CN113906640A - 半导体光集成元件及半导体光集成元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体光集成元件，激光器部(2)和受光元件部(3)沿着激光器的光轴配置于同一半导体基板(10)，激光器部(2)及受光元件部(3)均从靠近半导体基板(10)的一侧起依次具有限制光的光限制层(12)、包覆层(14)以及由InGaAs层或InGaAsP层形成的接触层(152、153)，激光器部(2)的光限制层为活性层(12)，受光元件部的接触层(153)为光吸收层，包覆层(14)为在与光轴垂直的剖面中光限制层(12)侧的宽度比接触层(152、153)侧的宽度窄的形状的脊构造，半导体光集成元件为在光限制层(12)、包覆层(14)以及接触层(152、153)的侧面不具有半导体埋入层的构造。

Description

半导体光集成元件及半导体光集成元件的制造方法
技术领域
本发明涉及集成有半导体激光器和受光元件的半导体光集成元件。
背景技术
就光通信用半导体激光器而言，在将监视光输出的半导体受光元件(监视器PD)集成于半导体激光器的情况下，提出了若干将半导体受光元件配置于对激光进行波导的导波路的上部来进行集成化的方式。
这些器件的方式均是具有埋入半导体激光器的活性层或导波路的芯层的埋入层的构造，且作为在埋入层之上生长的接触层，将经结晶生长而成的InGaAs层或InGaAsP层，在受光元件部中作为光吸收层使用(参照专利文献1)。
但是，由于埋入层的表面形态并非为理想平坦面而是具有由再生长界面引起的若干数微米的突起，所以将这样的表面状态作为基底而生长的接触层存在包含作为结晶缺陷的层叠缺陷(反相域(anti-phase domain))的区域，因此在作为光吸收层使用的InGaAs层或InGaAsP层存在结晶缺陷，成为使受光特性及可靠性劣化的重要因素。
专利文献1：日本特开2005-333144号公报
如以上说明那样，在集成有受光元件和激光器的半导体光集成元件中具有埋入层的情况下，存在因光吸收层的结晶缺陷而导致受光元件的受光特性劣化的课题。
发明内容
本申请的目的在于，针对将在半导体激光器部中作为接触层的InGaAs层或InGaAsP层作为光吸收层使用的半导体受光元件(监视器PD)集成而成的半导体光集成元件，抑制光吸收层的层叠缺陷(反相域)，来获得受光特性的劣化少的半导体光集成元件。
本申请中公开的半导体光集成元件，其构成半导体元件的激光器部和构成受光元件的受光元件部沿着激光器的光轴配置于同一半导体基板，激光器部及受光元件部均从靠近半导体基板一侧起依次具有限制光的光限制层、包覆层以及由InGaAs层或InGaAsP层形成的接触层，激光器部的光限制层为活性层，受光元件部的接触层为光吸收层，包覆层为在与光轴垂直的剖面中光限制层侧的宽度比接触层侧的宽度窄的形状的脊构造，半导体光集成元件为在光限制层、包覆层以及接触层的侧面不具有半导体埋入层的构造。
根据本申请中公开的半导体光集成元件，能够得到受光元件的受光特性的劣化少的半导体光集成元件。
附图说明
图1是通过导波路中央处的剖面表示实施方式1所涉及的半导体光集成元件的结构的图。
图2是实施方式1所涉及的半导体光集成元件的在图1的A-A位置的剖视图。
图3是实施方式1所涉及的半导体光集成元件的在图1的B-B位置的剖视图。
图4是实施方式1所涉及的半导体光集成元件的在图1的C-C位置的剖视图。
图5是实施方式2所涉及的半导体光集成元件的在与图1的A-A位置相当的位置的剖视图。
图6是实施方式2所涉及的半导体光集成元件的在与图1的B-B位置相当的位置的剖视图。
图7是实施方式2所涉及的半导体光集成元件的在与图1的C-C位置相当的位置的剖视图。
图8是通过导波路中央处的剖面表示实施方式3所涉及的半导体光集成元件的结构的图。
图9是实施方式3所涉及的半导体光集成元件的在图8的A-A位置的剖视图。
图10是实施方式3所涉及的半导体光集成元件的在图8的B-B位置的剖视图。
图11是实施方式3所涉及的半导体光集成元件的在图8的C-C位置的剖视图。
图12是通过导波路中央处的剖面表示实施方式4所涉及的半导体光集成元件的结构的图。
图13是实施方式4所涉及的半导体光集成元件的在图12的B-B位置的剖视图。
