JPH0521779A - Ｃｃｄ固体撮像装置 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像装置Info
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- JPH0521779A JPH0521779A JP3171302A JP17130291A JPH0521779A JP H0521779 A JPH0521779 A JP H0521779A JP 3171302 A JP3171302 A JP 3171302A JP 17130291 A JP17130291 A JP 17130291A JP H0521779 A JPH0521779 A JP H0521779A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 水平シフトレジスタの転送効率を向上させる
ＣＣＤ固体撮像装置を提供する。 【構成】 水平シフトレジスタ３のＮ形半導体基板１上
に電荷転送用のＰ領域４６ａ及び埋込みチャネル領域４
７ａを直接形成する。Ｎ形埋込み領域４７ａ上にゲート
絶縁膜４８を介して転送電極５６を形成する。
ＣＣＤ固体撮像装置を提供する。 【構成】 水平シフトレジスタ３のＮ形半導体基板１上
に電荷転送用のＰ領域４６ａ及び埋込みチャネル領域４
７ａを直接形成する。Ｎ形埋込み領域４７ａ上にゲート
絶縁膜４８を介して転送電極５６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばエリアイメージ
センサに用いられるＣＣＤ固体撮像装置に関する。
センサに用いられるＣＣＤ固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、エリアイメージセンサとなるＣＣ
Ｄ固体撮像装置は、例えばインターライン転送方式、或
はフレームインターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装
置が知られている。インターライン転送方式のＣＣＤ固
体撮像装置は、図９に示すように複数の受光部１がマト
リックス状に配列され、各列に対応する受光部１の一側
にＣＣＤ構造の垂直シフトレジスタ２が配されると共
に、各垂直シフトレジスタ２の一端に同様にＣＣＤ構造
の共通の水平シフトレジスタ３が設けられ、受光部１で
光電変換された信号電荷を読み出しゲート部４を通じて
垂直シフトレジスタ２に読み出し、この信号電荷を垂直
シフトレジスタ２によって４相駆動で水平シフトレジス
タ３に転送し、さらに水平シフトレジスタ３内を例えば
２相駆動で転送し、出力アンプ５を通じて出力端子ｔ1
より順次この信号を出力するように構成される。また、
フレームインターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置
は、図１０に示すように複数の受光部１がマトリックス
状に配され、各列に対応する受光部１の一側に受光部１
の信号電荷を垂直方向に転送するＣＣＤ構造の垂直シフ
トレジスタ２が配された撮像部７と、撮像部７の各垂直
シフトレジスタ７と１対１で対応する同様にＣＣＤ構造
の複数の垂直シフトレジスタ８を有して撮像部７で発生
した信号電荷を一時蓄積するための蓄積部９と、蓄積部
９からの信号電荷を水平方向に転送して出力するための
ＣＣＤ構造の水平シフトレジスタ３とを有して構成され
る。撮像部７の垂直シフトレジスタ２及び蓄積部９の垂
直シフトレジスタ８は、いずれも例えば４相駆動方式が
とられ、水平シフトレジスタ３は例えば２相駆動方式が
とられている。
Ｄ固体撮像装置は、例えばインターライン転送方式、或
はフレームインターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装
置が知られている。インターライン転送方式のＣＣＤ固
体撮像装置は、図９に示すように複数の受光部１がマト
リックス状に配列され、各列に対応する受光部１の一側
にＣＣＤ構造の垂直シフトレジスタ２が配されると共
に、各垂直シフトレジスタ２の一端に同様にＣＣＤ構造
の共通の水平シフトレジスタ３が設けられ、受光部１で
光電変換された信号電荷を読み出しゲート部４を通じて
垂直シフトレジスタ２に読み出し、この信号電荷を垂直
シフトレジスタ２によって４相駆動で水平シフトレジス
タ３に転送し、さらに水平シフトレジスタ３内を例えば
２相駆動で転送し、出力アンプ５を通じて出力端子ｔ1
