問題がある。
【００１３】その理由は、図１０に示す従来例２では、
プローブに接地面を持ち、特性インピータンスを確保し
ているが、実際には他のプローブの動作及び距離の変化
により、特性インピータンスは変化するためである。
プローブに接地面を持ち、特性インピータンスを確保し
ているが、実際には他のプローブの動作及び距離の変化
により、特性インピータンスは変化するためである。
【００１４】また図１１に示す従来例３では、半導体装
置電極と測定基板電極の間の異方導伝性ゴムの厚みが変
化するため、特性インピータンスが変化するためであ
る。
置電極と測定基板電極の間の異方導伝性ゴムの厚みが変
化するため、特性インピータンスが変化するためであ
る。
【００１５】本発明の目的は、測定治具の特性インピー
タンスを変化させることなく、半導体装置とのコンタク
ト性を向上させる測定治具を提供することにある。
タンスを変化させることなく、半導体装置とのコンタク
ト性を向上させる測定治具を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る高周波測定治具は、測定基板にスリッ
トを設けて舌片を形成し、前記舌片に半導体装置の電極
に接触する測定電極を有し、かつ前記舌片が半導体装置
の電極の圧下により撓む構造である高周波測定治具にお
いて、前記スリットには前記測定基板と同等の比誘電率
をもつ軟性物質が充填されているものである。
め、本発明に係る高周波測定治具は、測定基板にスリッ
トを設けて舌片を形成し、前記舌片に半導体装置の電極
に接触する測定電極を有し、かつ前記舌片が半導体装置
の電極の圧下により撓む構造である高周波測定治具にお
いて、前記スリットには前記測定基板と同等の比誘電率
をもつ軟性物質が充填されているものである。
【００１７】また前記測定基板の裏面に接地電極が設け
られ、前記接地電極にスリットが設けられているもので
ある。
られ、前記接地電極にスリットが設けられているもので
ある。
【００１８】また前記接地電極のスリットに入り込む舌
片を有するものである。
片を有するものである。
【００１９】また前記半導体装置の電極の圧下時に、前
記接地電極のスリットを電気的に接続する舌片を有する
ものである。
記接地電極のスリットを電気的に接続する舌片を有する
ものである。
【００２０】
【００２１】本発明によれば、測定基板内の軟性物質に
より測定基板電極毎に可動することにより、コンタクト
性の向上が計られる。
より測定基板電極毎に可動することにより、コンタクト
性の向上が計られる。
【００２２】又、軟性物質下に接地用板を配置すること
により、測定基板可動後も特性インピータンスが計られ
る。
により、測定基板可動後も特性インピータンスが計られ
る。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
【００２４】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図、図３
は図１のＢ−Ｂ’線断面図である。
１を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線断面図、図３
は図１のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００２５】図に示すように、本発明の実施形態１に係
る測定治具に用いる測定基板５には、中央部に中心孔１
３を有している。中心孔１３は、被測定物である半導体
装置１より一まわり小さい寸法を有している。
る測定治具に用いる測定基板５には、中央部に中心孔１
３を有している。中心孔１３は、被測定物である半導体
装置１より一まわり小さい寸法を有している。
【００２６】また測定基板５は、裏面全体に接地電極１
２を有しており、その表面側には、基板５の外縁から中
心孔１３の開口縁付近に至る直線状の測定基板電極９、
１０、１１を半導体装置１の電極２、３、４に対応して
設けている。
２を有しており、その表面側には、基板５の外縁から中
心孔１３の開口縁付近に至る直線状の測定基板電極９、
１０、１１を半導体装置１の電極２、３、４に対応して
設けている。
【００２７】さらに、隣接する測定基板電極９、１０、
１１間には、スリット１４、１５、１６を設け、スリッ
ト１４、１５、１６により測定基板５の中心孔開口縁側
を短冊状に切り出し、基板５の板厚方向に可撓する舌片
６、７、８を設ける。これにより、各測定基板電極９、
１０、１１は各舌片６、７、８上に位置し、各舌片６、
７、８の撓みに応じて基板５の板厚方向に変位するよう
になっている。
１１間には、スリット１４、１５、１６を設け、スリッ
ト１４、１５、１６により測定基板５の中心孔開口縁側
を短冊状に切り出し、基板５の板厚方向に可撓する舌片
６、７、８を設ける。これにより、各測定基板電極９、
１０、１１は各舌片６、７、８上に位置し、各舌片６、
７、８の撓みに応じて基板５の板厚方向に変位するよう
になっている。
【００２８】また各スリット１４、１５、１６内には、
測定基板５と同等の比誘電率をもつ軟性物質１７、１
８、１９を充填している。
測定基板５と同等の比誘電率をもつ軟性物質１７、１
８、１９を充填している。
【００２９】また測定基板５は、接地電極１２を下面に
向けて筐体２３上に設置され、接地電極１２と筐体２３
との間には、接地板２０を介装している。
向けて筐体２３上に設置され、接地電極１２と筐体２３
