JPS6380590A - 光出力モニタ付半導体レ−ザ - Google Patents
光出力モニタ付半導体レ−ザInfo
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- JPS6380590A JPS6380590A JP22370586A JP22370586A JPS6380590A JP S6380590 A JPS6380590 A JP S6380590A JP 22370586 A JP22370586 A JP 22370586A JP 22370586 A JP22370586 A JP 22370586A JP S6380590 A JPS6380590 A JP S6380590A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高安定で経済的な光フアイバ伝送用の光出力
モニタ付半導体レーザに関するものである。
モニタ付半導体レーザに関するものである。
同一ウェハ上にレーザとレーザ光出力のモニタ用受光器
とをモノリシックに形成した例として。
とをモノリシックに形成した例として。
第５図に示すような半導体レーザが知られている（エレ
クトロン・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｌｅｔｔ、）
ＶＯｌ、 １６． ｐ、 ３４２ （１９８０）に記載
された伊賀他、“ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ ｌａｓｅ
ｒｗｉｔｈｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ−ａｌｌｙ ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｅｄ ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ ｄｅｔｅｃｔｏ
ｒ”）。上記モニタ付半導体レーザを製作する場合には
、レーザのストライプ状注入領域と直角に、ウェハ上面
（通常は（１００）面）よりほぼ垂直に化学的か物理的
にエツチングして、素子分離と同時にレーザ共振器端面
の形成をしていた。したがって、レーザ部分１と受光器
部分２との素子構造は同一であり、受光器部分２の受光
層１１はレーザ部分１の発光層（活性層）５に対応して
いる。しかし、上記発光層５は０．１〜０．２ａｍと薄
く、発光幅も数−であり、通常のレーザでは放出光が光
の回折現象により上下左右に数十度の角度で拡がってい
る。それにもかかわらず、放出光を受光する受光層は０
．１〜０．２−の厚さであり、第６図に示す埋め込み型
レーザでは幅も数ρしかなく、受光面積が非常に小さい
ため、レーザ光のモニタ受光器として十分な機能を得る
ことが困難であった。
クトロン・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｌｅｔｔ、）
ＶＯｌ、 １６． ｐ、 ３４２ （１９８０）に記載
された伊賀他、“ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ ｌａｓｅ
ｒｗｉｔｈｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ−ａｌｌｙ ｉｎｔｅ
ｇｒａｔｅｄ ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ ｄｅｔｅｃｔｏ
ｒ”）。上記モニタ付半導体レーザを製作する場合には
、レーザのストライプ状注入領域と直角に、ウェハ上面
（通常は（１００）面）よりほぼ垂直に化学的か物理的
にエツチングして、素子分離と同時にレーザ共振器端面
の形成をしていた。したがって、レーザ部分１と受光器
部分２との素子構造は同一であり、受光器部分２の受光
層１１はレーザ部分１の発光層（活性層）５に対応して
いる。しかし、上記発光層５は０．１〜０．２ａｍと薄
く、発光幅も数−であり、通常のレーザでは放出光が光
の回折現象により上下左右に数十度の角度で拡がってい
る。それにもかかわらず、放出光を受光する受光層は０
．１〜０．２−の厚さであり、第６図に示す埋め込み型
レーザでは幅も数ρしかなく、受光面積が非常に小さい
ため、レーザ光のモニタ受光器として十分な機能を得る
ことが困難であった。
一方、レーザ動作に端面を必要としない分布帰還型（Ｄ
ＦＢ）レーザでは、該レーザの発光層をモニタ部分にま
で延長し、あるいはレーザ端面をストライプに対して斜
めにして、レーザ放出光のモニタ用受光器の結合効率を
あげる方法がとられている（村田他ｒＤＦＰレーザ／Ｐ
Ｄモノリシック集積素子」昭和６０年度電子通信学会総
合全国大会予稿集、９３１、Ｐ、４−５５：特開昭５９
−１２５６５９号「モニタ集積型半導体発光素子」）。
ＦＢ）レーザでは、該レーザの発光層をモニタ部分にま
で延長し、あるいはレーザ端面をストライプに対して斜
めにして、レーザ放出光のモニタ用受光器の結合効率を
あげる方法がとられている（村田他ｒＤＦＰレーザ／Ｐ