より順次この信号を出力するように構成される。また、
フレームインターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置
は、図１０に示すように複数の受光部１がマトリックス
状に配され、各列に対応する受光部１の一側に受光部１
の信号電荷を垂直方向に転送するＣＣＤ構造の垂直シフ
トレジスタ２が配された撮像部７と、撮像部７の各垂直
シフトレジスタ７と１対１で対応する同様にＣＣＤ構造
の複数の垂直シフトレジスタ８を有して撮像部７で発生
した信号電荷を一時蓄積するための蓄積部９と、蓄積部
９からの信号電荷を水平方向に転送して出力するための
ＣＣＤ構造の水平シフトレジスタ３とを有して構成され
る。撮像部７の垂直シフトレジスタ２及び蓄積部９の垂
直シフトレジスタ８は、いずれも例えば４相駆動方式が
とられ、水平シフトレジスタ３は例えば２相駆動方式が
とられている。
【０００３】之等、インターライン転送方式のＣＣＤ固
体撮像装置６及びフレームインターライン転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像装置１０において、その受光部１から垂直
シフトレジスタ２にかけてのＩ−Ｉ′線上の断面構造、
及び水平シフトレジスタ３のII−II′線上の断面構造は
例えば図４及び図５に示すように構成されている。即
ち、図４に示すように第１導電形例えばＮ形の半導体基
板２０上に低濃度の第２導電形即ちＰ形のウエル領域
（以下Ｐ- ウエル領域という）２１が形成され、このＰ
- ウエル領域２１に受光部１と垂直シフトレジスタ２が
形成されている。受光部１は例えばＰ- ウエル領域２１
上にＰ- ウエル領域２１とでフォトダイオードを構成す
るＮ- 領域２２を形成し、さらにＮ- 領域２２の表面に
正孔蓄積層となるＰ+ 領域２３を形成した所謂埋込みフ
ォトダイオード構造で構成されている。一方、垂直シフ
トレジスタ２は、Ｐ- ウエル領域上に之より高濃度のＰ
領域２５及びＮ形の埋込みチャネル領域２６を順次形成
して所謂埋込みチャネル型とし、この埋込みチャネル領
域２６上にゲート絶縁膜２８を介して例えば多結晶シリ
コンからなる４相駆動の転送電極２９を形成して構成さ
れる。受光部１と垂直シフトレジスタ２間の読み出しゲ
ート部４は、Ｐ- ウエル領域２１上に之より高濃度のＰ
領域３１を形成し、この上にゲート絶縁膜２８を介して
転送電極２９を延長形成して構成される。３０はＳｉＯ
2 等の絶縁膜、３２はＰ+ チャネルストップ領域を示
す。水平シフトレジスタ３は図５に示すように、Ｐ- ウ
エル領域２１上に上記のＰ領域２５及びＮ領域２６と同
時に形成したＰ領域２５ａ及びＮ形の埋込みチャネル領
域２６ａを形成して所謂埋込みチャネル型となし、この
埋込みチャネル領域２６ａ上にゲート絶縁膜２９を介し
て例えば多結晶シリコンからなる２相駆動の転送電極、
即ちストレージ電極３４及びトランスファ電極３５を組
とした転送電極３６を形成して構成される。尚、図６は
受光部１のＡ−Ａ′線上のポテンシャルを示し、図７は
垂直シフトレジスタ２のＢ−Ｂ′線上のポテンシャルを
示し、図８は水平シフトレジスタ３のＣ−Ｃ′線上のポ
テンシャルを示す。ｅは信号電荷である。なお、Ｎ形半
導体基板２０の電位を例えば１２Ｖとした。
体撮像装置６及びフレームインターライン転送方式のＣ
ＣＤ固体撮像装置１０において、その受光部１から垂直
シフトレジスタ２にかけてのＩ−Ｉ′線上の断面構造、
及び水平シフトレジスタ３のII−II′線上の断面構造は
例えば図４及び図５に示すように構成されている。即
ち、図４に示すように第１導電形例えばＮ形の半導体基
板２０上に低濃度の第２導電形即ちＰ形のウエル領域
（以下Ｐ- ウエル領域という）２１が形成され、このＰ
- ウエル領域２１に受光部１と垂直シフトレジスタ２が
形成されている。受光部１は例えばＰ- ウエル領域２１
上にＰ- ウエル領域２１とでフォトダイオードを構成す
るＮ- 領域２２を形成し、さらにＮ- 領域２２の表面に
正孔蓄積層となるＰ+ 領域２３を形成した所謂埋込みフ
ォトダイオード構造で構成されている。一方、垂直シフ
トレジスタ２は、Ｐ- ウエル領域上に之より高濃度のＰ
領域２５及びＮ形の埋込みチャネル領域２６を順次形成
して所謂埋込みチャネル型とし、この埋込みチャネル領
域２６上にゲート絶縁膜２８を介して例えば多結晶シリ
コンからなる４相駆動の転送電極２９を形成して構成さ
れる。受光部１と垂直シフトレジスタ２間の読み出しゲ
