JPH0725690A - ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法 - Google Patents
ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法Info
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- JPH0725690A JPH0725690A JP19286893A JP19286893A JPH0725690A JP H0725690 A JPH0725690 A JP H0725690A JP 19286893 A JP19286893 A JP 19286893A JP 19286893 A JP19286893 A JP 19286893A JP H0725690 A JPH0725690 A JP H0725690A
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
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- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5133—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal with a composition mainly composed of one or more of the refractory metals
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反りのないＡｌＮ基板のメタライズ層の形成
方法を提供する。 【構成】 ＡｌＮ基板上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの
群から選ばれる少なくとも１種以上の金属を主成分とし
たメタライズ層を形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の
形成方法である。上記メタライズ層は、Ｙ2Ｏ3粉末の表
面にＡｌ2Ｏ3層を被覆した被覆物を、０．１〜５０重量
％含有し、ＡｌＮ粉末を０．１〜１０重量％含有したペ
ーストを焼成して形成されるものである。このため、ペ
ーストを焼成するとき、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3とが必ず反応
し、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12を形成する。このときの焼成温度は１
６５０℃以下である。このＹ3Ａｌ5Ｏ12が形成される際
の溶融によって、第１のメタライズ層はＡｌＮ基板に強
固に接合される。
方法を提供する。 【構成】 ＡｌＮ基板上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの
群から選ばれる少なくとも１種以上の金属を主成分とし
たメタライズ層を形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の
形成方法である。上記メタライズ層は、Ｙ2Ｏ3粉末の表
面にＡｌ2Ｏ3層を被覆した被覆物を、０．１〜５０重量
％含有し、ＡｌＮ粉末を０．１〜１０重量％含有したペ
ーストを焼成して形成されるものである。このため、ペ
ーストを焼成するとき、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3とが必ず反応
し、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12を形成する。このときの焼成温度は１
６５０℃以下である。このＹ3Ａｌ5Ｏ12が形成される際
の溶融によって、第１のメタライズ層はＡｌＮ基板に強
固に接合される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＮ基板とその基板
上に形成されるメタライズ層との間の接合強度を高めた
ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法に関するものであ
る。
上に形成されるメタライズ層との間の接合強度を高めた
ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ハイブリッドＩＣの構造設計にあたっ
て、その小型化は、収納スペースと使用材料コストなど
の低減のために重要である。反面、ハイブリッドＩＣの
小型化により、その内部損失による発熱とその熱の放出
が必要となる。一方、このようなハイブリッドＩＣを用
いた電算機や伝送装置の構造設計にあたっては、信号の
遅れ、歪、雑音を小さくして、高速性を図ることが重要
となる。このように、電子回路の集積度、出力を高め、
高速化を実現するためには、用いられる回路基板の材質
として、熱伝導率の高いこと、絶縁耐圧の高いことが要
求される。
て、その小型化は、収納スペースと使用材料コストなど
の低減のために重要である。反面、ハイブリッドＩＣの
小型化により、その内部損失による発熱とその熱の放出
が必要となる。一方、このようなハイブリッドＩＣを用
いた電算機や伝送装置の構造設計にあたっては、信号の
遅れ、歪、雑音を小さくして、高速性を図ることが重要
となる。このように、電子回路の集積度、出力を高め、
高速化を実現するためには、用いられる回路基板の材質
として、熱伝導率の高いこと、絶縁耐圧の高いことが要
求される。
【０００３】このような要求を満たすものとして、特に
熱伝導率が優れているという観点から、回路基板材とし
てＡｌＮ（窒化アルミニウム）が用いられている。
熱伝導率が優れているという観点から、回路基板材とし
てＡｌＮ（窒化アルミニウム）が用いられている。
【０００４】このＡｌＮ基板上にＩＣチップ等の電子部
品を搭載する場合は、搭載部品と基板との間の接合強度
を高めるために、通常はＡｌＮ基板上に導電性のメタラ
イズ層を形成し、このメタライズ層上にＩＣチップ等を
はんだ付け等して接合、搭載している。
品を搭載する場合は、搭載部品と基板との間の接合強度
を高めるために、通常はＡｌＮ基板上に導電性のメタラ
イズ層を形成し、このメタライズ層上にＩＣチップ等を
はんだ付け等して接合、搭載している。
【０００５】このようなメタライズ層をＡｌＮ基板上に
形成する方法としては、特開昭６３−２４４６９７号公