Ｄモノリシック集積素子」昭和６０年度電子通信学会総
合全国大会予稿集、９３１、Ｐ、４−５５：特開昭５９
−１２５６５９号「モニタ集積型半導体発光素子」）。
また、第６図（ａ）および（ｂ）に示したような埋め込
み構造型レーザが用いられている。これらの埋め込み構
造型レーザは、第６図（ａ）に示すレーザのように、ｎ
型ＩｎＰ基板７上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層６、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層５、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層１５を順次結晶成長させたのち、メサ
状にエツチングし、さらにｐ型ＩｎＰ層１２、ｎ型Ｉｎ
Ｐ層１３、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１４の各層を結晶成長
させて製作するか、あるいは第６図（ｂ）に示すように
、ＩｎＰ基板７上にｐ型ＩｎＰＪ１１２を成長させてか
ら溝を形成し、その上にｎ型ＩｎＰクラッド層６、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層５、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐキャップ層１５の各層を結晶成長
させて製作する。これらの埋め込み層、すなわち（ａ）
における１２．１３．１４の各層および（ｂ）における
１２．１３．１６の各層のいずれかを、受光層として用
いる方法があり、高感度な受光器として発明者により提
案されている。
み構造型レーザが用いられている。これらの埋め込み構
造型レーザは、第６図（ａ）に示すレーザのように、ｎ
型ＩｎＰ基板７上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層６、ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層５、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層１５を順次結晶成長させたのち、メサ
状にエツチングし、さらにｐ型ＩｎＰ層１２、ｎ型Ｉｎ
Ｐ層１３、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１４の各層を結晶成長
させて製作するか、あるいは第６図（ｂ）に示すように
、ＩｎＰ基板７上にｐ型ＩｎＰＪ１１２を成長させてか
ら溝を形成し、その上にｎ型ＩｎＰクラッド層６、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層５、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、Ｉ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐキャップ層１５の各層を結晶成長
させて製作する。これらの埋め込み層、すなわち（ａ）
における１２．１３．１４の各層および（ｂ）における
１２．１３．１６の各層のいずれかを、受光層として用
いる方法があり、高感度な受光器として発明者により提
案されている。
しかしながら、上記従来技術における前者。
ＤＦＢ型レーザによる方法は、素子分離のためのエツチ
ング工程や素子の製造プロセスが複雑になる上に、ＤＦ
Ｂ型のレーザにしか適用できないという欠点があり、後
者の埋め込み構造型のレーザによる方法は、埋め込み型
レーザだけにしか適用できないという欠点があった。
ング工程や素子の製造プロセスが複雑になる上に、ＤＦ
Ｂ型のレーザにしか適用できないという欠点があり、後
者の埋め込み構造型のレーザによる方法は、埋め込み型
レーザだけにしか適用できないという欠点があった。
本発明の目的は、上記モニタ用受光器の受光面積が小さ
く、検出感度が低いという問題点を解決し、各種の構造
を有し、安価で高歩留りな光出力モニタ付半導体レーザ
を得ることにある。
く、検出感度が低いという問題点を解決し、各種の構造
を有し、安価で高歩留りな光出力モニタ付半導体レーザ
を得ることにある。
上記目的は、活性層の上または下に位置する活性層に隣
接しない層のうち、少なくとも一層のバンドギャップエ
ネルギを、上記活性層のバンドギャップエネルギと、同
じかまたは小さくした層を受光層とし、該受光層の上ま
たは下に設けた受光層の導電性と異なる導電性を有する
層と、上記受光層とでｐｎ接合を形成して受光器にする
ことにより達成される。
接しない層のうち、少なくとも一層のバンドギャップエ
ネルギを、上記活性層のバンドギャップエネルギと、同
じかまたは小さくした層を受光層とし、該受光層の上ま
たは下に設けた受光層の導電性と異なる導電性を有する
層と、上記受光層とでｐｎ接合を形成して受光器にする
ことにより達成される。
半導体受光層に光が入射して吸収されるには、上記受光
層のバンドギャップエネルギが光のもつエネルギより小
