JPS636736A - 磁気レンズシステム - Google Patents

磁気レンズシステム

Info

Publication number
JPS636736A
JPS636736A JP62153574A JP15357487A JPS636736A JP S636736 A JPS636736 A JP S636736A JP 62153574 A JP62153574 A JP 62153574A JP 15357487 A JP15357487 A JP 15357487A JP S636736 A JPS636736 A JP S636736A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
lens system
axis
coil
lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62153574A
Other languages
English (en)
Inventor
トマス・チスホルム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS636736A publication Critical patent/JPS636736A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10Lenses
    • H01J37/14Lenses magnetic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ビームが通り抜ける一対のリング状永久磁石
を有し、これ等のリングは、その軸がビームに沿って同
軸で、軸方向に離間され、軸方向に反対に磁化された、
荷電粒子のビームの磁気レンズシステムに関するもので
ある。
このようなレンズは米国特許第3812365号より知
られており、この米国特許では、レンズは電子顕微鏡の
回転なしくrotation−free) @、磁気レ
ンズして用いられている。この“回転なし”という表現
は、レンズが電子ビームのコンバーゼンスを変えるが同
時に最終的に焦点合せされた電子イメージに何等の回転
を生じないことを言う。磁気レンズの回転効果は、レン
ズを直角に貫通するレンズ軸に沿ってとった磁束密度の
積分に比例することは知られている。この積分は、軸方
向の磁束を、軸に沿って互に続くがその向きが反対であ
る同じ範囲の同じ強さの2つの部分より成るように配設
することによって零にすることができる。レンズの回転
は前記の米国特許明細書におけるようにこの場合零であ
る。けれども、このようなレンズの合焦力は軸に沿った
磁束の2乗の積分に比例するので、磁界の逆転はレンズ
の合焦力に影響を与えない。
磁気レンズシステムの主な用途は一般的に電子ビームパ
ターン発生装置、特に、特定の形状、寸法及び位置のス
ポットに焦点合せされた電子ビームを基板上の電子感応
レジストに書込む電子ビームパターン発生器である。こ
のような発生装置の電子光学は、所定のレジスト露出時
間が段階的なスポット運動の行程の間1つの位置におけ
るスポットの所定の停滞時間内に確実に得られるように
、スポットに一定の直流電流密度を発生するように配設
される。ベクトル走査書込方法で使用される場合に成形
スポットの十分な電位を得るために、スポット寸法は迅
速に、代表的には100nsで変えることができねばな
らない。−定の電流密度では、この変化は必然的に比例
した全ビーム流変化を生じる。電子間の相互作用が全ビ
ーム流に依存した量だけスポットの縁のぼけを生じるこ
とはよく知られている。したがって、ビーム流の変化が
スポットの縁の鮮明度を変える。この縁の鮮明度の幾ら
かは再焦点合せによって補正できるが、けれどもこの再
焦点合せはスポット寸法の変化と同時に行わねばならな
い。ただ、この再焦点合せは、焦点合せされた成形スポ
ットを回転してはならない。
さもなければ、スポットのオーバーラツプ及び他の領域
での露出の結果酸る領域やスポ7)間の間隙に露出過度
があるであろうから、パターンの鮮明度が失われるであ
ろう。
焦点合せ効果は磁束の2乗で決まるので、所定の変化を
遥かに大きな固定磁界に重畳することによって、磁束の