ート部４は、Ｐ- ウエル領域２１上に之より高濃度のＰ
領域３１を形成し、この上にゲート絶縁膜２８を介して
転送電極２９を延長形成して構成される。３０はＳｉＯ
2 等の絶縁膜、３２はＰ+ チャネルストップ領域を示
す。水平シフトレジスタ３は図５に示すように、Ｐ- ウ
エル領域２１上に上記のＰ領域２５及びＮ領域２６と同
時に形成したＰ領域２５ａ及びＮ形の埋込みチャネル領
域２６ａを形成して所謂埋込みチャネル型となし、この
埋込みチャネル領域２６ａ上にゲート絶縁膜２９を介し
て例えば多結晶シリコンからなる２相駆動の転送電極、
即ちストレージ電極３４及びトランスファ電極３５を組
とした転送電極３６を形成して構成される。尚、図６は
受光部１のＡ−Ａ′線上のポテンシャルを示し、図７は
垂直シフトレジスタ２のＢ−Ｂ′線上のポテンシャルを
示し、図８は水平シフトレジスタ３のＣ−Ｃ′線上のポ
テンシャルを示す。ｅは信号電荷である。なお、Ｎ形半
導体基板２０の電位を例えば１２Ｖとした。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来例にあっては、次のような理由で水平シフトレジス
タ３における電荷の転送効率が悪化するという問題があ
った。すなわち、図４に示すＰ- ウエル領域２１は、受
光部１の赤色感度を上げるために形成されているもので
あるが、これは撮像装置の全面、即ち垂直シフトレジス
タ２や水平シフトレジスタ３にも形成されている。一
方、ＣＣＤのブルーミングを抑えるためには垂直シフト
レジスタ２のＰ領域２５の不純物濃度を濃くして図７に
示すＰ領域２５の部分のポテンシャルを下げる必要があ
るが、その場合、図５に示すように水平シフトレジスタ
３２にもＰ領域２５と同時形成のＰ領域２５ａが形成さ
れているため、垂直シフトレジスタ２のみならず水平シ
フトレジスタ３のＰ領域２５ａのポテンシャルも下が
り、これに伴いＰ領域２５ａ及びＰ- ウエル領域２１の
ポテンシャルがニュートラル（即ちこの場合０Ｖ）にな
ってくる（図７及び図８のポテンシャル図参照）。そし
て、これらＰ- ウエル領域２１及びＰ領域２５ａのニュ
ートラル化によって、埋込みチャネル領域２７ａのポテ
ンシャルが固定されるため、埋込みチャネル領域２７ａ
のフリンジ電界が弱くなって転送効率が悪化してしま
う。
従来例にあっては、次のような理由で水平シフトレジス
タ３における電荷の転送効率が悪化するという問題があ
った。すなわち、図４に示すＰ- ウエル領域２１は、受
光部１の赤色感度を上げるために形成されているもので
あるが、これは撮像装置の全面、即ち垂直シフトレジス
タ２や水平シフトレジスタ３にも形成されている。一
方、ＣＣＤのブルーミングを抑えるためには垂直シフト
レジスタ２のＰ領域２５の不純物濃度を濃くして図７に
示すＰ領域２５の部分のポテンシャルを下げる必要があ
るが、その場合、図５に示すように水平シフトレジスタ
３２にもＰ領域２５と同時形成のＰ領域２５ａが形成さ
れているため、垂直シフトレジスタ２のみならず水平シ
フトレジスタ３のＰ領域２５ａのポテンシャルも下が
り、これに伴いＰ領域２５ａ及びＰ- ウエル領域２１の
ポテンシャルがニュートラル（即ちこの場合０Ｖ）にな
ってくる（図７及び図８のポテンシャル図参照）。そし
て、これらＰ- ウエル領域２１及びＰ領域２５ａのニュ
ートラル化によって、埋込みチャネル領域２７ａのポテ
ンシャルが固定されるため、埋込みチャネル領域２７ａ
のフリンジ電界が弱くなって転送効率が悪化してしま
う。
【０００５】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とすることろは、水平シフトレジス
タの転送効率を向上しうるＣＣＤ固体撮像装置を提供す
ることにある。
たもので、その目的とすることろは、水平シフトレジス
タの転送効率を向上しうるＣＣＤ固体撮像装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、受光部にて光
電変換された電荷を垂直シフトレジスタ２及び水平シフ
トレジスタ３を介して転送するＣＣＤ固体撮像装置にお
いて、受光部１を第１導電形半導体基板４１上の第２導
電形ウエル領域４２に形成し、垂直シフトレジスタ２を
上記第２導電形ウエル領域４２に電荷転送領域４７を形
成して構成し、水平シフトレジスタ３を上記第１導電形
半導体基板４１上に直接、電荷転送領域４７ａを形成し
て構成するようになす。
電変換された電荷を垂直シフトレジスタ２及び水平シフ