との間には、接地板２０を介装している。
【００３０】筐体２３の中央部には凹部２４を有してお
り、測定基板５の舌片６、７、８及び接地板２０の舌片
２１、２２が凹部２４内に張り出している。
り、測定基板５の舌片６、７、８及び接地板２０の舌片
２１、２２が凹部２４内に張り出している。
【００３１】次に本発明の実施の形態の動作について図
４を参照して説明する。
４を参照して説明する。
【００３２】図４（ａ）に示すように、半導体装置１の
電極２、３、４を測定基板５の舌片６、７、８上の測定
基板電極９、１０、１１に接触するように配置し、半導
体装置１の上方より圧力を加えると、まず半導体装置電
極３と測定基板電極１０が接触し、さらに圧力を加える
と、軟性物質１７、１８が変形し、測定基板電極１０を
支える舌片７が下方に撓む。
電極２、３、４を測定基板５の舌片６、７、８上の測定
基板電極９、１０、１１に接触するように配置し、半導
体装置１の上方より圧力を加えると、まず半導体装置電
極３と測定基板電極１０が接触し、さらに圧力を加える
と、軟性物質１７、１８が変形し、測定基板電極１０を
支える舌片７が下方に撓む。
【００３３】さらに図４（ｂ）に示すように、半導体装
置１に圧力を加えると、測定基板５の舌片６、７、８が
下方に撓み、接地板２０の舌片２１、２２が接地電極１
２のスリット１４、１５、１６内に嵌まり込む。
置１に圧力を加えると、測定基板５の舌片６、７、８が
下方に撓み、接地板２０の舌片２１、２２が接地電極１
２のスリット１４、１５、１６内に嵌まり込む。
【００３４】（実施例１）次に本発明の実施形態１の具
体例を実施例１として説明する。
体例を実施例１として説明する。
【００３５】図５は、本発明の実施例１を示す平面図、
図６は図５のＡ−Ａ’線断面図である。
図６は図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【００３６】測定基板５として厚さ０．４ｍｍのポリイ
ミド基板を用い、ポリイミド基板５の裏面全体に厚さ２
μｍの金にて形成された接地電極１２を設け、表面側に
測定基板電極９、１０、１１を設ける。
ミド基板を用い、ポリイミド基板５の裏面全体に厚さ２
μｍの金にて形成された接地電極１２を設け、表面側に
測定基板電極９、１０、１１を設ける。
【００３７】さらにポリイミド基板５の中央部に、被測
定物である半導体装置より３ｍｍ小さい中心孔１３を設
け、測定基板電極９、１０、１１間には、中心孔１４の
開口縁から幅１ｍｍのスリット１４、１５、１６を設
け、スリット１４、１５、１６にはポリイミド基板５と
同じ４、６の比誘電率をもつ共重合ポリエステル１７、
１８、１９を充填する。
定物である半導体装置より３ｍｍ小さい中心孔１３を設
け、測定基板電極９、１０、１１間には、中心孔１４の
開口縁から幅１ｍｍのスリット１４、１５、１６を設
け、スリット１４、１５、１６にはポリイミド基板５と
同じ４、６の比誘電率をもつ共重合ポリエステル１７、
１８、１９を充填する。
【００３８】またポリイミド基板５と筐体２３の間に
は、アルミニウムにて形成される厚さ１００μｍの接地
用板２０を介装する。
は、アルミニウムにて形成される厚さ１００μｍの接地
用板２０を介装する。
【００３９】また接地板２０には、スリット１４、１
５、１６より１ｍｍ大きい舌片２１、２２を設けてい
る。測定基板電極９、１０は厚さ２μｍ、幅０．７５ｍ
ｍで金を形成されるものとし、電極間の間隔は２ｍｍ以
上とする。
５、１６より１ｍｍ大きい舌片２１、２２を設けてい
る。測定基板電極９、１０は厚さ２μｍ、幅０．７５ｍ
ｍで金を形成されるものとし、電極間の間隔は２ｍｍ以
上とする。
【００４０】次に本発明の実施例１の動作について図７
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００４１】図７（ａ）に示すように、半導体装置１の
電極２、３、４を測定基板５の舌片６、７、８上の測定
基板電極９、１０、１１に接触するように配置し、半導
体装置１の上方より圧力を加えると、まず半導体装置電
極３と測定基板電極１０が接触し、さらに圧力を加える
と、共重合ポリエステル１７、１８が変形し、測定基板
舌片７が下方に撓む。
電極２、３、４を測定基板５の舌片６、７、８上の測定
基板電極９、１０、１１に接触するように配置し、半導
体装置１の上方より圧力を加えると、まず半導体装置電
極３と測定基板電極１０が接触し、さらに圧力を加える
と、共重合ポリエステル１７、１８が変形し、測定基板
舌片７が下方に撓む。
【００４２】さらに図７（ｂ）に示すように、圧力を加
えると、測定基板突出部６、７、８が下方に撓み、接地
板２０の舌片２１、２２が測定基板接地板１２と接触す
る。
えると、測定基板突出部６、７、８が下方に撓み、接地
板２０の舌片２１、２２が測定基板接地板１２と接触す
る。
【００４３】（実施形態２）図８は、本発明の実施形態
２を示す断面図である。図８に示す本発明の実施形態２
は、接地板２０の舌片２１、２２の断面形状を三角形に
形成したものである。これにより、軟性物質１７、１８
下の測定基板接地板１２のない部分２５の面積が減少
し、より特性インピータンスの安定が計れる。
２を示す断面図である。図８に示す本発明の実施形態２
は、接地板２０の舌片２１、２２の断面形状を三角形に
形成したものである。これにより、軟性物質１７、１８
下の測定基板接地板１２のない部分２５の面積が減少