图14是实施方式5所涉及的半导体光集成元件的在与图1的C-C位置相当的位置的剖视图。
图15是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第一图。
图16是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第二图。
图17是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第三图。
图18是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第四图。
图19是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第五图。
图20是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第六图。
图21是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第七图。
图22是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第八图。
图23是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第九图。
图24是用于对实施方式6所涉及的半导体光集成元件的制造方法进行说明的第十图。
具体实施方式
实施方式1
图1是通过与光传播的方向亦即光轴方向平行且与导波路中央处的半导体基板10垂直的剖面表示实施方式1所涉及的半导体光集成元件的结构的剖视图。图2是在图1的A-A位置的剖视图，图3是在图1的B-B位置的剖视图，图4是在图1的C-C位置的剖视图。该半导体光集成元件1是集成有构成半导体激光器的激光器部2和构成受光元件的受光元件部3的结构。激光器部2及受光元件部3均具有共用的n-InP基板10(以下有时也简称为半导体基板10)，是在n-InP基板10层叠有半导体层等的结构。此外，为了使本申请的附图成为各部分能够明确识别的附图，与实际的尺寸比不同地记载了基板及其他层的厚度、长度、宽度等尺寸。
在n-InP基板10之上，经由为了调整n-InP基板10与活性层12的折射率以及载流子浓度而插入的n-InP缓冲层11，形成有作为光限制层的活性层12。例如在激光器部2是DFB激光器的情况下，在活性层12伴随有衍射光栅。另外，有时在受光元件部3也伴随有衍射光栅。在活性层12之上形成有蚀刻阻挡层13，以使活性层12在蚀刻工序中不被蚀刻。隔着蚀刻阻挡层13而形成有p-InP包覆层14。在p-InP包覆层14之上作为接触层而形成有p-InGaAs层，该接触层在激光器部2的p-InGaAs接触层152与受光元件部3的p-InGaAs接触层153之间分离，分离的部分作为电气隔离部4发挥功能。在激光器部2的p-InGaAs接触层152之上形成有p-InP电极102。在受光元件部3的p-InGaAs接触层153之上形成有n-InP接触层(受光元件部接触层)16和p-InP电极103，在n-InP接触层16之上形成有n-InP电极104。另外，在n-InP基板10的背面形成有n-InP电极101。
如图1所示，在取出光轴方向的激光的端面形成有前端面反射涂膜201，在另一端面形成有后端面反射涂膜202，构成激光器谐振器。如图2、图3以及图4的各剖视图所示，p-InP包覆层14的宽度为下部即活性层12侧窄且上部p-InGaAs接触层152及153侧宽的所谓的倒台面形状，比活性层12(包括蚀刻阻挡层13)靠上部的整体成为所谓的脊构造。以露出p-InP电极102、p-InP电极103、n-InP电极104的各电极的至少一部分的方式用绝缘膜20覆盖包括电气隔离部4在内的脊构造部140的侧面及上表面。未形成脊构造部140的蚀刻阻挡层13也由绝缘膜20覆盖。如图2、图3、图4的各剖视图所示，活性层12、p-InP包覆层14以及p-InGaAs接触层152、153的侧面不具有半导体的埋入层，在图2、图3、图4的各剖视图的剖面的横方向，通过脊构造部140，成为限制光及电流的结构。
