JPS6367352B2 - - Google Patents
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- JPS6367352B2 JPS6367352B2 JP18493584A JP18493584A JPS6367352B2 JP S6367352 B2 JPS6367352 B2 JP S6367352B2 JP 18493584 A JP18493584 A JP 18493584A JP 18493584 A JP18493584 A JP 18493584A JP S6367352 B2 JPS6367352 B2 JP S6367352B2
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- Japan
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- semiconductor substrate
- temperature
- layer
- heater
- degassing
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- Expired
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、半導体レーザの製造方法に係り、
特に、レーザ構造を構成する各層の成長工程以前
に半導体基板装着台およびヒータの脱ガスを行う
半導体レーザの製造方法に関する。 (ロ) 従来技術 一般に分子線エピタキシヤル成長法（MBE法）
でもつてGaAsよりなる半導体基板にAlGaAs系
のレーザ構造を形成する場合において、例えば
AlGaAsであれば、700〜720℃の範囲で、一方
GaAsであれば、620〜680℃の範囲でそれぞれ成
長させると、光学的特性の良好な層を半導体基板
に積層させることができる。 しかして、前述した範囲の温度で層をそれぞれ
成長させると、MBE装置の半導体基板装着台
（モリブデンブロツク）やヒータからガスが発散
されるため、成長途中の層の結晶が汚染されると
いう欠点があつた。そこで、半導体基板に層を成
長させる前工程として、層の成長温度よりも高い
温度で前記半導体基板装着台やヒータの脱ガスを
行う方法が考えられた。しかしながら、層の成長
温度よりも高い温度で脱ガスを行うことに伴い、
半導体基板のGaAsが蒸発され（第１表参照）、
半導体基板の表面が凹凸状に荒れるという欠点を
生じる。そのため、後工程においてレーザ構造を
構成する各層の積層状態が劣化し、ひいては、層
を成長させることが困難になるという問題を生じ
る。 (ハ) 目 的 この発明は、半導体基板装着台やヒータの脱ガ
スを行うことに伴う、半導体基板の面の荒れを防
止すると共に、レーザ構造を構成する各層の積層
状態を良好にしうる半導体レーザの製造方法を提
供することを目的としている。 (ニ) 構 成 この発明に係る半導体レーザの製造方法の特徴
とする処は、まず、半導体基板に砒素を当てなが
ら、光学的特性の良好な層を成長しうる成長温度
よりも低い温度に半導体基板を加熱することによ
り、半導体基板装着台およびヒータの脱ガスを行
い、次に、レーザ構造が形成される面側の半導体
基板にAlGaAs層を形成し、その後、半導体基板
に砒素を当てながら、光学的特性の良好な層を成
長しうる成長温度よりも高い温度に半導体基板を
加熱することにより、半導体基板装着台およびヒ
ータを再度脱ガスさせることにある。 (ホ) 実施例 第１図は、この発明に係る半導体レーザの製造
方法の一実施例を示す説明図である。同図に従つ
て以下説明する。 (a) 図示しないMBE装置のモリブデンブロツク
（装着台）に装着されたGaAsよりなる半導体
基板１０に、Asを収納した材料供給源よりAs
を分子線の形で当てながら、半導体基板１０の
温度を約580〜680℃の範囲まで図示しないヒー
タにて加熱することにより、図示しないモリブ
デンブロツクやヒータの脱ガスを行う（第１の
脱ガス工程）。この温度は半導体基板１０の
GaAsが蒸発しない温度である。なお、発散さ
れたガスは図示しないイオンポンプでもつて
MBE装置外に排出される。 (b) ヒータを制御して半導体基板１０の温度を約
550〜620℃の範囲とし、Al、Ga、Asを収納し
た各材料供給源より、半導体基板１０にAl、
Ga、Asを分子線の形で当てることにより、
AlGaAs層２０を所定膜厚成長させる。但し、
このAlGaAs層２０の光学的特性はあまり良好
でないが、半導体基板１０の表面に平坦に成長
される。 (c) Asの材料供給源より、Asを分子線の形で半
導体基板１０に当てながら、半導体基板１０の