さいことが必要であるが、半導体レーザから放射される
光は、上記半導体レーザの発光層のバンドギャップエネ
ルギに対応したエネルギを有しているため、光出力モニ
タ付半導体レーザの受光層のバンドギャップエネルギを
、活性層のバンドギャップエネルギと同じか、それより
も小さくすることによって、レーザから受光層に入射し
たレーザ光は完全に吸収されるまで、レーザ電極と受光
器電極との間で反射し、あるいは受光層と該受光層に隣
接する層との間の屈折率の差によって、受光層内に効率
よく閉じ込められ電子−正孔対を発生する。
層のバンドギャップエネルギが光のもつエネルギより小
さいことが必要であるが、半導体レーザから放射される
光は、上記半導体レーザの発光層のバンドギャップエネ
ルギに対応したエネルギを有しているため、光出力モニ
タ付半導体レーザの受光層のバンドギャップエネルギを
、活性層のバンドギャップエネルギと同じか、それより
も小さくすることによって、レーザから受光層に入射し
たレーザ光は完全に吸収されるまで、レーザ電極と受光
器電極との間で反射し、あるいは受光層と該受光層に隣
接する層との間の屈折率の差によって、受光層内に効率
よく閉じ込められ電子−正孔対を発生する。
一方、上記のように光誘起された電子および正孔のＩｎ
ＧａＡｓＰ、Ｑ中における拡散長は、それぞれ２迦およ
び１虜以下であるが、上記受光層は該受光層の上または
下の導電性が受光層と異なる層とｐｎ接合を形成してい
るため、上記のように光誘起された電子および正孔のう
ち、受光層のｐｎ接合より上記拡散長内で発生した電子
はｐｎ接合に到達し、光誘起電流になるため、モニタ用
受光器の受光量を増大することができる。
ＧａＡｓＰ、Ｑ中における拡散長は、それぞれ２迦およ
び１虜以下であるが、上記受光層は該受光層の上または
下の導電性が受光層と異なる層とｐｎ接合を形成してい
るため、上記のように光誘起された電子および正孔のう
ち、受光層のｐｎ接合より上記拡散長内で発生した電子
はｐｎ接合に到達し、光誘起電流になるため、モニタ用
受光器の受光量を増大することができる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による光出力モニタ付半導体レーザの第
１実施例を示す斜視図および断面図で、（ａ−ｉ）はｐ
ｎ接合が受光層の上にある場合を示す図、（ａ−ｉｉ）
は受光層がｐｎ接合の上にある場合を示す図、（ｂ）は
活性層の下に受光層がある場合を示す受光器部分の断面
図、第２図は上記第１図（ｂ）に示す半導体レーザに反
射鏡を設けた第２実施例の上面図、第３図は上記第１図
（ａ−ｉ）の半導体レーザにプリズムを設けた第３実施
例を示す上面図、第４図は上記第１図（ａ−ｉ）の半導
体レーザに反射鏡とプリズムを設けた第４実施例を示す
上面図である。第１図（ａ −１）に示す実施例は、活
性層の上に受光層を設け、ｐｎ接合が上記受光層の上に
ある場合を、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ ／ Ｉ ｎ
Ｐプレーナ型レーザについて示した斜視図である。図
における１および２はそれぞれレーザおよび受光器を示
している。Ω型ＩｎＰ基板２１上にｎ型ＩｎＰクラッド
層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ型ＩｎＰクラッ
ド層２４、Ｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐキャップ層
２５、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ店２６を液相成長法を用いて
順次連続的に結晶成長させ、上記ｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ Ｐ層２６の一部を選択的にエツチングしたのち
、例えば、リアクティブエツチング等により、上記ｎ型
ＩｎＰクラッド層２２に達する分離溝２７を形成し、＋
レーザ電極２８、＋受光器電極２８′、−受光器電極２
９、−レーザ電極３０をそれぞれ蒸着により形成してい
る。受光器２側においては、ＩｎＧａＡｓＰ層２３′に
隣接せず、かつバンドギャップエネルギが上記ＩｎＧａ
ＡｓＰ層２３′と同等以下であるＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層
２５′を受光層とし、該受光層上の異なる導電性を有す
るｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２６′との間にｐｎ接合３１を
形成している。図における＋÷÷はｐｎ接合であること
を示したものである。
１実施例を示す斜視図および断面図で、（ａ−ｉ）はｐ
ｎ接合が受光層の上にある場合を示す図、（ａ−ｉｉ）
は受光層がｐｎ接合の上にある場合を示す図、（ｂ）は
活性層の下に受光層がある場合を示す受光器部分の断面
図、第２図は上記第１図（ｂ）に示す半導体レーザに反
射鏡を設けた第２実施例の上面図、第３図は上記第１図
（ａ−ｉ）の半導体レーザにプリズムを設けた第３実施