激光器部2通过使电流在p-InP电极102与n-InP电极101之间流动，而在活性层12结合电子和空穴而释放出光，引起激光器振荡。在受光元件部3中，p-InGaAs接触层153成为光吸收层，p-InP电极103与n-InP电极104之间形成光电二极管，而能够检测在光吸收层亦即p-InGaAs接触层153吸收的光，从而用于激光的监视器等。
图1至图4所示的、实施方式1所涉及的半导体光集成元件由所谓的脊构造构成，从活性层12至脊构造部140的侧面未被半导体埋入层埋入。由于半导体埋入层的表面形态并非为理想的平坦面，而是具有由再生长界面引起的若干数微米的突起，所以将这样的表面状态作为基底而生长的接触层具有包含作为结晶缺陷的层叠缺陷(反相域)的区域。但是，实施方式1所涉及的半导体光集成元件，由于不具有半导体埋入层，所以接触层不包含由埋入层引起的结晶缺陷。因此，在作为集成的受光元件部3的光吸收层而使用的p-InGaAs接触层153不存在结晶缺陷，能够成为抑制受光特性及可靠性的劣化的元件。
并且，由于是从活性层12至p-InP包覆层14的侧面未被半导体埋入层埋入的脊构造，所以脊构造部140的半导体层的折射率比绝缘膜及空气层足够大，与具有埋入层的结构相比，光的限制强。虽然在受光元件部3确保足够的光吸收量非常重要，但通过将集成的元件整体设为脊构造，使得光朝向受光元件部3中的脊构造部140的限制强，所以能够充分确保在受光元件部3受光的受光量，监视变得容易。另外，在脊构造部140，通过形成供包含光吸收层的接触层配置的上部的宽度宽的倒台面形状，由此也能够充分确保光吸收量。
此外，对利用InGaAs层形成接触层的情况进行了说明，但接触层也可以是InGaAsP层。另外，对将激光器部2配置于后端面侧并将受光元件部3配置于前端面侧即从配置有受光元件部3的一侧取出激光的结构进行了说明，但该位置关系也可以相反。即，也可以是将激光器部2配置于前端面侧并将受光元件部3配置于后端面侧的结构。
实施方式2
实施方式2所涉及的半导体光集成元件的沿着光轴的导波路中央处的剖面的结构与图1相同。图5是表示实施方式2所涉及的半导体光集成元件的结构的在与图1的A-A位置相当的位置的剖视图，图6是在与图1的B-B位置相当的位置的剖视图，图7是在与图1的C-C位置相当的位置的剖视图。在实施方式1中脊构造部的剖面形状是倒台面形状，但在实施方式2中，如图5、图6、图7所示，脊构造部140的剖面形状是T字形状。在图5、图6、图7中，与图1至图4相同的附图标记表示相同或相当的部分，以下，仅对与实施方式1不同的部分进行说明。
在本实施方式2中，构成脊构造部140的p-InP包覆层14为活性层12侧的宽度窄且与活性层12相反的一侧亦即上部部分的宽度宽的、宽度成为两段的所谓的T字形状。像这样，脊构造部140的形状并非必需为实施方式1所示的倒梯形亦即倒台面形状，只要与活性层12相反的一侧亦即上部的宽度宽且活性层12侧的宽度比上部窄，则可以是任何形状。但是，实施方式1中示出的倒台面形状或本实施方式2中示出的T字形状，由于例如能够通过蚀刻而形成，所以能够通过简单的制造工序制造。
如以上那样，图5至图7所示的实施方式2所涉及的半导体光集成元件，与实施方式1所涉及的半导体光集成元件相同地，通过所谓的脊构造而构成，从活性层12至脊构造部140的侧面未被半导体埋入层埋入。因此，在接触层不包含由埋入层引起的结晶缺陷，所以在作为集成的受光元件部3的光吸收层而使用的p-InGaAs层153不存在结晶缺陷，能够成为抑制受光特性及可靠性的劣化的元件。
并且，由于是从活性层12至p-InP包覆层14的侧面未被半导体埋入层埋入的脊构造，所以脊构造部140的半导体层的折射率比绝缘膜及空气层足够大，与具有埋入层的结构相比，光的限制强。另外，在脊构造部140中，形成供包含光吸收层的接触层配置的上部的宽度宽的T字形状。根据这些结构，能够充分确保在受光元件部3接受的受光量。
实施方式3
图8是通过与光传播的方向亦即光轴方向平行且与导波路中央处的半导体基板10垂直的剖面表示实施方式3所涉及的半导体光集成元件1的结构的剖视图。图9是表示实施方式3所涉及的半导体光集成元件的结构的、图8的A-A位置处的剖视图，图10是图8的B-B位置处的剖视图，图11是与图8的C-C位置相当的位置处的剖视图。本实施方式3所涉及的半导体光集成元件1是在激光器部2与受光元件部3之间集成有构成电场吸收型光调制器(EAM)的光调制器部5的结构。
