JPS6364982A - アルミナ磁器用メタライズ組成物 - Google Patents
アルミナ磁器用メタライズ組成物Info
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- JPS6364982A JPS6364982A JP61209214A JP20921486A JPS6364982A JP S6364982 A JPS6364982 A JP S6364982A JP 61209214 A JP61209214 A JP 61209214A JP 20921486 A JP20921486 A JP 20921486A JP S6364982 A JPS6364982 A JP S6364982A
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Classifications
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
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- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5133—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal with a composition mainly composed of one or more of the refractory metals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
- C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S428/901—Printed circuit
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- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12611—Oxide-containing component
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明アルミナ磁器用メタライズ組成物は、電子部品の
絶縁材料として用いられるアルミナ磁器の表面を金属化
する分野で好適に利用される。
絶縁材料として用いられるアルミナ磁器の表面を金属化
する分野で好適に利用される。
「従来の技術」
アルミナ磁器は高周波損失が小さいため、その表面にメ
タライズインクを印刷して金属化し所望配線等を形成す
ることによp、MIC基板、マイクロ波透過窓材、電子
管などの電子部品に汎用されている。而してアルミナ磁
器は当然の事ながらアルミナ含有率が高い程にアルミナ
の優れ7’t4?性を具備するものであるが、対応する
メタライズ組成物において気密性及び密着性の点で良好
なものが開発されていないが故に、現在のところ例えば
タングステン100重量部及びアルミナ8重量部よりな
るメタライズ組成物とせいぜい92チアルミナの磁器と
の組み合わせが実用化されているに過ぎない。
タライズインクを印刷して金属化し所望配線等を形成す
ることによp、MIC基板、マイクロ波透過窓材、電子
管などの電子部品に汎用されている。而してアルミナ磁
器は当然の事ながらアルミナ含有率が高い程にアルミナ
の優れ7’t4?性を具備するものであるが、対応する
メタライズ組成物において気密性及び密着性の点で良好
なものが開発されていないが故に、現在のところ例えば
タングステン100重量部及びアルミナ8重量部よりな
るメタライズ組成物とせいぜい92チアルミナの磁器と
の組み合わせが実用化されているに過ぎない。
「発嬰が解決しようとする問題点」
しかしながら、近年、通信周波数の高周波帯への移行、
マグネトロンの高周波化にょシ、低損失の材料が求めら
れている故に、従来よりも純度の高いアルミナ磁器の電
子部品への実用が強く要望されている。
マグネトロンの高周波化にょシ、低損失の材料が求めら
れている故に、従来よりも純度の高いアルミナ磁器の電
子部品への実用が強く要望されている。
本発明は、かかる要望に応じるべくなされたもので、ア
ルミナ含有率96重量%以上の磁器に適用できる気密性
及び密着性の良好なメタライズ組成物を提供することを
目的とする。
ルミナ含有率96重量%以上の磁器に適用できる気密性
及び密着性の良好なメタライズ組成物を提供することを
目的とする。
「問題点を解決する九めの手段」
その手段は、タングステン100重量部に対して、A1
5Os 2〜12重量部、Ta5ttO,1〜0.8重
量部、Slow 0.8〜1.5重量部並びにCaO及
