JPH0420530A - ポリアリールエーテルスルホンおよびその製造方法 - Google Patents

ポリアリールエーテルスルホンおよびその製造方法

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JPH0420530A
JPH0420530A JP12371690A JP12371690A JPH0420530A JP H0420530 A JPH0420530 A JP H0420530A JP 12371690 A JP12371690 A JP 12371690A JP 12371690 A JP12371690 A JP 12371690A JP H0420530 A JPH0420530 A JP H0420530A
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JP
Japan
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bis
formula
naphthalene
ether sulfone
polyaryl ether
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JP12371690A
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English (en)
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Nobuaki Kido
伸明 城戸
Shunichi Matsumura
俊一 松村
Hiroo Inada
稲田 博夫
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Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は新規なボリアリールエーテルスルホンに関する
ものである。さらに詳しくはナフタレン環の基を含有す
る新規なボリアリールエーテルスルホンおよびその製造
方法に関するものである。
〈従来技術〉 従来から、エンジニアリングプラスチックスとしてポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド
、ポリエーテルケトン等のポリマーが知られ、優れた耐
熱性、機械特性、成形加工性等の故にプラスチックス、
フィルム、その他の成形品として広く用いられている。
これらのうちポリフェニレンスルフィド、ポリエーテル
ケトン等の結晶性ポリマーは、比較的成形時の結晶化に
よる収縮の問題や二次転移温度(Tg)が比較的低いた
め、大荷重下での耐熱性に劣るという問題を有している
。一方かかる点において優れたポリマーとしてポリスル
ホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、非
品性ボリアリレート等の非品性ポリマーがあるが、これ
らは耐熱性、耐薬品性が未だ不充分であり、更に耐熱性
、耐薬品性等の優れたポリマーが望まれている。
〈発明の目的〉 本発明の目的は、二次転移温度がより高く、寸法安定性
、耐溶剤性、機械的特性等も改善されたポリエーテルス
ルホンを提供することにある。
〈発明の構成〉 即ち本発明は、下記式(I> ・・・(I) [式中、Arは2価の芳香族基を表す。]で示される繰
返し単位から主としてなり、固有粘度がOj以上のボリ
アリールエーテルスルホン及びその製造方法である。
式(1)においてArは2価の芳香族基である。
好ましくは炭素数6〜20、より好ましくは6〜15の
芳香族基である。具体的にはArは次の一般式で表され
る2価の芳香族基が挙げられる。
丹、何)、(ンY0− +802合1合0介。
(シS÷、 ()CO÷CO(ν。
等を例示することができる。
、Arとしては今、べ畷8層F、頃重加また、ボリアリ
ールエーテルスルホンを構成する上記式(I)の繰返し
単位は、全繰返し単位の50%以上、好ましくは70%
以上、更に好ましくは90%以上を占める。
上記式(I>におけるナフタレン環の基は、2個の結合
手を有し、この結合手の位置が、1.51.6.1.7
.2.6.2.7にあることが好ましい。これらのうち
、1.5.2.6.2.7に結合手のあることが特に好
ましい。
また、本発明方法によって得られるボリアリールエーテ
ルスルホンは、N−メチル−2−ピロ2リドン(NMP
)中30℃で測定した固有粘度(濃度1 g /’ d
 l )が0.3以上であり、0.4以上であることが
好ましい。固有粘度が0.3未満の場合には、ポリマー
の機械特性が不十分であり、好ましくない 本発明のポリエーテルスルホンの製造方法としては、当
該分野における従来公知の方法が適宜使用できる。
例えば (i)  下記式(I[I) [式中、Arは<I>式のArに同じである。]で示さ
れる化合物に対してナフタレンジスルホニルハライドを
塩化アルミニウム等のルイス酸を用いて溶媒中で反応さ
せる方法。
(11)  式(IV)で示される化合物タレンに対し
、溶媒中で反応させる方法。
(iii)  式(II)で表されるビス(p−Jzロ
フェニルスルホニル)ナフタレン X合SO2何)鏑◎X・・・<II) [式中、Xはハロゲン原子を表す。] と、該ビス(P−ハロフェニルスルホニル)ナフタレン
に対して実質的に等モルの芳香族ジヒドロキシ化合物と
をアルカリの存在下で反応させる方法。
これらのうち、特に(iii)の方法が好ましい。
(iii)の方法において、上記−数式(II>で示さ
れるビス(P−ハロフェニルスルホニル)ナフタレンの
ナフタレン環の置換位置は1.5.1.6.2.6゜2
.7であることが好ましい。これらのうち1.52.6
.2.7のものが特に好ましい。具体的には、15−ビ
ス(p−クロロフェニルスルホニル)ナフタレン、1.