所定の変化による焦点合せ効果の大きな変化を得ること
ができる。基板の丁度前に、最終対物レンズの中心に小
さな微焦点合せレンスを置くことは公知である。けれど
も、このような組合せは回転なしではなく、また微焦点
合せレンズのコイルのインダクタンスが、対物レンズ磁
気回路の存在のために大きい。
本発明の目的は、回転なしでそしてまた迅速な焦点合せ
変化を可能とするために低インダクタンスでもある、荷
電粒子のビームの微焦点合せレンズを得ることにある。
本発明の特徴とするところは、ビームが通り抜ける一対
のリング状永久磁石を有し、これ等のリングは、その軸
がビームに沿って同軸で、軸方向に離間され、軸方向に
反対に磁化された、荷電粒子のビームの磁気レンズシス
テムにおいて、1つが夫々のリングに対する一対の離間
されたホーカスコイルが設けられ、これ等のホーカスコ
イルの軸はビーム方向に沿って同軸に存し、各ホーカス
コイルは関係のリング内にあり、また各ホーカスコイル
は逆直列に接続され、焦点合せされたビームの回転なし
にレンズによる微焦点合せのための調節可能な直流電流
を流すようにしたことにある。か(して、2つの永久磁
石と2つのコイルによる軸方向側磁界は軸に沿って磁界
の反転を有し、したがって両者は別々に回転なしである
ことができる。コイルによる磁界は永久磁石による遥か
に大きな磁界に重畳され、したがってコイルの所定の電
流変化による焦点合せ変化は前述したように遥かに増さ
れる。更にまた、コイルを貫通する磁性材料の閉路がな
いので、そのインダクタンスは低くできる。
本発明の一実施態様では、リング状永久磁石は、磁界を
軸に沿って集中し且つ、軸に向って、フェライト材料よ
り構成された磁極片によって夫々取囲まれ、各ホーカス
コイルはその関係のリングよりも小さな直径を有する。
この実施態様によれば、磁極片の磁気回路は、殆ど磁性
材料のないコイルのインダクタンスを実質的に増加する
ことがない。
したがって、このコイルは、短い焦点合せ時間を得るの
に必要な低インピーダンスである。磁極片の高電気抵抗
の軟フェライトは、コイルの電流が変えられた時に生じ
る残留渦電流効果を最少限にし、電流変化後の新たな磁
界の迅速な成形に寄与する。
本発明の別の実施態様では、磁極片の軸と反対の側は強
磁性外枠内に入れられる。この強磁性外枠は、漂遊磁束
に対する帰路を与える外に、さもなければビームの焦点
合せを妨害することのある外部磁界よりレンズアセンブ
リをしや蔽する。本発明の更に別の実施態様では、各永
久磁石の磁極片の軸に向った側は非磁性で非導電性のス
ペーサで分離される。コイルの電流変化による渦電流は
これによって避けられ、−方磁極片の機械的な剛性が確
保される。このスペーサはセラミック或いはガラスでよ
い。
本発明の更に別の実施態様では、軸から離れた側で、磁
極片と永久磁石との間にギャップが設けられ、このギャ
ップの幅と広さは、磁束を軸上に形成するように選ばれ
る。ギャップのりラフタンスは、磁石の強さに関連して
所望の軸方向磁束が得られるように選ぶことができる。
本発明の磁気レンズは、基板近くの最終対物レンズとし
て用いるのには適さず、したがって最終対物レンズより
前とすることがでる。この場合には、ビームに対するレ
ンズの機械的なミスアライメントの可能性がある。この
ミスアライメントは、ビームの傾き及びその結果として
の焦点合せされたスポットのずれをきたすことがある。
したがって、付加的なアラインメントまたは偏向の補正
が必要であろう。レンズシステムの更に別の実施態様で
は、ビームアラインメントコイルアセンブリが一対のホ
ーカスコイルの場所に設けられる。アラインメント補正
電流は、ビームアラインメントを補正するため、このコ
イルアセンブリのコイルを経て供給されねばならない。
以下に本発明を添付の図面を参照して実施例で説明する
第1図において、管状の真空円柱1の下端の軸方向断面
は基板支持室2にシールされている。上面に電子感応レ
ジストを有する基板3が前記の室内に示されており、基
板の任意の選択された部分を電子ビーム4の下にもたら
すためにその平面内で2次元的に基板を動かすことので
きる図示しないテーブル上に普通取付けられる。すべて
の磁気レンズ素子も軸方向断面で示しである。最終対物
レンズ5はそのコイルの断面として示してあり、関係の