例を示す上面図、第４図は上記第１図（ａ−ｉ）の半導
体レーザに反射鏡とプリズムを設けた第４実施例を示す
上面図である。第１図（ａ −１）に示す実施例は、活
性層の上に受光層を設け、ｐｎ接合が上記受光層の上に
ある場合を、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ ／ Ｉ ｎ
Ｐプレーナ型レーザについて示した斜視図である。図
における１および２はそれぞれレーザおよび受光器を示
している。Ω型ＩｎＰ基板２１上にｎ型ＩｎＰクラッド
層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｐ型ＩｎＰクラッ
ド層２４、Ｐ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐキャップ層
２５、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ店２６を液相成長法を用いて
順次連続的に結晶成長させ、上記ｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａ
Ａ ｓ Ｐ層２６の一部を選択的にエツチングしたのち
、例えば、リアクティブエツチング等により、上記ｎ型
ＩｎＰクラッド層２２に達する分離溝２７を形成し、＋
レーザ電極２８、＋受光器電極２８′、−受光器電極２
９、−レーザ電極３０をそれぞれ蒸着により形成してい
る。受光器２側においては、ＩｎＧａＡｓＰ層２３′に
隣接せず、かつバンドギャップエネルギが上記ＩｎＧａ
ＡｓＰ層２３′と同等以下であるＰ型ＩｎＧａＡｓＰ層
２５′を受光層とし、該受光層上の異なる導電性を有す
るｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２６′との間にｐｎ接合３１を
形成している。図における＋÷÷はｐｎ接合であること
を示したものである。
ここで、レーザ１のＰ（＋）側電極２８とｎ（−）側電
極３０との間に電圧を印加し、活性層２３に電流を注入
すると、上下左右に２０°〜４０°程度の角度でレーザ
光がレーザ端面の発光部３２から放射される。上記レー
ザ光はもう一方の受光器２側の面からも放射されるため
、本実施例の素子配置ではレーザ光が受光器２のｐｎ接
合部３１に入射する。ここで上記レーザ光は上下左右に
２０°〜４０’程度の範囲で拡がるため、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ受光層２５′へ入射する。上記受光層２５′へ入射し
たレーザ光は完全に吸収されるまで、−受光器電極２９
および中受光器電極２８′の間で反射し、あるいは上記
受光層に隣接する層との間の屈折率差により、効率よく
上記受光層２５′中に閉じ込められ電子−正孔対を発生
する。上記受光層のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層中で
誘起された電子および正孔の拡散長はそれぞれ２−およ
び１ｔｉｍ以下であるから、受光層２５′においてｐｎ
接合から上記拡散長内で発生した電子は、ｐｎ接合に到
達して光誘起電流になる。このようにして、本発明によ
ればモニタ用受光器２の受光量を増大させることができ
る。ここで、ＩｎＧａＡｓＰ層２６′もその組成を調節
することにより受光層とすることができる。
極３０との間に電圧を印加し、活性層２３に電流を注入
すると、上下左右に２０°〜４０°程度の角度でレーザ
光がレーザ端面の発光部３２から放射される。上記レー
ザ光はもう一方の受光器２側の面からも放射されるため
、本実施例の素子配置ではレーザ光が受光器２のｐｎ接
合部３１に入射する。ここで上記レーザ光は上下左右に
２０°〜４０’程度の範囲で拡がるため、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ受光層２５′へ入射する。上記受光層２５′へ入射し
たレーザ光は完全に吸収されるまで、−受光器電極２９
および中受光器電極２８′の間で反射し、あるいは上記
受光層に隣接する層との間の屈折率差により、効率よく
上記受光層２５′中に閉じ込められ電子−正孔対を発生
する。上記受光層のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層中で
誘起された電子および正孔の拡散長はそれぞれ２−およ
び１ｔｉｍ以下であるから、受光層２５′においてｐｎ
接合から上記拡散長内で発生した電子は、ｐｎ接合に到
達して光誘起電流になる。このようにして、本発明によ
ればモニタ用受光器２の受光量を増大させることができ
る。ここで、ＩｎＧａＡｓＰ層２６′もその組成を調節
することにより受光層とすることができる。
第１図（ａ−ｉｉ）に示す半導体レーザは、活性層２３
上に受光層２６″を設け、上記受光層２６’がｐｎ接合
３１の上にある場合を説明する斜視図であるが、受光層
２６＃の導電性が異なるけれども、動作原理は上記第１
図（ａ−ｉ）に示した場合と同じである。
上に受光層２６″を設け、上記受光層２６’がｐｎ接合