在光调制器部5，作为与激光器部2的活性层12相当的层亦即光限制层，形成有根据电场的有无而光的吸收发生变化的调制器部光吸收层17，能够在光调制器部5调制激光。在光调制器部5，也与激光器部相同，在p-InP包覆层14之上形成有作为接触层的p-InGaAs接触层155，在p-InGaAs接触层155的上表面形成有p-InP电极105。在本实施方式3中，将受光元件部3的光限制层设为并非活性的单纯的光导波路层18。这样，在受光元件部3，光限制层并非必需为活性层，也可以是单纯的光导波路层。如图9、图10、图11的各剖视图所示，在本实施方式3所涉及的半导体光集成元件1中，包含p-InP包覆层14的脊构造部140也是倒台面形状。脊构造部140的形状也可以是在实施方式2中说明的T字形状，只要活性层12、调制器部光吸收层17、光导波路层18等的与光限制层侧相反的一侧亦即上部的宽度宽且光限制层侧亦即下部的宽度比上部窄，则可以是任何形状。
如以上那样，图8至图11所示的实施方式3所涉及的半导体光集成元件与实施方式1及实施方式2所涉及的半导体光集成元件相同地，由所谓的脊构造构成，光限制层及脊构造部140的侧面未被埋入层埋入。因此，在接触层不包含由埋入层引起的结晶缺陷(反相域)，所以在作为集成的受光元件部3的光吸收层而使用的p-InGaAs接触层153不存在结晶缺陷，能够成为抑制受光特性及可靠性的劣化的元件。
另外，由于是光限制层及脊构造部140的侧面未被埋入层埋入的脊构造，所以能够充分确保在受光元件部3接收的受光量。
实施方式4
图12是通过与光传播的方向亦即光轴方向平行且与导波路中央处的半导体基板10垂直的剖面表示实施方式4所涉及的半导体光集成元件1的结构的剖视图。本实施方式4所涉及的半导体光集成元件1是在激光器部2与受光元件部3之间集成有构成半导体光放大器(SOA)的光放大器部6的结构。在光放大器部6中，光限制层形成为与激光器部2相同的活性层19，与激光器部2相同地，在活性层之上形成有p-InP包覆层14，在p-InP包覆层14之上形成有作为接触层的p-InGaAs接触层156，在p-InGaAs接触层156的上表面形成有p-InP电极106。在光放大器部6，放大在激光器部2产生的激光。
图13是图12的B-B位置处的剖视图。图12的A-A位置处的剖面与图2及图9相同，C-C位置处的剖面与图11相同。即，包覆层及接触层形成为脊构造，光限制层及脊构造部140的侧面未被埋入层埋入。
因此，在接触层不包含由埋入层引起的结晶缺陷，所以在作为集成的受光元件部3的光吸收层而使用的p-InGaAs接触层153不存在结晶缺陷，能够成为抑制受光特性及可靠性的劣化的元件。另外，由于是光限制层及脊构造部140的侧面未被埋入层埋入的脊构造，所以能够充分确保在受光元件部3接收的受光量。
对在激光器部2与受光元件部3之间，在实施方式3中配置有光调制器，在实施方式4中配置有半导体光放大器的结构进行了说明，但在激光器部2与受光元件部3之间，也能够配置所谓的光斑尺寸转换器。
实施方式5
实施方式5所涉及的半导体光集成元件的沿着光轴的导波路中央处的剖面的结构与图1相同。图14是表示实施方式2所涉及的半导体光集成元件的结构的在与图1的C-C位置相当的位置处的剖视图。本实施方式5所涉及的半导体光集成元件是用镀金等反射激光的金属30覆盖受光元件部3的脊构造部140的侧面的结构。
在本实施方式5所涉及的半导体光集成元件中，受光元件部3的脊构造部140被反射激光的材料覆盖，所以与未覆盖的情况相比，受光元件部3的受光量增加。因此，监视器的输出增加，光输出的监视变得更加容易。
实施方式6
在实施方式6中，参照图15至图24，对图1所示的半导体光集成元件的制造方法进行说明。首先，如图15所示，在n-InP半导体基板10之上使n-InP缓冲层11、活性层12(光限制层)以及蚀刻阻挡层13生长。在作为发光元件的一部分的活性层12形成DFB激光器动作所需要的衍射光栅构造。或者，在活性层12不包括衍射光栅的情况下，也能够部分性地使用蚀刻阻挡层13来制作衍射光栅构造。进一步在蚀刻阻挡层13之上使成为p-InP包覆层14、用作接触层的p-InGaAs接触层152、153以及n-InP接触层(受光元件部接触层)16的基础的包覆基础层14a、接触基础层15a以及受光元件部接触基础层16a生长。也可以在包覆基础层14a与接触基础层15a之间形成作为中间组成的p-InGaAsP。通过MOCVD进行向n-InP半导体基板的结晶生长。接触基础层15a成为激光器部的接触层亦即p-InGaAs接触层152和作为受光元件部的光吸收层的p-InGaAs接触层153，但由于在平坦性良好的包覆基础层14a之上生长，所以结晶性良好，具有在特性及可靠性上不引起问题的品质。这里，将图15所示的通过MOCVD进行结晶生长而形成各层从而作成的层叠体称为基础层叠体60。将形成基础层叠体60的工序称为基础层叠体形成工序。