びMgOを合量で0.1〜0.5重量部添加含有させ九
ものをメタライズ組成物とするところにある。
5Os 2〜12重量部、Ta5ttO,1〜0.8重
量部、Slow 0.8〜1.5重量部並びにCaO及
びMgOを合量で0.1〜0.5重量部添加含有させ九
ものをメタライズ組成物とするところにある。
「作用」
タングステンを主成分とするのは、これが周知のように
耐熱性に優れ、熱膨張においてもアルミナ磁器と適合す
ることによる。上記メタライズ組成物中のアルミナA
1 s Osは、メタライズ層と下地アルミナ磁器層と
の親和性を確イ泉し、密着性を補う作用をするものであ
るが、2重量部に満九表いと十分に作用せず、12重量
部を超えるとメタライズ後の工程でニッケルメッキ等を
施した場合にメタライズ面へのメッキ面の″l!!着性
を阻害し、ひいてはメッキ面と外部金属端子とのろう付
は強度の低下を招来する。五酸化タンタルTaxesは
、カルシアCaO又はマグネシアMgOと化合物を作9
、その化合物が下地ア重量部に滴たないか、又はCaO
及びMgOの合量が0.1重量部に満たないとその作用
が十分でなく、他方Taxesが0.8重量部を超える
とメタライズ層と磁器層との間に多量の空孔を生成して
気密性と密着性を阻害するし、CaOとMgOとの含量
が0.5重量部を超えるとメタライズ層の密着性を阻害
する。SiO鵞は、CaO、MgOとともにタングステ
ンの焼結を促進し気密性を高める作用をするが、0.8
重量部に満たないと十分に作用せず、1.5重量部を超
えるとTaz OsとCaO又はMgOとの反応を阻害
し密着強度を低下させる。
耐熱性に優れ、熱膨張においてもアルミナ磁器と適合す
ることによる。上記メタライズ組成物中のアルミナA
1 s Osは、メタライズ層と下地アルミナ磁器層と
の親和性を確イ泉し、密着性を補う作用をするものであ
るが、2重量部に満九表いと十分に作用せず、12重量
部を超えるとメタライズ後の工程でニッケルメッキ等を
施した場合にメタライズ面へのメッキ面の″l!!着性
を阻害し、ひいてはメッキ面と外部金属端子とのろう付
は強度の低下を招来する。五酸化タンタルTaxesは
、カルシアCaO又はマグネシアMgOと化合物を作9
、その化合物が下地ア重量部に滴たないか、又はCaO
及びMgOの合量が0.1重量部に満たないとその作用
が十分でなく、他方Taxesが0.8重量部を超える
とメタライズ層と磁器層との間に多量の空孔を生成して
気密性と密着性を阻害するし、CaOとMgOとの含量
が0.5重量部を超えるとメタライズ層の密着性を阻害
する。SiO鵞は、CaO、MgOとともにタングステ
ンの焼結を促進し気密性を高める作用をするが、0.8
重量部に満たないと十分に作用せず、1.5重量部を超
えるとTaz OsとCaO又はMgOとの反応を阻害
し密着強度を低下させる。
「実施例」
平均粒径1.8μmのタングステン粉末、同1.3μm
のアルミナ粉末(純度99.99%)、同0.5μmの
無水硅酸(純度99.9cs)、則0,5μmの炭酸カ
ルシウム(試薬特級)及び同0.5μmの炭酸マグネシ
ウム(試薬特級)を焼成後に第1表に示すメタライズ組
成と々るように配合し、合量300fとし、これにブチ
ルカルピトール50f、アセトン50?及びエチルセル
ローズ10?を加え、純度99.99%、径16III
IIφのアルミナ磁器原石1tとともに内容積12のポ
リエチレン裏ボットミルに入れ、190時間混合し、ス
ラリーを得た。スラリーをアルミニウム製ボールへ移し
、攪拌しながらアセトンを揮発させ、ペーストとした。
のアルミナ粉末(純度99.99%)、同0.5μmの
無水硅酸(純度99.9cs)、則0,5μmの炭酸カ
ルシウム(試薬特級)及び同0.5μmの炭酸マグネシ
ウム(試薬特級)を焼成後に第1表に示すメタライズ組
成と々るように配合し、合量300fとし、これにブチ
ルカルピトール50f、アセトン50?及びエチルセル
ローズ10?を加え、純度99.99%、径16III
IIφのアルミナ磁器原石1tとともに内容積12のポ
リエチレン裏ボットミルに入れ、190時間混合し、ス
ラリーを得た。スラリーをアルミニウム製ボールへ移し
、攪拌しながらアセトンを揮発させ、ペーストとした。
別途、フルミナ99.8重量%、シリカ0.1 itS
及びマグネシア0.1重量%の調合組成の無機粉末に少
量の有機質結合剤を添加混合してなる第二のスラリーで
、シート状に成形して二枚の方形シートを作シ、そのう
ち一枚の方形シートの表面に上記ペーストを十字形に厚
膜印刷し他の一枚の方形シートの中央に円穴を打ち抜い
た。この状態を第1図に示す。1は穴なし方形シート、
2は方形シート10表面に印刷された厚膜ペースト、8
は穴あき方形シート、4は穴あき方形シート3に打ち抜
かれ九円穴を示す。
及びマグネシア0.1重量%の調合組成の無機粉末に少