３１の上にある場合を説明する斜視図であるが、受光層
２６＃の導電性が異なるけれども、動作原理は上記第１
図（ａ−ｉ）に示した場合と同じである。
第１図（ｂ）は活性層２３の下に受光層２５′を設けた
場合を説明する受光器２部分の断面図で、レーザとして
はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰプレーナ型レーザである。各
層の順序および受光器の配置が異なっているが、動作は
上記（ａ −ｉ ）および（ａ −１ｉ）に示す実施例
と同じである。ここで受光器のｆｉ極２ｇ′はｐ型Ｉｎ
Ｐ層２４′またはｎ型ＩｎＰ層２２のいずれかから取出
すことができる。
場合を説明する受光器２部分の断面図で、レーザとして
はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰプレーナ型レーザである。各
層の順序および受光器の配置が異なっているが、動作は
上記（ａ −ｉ ）および（ａ −１ｉ）に示す実施例
と同じである。ここで受光器のｆｉ極２ｇ′はｐ型Ｉｎ
Ｐ層２４′またはｎ型ＩｎＰ層２２のいずれかから取出
すことができる。
上記説明はｎ型基板を用いた場合の例であるが、ｐ型基
板を用いても本発明が適用できること、受光層はＰ型で
もｎ型でも本発明が有効であることはいうまでもない。
板を用いても本発明が適用できること、受光層はＰ型で
もｎ型でも本発明が有効であることはいうまでもない。
第２図は第１図（ｂ）に示した半導体レーザの受光器２
に反射鏡を設けた本発明の第２実施例で、レーザ１と受
光器２とを分離する分離溝２７をエツチングするとき同
時に反射鏡３４を形成する。また第３図に示すような受
光器形状と電極配置にすれば、プリズム３６を形成する
ことができ本発明の第３実施例となり、第４図に示すよ
うな受光器形状と電極配置により、反射鏡３４およびプ
リズム３６を備えた第４実施例を形成することができる
。上記反射面３４あるいはプリズムの入射面３６に入射
した光は、反射光３５あるいは屈折光３７として、それ
ぞれ配置が異なる受光器電極２８′により検出される。
に反射鏡を設けた本発明の第２実施例で、レーザ１と受
光器２とを分離する分離溝２７をエツチングするとき同
時に反射鏡３４を形成する。また第３図に示すような受
光器形状と電極配置にすれば、プリズム３６を形成する
ことができ本発明の第３実施例となり、第４図に示すよ
うな受光器形状と電極配置により、反射鏡３４およびプ
リズム３６を備えた第４実施例を形成することができる
。上記反射面３４あるいはプリズムの入射面３６に入射
した光は、反射光３５あるいは屈折光３７として、それ
ぞれ配置が異なる受光器電極２８′により検出される。
レーザ１からの放射光は上下左右に拡がるが、最も光強
度が大きいのは活性層２３のストライプ状発光領域外挿
上にある。しかし、受光層２５′および２６’、２６’
は必ずしも上記外挿上にあるとは限らない・したがって
、反射鏡の反射面３４およびプリズムの入射面３６を設
けてレーザ光の光路を曲げることにより、受光層の受光
量をより一層増加させることができる。さらに上記反射
面３４および入射面３６を設けて、レーザ光の当該面へ
の入射角度を調整することにより、受光器２、からレー
ザ１の発光部３２への戻り光を除去することが可能であ
り、本発明によれば戻り光による雑音がない光出力モニ
タ付半導体レーザを得ることが可能である。
度が大きいのは活性層２３のストライプ状発光領域外挿
上にある。しかし、受光層２５′および２６’、２６’
は必ずしも上記外挿上にあるとは限らない・したがって
、反射鏡の反射面３４およびプリズムの入射面３６を設
けてレーザ光の光路を曲げることにより、受光層の受光
量をより一層増加させることができる。さらに上記反射
面３４および入射面３６を設けて、レーザ光の当該面へ
の入射角度を調整することにより、受光器２、からレー
ザ１の発光部３２への戻り光を除去することが可能であ
り、本発明によれば戻り光による雑音がない光出力モニ
タ付半導体レーザを得ることが可能である。
上記実施例では反射鏡およびプリズムを受光器に組み込
んだ形に記載したが、上記反射鏡あるいはプリズムを分
離溝２７の中に独立して形成しても同様の効果が得られ
る。
んだ形に記載したが、上記反射鏡あるいはプリズムを分
離溝２７の中に独立して形成しても同様の効果が得られ
る。
上記記載はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系のプレーナ型レー
ザを例に説明したが、本発明は他の材料からなるレーザ
および埋め込み型レーザなどの他の構造の素子について
も、当然有効であり、光フアイバ伝送用以外の光源にも
適用可能である。
ザを例に説明したが、本発明は他の材料からなるレーザ
および埋め込み型レーザなどの他の構造の素子について
も、当然有効であり、光フアイバ伝送用以外の光源にも
適用可能である。
上記のように本発明による光出力モニタ付半導体レーザ
は、半導体レーザと、該半導体レーザの光出力モニタ用
半導体受光器とを、同一基板上に形成した光出力モニタ