5−ビス(p−フルオロフェニルスルホニル)ナフタレ
ン、2.6−ビス(P−クロロフェニルスルホニル)ナ
フタレン、2.6−ビス(Pフルオロフェニルスルホニ
ル〉ナフタレン、2゜7−ビス(p−クロロフェニルス
ルホニル)ナフタレン、2.7−ビス(p−フルオロフ
ェニルスルホニル)ナフタレン等を例示できる。
また芳香族ジヒドロキシ化合物としては、次の−a式で
示されるものが挙げられる。
HO◎OH,80合OH。
HO+Y + OH 具体例としてはヒドロキノン、レゾルシノール、44′
−ジヒドロキシビフェニル、1,5−ジヒドロキシナフ
タレン、2.6−ジヒドロキシナフタレン、2.2−ビ
ス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン[ビスフェノー
ルA]4.4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、ビス(
p−ヒドロキシフェニル)スルホン[ビスフェノールS
]4.4’−ジヒドロキシフェニルエーテル、4,4′
−ジヒドロキシスルフィド、p−ビス(p−ヒドロキシ
ベンゾイル)フェニレン、1,1−ビス(p−ヒドロキ
シフェニル)シクロヘキサン[ビスフェノールZ]等を
例示することができる。これらのうち、ヒドロキノン、
4.4′ジヒドロキシビフエニル、1,5−ジしドロキ
シナフタレン、2.6−ジヒドロキシナフタレン、ビス
フェノールAが好ましい。
芳香族ジヒドロキシ化合物の使用割合は、前記ビス(p
−ハロフェニルスルホニル)ナフタレンに対して実質的
に等モル、例えばビス(p−ハロフェニルスルホニル)
ナフタレン1モルに対して0.95〜1.05モル程度
である。
本発明方法では、上記のビス(p−ハロフェニルスルホ
ニル〉ナフタレンと芳香族ジヒドロキシ化合物とをアル
カリ存在下で反応させるが、かかるアルカリとしては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の
水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアル
カリ金属の重炭酸塩、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等
のアルカリ金属の炭酸塩等を例示できる。
中でも炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の炭酸塩を使用
することが好ましい。反応時に存在させるアルカリの量
は、反応する物、反応条件によって異なるが、原料の全
ヒドロキシ基に対して、アルカリ当量で95%以上とす
ることが好ましく、98%以上250%以下とすること
がより好ましい。
また本方法では、ポリエーテル重合時に、原料と同時に
アルカリを存在させる方法以外に、あらかじめ上述のヒ
ドロキシ化合物のアルカリ金属塩を製造しておき、上述
の一般式(II)で表されるビス(p−フェニルスルホ
ニル)ナフタレンと反応させるという方法をとれば、反
応時にアルカリを存在させることなく、該ポリエーテル
を製造することも可能である。
反応温度はジハロゲン化合物、ジヒドロキシ化合物の種
類により異なるが、大略80〜300℃程度とすること
が好ましい。
また、この反応温度は最高反応温度を表わし、より低温
から反応を始めて連続的あるいは段階的に反応温度を上
昇させることも好まし〈実施できる。
反応温度はより好ましくは100〜250℃程度、特に
好ましくは120〜230℃程度である。反応温度が低
すぎると重合速度が遅すぎて実用にならない。また反応
温度が高すぎると副反応を起こしやすく、場合によって
はモノマーの分解を起こすこともある。
反応は常圧下、加圧下、あるいは減圧下で行うことがで
きる。常圧下、加圧下で行う場合には窒素、アルゴン等
の不活性ガス雰囲気下とすることが好ましい。
反応を実施するに当っては、上記原料だけを無溶媒で加
熱反応せしめてもよいが、反応系を均一に保ち、より低
温で高重合度のポリマーを得るために、溶媒を用いるこ
とも好ましい。かかる溶媒としては反応温度においてそ
れ自身安定で、原料化合物、反応生成物あるいはポリマ
ーと非反応性でかつモノマー及び生成するポリマーと反
応温度において相溶し得る化合物であれば任意に用いる
ことができる。適当な溶媒としてはスルホン系化合物、
アミド化合物等が挙げられる。スルホン系化合物として
は、具体的にはジフェニルスルホン、ジメチルスルホキ
シドスルホラン、ジトリルスルホラン等が例示でき、ア
ミド系化合物としては具体的にはN−メチル−2−ピロ
リドン、N−シクロへキシル−2−ピロリドン、N、N
−ジメチルアセトアミド等が例示できる。これらのうち
ジフェニルスルホン、スルホラン、ジメチルスルホキシ
ドが好ましい。
溶媒の使用量は特に制限はないが、生成するポリマーと
溶媒との合計量に対し20〜95重量%程度とすること