量の有機質結合剤を添加混合してなる第二のスラリーで
、シート状に成形して二枚の方形シートを作シ、そのう
ち一枚の方形シートの表面に上記ペーストを十字形に厚
膜印刷し他の一枚の方形シートの中央に円穴を打ち抜い
た。この状態を第1図に示す。1は穴なし方形シート、
2は方形シート10表面に印刷された厚膜ペースト、8
は穴あき方形シート、4は穴あき方形シート3に打ち抜
かれ九円穴を示す。
次に方形シート1と方形シート3とを積層圧着し、アン
モニア分解ガス雰囲気中、露点15℃、温度1680℃
、保持時間2時間の条件で焼成することによって第2図
に示すように方形の積層基板5を製造した。yt層基板
5は、二枚の基板からなり、その大きさがllXllX
5mmで、一枚の基板の中央に直径5簡の円穴6を有し
、かつ二枚の基板によりて幅1 tm s厚み10μ簡
の十字形のメタライズ面7を挟着し九構造をとっていた
。積層基板5について後述の気密性評価試験を行った。
モニア分解ガス雰囲気中、露点15℃、温度1680℃
、保持時間2時間の条件で焼成することによって第2図
に示すように方形の積層基板5を製造した。yt層基板
5は、二枚の基板からなり、その大きさがllXllX
5mmで、一枚の基板の中央に直径5簡の円穴6を有し
、かつ二枚の基板によりて幅1 tm s厚み10μ簡
の十字形のメタライズ面7を挟着し九構造をとっていた
。積層基板5について後述の気密性評価試験を行った。
次に方形シート1と同質の方形シートの表面に前記ペー
ストを厚膜印刷し、積層基板5を製造し九場合と同一条
件で焼成することによって表面に2m四方、淳み10μ
mのメタライズ面8が形成され九厚み2■の方形基板9
t−襄遺し念。方形基板9について後述の密着性評価試
験を行った。
ストを厚膜印刷し、積層基板5を製造し九場合と同一条
件で焼成することによって表面に2m四方、淳み10μ
mのメタライズ面8が形成され九厚み2■の方形基板9
t−襄遺し念。方形基板9について後述の密着性評価試
験を行った。
気密性評価試験
第8図は気密性評価試liAを行っているところを示す
模式図である。10は、lleセンサー11と真空ポン
プ12が取り付けられ、開口18を有し、開口13を閉
じれば気密封じ可能な容器である。開口13に積層基板
5を円穴6から露出するメタライズ面7が開口3側に向
くように設置して、開口18t−閉じた後、容器10内
部を真空にし、ノズル14を用いて外部から積層基板5
にHeガスを吹き付けた場合に、H・センサー11で検
知せられるHeガスの量をもって気密性を評価し念。
模式図である。10は、lleセンサー11と真空ポン
プ12が取り付けられ、開口18を有し、開口13を閉
じれば気密封じ可能な容器である。開口13に積層基板
5を円穴6から露出するメタライズ面7が開口3側に向
くように設置して、開口18t−閉じた後、容器10内
部を真空にし、ノズル14を用いて外部から積層基板5
にHeガスを吹き付けた場合に、H・センサー11で検
知せられるHeガスの量をもって気密性を評価し念。
密着性評価試験
第4図はメタライズ面8の方形基板9に対する密着性評
価試験を行っているところを示す模式図である。メタラ
イズ面8に厚さ2μmの電解Niメッキを施し、メッキ
面に太さ0.6Wφのリード15をハンダ付けし、リー
ド15の他端をばね計り16で引張り、メタライズ面8
が方形基板9より剥離したときの荷′Xをメタライズ面
8の面積で割った値をもって密着性を評価した。なお、
剥離は全試料ともメタライズ面8と方形基板9との間で
起こったため、密着性に対するNiメッキ、ハンダ等の
影響はないものと考えられる。
価試験を行っているところを示す模式図である。メタラ
イズ面8に厚さ2μmの電解Niメッキを施し、メッキ
面に太さ0.6Wφのリード15をハンダ付けし、リー
ド15の他端をばね計り16で引張り、メタライズ面8
が方形基板9より剥離したときの荷′Xをメタライズ面
8の面積で割った値をもって密着性を評価した。なお、
剥離は全試料ともメタライズ面8と方形基板9との間で
起こったため、密着性に対するNiメッキ、ハンダ等の
影響はないものと考えられる。
以上の評価結果を第1表に示す。
「効果」
本発明メタライズ組成物は、上記評価方法における気密
性及び密着性がそれぞれ10(−/see )以下及び
1.6〔す/−〕以上となシ、アルミナ含有率96重量
%以上の磁器の表面を良好に金属化することができる。
性及び密着性がそれぞれ10(−/see )以下及び
1.6〔す/−〕以上となシ、アルミナ含有率96重量
%以上の磁器の表面を良好に金属化することができる。
第1図、第2図及び第8図はアルミナ磁器の表面にメタ
ライズ面を形成し、気密性を評価する工程を示す図、第
4図はアルミナ磁器に対するメタライズの密着性を評価