付半導体レーザにおいて、レーザ動作層（活性層）の上
または下にあり、上記活性層に隣接しない層のうち、少
なくとも一層のバンドギャップエネルギを、上記活性層
のバンドギャップエネルギと同じか、または小さくした
層を受光層とし、該受光層の上または下に設けた、受光
層の導電性と異なる導電性を有する層と上記受光層とで
ｐｎ接合を形成して受光器としたことにより、レーザか
らのモニタ光を効率よく受光でき、しかも、反射雑音が
ない光出力モニタ付半導体レーザを得ることができるか
ら、光フアイバ伝送用モノリシック光源として利用する
ことが可能である。さらに、レーザ用ウェハから構造が
単純な受光器を作製することができ、素子製作、プロセ
スも簡便であるから１歩留りがよく、経済的な素子を得
ることが可能である。
は、半導体レーザと、該半導体レーザの光出力モニタ用
半導体受光器とを、同一基板上に形成した光出力モニタ
付半導体レーザにおいて、レーザ動作層（活性層）の上
または下にあり、上記活性層に隣接しない層のうち、少
なくとも一層のバンドギャップエネルギを、上記活性層
のバンドギャップエネルギと同じか、または小さくした
層を受光層とし、該受光層の上または下に設けた、受光
層の導電性と異なる導電性を有する層と上記受光層とで
ｐｎ接合を形成して受光器としたことにより、レーザか
らのモニタ光を効率よく受光でき、しかも、反射雑音が
ない光出力モニタ付半導体レーザを得ることができるか
ら、光フアイバ伝送用モノリシック光源として利用する
ことが可能である。さらに、レーザ用ウェハから構造が
単純な受光器を作製することができ、素子製作、プロセ
スも簡便であるから１歩留りがよく、経済的な素子を得
ることが可能である。
第１図は本発明による光出力モニタ付半導体レーザの第
１実施例を示す斜視図および断面図で、（ａ−ｉ）はｐ
ｎ接合が受光層の上にある場合を示す図、（ａ−ｉｉ）
は受光層がｐｎ接合の上にある場合を示す図、（ｂ）は
活性層の下に受光層がある場合を示す受光器部分の断面
図、第２図は上記第１図（ｂ）に示す半導体レーザに反
射鏡を設けた第２実施例の上面図、第３図は上記第１図
（ａ−ｉ）の半導体レーザにプリズムを設けた第３実施
例を示す上面図、第４図は上記第１図（ａ−ｉ）の半導
体レーザに反射鏡とプリズムとを設けた第４実施例を示
す上面図、第５図は従来のモニタ付半導体レーザの概要
を示す斜視図、第６図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ埋
め込み型半導体レーザの例を示す断面図である。 １・・・半導体レーザ ２・・・半導体受光器２１
・・・基板 ２３・・・活性層２５’、２
６′、 ２６”・・・受光層３１・・・ｐｎ接合
３４・・・反射鏡３６・・・プリズム 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 矛１図 （ａ−ｉ） （ａ−ｉｉ） に１坪・１→トレイ ２：平木本受快」剖 ２ドジ
厚才々 ２３：；Ｑ層２５’、 ２６’、 ２ｓ”：
斐尤湯 ３１；ハ接后３４：ａす化３６；フ１りでム 矛１ 図 （ｂ） ？２図
１実施例を示す斜視図および断面図で、（ａ−ｉ）はｐ
ｎ接合が受光層の上にある場合を示す図、（ａ−ｉｉ）
は受光層がｐｎ接合の上にある場合を示す図、（ｂ）は
活性層の下に受光層がある場合を示す受光器部分の断面
図、第２図は上記第１図（ｂ）に示す半導体レーザに反
射鏡を設けた第２実施例の上面図、第３図は上記第１図
（ａ−ｉ）の半導体レーザにプリズムを設けた第３実施
例を示す上面図、第４図は上記第１図（ａ−ｉ）の半導
体レーザに反射鏡とプリズムとを設けた第４実施例を示
す上面図、第５図は従来のモニタ付半導体レーザの概要
を示す斜視図、第６図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ埋
め込み型半導体レーザの例を示す断面図である。 １・・・半導体レーザ ２・・・半導体受光器２１
・・・基板 ２３・・・活性層２５’、２
６′、 ２６”・・・受光層３１・・・ｐｎ接合
３４・・・反射鏡３６・・・プリズム 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純之助 矛１図 （ａ−ｉ） （ａ−ｉｉ） に１坪・１→トレイ ２：平木本受快」剖 ２ドジ
厚才々 ２３：；Ｑ層２５’、 ２６’、 ２ｓ”：
斐尤湯 ３１；ハ接后３４：ａす化３６；フ１りでム 矛１ 図 （ｂ） ？２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザと、該半導体レーザの光出力モニタ用
半導体受光器とを、同一基板上に形成した光出力モニタ
付半導体レーザにおいて、レーザ動作層（活性層）の上
または下にあり、上記活性層に隣接しない層のうち、少
なくとも一層のバンドギャップエネルギを、上記活性層
のバンドギャップエネルギと同じか、または小さくした
層を受光層とし、該受光層の上または下に設けた、受光
層の導電性と異なる導電性を有する層と上記受光層とで
