JPS6375032A - ポリエ−テルケトン - Google Patents
ポリエ−テルケトンInfo
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- JPS6375032A JPS6375032A JP21799786A JP21799786A JPS6375032A JP S6375032 A JPS6375032 A JP S6375032A JP 21799786 A JP21799786 A JP 21799786A JP 21799786 A JP21799786 A JP 21799786A JP S6375032 A JPS6375032 A JP S6375032A
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Landscapes
- Polyethers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は新規なポリエーテルケトンに関し、更に詳しく
はナフタレン環の基を含有する新規なポリエーテルケト
ンに関する。
はナフタレン環の基を含有する新規なポリエーテルケト
ンに関する。
〈従来技術〉
従来から、エンジニアリングプラスチックスとしてポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド
、ポリエーテルケトン等のポリマーが知られ、優れた耐
熱性２機械特性、成形加工性等の故にプラスチックス、
フィルム、その他の成形品として広く用いられている。
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド
、ポリエーテルケトン等のポリマーが知られ、優れた耐
熱性２機械特性、成形加工性等の故にプラスチックス、
フィルム、その他の成形品として広く用いられている。
例えば、代表的なポリエーテルケトンとしては、下記反
復単位が全反復単位の５０％以上を占るポリマー（特公
昭６０−２２９３８号、特公昭６０−３２６４２号）が
知られている。
復単位が全反復単位の５０％以上を占るポリマー（特公
昭６０−２２９３８号、特公昭６０−３２６４２号）が
知られている。
かかるエンジニアリングプラスチックスは、非品性ポリ
マーと結晶性ポリマーとに大別できるが、それぞれ次に
述べる問題点を有している。
マーと結晶性ポリマーとに大別できるが、それぞれ次に
述べる問題点を有している。
すなわち、非品性ポリマー例えばポリスルホン。
ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、芳香族ジ
カルボン酸成分とビスフェノール類成分よりなる非品性
ボリアリレート等は透明性に優れているものの、有機溶
剤に対する耐溶剤性が悪く、溶解、膨潤あるいは溶剤ク
ラックの発生等の問題があり、限られた用途にしか用い
ることができない。
カルボン酸成分とビスフェノール類成分よりなる非品性
ボリアリレート等は透明性に優れているものの、有機溶
剤に対する耐溶剤性が悪く、溶解、膨潤あるいは溶剤ク
ラックの発生等の問題があり、限られた用途にしか用い
ることができない。
一方、結晶性ポリマー例えばポリフェニレンスルフィド
、ポリエーテルケトン等は耐溶剤性に優れているものの
、上記非品性ポリマーに比べて二次転移温度（Ｔｏ）が
低く、かつ例えば熱変形温度が■９乃至これより若干高
温度程度であるため耐熱性に問題がある。
、ポリエーテルケトン等は耐溶剤性に優れているものの
、上記非品性ポリマーに比べて二次転移温度（Ｔｏ）が
低く、かつ例えば熱変形温度が■９乃至これより若干高
温度程度であるため耐熱性に問題がある。
そこで、非品性ポリマーに匹敵する二次転移温度（Ｔｇ
）を有しかつ耐溶剤性に侵れたエンジニアリングプラス
チックスが望まれている。
）を有しかつ耐溶剤性に侵れたエンジニアリングプラス
チックスが望まれている。
〈発明の目的〉
本発明の目的は、二次転移温度が高くかつ耐溶剤性に優
れた新規なポリエーテルケトンを提供することにある。
れた新規なポリエーテルケトンを提供することにある。
〈発明の構成・効果〉
本発明の目的は、下記式（Ｉ＞
で示される繰返し単位から主としてなり、固有粘度が０
．３以上のポリエーテルケトンによって達成される。
．３以上のポリエーテルケトンによって達成される。
本発明において、ポリエーテルケトンを構成する上記式
（Ｉ＞の繰返し単位は全繰返し単位の５０％以上、好ま
しくは６０％以上、更に好ましくは８０％以上を占る。
（Ｉ＞の繰返し単位は全繰返し単位の５０％以上、好ま
しくは６０％以上、更に好ましくは８０％以上を占る。
上記式（Ｉ）におけるナフタレン環の基は２個の結合手
を有し、この結合手の位置が１．５−、１．６ ＋、
１．７ ＋、 ２．６ ＋、 ２．７−等にあることが
好ましい。これらのうち２．６ ＋、 ２．７−位に結
合手があるもの、特に２，６−位に結合手があるものが
好ましい。他の繰返し単位としては、例えば （但し、ＱおよびＱｏは同一であっても相違してもよく
、−〇〇−または一３Ｏｚ−であり、ｎはＯまたは１で
ある）等が好ましく挙げられる。