温度が約700〜780℃の範囲になるまでヒータに
て加熱することにより、再度モリブデンブロツ
クやヒータの脱ガスを行う（第２の脱ガス工
程）。このとき、MBE装置のチヤンバ内の雰囲
気が良好になるまで行うのが好ましい。なお、
レーザ構造を構成する各層が積層される面側の
半導体基板１０にAlGaAs層２０を形成してい
るので、半導体基板１０のGaAsは蒸発されな
い。 (d) 以下、下部クラツド層２１、活性層２２、第
一の上部クラツド層２３、光吸収層２４、蒸発
防止層２５、第二の上部クラツド層２６、キヤ
ツプ層３０、表電極４０、裏電極４１よりなる
レーザ構造を通常の製造方法にて形成する。 しかして、半導体基板１０の温度を上昇させる
ことに伴うAlGaAsとGaAsとの蒸発速度を第１
表に示す。
特に、レーザ構造を構成する各層の成長工程以前
に半導体基板装着台およびヒータの脱ガスを行う
半導体レーザの製造方法に関する。 (ロ) 従来技術 一般に分子線エピタキシヤル成長法（MBE法）
でもつてGaAsよりなる半導体基板にAlGaAs系
のレーザ構造を形成する場合において、例えば
AlGaAsであれば、700〜720℃の範囲で、一方
GaAsであれば、620〜680℃の範囲でそれぞれ成
長させると、光学的特性の良好な層を半導体基板
に積層させることができる。 しかして、前述した範囲の温度で層をそれぞれ
成長させると、MBE装置の半導体基板装着台
（モリブデンブロツク）やヒータからガスが発散
されるため、成長途中の層の結晶が汚染されると
いう欠点があつた。そこで、半導体基板に層を成
長させる前工程として、層の成長温度よりも高い
温度で前記半導体基板装着台やヒータの脱ガスを
行う方法が考えられた。しかしながら、層の成長
温度よりも高い温度で脱ガスを行うことに伴い、
半導体基板のGaAsが蒸発され（第１表参照）、
半導体基板の表面が凹凸状に荒れるという欠点を
生じる。そのため、後工程においてレーザ構造を
構成する各層の積層状態が劣化し、ひいては、層
を成長させることが困難になるという問題を生じ
る。 (ハ) 目 的 この発明は、半導体基板装着台やヒータの脱ガ
スを行うことに伴う、半導体基板の面の荒れを防
止すると共に、レーザ構造を構成する各層の積層
状態を良好にしうる半導体レーザの製造方法を提
供することを目的としている。 (ニ) 構 成 この発明に係る半導体レーザの製造方法の特徴
とする処は、まず、半導体基板に砒素を当てなが
ら、光学的特性の良好な層を成長しうる成長温度
よりも低い温度に半導体基板を加熱することによ
り、半導体基板装着台およびヒータの脱ガスを行
い、次に、レーザ構造が形成される面側の半導体
基板にAlGaAs層を形成し、その後、半導体基板
に砒素を当てながら、光学的特性の良好な層を成
長しうる成長温度よりも高い温度に半導体基板を
加熱することにより、半導体基板装着台およびヒ
ータを再度脱ガスさせることにある。 (ホ) 実施例 第１図は、この発明に係る半導体レーザの製造
方法の一実施例を示す説明図である。同図に従つ
て以下説明する。 (a) 図示しないMBE装置のモリブデンブロツク
（装着台）に装着されたGaAsよりなる半導体
基板１０に、Asを収納した材料供給源よりAs
を分子線の形で当てながら、半導体基板１０の
温度を約580〜680℃の範囲まで図示しないヒー
タにて加熱することにより、図示しないモリブ
デンブロツクやヒータの脱ガスを行う（第１の
脱ガス工程）。この温度は半導体基板１０の
GaAsが蒸発しない温度である。なお、発散さ
れたガスは図示しないイオンポンプでもつて
MBE装置外に排出される。 (b) ヒータを制御して半導体基板１０の温度を約
550〜620℃の範囲とし、Al、Ga、Asを収納し
た各材料供給源より、半導体基板１０にAl、
Ga、Asを分子線の形で当てることにより、
AlGaAs層２０を所定膜厚成長させる。但し、
このAlGaAs層２０の光学的特性はあまり良好
でないが、半導体基板１０の表面に平坦に成長
される。 (c) Asの材料供給源より、Asを分子線の形で半
導体基板１０に当てながら、半導体基板１０の
温度が約700〜780℃の範囲になるまでヒータに
て加熱することにより、再度モリブデンブロツ
クやヒータの脱ガスを行う（第２の脱ガス工
程）。このとき、MBE装置のチヤンバ内の雰囲
気が良好になるまで行うのが好ましい。なお、
レーザ構造を構成する各層が積層される面側の
半導体基板１０にAlGaAs層２０を形成してい
るので、半導体基板１０のGaAsは蒸発されな
い。 (d) 以下、下部クラツド層２１、活性層２２、第
一の上部クラツド層２３、光吸収層２４、蒸発
防止層２５、第二の上部クラツド層２６、キヤ
ツプ層３０、表電極４０、裏電極４１よりなる