ｐｎ接合を形成して受光器とすることを特徴とする光出
力モニタ付半導体レーザ。 ２、上記受光器は、レーザからのモニタ光を受光器に導
波するための反射鏡またはプリズムを、レーザとの間に
設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載し
た光出力モニタ付半導体レーザ。 ３、上記受光器は、レーザからのモニタ光を受光器に導
波するための反射鏡とプリズムとを、レーザとの間に設
けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した
光出力モニタ付半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223705A JPH07105555B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 光出力モニタ付半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223705A JPH07105555B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 光出力モニタ付半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380590A true JPS6380590A (ja) | 1988-04-11 |
| JPH07105555B2 JPH07105555B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16802367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223705A Expired - Fee Related JPH07105555B2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 光出力モニタ付半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105555B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005053124A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-09 | Nec Corporation | 分布帰還型半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザアレイ及び光モジュール |
| CN113906640A (zh) * | 2019-06-11 | 2022-01-07 | 三菱电机株式会社 | 半导体光集成元件及半导体光集成元件的制造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735392A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-25 | Masayoshi Umeno | Semiconductor light source with photodetector to monitor |
| JPS60123083A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61223705A patent/JPH07105555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735392A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-25 | Masayoshi Umeno | Semiconductor light source with photodetector to monitor |
| JPS60123083A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005053124A1 (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-09 | Nec Corporation | 分布帰還型半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザアレイ及び光モジュール |
| CN113906640A (zh) * | 2019-06-11 | 2022-01-07 | 三菱电机株式会社 | 半导体光集成元件及半导体光集成元件的制造方法 |
| CN113906640B (zh) * | 2019-06-11 | 2023-10-10 | 三菱电机株式会社 | 半导体光集成元件及半导体光集成元件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105555B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |