JPH03293719A - 結晶性半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
結晶性半導体薄膜の製造方法Info
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- JPH03293719A JPH03293719A JP9600590A JP9600590A JPH03293719A JP H03293719 A JPH03293719 A JP H03293719A JP 9600590 A JP9600590 A JP 9600590A JP 9600590 A JP9600590 A JP 9600590A JP H03293719 A JPH03293719 A JP H03293719A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は結晶性半導体薄膜の製造方法に関するものであ
って、Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕ
ｌａｔｏｒ）構造を形成するのに用いて最適なものであ
る。
って、Ｓ ＯＩ （Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕ
ｌａｔｏｒ）構造を形成するのに用いて最適なものであ
る。
〔従来の技術］
結晶性半導体薄膜の製造方法の従来例として特開昭６２
−３０３１４号公報に記載されたものがある。第２図に
従来例の実施例を示す断面図を示す。以下図面にもとづ
き詳しく説明する。
−３０３１４号公報に記載されたものがある。第２図に
従来例の実施例を示す断面図を示す。以下図面にもとづ
き詳しく説明する。
まず、第２図に示すようにガラス基板６上にプラズマＣ
ＶＤ法により膜厚６００人の窒化シリコン膜（Ｓｉ、Ｎ
４膜）７を形成し、次いで同じくプラズマＣＶＤ法によ
り例えば膜厚１０００人の水素化アモルファスＳ１膜（
ａ−５ｉ：Ｈ膜）８を形成する。
ＶＤ法により膜厚６００人の窒化シリコン膜（Ｓｉ、Ｎ
４膜）７を形成し、次いで同じくプラズマＣＶＤ法によ
り例えば膜厚１０００人の水素化アモルファスＳ１膜（
ａ−５ｉ：Ｈ膜）８を形成する。
次にＸｅＣｌエキシマ・レーザーによるレーザビーム５
を照射して加熱することにより常温で結晶化を行って、
水素化アモルファスＳ ｉ ｌｉ ８を結晶化して多結
晶Ｓ１膜を形成するという結晶性半導体；Ｊ膜の製造方
法であった。
を照射して加熱することにより常温で結晶化を行って、
水素化アモルファスＳ ｉ ｌｉ ８を結晶化して多結
晶Ｓ１膜を形成するという結晶性半導体；Ｊ膜の製造方
法であった。
［発明が解決しようとする課題１
しかしながら、水素化アモルファスＳｉ膜８上に何もな
い状態でレーザービーム５を叩射すると、融解したシリ
コンが液状になって流動化し、固体化した後には、得ら
れた結晶性シリコン膜の平坦度が悪く凹凸構造となりが
ちで、水素化アモルファスＳｉ膜８の露出した面より水
素化アモルファス５ｉｌｌｉＳ中の水素が脱離して、結
晶欠陥の多い結晶性シリコン膜となることが多いという
問題を有していた。
い状態でレーザービーム５を叩射すると、融解したシリ
コンが液状になって流動化し、固体化した後には、得ら
れた結晶性シリコン膜の平坦度が悪く凹凸構造となりが
ちで、水素化アモルファスＳｉ膜８の露出した面より水
素化アモルファス５ｉｌｌｉＳ中の水素が脱離して、結
晶欠陥の多い結晶性シリコン膜となることが多いという
問題を有していた。
そこで、本発明は、従来技術が有する上述のような欠点
を是正して、平坦性が良く水素含有量の大きい結晶性半
導体膜を得ることを目的とする。
を是正して、平坦性が良く水素含有量の大きい結晶性半
導体膜を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記課題を解決するために、本発明の結晶性半導体薄膜
の製造方法は、絶縁性基体上に形成した非晶性半導体膜
を結晶化させることにより多結晶半導体膜を得るように
した結晶性半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性
基体上に第１窒化シリコン膜を形成した後、前記非晶性
半導体膜と第２窒化シリコン膜を積層する工程と、前記
非晶性半導体膜へレーザービームを照射して多結晶半導
体膜へ変換する工程を含むことを特徴とする。
の製造方法は、絶縁性基体上に形成した非晶性半導体膜
を結晶化させることにより多結晶半導体膜を得るように
した結晶性半導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性
基体上に第１窒化シリコン膜を形成した後、前記非晶性
半導体膜と第２窒化シリコン膜を積層する工程と、前記
非晶性半導体膜へレーザービームを照射して多結晶半導
体膜へ変換する工程を含むことを特徴とする。
以下本発明の実施例につき図面を参照しながら説明する
。
。
第１図（ａ）に示すように、絶縁性基体ｌ上に第１窒化
シリコン膜２と非晶性シリコン膜３と第２窒化シリコン
膜４をプラズマＣＶＤ法により複数の連結した反応室を
有するプラズマＣＶＤ装置により連続的に積層する。非
晶性シリコン膜３を第１窒化シリコン膜２と第２窒化シ
リコン膜４で挟んだ構造にすることにより、非晶性シリ
コン膜３が外気にさらされることがな（なり汚染される
危険性が減る。それと共に非晶性シリコン膜３に直接外
部からの光が当ることがなくなり、外部からの光による
非晶性シリコン膜３の劣化も大幅に減少する。
シリコン膜２と非晶性シリコン膜３と第２窒化シリコン
膜４をプラズマＣＶＤ法により複数の連結した反応室を
有するプラズマＣＶＤ装置により連続的に積層する。非
晶性シリコン膜３を第１窒化シリコン膜２と第２窒化シ
リコン膜４で挟んだ構造にすることにより、非晶性シリ
コン膜３が外気にさらされることがな（なり汚染される
危険性が減る。それと共に非晶性シリコン膜３に直接外
部からの光が当ることがなくなり、外部からの光による
非晶性シリコン膜３の劣化も大幅に減少する。
次に、レーザービーム５を照射して非晶性シリコン膜３
を第１図（ｂ）に示す多結晶シリコン膜９に変換する。
を第１図（ｂ）に示す多結晶シリコン膜９に変換する。
レーザービーム５の照射により融解したシリコン膜中へ
第１窒化シリコン膜２と第２窒化シリコン膜４の中に含