トレジスタ３を介して転送するＣＣＤ固体撮像装置にお
いて、受光部１を第１導電形半導体基板４１上の第２導
電形ウエル領域４２に形成し、垂直シフトレジスタ２を
上記第２導電形ウエル領域４２に電荷転送領域４７を形
成して構成し、水平シフトレジスタ３を上記第１導電形
半導体基板４１上に直接、電荷転送領域４７ａを形成し
て構成するようになす。
【０００７】
【作用】かかる構成を有する本発明にあっては、水平シ
フトレジスタ３に第２導電形ウエル領域４２が形成され
ていないので、その分だけ電荷転送領域４７ａ下に隣接
する部分４６ａのポテンシャルの山が低くなり、この結
果、この隣接する部分４６ａがより空乏化し易くなって
ニュートラルになることが防止される。従って、本発明
によれば、電荷転送領域４７ａのポテンシャルが固定さ
れず、そのフリンジ電界を弱めることが回避され、水平
シフトレジスタ３の転送効率が向上する。
フトレジスタ３に第２導電形ウエル領域４２が形成され
ていないので、その分だけ電荷転送領域４７ａ下に隣接
する部分４６ａのポテンシャルの山が低くなり、この結
果、この隣接する部分４６ａがより空乏化し易くなって
ニュートラルになることが防止される。従って、本発明
によれば、電荷転送領域４７ａのポテンシャルが固定さ
れず、そのフリンジ電界を弱めることが回避され、水平
シフトレジスタ３の転送効率が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係るＣＣＤ固体撮像装置の一
実施例について図面を参照して説明する。
実施例について図面を参照して説明する。
【０００９】図１及び図２は、本発明に係るＣＣＤ固体
撮像装置の要部を示す断面図である。尚、本例は前述の
図９又は図１０のエリアイメージセンサであるＣＣＤ固
体撮像装置に適用し得るもので図１及び図２はそのＩ−
Ｉ′線上の断面及びII−II′線上の断面に対応する。
撮像装置の要部を示す断面図である。尚、本例は前述の
図９又は図１０のエリアイメージセンサであるＣＣＤ固
体撮像装置に適用し得るもので図１及び図２はそのＩ−
Ｉ′線上の断面及びII−II′線上の断面に対応する。
【００１０】本例においては、図２に示すように受光部
１及び垂直シフトレジスタ２に関する構成は、前述の図
４の構成と同様である。即ち、第１導電形例えばＮ形の
半導体基板４１上に濃度の薄い第２導電形すなわちＰ形
のウエル領域（以下Ｐ- ウエル領域という）４２が形成
され、このＰ- ウエル領域４２に受光部１と垂直シフト
レジスタ２が形成される。このＰ- ウエル領域４２は、
受光部１の赤色感度を上げるためのものである。受光部
１は、Ｐ- ウエル領域４２上にＰ- ウエル領域４２とで
フォトダイオードを構成するＮ- 領域４３を形成しさら
にＮ- 領域４３の表面に正孔蓄積層となるＰ+ 領域４４
を形成した所謂埋込みフォトダイオード構造で構成され
る。垂直シフトレジスタ２は、Ｐ- ウエル領域４２上に
之より高濃度のＰ領域４６及びＮ形の埋込みチャネル領
域４７を順次形成して所謂埋込みチャネル型とし、この
埋込みチャネル領域４７上にゲート絶縁膜４８を介して
例えば多結晶シリコンからなる４相駆動の転送電極４９
を形成して構成される。受光部１と垂直シフトレジスタ
２間の読み出しゲート部４も図４と同様に、Ｐ- ウエル
領域４２上に之より高濃度のＰ領域５１を形成し、この
上にゲート絶縁膜４８を介して転送電極４９を延長形成
して構成される。５２はＳｉＯ2 等の絶縁膜、５３はＰ
+ チャネルストップ領域を示す。
１及び垂直シフトレジスタ２に関する構成は、前述の図
４の構成と同様である。即ち、第１導電形例えばＮ形の
半導体基板４１上に濃度の薄い第２導電形すなわちＰ形
のウエル領域（以下Ｐ- ウエル領域という）４２が形成
され、このＰ- ウエル領域４２に受光部１と垂直シフト
レジスタ２が形成される。このＰ- ウエル領域４２は、
受光部１の赤色感度を上げるためのものである。受光部
１は、Ｐ- ウエル領域４２上にＰ- ウエル領域４２とで
フォトダイオードを構成するＮ- 領域４３を形成しさら
にＮ- 領域４３の表面に正孔蓄積層となるＰ+ 領域４４
を形成した所謂埋込みフォトダイオード構造で構成され
る。垂直シフトレジスタ２は、Ｐ- ウエル領域４２上に
之より高濃度のＰ領域４６及びＮ形の埋込みチャネル領
域４７を順次形成して所謂埋込みチャネル型とし、この
埋込みチャネル領域４７上にゲート絶縁膜４８を介して
例えば多結晶シリコンからなる４相駆動の転送電極４９