磁極片は図示してない。コイル巻線は6で示されており
、この場合これ等の巻線は図の紙面に垂直である。前記
の対物レンズ5は、図示しない対応して形成されたアパ
ーチャの実像を図示しない電子源よりの広いビームで照
射された円柱の更に上に形成することによって、ビーム
4を基板上の成形スポットに焦点合せする。前記のアパ
ーチャは、本発明の要旨と関係ないためここではその説
明を省略する手段にによってその寸法よ形を変えること
ができる。
電子ビームは、路面で示した偏向コイルアセンブリ7に
よって基板上に偏向される。この偏向コイルアセンブリ
は、主偏向コイルと高速偏向コイルより成るのが普通で
ある。
最8%対物レンズ5の前にはホーカス補正レンズ8が設
けられる。ここに説明するパターン発生装置の特定め形
では、このホーカス補正レンズは、ビームコンバーゼン
スに小さな変化を生じ、この変化が最終対物レンズ5の
主なホーカス効果に加えられる。前記のホーカス補正レ
ンズ8は、最終対物レンズ5とこのレンズ8の間の点に
おいて更に円柱上後方に形成アパーチャの実像をつくら
ない。けれども、別の形では、ホーカス補正レンズは、
基板上の最終イメージかまたは円柱内の中間イメージの
何れかの実像をつくることもできる。
ホーカス補正レンズ8は、ビーム4が通り抜ける一対の
リング状永久磁石9とlOを有する。これ等のリングは
断面で示されており、これ等リングの軸は、ビーム方向
に沿って同軸で、円柱1の軸と一致する。この2つのリ
ングは、次に説明する磁極片と分離素子によって軸方向
に離されている。
前記の2つのリングは、矢印11.12で示したように
軸方向に反対に磁化されている。これ等のリングは、磁
化されたフェライト例えばFerroxdureFDX
270  (商品名)より成る。各磁石に対し、軸に向
って、渦電流の影響を避けるために軟強磁性体より成る
リング状磁極片13.14.15によって個別の環状磁
極片が設けられる。スペーサリング16゜17が磁極片
を分離するために設けられ、これ等はセラミックまたは
ガラスで形成される。これ等のスペーサリングは非磁性
で非導電性なので、渦電流の影響は避けられる。磁極片
の間隔も明確に規定される。セラミックまたはガラスの
非磁性リング18が、主として磁極片14を、ホーカス
補正レンズを包含する円筒状強磁性外枠19より分離す
る。
磁極片14と磁石9及び10との間のギャップ23と2
4は、軸よりの磁束の帰路を制御する。この帰路は、ギ
ャップ幅と磁極片14の外径によって形成されるリラク
タンスで、したがって、永久磁石によって軸上に発生さ
れる磁束の値を制御する。前記の外枠19はレンズを外
部発生磁束よりシールドし、さらに磁石9と10よりの
残留磁束の帰路としても働く。
2つのリング状永久磁石9.10は同寸法で逆方向に同
じ強ざに磁化されている。したがって、レンズ軸すなわ
ちビームに沿った磁束の積分は零で、零イメージ回転を
与える。けれども、同一でない寸法及び同じでなく磁化
された磁石でも零積分を得ることができる。
夫々の磁石に対して1つの一対のホーカスコイル20.
21が設けられ、関係する磁石内に置かれる。
これ等のコイルは円柱の周囲に巻回され、したがってそ
の軸はビームに沿って存する。使用時、この2つのコイ
ルは、調節可能な直流電流を流すように逆直列に接続さ
れる。この2つのコイルにより発生される逆向きの磁界
は、直流電流の大きさまたは向きと無関係に回転のない
レンズ効果を生じる。このコイルの磁界は、永久磁石の
磁界を補足する。けれども、ホーカス効果は全磁束の2
乗に比例するので、コイル磁束の所定の変化により発生
されるホーカス効果は、定常の磁束に加えられ時比例的
に大きくなる。
コイルを通る磁性体が無いことに注意され度い。
したがってこのコイルは本質的に空心でインダクタンス
は低く、迅速なスイッチングを助ける。
実際の場合には、所期のビーム流範囲による予期される
空間電荷の焦点ずれの補正は、各コイルにおいて最大約
6アンペアターンで得ることができる。電流スイッチン
グは約100 ns内で行うことができる。永久磁石は
各ギャップに28.2mTaの軸の磁束密度を生じ、約
109 n+lIlの焦点距離を与える。
各コイルの10アンペアターンの変化は磁束密度を0.