接下来，如通过俯视图表示的图16那样，在基础层叠体60的表面的要成为受光元件部的位置，形成SiN、SiO2等绝缘膜掩模(第一绝缘膜掩模)90，通过具有选择性的湿式蚀刻去除n-InP层即受光元件部接触基础层16a中的对受光元件形成而言不需要的部位，得到在p-InGaAs层即接触基础层15a之上形成有n-InP的受光元件部接触层16的、图17的状态的基础层叠体60(受光元件部接触层形成工序)。接下来，如图18所示，为了在受光元件部与激光器部之间形成电气隔离部4，而用在要成为电气隔离部4的部分具有开口的绝缘膜掩模(第二绝缘膜掩模)91，覆盖图17的状态的基础层叠体60的表面，通过具有选择性的湿式蚀刻去除受光元件部与激光器部之间的接触层15a，从而形成电气隔离部4(电气隔离部形成工序)。此时，如图18所示，还去除存在于受光元件部的端部50的接触基础层15a。通过该工序得到图19的状态的基础层叠体。
接下来，如图20所示，在电气隔离部形成工序后的、图19的状态的基础层叠体60的表面，形成具有脊构造部的最大宽度的SiO2等绝缘膜硬掩模(第三绝缘膜掩模)92。图21示出了在图20的A-A位置、即受光元件部的剖视图，图22示出了在图20的B-B位置、即激光器部的剖视图。使用该绝缘膜硬掩模(第三绝缘膜掩模)92通过蚀刻而形成脊构造部。图23及图24是通过剖视图表示使用绝缘膜硬掩模92进行受光元件部的蚀刻的样子的图。首先，如图23所示，以不露出蚀刻阻挡层13的方式，通过干式蚀刻将接触基础层15a及包覆基础层14a的两侧面去除至蚀刻阻挡层13的近前为止。之后，如图24所示，通过对包覆基础层14a进行湿式蚀刻，形成图1所示的倒台面形状的p-InP包覆层14。将以上称为脊构造形成工序。在该步骤中，p-InP包覆层14之上的接触基础层15a仅留下作为受光元件部的p-InGaAs接触层153和激光器部的p-InGaAs接触层152分别进行动作所需要的部位。进一步，在受光元件部与激光器部之间形成为了确保电气绝缘而被蚀刻的电气隔离部4，由于在表面存在大量的阶梯差，因此需要形成包覆性高的绝缘膜。
形成脊后，以覆盖包含包覆层及接触层的侧面的露出面的方式形成SiO2、SiN等绝缘膜(绝缘膜形成工序)。形成表面的绝缘膜后，去除电极形成部位的绝缘膜，通过金属制成膜和蚀刻形成受光元件的n侧电极104、受光元件和发光元件的p侧电极102、103。之后，在n-InP半导体基板形成发光元件的n侧电极101，在切出芯片后形成反射涂膜201、202。
通过以上的制造工序，完成图1至图4所示的半导体光集成元件。即，能够得到在光限制层、包覆层以及接触层的侧面不具有半导体材料的埋入层的构造，从而能够得到在InGaAs层或InGaAsP层即接触层不包含由埋入层引起的结晶缺陷的半导体光集成元件。因此，在作为集成的受光元件部3的光吸收层153使用的接触层亦即p-InGaAs层153不存在结晶缺陷，能够得到抑制受光特性及可靠性的劣化的元件。
在以上的各实施方式中，对使用n-InP基板来作为半导体基板10的半导体光集成元件进行了说明，但也可以是使用p-InP基板且使各半导体层的导电型相反的构造。
在本申请中记载了各种例示性的实施方式及实施例，但一个或多个实施方式中记载的各种特征、方式、以及功能并不限于特定的实施方式的应用，能够单独地或以各种组合应用于实施方式。因此，在本申请说明书中公开的技术范围内可以想到未例示的无数的变形例。例如，包括变形至少一个结构要素的情况、追加至少一个结构要素的情况或者省略至少一个结构要素的情况，还有，提取至少一个结构要素来与其他实施方式的结构要素组合的情况。
附图标记说明