しているところを示す図である。 特許出願人 日本特殊陶業株式会社 代表者 鈴 木 亭 − +7 1図 第2図 w/43図 114図
ライズ面を形成し、気密性を評価する工程を示す図、第
4図はアルミナ磁器に対するメタライズの密着性を評価
しているところを示す図である。 特許出願人 日本特殊陶業株式会社 代表者 鈴 木 亭 − +7 1図 第2図 w/43図 114図
Claims (1)
- タングステン100重量部に対して、Al_2O_32
〜12重量部、Ta_2O_5 0.1〜0.8重量部
、SiO_2 0.3〜1.5重量部並びにCaO及び
MgOを合量で0.1〜0.5重量部添加含有させてな
るアルミナ磁器用メタライズ組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61209214A JPS6364982A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | アルミナ磁器用メタライズ組成物 |
US07/093,289 US4783380A (en) | 1986-09-05 | 1987-09-04 | Metallizing composition on alumina porcelain |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61209214A JPS6364982A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | アルミナ磁器用メタライズ組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6364982A true JPS6364982A (ja) | 1988-03-23 |
JPH0317796B2 JPH0317796B2 (ja) | 1991-03-08 |
Family
ID=16569240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61209214A Granted JPS6364982A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | アルミナ磁器用メタライズ組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4783380A (ja) |
JP (1) | JPS6364982A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0251519U (ja) * | 1988-05-17 | 1990-04-11 | ||
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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GB2072707B (en) * | 1980-03-31 | 1984-01-25 | Hitachi Chemical Co Ltd | Electroconductive paste and process for producing electroconductive metallized ceramics using the same |
JPS60130494A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Kitsudo:Kk | ダイボンディング用導電性ペ−スト |
US4645621A (en) * | 1984-12-17 | 1987-02-24 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61209214A patent/JPS6364982A/ja active Granted
-
1987
- 1987-09-04 US US07/093,289 patent/US4783380A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0251519U (ja) * | 1988-05-17 | 1990-04-11 | ||
JPH0532094Y2 (ja) * | 1988-05-17 | 1993-08-18 | ||
JPH02143946U (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4783380A (en) | 1988-11-08 |
JPH0317796B2 (ja) | 1991-03-08 |
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