を形成して構成される。受光部１と垂直シフトレジスタ
２間の読み出しゲート部４も図４と同様に、Ｐ- ウエル
領域４２上に之より高濃度のＰ領域５１を形成し、この
上にゲート絶縁膜４８を介して転送電極４９を延長形成
して構成される。５２はＳｉＯ2 等の絶縁膜、５３はＰ
+ チャネルストップ領域を示す。
【００１１】一方、水平シフトレジスタ３は図１に示す
ように従来例の場合と異なり、Ｐ- ウエル領域が形成さ
れない。すなわち、Ｎ形半導体基板４１上に直接垂直シ
フトレジスタ２のＰ領域４６及び埋込みチャネル領域４
７に対応する（即ち、Ｐ領域４６、埋込みチャネル領域
４７と同時形成の）Ｐ領域４６ａ及びＮ形の埋込みチャ
ネル領域４７ａを形成して所謂埋込みチャネル型とな
し、この埋込みチャネル領域４６ａ上にゲート絶縁膜４
８を介して例えば多結晶シリコンからなる２相駆動の転
送電極、即ちストレージ電極４５及びトランスファ電極
５５を組とした転送電極５６を形成して構成される。
ように従来例の場合と異なり、Ｐ- ウエル領域が形成さ
れない。すなわち、Ｎ形半導体基板４１上に直接垂直シ
フトレジスタ２のＰ領域４６及び埋込みチャネル領域４
７に対応する（即ち、Ｐ領域４６、埋込みチャネル領域
４７と同時形成の）Ｐ領域４６ａ及びＮ形の埋込みチャ
ネル領域４７ａを形成して所謂埋込みチャネル型とな
し、この埋込みチャネル領域４６ａ上にゲート絶縁膜４
８を介して例えば多結晶シリコンからなる２相駆動の転
送電極、即ちストレージ電極４５及びトランスファ電極
５５を組とした転送電極５６を形成して構成される。
【００１２】かかる構成を有する本実施例にあっては、
水平シフトレジスタ３のチャネル部（所謂電荷転送領
域）を形成するＮ形埋込みチャネル領域４７ａの下方に
Ｐ- ウエル領域が形成されていないので、図３（水平シ
フトレジスタ３のＤ−Ｄ′線上のポテンシャル図）に示
すようにＰ領域４７ａのポテンシャルの山が低くなり、
このＰ領域４７ａはより空乏化が強くなって電位が上が
り、ニュートラルになることが防止される。従って、本
実施例によれば、Ｎ形埋込みチャネル領域４７ａの実質
的なチャネル部のポテンシャルが固定されず、そのフリ
ンジ電界を弱めることが回避されるので、転送効率の向
上を図ることができる。また、従来、Ｐ- ウエル領域は
埋込みチャネル領域４７ａから離れた領域に形成されて
いたので、Ｐ- ウエル領域を取り去っても埋込みチャネ
ル領域４７ａのチャネル部の最大電位（図３の矢印Ａの
電位）に影響を及ぼすことはない。
水平シフトレジスタ３のチャネル部（所謂電荷転送領
域）を形成するＮ形埋込みチャネル領域４７ａの下方に
Ｐ- ウエル領域が形成されていないので、図３（水平シ
フトレジスタ３のＤ−Ｄ′線上のポテンシャル図）に示
すようにＰ領域４７ａのポテンシャルの山が低くなり、
このＰ領域４７ａはより空乏化が強くなって電位が上が
り、ニュートラルになることが防止される。従って、本
実施例によれば、Ｎ形埋込みチャネル領域４７ａの実質
的なチャネル部のポテンシャルが固定されず、そのフリ
ンジ電界を弱めることが回避されるので、転送効率の向
上を図ることができる。また、従来、Ｐ- ウエル領域は
埋込みチャネル領域４７ａから離れた領域に形成されて
いたので、Ｐ- ウエル領域を取り去っても埋込みチャネ
ル領域４７ａのチャネル部の最大電位（図３の矢印Ａの
電位）に影響を及ぼすことはない。
【００１３】また、上述の実施例においては垂直、水平
シフトレジスタにおけるＰ領域４６，４６ａの不純物濃
度を等しくなるようにしたが、本発明によればこれらを
異なるようにすることもできる。その場合、受光部１の
ブルーミングマージンの確保や白点低減が容易になると
共に、水平シフトレジスタ３の転送効率をより向上させ
ることが可能となる効果がある。
シフトレジスタにおけるＰ領域４６，４６ａの不純物濃
度を等しくなるようにしたが、本発明によればこれらを
異なるようにすることもできる。その場合、受光部１の
ブルーミングマージンの確保や白点低減が容易になると
共に、水平シフトレジスタ３の転送効率をより向上させ
ることが可能となる効果がある。
【００１４】尚、上述の実施例は埋込みチャネル型のも
のであるが、本発明はこれらに限られることはなく、表
面チャネル型のものにも適用することができる。
のであるが、本発明はこれらに限られることはなく、表
面チャネル型のものにも適用することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明にあっては、水