レーザ構造を通常の製造方法にて形成する。 しかして、半導体基板１０の温度を上昇させる
ことに伴うAlGaAsとGaAsとの蒸発速度を第１
表に示す。
【表】
なお、上述の実施例において、AlGaAs層２０
の光学的特性をあまり良好にしていないが、この
AlGaAs層２０は直接レーザ構造に関係がないの
でここでは問題とならない。 さらに、半導体基板１０に形成するレーザ構造
は実施例で説明したものに限定されないことは勿
論である。 (ヘ) 効 果 この発明は、上記詳述したように、装着台やヒ
ータの脱ガスを二回に別けると共に、一回目の脱
ガス工程終了後に半導体基板にAlGaAs層を形成
しているから、半導体基板装着台やヒータの脱ガ
スを行うことに伴う半導体基板のGaAsの蒸発を
防止し、半導体基板の面の荒れを防止することが
できる。その結果、レーザ構造を構成する各層の
積層状態を良好とすることができる。
の光学的特性をあまり良好にしていないが、この
AlGaAs層２０は直接レーザ構造に関係がないの
でここでは問題とならない。 さらに、半導体基板１０に形成するレーザ構造
は実施例で説明したものに限定されないことは勿
論である。 (ヘ) 効 果 この発明は、上記詳述したように、装着台やヒ
ータの脱ガスを二回に別けると共に、一回目の脱
ガス工程終了後に半導体基板にAlGaAs層を形成
しているから、半導体基板装着台やヒータの脱ガ
スを行うことに伴う半導体基板のGaAsの蒸発を
防止し、半導体基板の面の荒れを防止することが
できる。その結果、レーザ構造を構成する各層の
積層状態を良好とすることができる。
第１図は、この発明に係る半導体レーザの製造
方法の一実施例を示す説明図である。 １０……半導体基板、２０……AlGaAs層。
方法の一実施例を示す説明図である。 １０……半導体基板、２０……AlGaAs層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の表面に分子線の形で材料を入射
してエピタキシヤル成長させる分子線エピタキシ
ヤル成長法により半導体レーザを製造する方法に
おいて、 半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性の
良好な層が得られる成長温度よりも低い温度にな
るまで該半導体基板を加熱することにより、半導
体基板が装着される装着台および半導体基板を加
熱するヒータの脱ガスを行う第１の脱ガス工程
と、 前記第１の脱ガス工程における半導体基板の温
度よりも該半導体基板を低い温度に設定し、レー
ザ構造が形成される面側の該半導体基板に
AlGaAs層を成長させる工程と、 半導体基板に砒素を当てながら、光学的特性の
良好な層が得られる成長温度よりも高い温度にな
るまで該半導体基板を加熱することにより、再度
前記装着台およびヒータの脱ガスを行う第２の脱
ガス工程とを具備したことを特徴とする半導体レ
ーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493584A JPS6163078A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18493584A JPS6163078A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163078A JPS6163078A (ja) | 1986-04-01 |
| JPS6367352B2 true JPS6367352B2 (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=16161920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18493584A Granted JPS6163078A (ja) | 1984-09-03 | 1984-09-03 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0275237U (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 |
-
1984
- 1984-09-03 JP JP18493584A patent/JPS6163078A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0275237U (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6163078A (ja) | 1986-04-01 |
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