1...半导体光集成元件；2...激光器部；3...受光元件部；4...电气隔离部；5...光调制器部；6...光放大器部；10...n-InP基板(半导体基板)；12、19...活性层(光限制层)；14...p-InP包覆层(包覆层)；14a...包覆基础层；15a...接触基础层；16...n-InP接触层(受光元件部接触层)；16a...受光元件部接触基础层；17...调制器部光吸收层(光限制层)；18...光导波路层(光限制层)；20...绝缘膜；30...金属；140...脊构造部；152、153、155、156...p-InGaAs接触层(接触层)；60...基础层叠体；90...第一绝缘膜掩模；91...第二绝缘膜掩模；92...第三绝缘膜掩模。

Claims (8)

1.一种半导体光集成元件，
构成半导体激光器的激光器部和构成受光元件的受光元件部沿着激光器的光轴配置于同一半导体基板，
所述激光器部及所述受光元件部均从靠近所述半导体基板的一侧起依次具有限制光的光限制层、包覆层以及由InGaAs层或InGaAsP层形成的接触层，
所述激光器部的所述光限制层为活性层，所述受光元件部的所述接触层为光吸收层，
其特征在于，
所述包覆层为在与所述光轴垂直的剖面中所述光限制层侧的宽度比所述接触层侧的宽度窄的形状的脊构造，
所述半导体光集成元件为在所述光限制层、所述包覆层以及所述接触层的侧面不具有半导体埋入层的构造。
2.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述脊构造的形状为倒台面形状。
3.根据权利要求1所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述脊构造的形状为T字形状。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述包覆层及所述接触层的侧面被绝缘膜覆盖。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体光集成元件，其特征在于，
在所述激光器部与所述受光元件部之间配置有光调制器部，该光调制器部从靠近所述半导体基板的一侧起，依次具有作为限制光的光限制层的调制器部光吸收层、包覆层以及接触层，而构成电场吸收型光调制器。
6.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体光集成元件，其特征在于，
在所述激光器部与所述受光元件部之间，配置有光放大器部，该光放大器部从靠近所述半导体基板的一侧起，依次具有作为限制光的光限制层的活性层、包覆层以及接触层，而构成半导体光放大器。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的半导体光集成元件，其特征在于，
所述受光元件部的脊构造的侧面被金属覆盖。
8.一种半导体光集成元件的制造方法，其是权利要求2所述的半导体光集成元件的制造方法，其特征在于，包括：
基础层叠体形成工序，在半导体基板之上，通过MOCVD使所述光限制层、作为所述包覆层的基础的包覆基础层、作为所述接触层的基础的接触基础层、作为所述受光元件部中的受光元件部接触层的基础的受光元件部接触基础层依次结晶生长，而形成基础层叠体；
受光元件部接触层形成工序，在所述基础层叠体的存在所述受光元件部的位置的表面形成第一绝缘膜掩模后，通过湿式蚀刻去除未形成所述第一绝缘膜掩模的部分的所述受光元件部接触基础层，之后去除所述第一绝缘膜掩模，从而形成所述受光元件部接触层；
电气隔离部形成工序，以要在所述受光元件部与所述激光器部之间成为电气隔离部的部分具有开口的方式用第二绝缘膜掩模覆盖所述受光元件部接触层形成工序后的所述基础层叠体的表面之后，通过湿式蚀刻去除所述开口部分的所述接触基础层，之后去除所述第二绝缘膜掩模，从而形成所述电气隔离部；
脊构造形成工序，在所述电气隔离部形成工序后的所述基础层叠体的表面，形成具有所述脊构造的最大宽度的第三绝缘膜掩模后，通过干式蚀刻去除未形成所述第三绝缘膜掩模的部分的所述接触基础层及所述包覆基础层，之后通过湿式蚀刻对留下来的所述包覆基础层的侧面进行蚀刻，从而形成所述倒台面形状的所述包覆层；以及
绝缘膜形成工序，用绝缘膜覆盖包括所述包覆层及所述接触层的侧面在内的露出面。
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