JPS6373556A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS6373556A JPS6373556A JP61217761A JP21776186A JPS6373556A JP S6373556 A JPS6373556 A JP S6373556A JP 61217761 A JP61217761 A JP 61217761A JP 21776186 A JP21776186 A JP 21776186A JP S6373556 A JPS6373556 A JP S6373556A
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子の、半導体基板内の構造に関す
る。
る。
本発明は、固体撮像素子の構造において、半導体基板内
の表面部分に形成された、基板と反対の型の不純物層内
の素子分離領域に、基板と同じ型の不純物層を埋め込む
ことにより、隣接する他の受光部へ回り込む電荷を基板
と同じ型の不純物層を通して基板側に排出し、電荷の回
シ込みを防止するものである。
の表面部分に形成された、基板と反対の型の不純物層内
の素子分離領域に、基板と同じ型の不純物層を埋め込む
ことにより、隣接する他の受光部へ回り込む電荷を基板
と同じ型の不純物層を通して基板側に排出し、電荷の回
シ込みを防止するものである。
従来の固体撮像素子の受光部の構造を第２図に示す。Ｎ
型シリコン基板２０１内の表面部分に、Ｐ型不純物層２
０２がほぼ一様の深さで全面に形成されており、このＰ
型不純物層内に、Ｎ型不純物により、受光領域２０３、
電荷引出し領域２０４が形成されている。さらに前記Ｎ
型シリコン基板２０１上には、ゲート絶縁膜２０５、そ
の上に多結晶シリコンなどよりなるゲート電極２０６、
前記電荷引出し領域２０４上にアルミニウムなどよυな
る引出し配線２０７が形成されている。隣接する受光素
子の間は、厚い二酸化硅素膜２０８によシ素子分離され
ている。
型シリコン基板２０１内の表面部分に、Ｐ型不純物層２
０２がほぼ一様の深さで全面に形成されており、このＰ
型不純物層内に、Ｎ型不純物により、受光領域２０３、
電荷引出し領域２０４が形成されている。さらに前記Ｎ
型シリコン基板２０１上には、ゲート絶縁膜２０５、そ
の上に多結晶シリコンなどよりなるゲート電極２０６、
前記電荷引出し領域２０４上にアルミニウムなどよυな
る引出し配線２０７が形成されている。隣接する受光素
子の間は、厚い二酸化硅素膜２０８によシ素子分離され
ている。
しかし、前述の従来の構造は、基板と反対の型の不純物
層（以下、ＷＥＬＬという）の深部で発生した電荷が、
ＷＥＬＬ内を通って、隣接する他の受光部へ回シ込んで
しまうという問題点を有していた。
層（以下、ＷＥＬＬという）の深部で発生した電荷が、
ＷＥＬＬ内を通って、隣接する他の受光部へ回シ込んで
しまうという問題点を有していた。
本発明は、このような従来の固体撮像素子の問題点を解
決するもので、その目的とするところは、ＷＥＬＬ内で
発生した電荷が、隣接する他の受光部へ回り込むのを防
ぐ固体撮像素子の構造を提供することにある。
決するもので、その目的とするところは、ＷＥＬＬ内で
発生した電荷が、隣接する他の受光部へ回り込むのを防
ぐ固体撮像素子の構造を提供することにある。
本発明の固体撮像素子の構造は、半導体基板内の表面部
分に形成された、基板と反対の型の不純物層内の素子分
離領域に、基板と同じ型の不純物層が埋め込まれている
ことを特徴とする。
分に形成された、基板と反対の型の不純物層内の素子分
離領域に、基板と同じ型の不純物層が埋め込まれている
ことを特徴とする。
第１図は、本発明の実施例における固体撮像素子の受光
部の構造図であって、Ｎチャンネル型ＭＯ８）ランジス
タを例示する。
部の構造図であって、Ｎチャンネル型ＭＯ８）ランジス
タを例示する。
比抵抗１０（Ω−ｃｒＩＬ）のＮ型シリコン基板１０１
表面の素子分離領域に相当する部分に、Ｎ型不純物７０
２を例えば、アンチモン（ｓｂ）を表面濃度的Ｉ Ｘ
２０ （ｃＩＩＬ−’）で埋め込む。その後、Ｎ型シリ
コン基板１０１上１ｃＰ型不純物、例えば硼素ＣＢ）を
含むエピタキシャル層１０３を、厚さ約１０〜２０μｍ
つむ。この後、熱処理によって、Ｎ型不純物１０２を、
Ｐ型エピタキシャル層１０３内に拡散させる。
表面の素子分離領域に相当する部分に、Ｎ型不純物７０
２を例えば、アンチモン（ｓｂ）を表面濃度的Ｉ Ｘ
２０ （ｃＩＩＬ−’）で埋め込む。その後、Ｎ型シリ
コン基板１０１上１ｃＰ型不純物、例えば硼素ＣＢ）を
含むエピタキシャル層１０３を、厚さ約１０〜２０μｍ
つむ。この後、熱処理によって、Ｎ型不純物１０２を、