報に示すものが知られている。このＡｌＮ基板のメタラ
イズ層の形成方法は、まず、重量比でＹ2Ｏ3を３％添加
したＡｌＮ基板を作製する。次に、このＡｌＮ基板上
に、Ａｌ2Ｏ3：Ｙ2Ｏ3＝５：３の化合物からなるペース
トを厚さ２μｍで印刷する。次いで、この印刷したもの
の上に、Ｍｏ：ＴｉＮ＝１：１からなるペーストを、厚
さ１０μｍで印刷する。この後、１７００℃、５時間の
焼成を行う。この結果、ＡｌＮ基板上にメタライズ層が
形成される。このＡｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3との化合物は、メタ
ライズ層全体に均一に存在し、焼成によって溶融する。
このとき、この化合物は、強い親和力の接着剤として、
メタライズ層をＡｌＮ基板に接合させるものである。
形成する方法としては、特開昭６３−２４４６９７号公
報に示すものが知られている。このＡｌＮ基板のメタラ
イズ層の形成方法は、まず、重量比でＹ2Ｏ3を３％添加
したＡｌＮ基板を作製する。次に、このＡｌＮ基板上
に、Ａｌ2Ｏ3：Ｙ2Ｏ3＝５：３の化合物からなるペース
トを厚さ２μｍで印刷する。次いで、この印刷したもの
の上に、Ｍｏ：ＴｉＮ＝１：１からなるペーストを、厚
さ１０μｍで印刷する。この後、１７００℃、５時間の
焼成を行う。この結果、ＡｌＮ基板上にメタライズ層が
形成される。このＡｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3との化合物は、メタ
ライズ層全体に均一に存在し、焼成によって溶融する。
このとき、この化合物は、強い親和力の接着剤として、
メタライズ層をＡｌＮ基板に接合させるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このようなＡｌＮ基板
のメタライズ層の形成方法にあっては、Ａｌ2Ｏ3とＹ2
Ｏ3との化合物の溶融に、１７００℃以上の高温加熱が
必要である。これは、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3との化合物は、
液相温度が高く、低温での焼結が困難なためである。し
かしながら、このような高温で焼結すると、ＡｌＮ基板
が反ってしまい、メタライズ層とＡｌＮ基板との間の接
合強度が低下してしまうという課題があった。なお、こ
のときの接合強度は、２．８ｋｇｆ／ｍｍ2である。
のメタライズ層の形成方法にあっては、Ａｌ2Ｏ3とＹ2
Ｏ3との化合物の溶融に、１７００℃以上の高温加熱が
必要である。これは、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3との化合物は、
液相温度が高く、低温での焼結が困難なためである。し
かしながら、このような高温で焼結すると、ＡｌＮ基板
が反ってしまい、メタライズ層とＡｌＮ基板との間の接
合強度が低下してしまうという課題があった。なお、こ
のときの接合強度は、２．８ｋｇｆ／ｍｍ2である。
【０００７】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、メタライズ層
を低温で形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法
を提供することにある。
を低温で形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ＡｌＮ基板上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの群から
選ばれる少なくとも１種以上の金属を主成分とした第１
のメタライズ層を形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の
形成方法において、上記第１のメタライズ層は、Ｙ2Ｏ3
粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物を含有したペース
トを焼成することにより形成されるものである。
は、ＡｌＮ基板上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの群から
選ばれる少なくとも１種以上の金属を主成分とした第１
のメタライズ層を形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の
形成方法において、上記第１のメタライズ層は、Ｙ2Ｏ3
粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物を含有したペース
トを焼成することにより形成されるものである。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、上記ペー
ストは、Ｙ2Ｏ3粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物を
０．１〜５０重量％、かつ、ＡｌＮを０．１〜１０重量
％含有するＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法であ
る。
ストは、Ｙ2Ｏ3粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物を
０．１〜５０重量％、かつ、ＡｌＮを０．１〜１０重量
％含有するＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法であ
る。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、上記第１
のメタライズ層上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの群から
選ばれる少なくとも１種以上の金属を主成分とする第２
のメタライズ層を形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の
形成方法である。
のメタライズ層上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの群から
選ばれる少なくとも１種以上の金属を主成分とする第２
のメタライズ層を形成するＡｌＮ基板のメタライズ層の
形成方法である。
【００１１】
【作用】請求項１に記載の発明に係るＡｌＮ基板のメタ
ライズ層の形成方法は、ＡｌＮ基板上に、Ｗ、Ｍｏ、お
よび、Ｔａの群から選ばれる少なくとも１種以上の金属
を主成分とした第１のメタライズ層を形成する。この第