9mTa変え、焦点距離を約5.5111m変える。レ
ンズの軸方向の長さは40mm、外径は70mm及び内
径は25n+mである。これ等の寸法では、組合せの球
面収差は永久磁石レンズ単独の球面収差よりも極く僅か
悪い。
ホーカス補正レンズ8は対物レンズ5と離れているので
、ビームに対するホーカス補正レンズのミスアラインメ
ントの可能性がある。このミスアラインメントは、ビー
ムの傾き及びその結果として合焦スポット位置のずれを
きたすことがある。
対物レンズ5はビームアラインメントコイルアセンブリ
22に対して良好な位置を与える。このコイルアセンブ
リは一組のビーム偏向コイルより成り、このコイルを経
て、偏向コイルアセンブリ7でビームアラインメントを
生じるために適当な直流電流を通すことができる。
最後に、ホーカス補正レンズ8は、ビームの非点収差を
補正するために適当な電流が通される一対のアスチグマ
トール四極コイルアセンブリに対しても都合のよい位置
を与える。このアスチグマトール四極コイルアセンブリ
は普通のもので、図面を見易くするために第1図には図
示してない。
以上本発明を電子ビームパターン発生装置での使用に関
して説明したが、走査電子顕微鏡のような他の電子ビー
ム装置にも使用することができる。荷電粒子のビームは
、代りにイオン化原子または分子より成るものでもよく
、或いはまた基本([undamental)荷電粒子
のビームでもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を説明するための電子ビームパターン発
生装置の真空円柱の下端部の略図的断面図である。 1・・・真空円柱     2・・・基板支持室3・・
・基板       4・・・電子ビーム5・・・最終
対物レンズ 7・・・偏向コイルアセンブリ 訃・・ホーカス補正レンズ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ビームが通り抜ける一対のリング状永久磁石を有し
    、これ等のリングはその軸がビームに沿って同軸で、軸
    方向に離間され、軸方向に反対に磁化された、荷電粒子
    のビームの磁気レンズシステムにおいて、1つが夫々の
    リングに対する一対の離間されたホーカスコイルが設け
    られ、これ等のホーカスコイルの軸はビーム方向に沿っ
    て同軸に存し、各ホーカスコイルは関係のリング内にあ
    り、また各ホーカスコイルは逆直列に接続され、焦点合
    せされたビームの回転なしにレンズによる微焦点合せの
    ための調節可能な直流電流を流すことを特徴とする磁気
    レンズシステム。 2、永久磁石は、磁界を軸に沿って集中し且つ、軸に向
    かって軟フェライト材料より構成された磁極片によって
    夫々取囲まれ、各ホーカスコイルはその関係のリングよ
    りも小さいな直径を有する特許請求の範囲第1項記載の
    磁気レンズシステム。 3、磁極片の軸と反対の側は強磁性外枠内に入れられた
    特許請求の範囲第2項記載の磁気レンズシステム。 4、各永久磁石の磁極片の軸に向った側は非磁性で非導
    電性のスペーサで分離された特許請求の範囲第2項また
    は第3項記載の磁気レンズシステム。 5、軸から離れた側で、磁極片と永久磁石との間にギャ
    ップが設けられ、このギャップの幅と広さは、磁束を軸
    上に形成するように選ばれた特許請求の範囲第2、第3
    または第4項の何れか1項記載の磁気レンズシステム。 6、ビームアラインメントコイルアセンブリが一対のホ
    ーカスコイルの場所に設けられた特許請求の範囲第1項
    乃至第5項の何れか1項記載の磁気レンズシステム。 7、2つのホーカスコイルは同じ寸法で同じアンペアタ
    ーンを有し、永久磁石は同じ寸法で同じに磁化された特
    許請求の範囲第1項乃至第6項の何れか1項記載の磁気
    レンズシステム。 8、一対のホーカスコイルの場所にアチグマトールコイ
    ルアセンブリが設けられた特許請求の範囲第1項乃至第
    7項の何れか1項記載の磁気コイルシステム。
JP62153574A 1986-06-25 1987-06-22 磁気レンズシステム Pending JPS636736A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8615466 1986-06-25
GB08615466A GB2192092A (en) 1986-06-25 1986-06-25 Magnetic lens system

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS636736A true JPS636736A (ja) 1988-01-12

Family

ID=10600057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62153574A Pending JPS636736A (ja) 1986-06-25 1987-06-22 磁気レンズシステム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4806766A (ja)
EP (1) EP0251381A3 (ja)
JP (1) JPS636736A (ja)
GB (1) GB2192092A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009157054A1 (ja) * 2008-06-24 2009-12-30 株式会社アドバンテスト マルチコラム電子ビーム露光装置及び磁場発生装置
JP2010219283A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 校正ブロックの製造方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2013069847A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム装置および荷電粒子ビーム描画装置
JP2017126476A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社荏原製作所 ズームレンズ及び検査装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0760661B2 (ja) * 1988-07-22 1995-06-28 株式会社日立製作所 電子顕微鏡