有された水素が拡散し、多結晶シリコン膜９中の欠陥を
生め良質な膜となる。また、第２窒化シリコン膜４は多
結晶ジノコン膜９中の水素が多部へ脱離するのを防止す
る効果を有すると同時に、融解の後に起きる固体化の際
に生じる多結晶シリコン膜９の凹凸をおさえ平坦な膜を
得ることができる。
第１窒化シリコン膜２と第２窒化シリコン膜４の中に含
有された水素が拡散し、多結晶シリコン膜９中の欠陥を
生め良質な膜となる。また、第２窒化シリコン膜４は多
結晶ジノコン膜９中の水素が多部へ脱離するのを防止す
る効果を有すると同時に、融解の後に起きる固体化の際
に生じる多結晶シリコン膜９の凹凸をおさえ平坦な膜を
得ることができる。
［発明の効果］
本発明の結晶性半導体薄膜の製造方法は、以上説明した
ように、結晶化する半導体薄膜を二層の窒化シリコン膜
で挟みレーザービームを照射することにより、劣化と汚
染が少なく平坦で水素含有量の多い良質な結晶性半導体
を得ることができるという効果を有する。
ように、結晶化する半導体薄膜を二層の窒化シリコン膜
で挟みレーザービームを照射することにより、劣化と汚
染が少なく平坦で水素含有量の多い良質な結晶性半導体
を得ることができるという効果を有する。
第１図（ａ）（ｂ）は本発明の結晶性半導体薄膜の製造
方法の実施例を示す工程順断面図、第２図は従来の結晶
性半導体薄膜の製造方法の実施例を示す断面図。 絶縁性基体 ・第１窒化シリコン膜 （第１ Ｓ ｓ ｓ Ｎ４膜） 非晶性シリコン膜（非晶性Ｓｉ膜） 第２窒化シリコン膜 （第２Ｓ１３Ｎ、膜） ・レーザービーム ガラス基板 Ｓｉ３Ｎ、１菓 ａ−５ｉ：Ｈ膜 多結晶シリコン膜 以 上
方法の実施例を示す工程順断面図、第２図は従来の結晶
性半導体薄膜の製造方法の実施例を示す断面図。 絶縁性基体 ・第１窒化シリコン膜 （第１ Ｓ ｓ ｓ Ｎ４膜） 非晶性シリコン膜（非晶性Ｓｉ膜） 第２窒化シリコン膜 （第２Ｓ１３Ｎ、膜） ・レーザービーム ガラス基板 Ｓｉ３Ｎ、１菓 ａ−５ｉ：Ｈ膜 多結晶シリコン膜 以 上
Claims (1)
- 絶縁性基体上に形成した非晶性半導体膜を結晶化させ
ることにより多結晶半導体膜を得るようにした結晶性半
導体薄膜の製造方法において、前記絶縁性基体上に第１
窒化シリコン膜を形成した後、前記非晶性半導体膜と第
２窒化シリコン膜を連続積層する工程と、前記非晶性半
導体膜へレーザービームを照射して多結晶半導体膜へ変
換する工程を含むことを特徴とする結晶性半導体薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9600590A JPH03293719A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9600590A JPH03293719A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03293719A true JPH03293719A (ja) | 1991-12-25 |
Family
ID=14153025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9600590A Pending JPH03293719A (ja) | 1990-04-11 | 1990-04-11 | 結晶性半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03293719A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329229B1 (en) | 1993-11-05 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing semiconductor device, apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device |
| US6534832B2 (en) | 1993-09-07 | 2003-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and glass member and substrate member having film comprising aluminum, nitrogen and oxygen |
| JP2006500779A (ja) * | 2002-09-27 | 2006-01-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄膜トランジスタを備えた電子装置の製造方法 |
| JP2007059601A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-11 JP JP9600590A patent/JPH03293719A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6534832B2 (en) | 1993-09-07 | 2003-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and glass member and substrate member having film comprising aluminum, nitrogen and oxygen |
| US6329229B1 (en) | 1993-11-05 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing semiconductor device, apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device |
| JP2006500779A (ja) * | 2002-09-27 | 2006-01-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄膜トランジスタを備えた電子装置の製造方法 |
| JP2007059601A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
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