を有し、この結合手の位置が１．５−、１．６ ＋、
１．７ ＋、 ２．６ ＋、 ２．７−等にあることが
好ましい。これらのうち２．６ ＋、 ２．７−位に結
合手があるもの、特に２，６−位に結合手があるものが
好ましい。他の繰返し単位としては、例えば （但し、ＱおよびＱｏは同一であっても相違してもよく
、−〇〇−または一３Ｏｚ−であり、ｎはＯまたは１で
ある）等が好ましく挙げられる。
ポリエーテルケトンの製造法としては、当該分野におけ
る従来公知の方法がそのまま適用できるが、これらのう
ち４，４゛−ジハロゲノベンゾフェノンとジヒドロキシ
ナフタレンとをジフェニルスルホンの如き不活性媒体中
で炭酸カリウムの如きアルカリを添加して反応せしめる
方法が好ましく適用できる。
る従来公知の方法がそのまま適用できるが、これらのう
ち４，４゛−ジハロゲノベンゾフェノンとジヒドロキシ
ナフタレンとをジフェニルスルホンの如き不活性媒体中
で炭酸カリウムの如きアルカリを添加して反応せしめる
方法が好ましく適用できる。
本発明のポリエーテルケトンは、濃硫酸中３０℃で測定
した固有粘度（１１度ｔｏｇ／ｄｌ）が０．３以上であ
り、０．４ＪＸ上であることが好ましい。固有粘度が０
．３未満の場合には、ポリマーの機械特性が不十分であ
り、好ましくない。
した固有粘度（１１度ｔｏｇ／ｄｌ）が０．３以上であ
り、０．４ＪＸ上であることが好ましい。固有粘度が０
．３未満の場合には、ポリマーの機械特性が不十分であ
り、好ましくない。
本発明のポリエーテルケトンは、ナフタレン環をポリマ
ー主鎖中に有しているから、フェニレン基のみを骨格に
有するポリエーテルケトンに比べて二次転移点（Ｔ（１
）が高く、かつ結晶性ないし難結晶性のポリマーであっ
て耐溶剤性に優れているという特徴を有する。このポリ
エーテルケトンは射出成形、押出成形、圧縮成形等の通
常の熔融成形方法をそのまま適用することができ、フィ
ルム。
ー主鎖中に有しているから、フェニレン基のみを骨格に
有するポリエーテルケトンに比べて二次転移点（Ｔ（１
）が高く、かつ結晶性ないし難結晶性のポリマーであっ
て耐溶剤性に優れているという特徴を有する。このポリ
エーテルケトンは射出成形、押出成形、圧縮成形等の通
常の熔融成形方法をそのまま適用することができ、フィ
ルム。
シート、プラスチックス等種々の成形品の成形に好まし
く適用することができる。
く適用することができる。
〈実施例〉
以下実施例を挙げて本発明を説明するが、実施例中「部
」は「重但部」を意味する。また、ポリマーの固有粘度
（η１ｎｈ）は濃硫酸を溶媒とし、１．０ｇ／ｄｉの１
度で３０℃にて測定した。更にまた、ポリマーの二次転
移点（ＴＯ＞ 、 ｍ点（Ｔｌｌｌ）はＤＳＣを用い、
１０℃／分の昇温速度で測定した。
」は「重但部」を意味する。また、ポリマーの固有粘度
（η１ｎｈ）は濃硫酸を溶媒とし、１．０ｇ／ｄｉの１
度で３０℃にて測定した。更にまた、ポリマーの二次転
移点（ＴＯ＞ 、 ｍ点（Ｔｌｌｌ）はＤＳＣを用い、
１０℃／分の昇温速度で測定した。
実施例−１
４，４°−ジフルオロベンゾフェノン７６．３７部、２
゜６−シヒドロキシナフタレン５６．０６部及びジフェ
ニルスルホン２７６部を、攪拌装置及び留出系を備えた
反応器に入れ、窒素置換した１１２２０℃に加熱した。
゜６−シヒドロキシナフタレン５６．０６部及びジフェ
ニルスルホン２７６部を、攪拌装置及び留出系を備えた
反応器に入れ、窒素置換した１１２２０℃に加熱した。
約１０分後、内容物は融解し、均一な溶液となった。次
に無水炭酸カリウム４８．４部を添加し、常圧上窒素気
流中２２０℃で３０分、２６０℃に昇温して同温度で６
０分、更に３００℃に昇温して同温度で６０分間攪拌し
つつ反応させた。得られた反応物を冷却し、これを粉砕
して粒径５００μｍ以下のチップとし、該チップをアセ
トン環流下で２回、水環流下で２回、更にアセトン環流
下で１回抽出処理し、ジフェニルスルホン及び無機塩を
除去し、次いで１５０℃で３時間乾燥した。（ワられた
ポリマーは７７ ｉｎｈ Ｏ，６９，ｒｇ １Ｂ８℃、
Ｔｍ ３３０℃であった。
に無水炭酸カリウム４８．４部を添加し、常圧上窒素気
流中２２０℃で３０分、２６０℃に昇温して同温度で６
０分、更に３００℃に昇温して同温度で６０分間攪拌し
つつ反応させた。得られた反応物を冷却し、これを粉砕
して粒径５００μｍ以下のチップとし、該チップをアセ
トン環流下で２回、水環流下で２回、更にアセトン環流
下で１回抽出処理し、ジフェニルスルホン及び無機塩を
除去し、次いで１５０℃で３時間乾燥した。（ワられた
ポリマーは７７ ｉｎｈ Ｏ，６９，ｒｇ １Ｂ８℃、
Ｔｍ ３３０℃であった。
実施例−２
２，６−ジヒドロキシナフタレンを２，７−ジヒドロキ
シナフタレンに替える以外は実施例−１と全く同様にし
てポリマーを１ｑた。１ワられたポリマーは７７ ；ｎ
ｈ Ｏ，５８，Ｔ（１１７２℃、Ｔｍ２４３℃テアッた
。
シナフタレンに替える以外は実施例−１と全く同様にし
てポリマーを１ｑた。１ワられたポリマーは７７ ；ｎ
ｈ Ｏ，５８，Ｔ（１１７２℃、Ｔｍ２４３℃テアッた
。
実施例−３
２，６−ジヒドロキシナフタレンを１，５−ジヒドロキ