JPH0744143B2 (ja) * 1988-09-20 1995-05-15 株式会社日立製作所 電子線描画装置の外部磁気補正方法
US5481116A (en) * 1994-06-10 1996-01-02 Ibis Technology Corporation Magnetic system and method for uniformly scanning heavy ion beams
US5438203A (en) * 1994-06-10 1995-08-01 Nissin Electric Company System and method for unipolar magnetic scanning of heavy ion beams
US5672879A (en) * 1995-06-12 1997-09-30 Glavish; Hilton F. System and method for producing superimposed static and time-varying magnetic fields
US6201251B1 (en) 1998-08-28 2001-03-13 Nikon Corporation Compensation of space charge in a particle beam system
US6677599B2 (en) * 2000-03-27 2004-01-13 Applied Materials, Inc. System and method for uniformly implanting a wafer with an ion beam
WO2001097245A2 (en) 2000-06-15 2001-12-20 Kla-Tencor, Inc. Sectored magnetic lens and method of use
US6891167B2 (en) * 2000-06-15 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Apparatus and method for applying feedback control to a magnetic lens
WO2001099144A2 (en) 2000-06-22 2001-12-27 Proteros, Llc Ion implantation uniformity correction using beam current control
NL1023260C1 (nl) 2003-04-24 2004-10-27 Fei Co Deeltjes-optisch apparaat met een permanent magnetische lens en een elektrostatische lens.
JP4795847B2 (ja) * 2006-05-17 2011-10-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子レンズ及びそれを用いた荷電粒子線装置
CN101461026B (zh) * 2006-06-07 2012-01-18 Fei公司 与包含真空室的装置一起使用的滑动轴承
EP2019414B1 (en) * 2007-07-27 2010-06-30 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Magnetic lens assembly
CN102668013B (zh) * 2009-11-26 2015-05-27 株式会社日立高新技术 扫描电子显微镜
KR101861210B1 (ko) 2010-10-27 2018-05-25 가부시키가이샤 파람 전자 렌즈 및 전자빔 장치
JP6114981B2 (ja) * 2012-10-17 2017-04-19 株式会社リガク X線発生装置
TWI502616B (zh) * 2014-08-08 2015-10-01 Nat Univ Tsing Hua 桌上型電子顯微鏡以及其廣域可調式磁透鏡
JP6470124B2 (ja) * 2015-06-19 2019-02-13 株式会社東芝 粒子線ビームの制御電磁石及びこれを備えた照射治療装置
JP7271425B2 (ja) 2016-09-09 2023-05-11 ボード オブ リージェンツ,ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム 照射電子ビームの磁気制御用の装置および方法
EP4250334A3 (en) * 2016-12-30 2023-12-06 ASML Netherlands B.V. An apparatus using multiple charged particle beams
CN109175371A (zh) * 2018-11-02 2019-01-11 西安赛隆金属材料有限责任公司 一种磁聚焦器及粉床电子束选区熔化成形设备
EP3881347A1 (en) * 2018-11-16 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Electromagnetic compound lens and charged particle optical system with such a lens
US11462960B2 (en) * 2019-12-02 2022-10-04 Hiwin Mikrosystem Corp. Rotor with first and second permanent magnets having support members and slots
DE102020109441B4 (de) 2020-04-03 2021-11-25 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben einer Objektivlinsenanordnung, Objektivlinsenanordnung und Teilchenstrahlmikroskop

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL185815B (nl) * 1954-03-11 Bayer Ag Werkwijze voor het bestrijden van micro-organismen alsmede gevormd voortbrengsel, geheel of ten dele bestaande uit materiaal, dat volgens deze werkwijze behandeld is.