が好ましい。
加熱反応時間は特に制限はなく、ポリマーの重合度が十
分に上昇するに足る時間であればよく、これは用いる原
料の種類、溶媒の量、反応温度によっても異なるが、大
略1〜10時間程度である。
反応終了後、反応により生成した塩及び場合により溶媒
を夫々水及び溶媒は溶解するがポリマーは溶解しない有
機溶媒で処理して除去することにより目的とするポリエ
ーテルスルホンを得ることができる。
〈実施例〉 以下実施例を挙げて本発明を説明する。実施例中ポリマ
ーの還元粘度(ηsp/c)はN−メチル−2−ピロリ
ドン(NMP)を溶媒とし、Ig/dlの濃度で30℃
にて測定した。更にポリマーの二次転移点(Tg)はD
SCを用い、lO℃/分の昇温速度で測定した。
実施例1 2.6−ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ナフタ
レン9.548g、2.2−ビス(P−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン[ビスフェノールA]4.566g、無
水炭酸カリウム5.528g及びジメチルスルホキシド
50m1、トルエン20m1を攪拌装!及び留出系を備
えた反応器に入れ、系を窒素!換した後約130℃に加
熱した。約40分間で共沸により生成する水をとり除い
た後、160℃まで昇温させ2時間反応させた。得られ
た反応物を冷却し、メタノール1fJの中へ反応物をう
つし、析出しなポリマーを水運流下で3回抽出処理する
ことによりジメチルスルホキシド及び無機塩を除去し、
150℃で4時間乾煤した。得られたポリマーはηsp
/cO146、Tg=235℃であった。
実施例2 実施例1においてビスフェノールAのがわりに4.4′
−ジヒドロキシビフェニル3.724 gを用いた以外
は全く同じ操作を行った系において得られたポリマーは
77 sp/c = 0.48、Tg= 251℃であ
った。
実施例3 2.6−ビス(p−フルオロフェニルスルホニル)ナフ
タレン8.890 gビスフェノールA4.566g、
無水炭酸カリウム5.528 g及びジメチルスルホキ
シト50m1、トルエン30m1を撹拌装置及び留出系
を備えた反応器に入れ、系を窒素置換した後約125℃
に加熱した。約40分間共沸により生成する水を取り除
いた後、145℃まで昇温させ1時間反応させた。得ら
れた反応物を冷却し、メタノール1fJの中へ反応物を
うつし、析出したポリマーを水速流下で3回抽出処理す
ることによりジメチルスルホキシド、及び無機塩を除去
し、150℃で4時間乾燥した。得られたポリマーはη
sp/c = 0.58.7g2236℃であった。
実施例4 実施例3においてビスフェノールAのかわりに4.4′
−ジヒドロキシビフェニル3.724 gを用いた以外
は全く同じ操作を行った系において、得られたポリマー
はηsp/c= 0.69、Tg=253℃であった。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) [式中、Arは2価の芳香族基を表す。] で示される繰返し単位から主としてなり、固有粘度が0
    .3以上のポリアリールエーテルスルホン。
  2. (2)下記式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) [式中、Xはハロゲン原子を表す。] で示されるビス(p−ハロフェニルスルホニル)ナフタ
    レンと、該ビス(p−ハロフェニルスルホニル)ナフタ
    レンに対して実質的に等モルの芳香族ジヒドロキシ化合
    物をアルカリの存在下で反応させることを特徴とするポ
    リアリールエーテルスルホンの製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09148943A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Nec Corp ビタビ復号装置
US6301314B1 (en) 1996-10-24 2001-10-09 Sony Corporation Viterbi decoding apparatus and viterbi decoding method
US8889524B2 (en) 2012-05-08 2014-11-18 Jsr Corporation Substrate treating method, stack and semiconductor device

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JP2500849Y2 (ja) * 1990-07-05 1996-06-12 松下精工株式会社 レンジフ―ド

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