Ｐ型エピタキシャル層１０３内に拡散させる。
Ｎ型不純物１０２層に囲まれた、Ｐ型エピタキシャル層
１０３内には、Ｎ型不純物、例えばリン（Ｐ）等により
、受光領域１０４、電荷引出し領域１０５が、深さ約１
μｍで形成されており、Ｐ型エピタキシャル層１０３上
には、ゲート絶縁膜１０６、その上の多結晶シリコンな
どよシなるゲート電極１０７、電荷引出し領域１０５上
にアルミニウムなどよりなる引出し配線１０８が形成さ
れている。
１０３内には、Ｎ型不純物、例えばリン（Ｐ）等により
、受光領域１０４、電荷引出し領域１０５が、深さ約１
μｍで形成されており、Ｐ型エピタキシャル層１０３上
には、ゲート絶縁膜１０６、その上の多結晶シリコンな
どよシなるゲート電極１０７、電荷引出し領域１０５上
にアルミニウムなどよりなる引出し配線１０８が形成さ
れている。
隣接する受光素子の間は、厚さ約１μｍの二酸化硅素膜
１０９によシ、素子分離されておシ、１前記二酸化硅素
膜１０９の下には、前記Ｎ型不純物１０２が埋め込まれ
ている。
１０９によシ、素子分離されておシ、１前記二酸化硅素
膜１０９の下には、前記Ｎ型不純物１０２が埋め込まれ
ている。
以上述べたように本発明によれば、基板と反対の型の不
純物層内の、素子分離領域下に、基板と同じ型の不純物
層が埋め込まれているため、基板と反対の型の不純物層
の深部で発生し、隣接する他の受光素子へ回り込もうと
する電荷は、埋め込まれた、基板と同じ型の不純物層を
通って基板側に排出され、他の受光部へ回り込むのを防
ぐことが可能となる。
純物層内の、素子分離領域下に、基板と同じ型の不純物
層が埋め込まれているため、基板と反対の型の不純物層
の深部で発生し、隣接する他の受光素子へ回り込もうと
する電荷は、埋め込まれた、基板と同じ型の不純物層を
通って基板側に排出され、他の受光部へ回り込むのを防
ぐことが可能となる。
第１図は、本発明による実施例の固体撮像素子の受光部
の構造を示す断固図である。 第２図は、従来の固体撮像素子の受光部の構造を示す断
面図である。 １０１・・・Ｎ型シリコン基板 １０２・・・Ｎ型不純物 １０３・・・ＰＷエピタキシャル層 １０４・・・受光領域 １０５・・・電荷引出し領域 １０６・・・ゲート絶縁膜 １０７・・・ゲート電極 １０８・・・引出し配線 １０９・・・素子分離二酸化硅素膜 ２０１・・・Ｎ型シリコン基板 ２０２・・・Ｐ型不純物層 ２０３・・・受光領域 ２０４・・・電荷引出し領域 ２０５・・・ゲート絶縁膜 ２０６・・・ゲート電極 ２０７・・・電荷引出し配線 ２０８・・・素子分離二酸化珪素膜 以上
の構造を示す断固図である。 第２図は、従来の固体撮像素子の受光部の構造を示す断
面図である。 １０１・・・Ｎ型シリコン基板 １０２・・・Ｎ型不純物 １０３・・・ＰＷエピタキシャル層 １０４・・・受光領域 １０５・・・電荷引出し領域 １０６・・・ゲート絶縁膜 １０７・・・ゲート電極 １０８・・・引出し配線 １０９・・・素子分離二酸化硅素膜 ２０１・・・Ｎ型シリコン基板 ２０２・・・Ｐ型不純物層 ２０３・・・受光領域 ２０４・・・電荷引出し領域 ２０５・・・ゲート絶縁膜 ２０６・・・ゲート電極 ２０７・・・電荷引出し配線 ２０８・・・素子分離二酸化珪素膜 以上
Claims (1)
- 半導体基板内の表面部分に形成された、基板と反対の型
の不純物層内の素子分離領域に、基板と同じ型の不純物
層が埋め込まれていることを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217761A JPS6373556A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217761A JPS6373556A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373556A true JPS6373556A (ja) | 1988-04-04 |
Family
ID=16709320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61217761A Pending JPS6373556A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6373556A (ja) |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61217761A patent/JPS6373556A/ja active Pending
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