DE1804199C3 (de) * 1968-03-26 1975-12-18 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Korpuskularstrahlgerät zur wahlweisen Abbildung eines Präparates oder seines Beugungsdiagrammes
NL7203264A (ja) * 1972-03-10 1973-09-12
DE2627176B2 (de) * 1976-06-15 1978-09-14 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Elektronenstrahloptisches Projektionsgerät mit einer langbrennweitigen magnetischen Linse
JPS55143761A (en) * 1979-04-24 1980-11-10 Hitachi Metals Ltd Focus magnet
JPS5953658B2 (ja) * 1980-01-30 1984-12-26 株式会社日立製作所 電子レンズ
GB2115976A (en) * 1982-02-26 1983-09-14 Philips Electronic Associated Charged particle beam apparatus
JPH0760657B2 (ja) * 1985-08-22 1995-06-28 株式会社日立製作所 電子線露光装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009157054A1 (ja) * 2008-06-24 2009-12-30 株式会社アドバンテスト マルチコラム電子ビーム露光装置及び磁場発生装置
US8390201B2 (en) 2008-06-24 2013-03-05 Advantest Corp. Multi-column electron beam exposure apparatus and magnetic field generation device
JP5363480B2 (ja) * 2008-06-24 2013-12-11 株式会社アドバンテスト マルチコラム電子ビーム露光装置及び磁場発生装置
JP2010219283A (ja) * 2009-03-17 2010-09-30 Nuflare Technology Inc 校正ブロックの製造方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP2013069847A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム装置および荷電粒子ビーム描画装置
JP2017126476A (ja) * 2016-01-14 2017-07-20 株式会社荏原製作所 ズームレンズ及び検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB8615466D0 (en) 1986-07-30
US4806766A (en) 1989-02-21
EP0251381A2 (en) 1988-01-07
EP0251381A3 (en) 1989-02-08
GB2192092A (en) 1987-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS636736A (ja) 磁気レンズシステム
US7285785B2 (en) Apparatus with permanent magnetic lenses
EP0451370B1 (en) Correction system for a charged-particle beam apparatus
US10332718B1 (en) Compact deflecting magnet
JP6389671B2 (ja) 荷電粒子ビームを集束させる磁気レンズ
WO2009157054A1 (ja) マルチコラム電子ビーム露光装置及び磁場発生装置
JP6224717B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
JP2002516026A (ja) 粒子−光学装置におけるレンズ欠陥補正用の補正デバイス
JP2009054581A (ja) 荷電粒子ビーム用軌道補正器、及び、荷電粒子ビーム装置
JPH1154412A (ja) 電子線縮小転写装置
JP4023556B2 (ja) 間隙状の開孔横断面を有している電子光学レンズ装置
KR20040034600A (ko) 입자 비임용 슬릿 렌즈장치
JP3490469B2 (ja) 電子ビーム集束磁界発生装置
JPH0474822B2 (ja)
US3324433A (en) Electron lens system excited by at least one permanent magnet
TW548664B (en) Split magnetic lens for controlling a charged particle beam
JPS5933162Y2 (ja) 電子顕微鏡又はその類似装置
JPS6325456B2 (ja)
JP2000231896A (ja) 投影光学系
GB2195203A (en) Magnetic lens assembly and electron beam pattern generator
JPS58121535A (ja) 偏平型陰極線管
JPS6372041A (ja) 磁石内蔵型陰極線管の製造方法
JPS5987742A (ja) 荷電粒子用レンズ
JPH02256147A (ja) 多重4極子レンズのビーム回転機構
JPH03120987A (ja) カラー受像管装置