平シフトレジスタ下にはウエル領域が形成されていない
ので、受光部での赤外感度を良好に、且つブルーミング
マージンを確保したまま、水平シフトレジスタにおける
転送効率を向上させることが可能になる。
平シフトレジスタ下にはウエル領域が形成されていない
ので、受光部での赤外感度を良好に、且つブルーミング
マージンを確保したまま、水平シフトレジスタにおける
転送効率を向上させることが可能になる。
【図１】本実施例の水平シフトレジスタの構成を示す断
面図である。
面図である。
【図２】同実施例の受光部及び垂直シフトレジスタの構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図３】図１のＤ−Ｄ′断面のポテンシャルを示すグラ
フである。
フである。
【図４】従来例の受光部及び垂直シフトレジスタの構成
を示す図９，図１０のＩ−Ｉ′断面図である。
を示す図９，図１０のＩ−Ｉ′断面図である。
【図５】従来例の水平シフトレジスタの構成を示す図
９，図１０のII−II′断面図である。
９，図１０のII−II′断面図である。
【図６】図４のＡ−Ａ′線上のポテンシャルを示すグラ
フである。
フである。
【図７】図４のＢ−Ｂ′線上のポテンシャルを示すグラ
フである。
フである。
【図８】図５のＣ−Ｃ′線上のポテンシャルを示すグラ
フである。
フである。
【図９】インターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像装置
の構成図である。
の構成図である。
【図１０】フレームインターライン転送方式のＣＣＤ固
体撮像装置の構成図である。
体撮像装置の構成図である。
１ 受光部 ２ 垂直シフトレジスタ ３ 水平シフトレジスタ ４１ Ｎ形半導体基板 ４２ Ｐ- ウエル領域 ４６，４６ａ Ｐ領域 ４７，４７ａ 埋込みチャネル領域
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 受光部にて光電変換された電荷を垂直シ
フトレジスタ及び水平シフトレジスタを介して転送する
ＣＣＤ固体撮像装置において、上記受光部は、第１導電
形半導体基板上の第２導電形ウエル領域に形成され、上
記垂直シフトレジスタは上記第２導電形ウエル領域に電
荷転送領域を形成して構成され、上記水平シフトレジス
タは上記第１導電形半導体基板上に直接、電荷転送領域
を形成して構成されてなるＣＣＤ固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171302A JPH0521779A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3171302A JPH0521779A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521779A true JPH0521779A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15920767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3171302A Pending JPH0521779A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006033506A1 (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | International Display Solutions Co., Ltd. | Ccd solid-state image pickup device |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP3171302A patent/JPH0521779A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006033506A1 (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | International Display Solutions Co., Ltd. | Ccd solid-state image pickup device |
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