シナフタレンに替える以外は実施例−１と全く同様にし
てポリマーを得た。１ｑられたポリマーは７７ ｉｎｈ
Ｏ，４５，Ｔｇ １８９℃であり、Ｔｍは難非晶性゛
のために検出できなかった。
シナフタレンに替える以外は実施例−１と全く同様にし
てポリマーを得た。１ｑられたポリマーは７７ ｉｎｈ
Ｏ，４５，Ｔｇ １８９℃であり、Ｔｍは難非晶性゛
のために検出できなかった。
実施例−４
実施例−１〜３で得られたポリマーを、それぞれアセト
ン、キシレン、トリクレン、酢酸エチル中に２０℃で８
０時間浸漬したところ、いずれも全く変化は認められな
かった。
ン、キシレン、トリクレン、酢酸エチル中に２０℃で８
０時間浸漬したところ、いずれも全く変化は認められな
かった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される繰返し単位から主としてなり、固有粘度が０
．３以上のポリエーテルケトン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21799786A JPS6375032A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | ポリエ−テルケトン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21799786A JPS6375032A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | ポリエ−テルケトン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6375032A true JPS6375032A (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=16713006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21799786A Pending JPS6375032A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | ポリエ−テルケトン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6375032A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130226A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-18 | Toshiba Corp | ガスタービン制御装置 |
| WO2008075010A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Victrex Manufacturing Limited | Composite material |
| JP2008277554A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び塗布、現像装置並びに記憶媒体 |
| JP2008277551A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 |
| CN114479062A (zh) * | 2020-10-26 | 2022-05-13 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种含萘结构的聚芳醚酮及其制备方法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP21799786A patent/JPS6375032A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02130226A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-18 | Toshiba Corp | ガスタービン制御装置 |
| WO2008075010A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Victrex Manufacturing Limited | Composite material |
| JP2008277554A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置、加熱方法及び塗布、現像装置並びに記憶媒体 |
| JP2008277551A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 |
| CN114479062A (zh) * | 2020-10-26 | 2022-05-13 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种含萘结构的聚芳醚酮及其制备方法 |
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