し、より特性インピータンスの安定が計れる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体装置測定時に、半導体装置、高周波用測定治具間の
コンタクト性の向上を図ることができ、これにより、コ
ンタクト歩留を現状６０％から９９％以上に改善するこ
とが期待できる。
導体装置測定時に、半導体装置、高周波用測定治具間の
コンタクト性の向上を図ることができ、これにより、コ
ンタクト歩留を現状６０％から９９％以上に改善するこ
とが期待できる。
【００４５】その理由は、測定基板の舌片が可動するこ
とにより、半導体装置電極の下面のバラツキを吸収する
ためである。
とにより、半導体装置電極の下面のバラツキを吸収する
ためである。
【００４６】さらに、測定基板の舌片が可動しても、特
性インピータンスの変化をなくすることができる。
性インピータンスの変化をなくすることができる。
【００４７】その理由は、測定基板内のスリットに基板
と同等の比誘電率をもつ軟質物質を充填し、かつ軟質物
質の下方に接地用板を有しているためである。
と同等の比誘電率をもつ軟質物質を充填し、かつ軟質物
質の下方に接地用板を有しているためである。
【図１】本発明の実施形態１に係る高周波測定治具を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る高周波測定治具の動
作を示す断面図である。
作を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例１に係る高周波測定治具を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】本発明の実施例１に係る高周波測定治具の動作
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態２に係る高周波測定治具の動
作を示す断面図である。
作を示す断面図である。
【図９】従来例の高周波測定治具を示す斜視図である。
【図１０】従来例の測定治具を示す側面図である。
【図１１】従来例の測定治具を示す斜視図である。
１ 半導体装置 ２、３、４ 半導体装置電極 ５ 測定基板 ６、７、８ 測定基板突出部 ９、１０、１１ 測定基板電極 １２ 測定基板接地電極 １３測定基板中心孔 １４、１５、１６ スリット １７、１８、１９ 軟性物質 ２０ 接地用板 ２１、２２ 接地用板突出部 ２３ 筐体 ２４ 筐体凹部 ３１ 誘電体フィルム ３２ 接地導体 ３３ 導体 ３４ 導体先端部 ３５ プローブ ４１ 金属性微細線 ４２ 導伝性ゴム板
Claims (4)
- 【請求項１】 測定基板にスリットを設けて舌片を形成
し、前記舌片に半導体装置の電極に接触する測定電極を
有し、かつ前記舌片が半導体装置の電極の圧下により撓
む構造である高周波測定治具において、前記スリットには前記測定基板と同等の比誘電率をもつ
軟性物質が充填されている ことを特徴とする高周波治
具。 - 【請求項２】 前記測定基板の裏面に接地電極が設けら
れ、前記接地電極にスリットが設けられていることを特
徴とする請求項１に記載の高周波測定治具。 - 【請求項３】 前記接地電極のスリットに入り込む舌片
を有することを特徴とする請求項２に記載の高周波測定
治具。 - 【請求項４】 半導体装置の電極の圧下時に、前記接地
電極のスリットを電気的に接続する舌片を有することを
特徴とする請求項２に記載の高周波測定治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09318109A JP3080050B2 (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 高周波測定治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09318109A JP3080050B2 (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 高周波測定治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11153644A JPH11153644A (ja) | 1999-06-08 |
| JP3080050B2 true JP3080050B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=18095601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09318109A Expired - Fee Related JP3080050B2 (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 高周波測定治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3080050B2 (ja) |
-
1997
- 1997-11-19 JP JP09318109A patent/JP3080050B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11153644A (ja) | 1999-06-08 |
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