１のメタライズ層はペーストを焼成して形成する。この
ペースト中には、Ｙ2Ｏ3粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した
被覆物が０．１〜５０重量％の割合で含有されている。
このため、ペーストを焼成するとき、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3
とが必ず反応し、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12を生成する。このときの
焼成温度は１６５０℃以下である。この焼成温度が低い
理由は、Ｙ2Ｏ3粉の表面がＡｌ2Ｏ3で被覆されているの
で、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3とが反応し易く、溶融したＹ3Ａ
ｌ5Ｏ12が生成され易いからである。このＹ3Ａｌ5Ｏ12
が生成される際の溶融によって、第１のメタライズ層は
ＡｌＮ基板に強固に接合される。
ライズ層の形成方法は、ＡｌＮ基板上に、Ｗ、Ｍｏ、お
よび、Ｔａの群から選ばれる少なくとも１種以上の金属
を主成分とした第１のメタライズ層を形成する。この第
１のメタライズ層はペーストを焼成して形成する。この
ペースト中には、Ｙ2Ｏ3粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した
被覆物が０．１〜５０重量％の割合で含有されている。
このため、ペーストを焼成するとき、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3
とが必ず反応し、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12を生成する。このときの
焼成温度は１６５０℃以下である。この焼成温度が低い
理由は、Ｙ2Ｏ3粉の表面がＡｌ2Ｏ3で被覆されているの
で、Ａｌ2Ｏ3とＹ2Ｏ3とが反応し易く、溶融したＹ3Ａ
ｌ5Ｏ12が生成され易いからである。このＹ3Ａｌ5Ｏ12
が生成される際の溶融によって、第１のメタライズ層は
ＡｌＮ基板に強固に接合される。
【００１２】そして、上記ペーストの焼成温度が低いた
め、第１のメタライズ層を有するＡｌＮ基板は、反るこ
とがない。第１のメタライズ層とＡｌＮ基板との接合強
度も低下しない。なお、第１のメタライズ層形成用ペー
スト中に、Ｙ2Ｏ3粉とＡｌ2Ｏ3粉とをそれぞれ別々に添
加したとき、１６５０℃以下の焼成温度では、Ｙ2Ｏ3粉
とＡｌ2Ｏ3粉とが反応し難く、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12が生成され
にくい。
め、第１のメタライズ層を有するＡｌＮ基板は、反るこ
とがない。第１のメタライズ層とＡｌＮ基板との接合強
度も低下しない。なお、第１のメタライズ層形成用ペー
スト中に、Ｙ2Ｏ3粉とＡｌ2Ｏ3粉とをそれぞれ別々に添
加したとき、１６５０℃以下の焼成温度では、Ｙ2Ｏ3粉
とＡｌ2Ｏ3粉とが反応し難く、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12が生成され
にくい。
【００１３】また、請求項２に記載の発明に係るＡｌＮ
基板のメタライズ層の形成方法にあっては、Ｙ2Ｏ3粉の
表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物は、ペーストに対して
０．１重量％程度の低い含有率でも、ＡｌＮ基板とメタ
ライズ層との接合に際して所定の接合強度を発揮する。
この結果、メタライズ層中の当該被覆物の含有率を下げ
ることができ、よって第１のメタライズ層の電気抵抗を
低下させることができる。
基板のメタライズ層の形成方法にあっては、Ｙ2Ｏ3粉の
表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物は、ペーストに対して
０．１重量％程度の低い含有率でも、ＡｌＮ基板とメタ
ライズ層との接合に際して所定の接合強度を発揮する。
この結果、メタライズ層中の当該被覆物の含有率を下げ
ることができ、よって第１のメタライズ層の電気抵抗を
低下させることができる。
【００１４】また、上記ペーストがＡｌＮを０．１〜１
０重量％含有することにより、ＡｌＮ基板とメタライズ
層との間の接合強度がさらに向上する。
０重量％含有することにより、ＡｌＮ基板とメタライズ
層との間の接合強度がさらに向上する。
【００１５】また、請求項３に記載の発明に係るＡｌＮ
基板のメタライズ層の形成方法は、上記第１のメタライ
ズ層上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの群から選ばれる少
なくとも１種以上の金属を主成分とする第２のメタライ
ズ層を形成する。この第２のメタライズ層はＷ等の金属
を主成分とするので、その電気抵抗を低減することがで
きる。
基板のメタライズ層の形成方法は、上記第１のメタライ
ズ層上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔａの群から選ばれる少
なくとも１種以上の金属を主成分とする第２のメタライ
ズ層を形成する。この第２のメタライズ層はＷ等の金属
を主成分とするので、その電気抵抗を低減することがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。この実施
例に係るＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法は、以下
の通りである。
例に係るＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法は、以下
の通りである。
【００１７】まず、９５重量％のＡｌＮ粉末と５重量％
のＹ2Ｏ3粉末を混合する。この混合物に、ポリビニルブ
チラール（ＰＶＢ）をバインダとして、グリーンシート
を形成する。この後、このグリーンシートを６０ｍｍ×
６０ｍｍ×０．７０ｍｍに切断し、Ｎ2ガス雰囲気下で
１８００℃、３時間の条件で焼成する。このＡｌＮ焼結
体を研削し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６５ｍｍの寸法
のＡｌＮ基板を得る。
のＹ2Ｏ3粉末を混合する。この混合物に、ポリビニルブ
チラール（ＰＶＢ）をバインダとして、グリーンシート
を形成する。この後、このグリーンシートを６０ｍｍ×
６０ｍｍ×０．７０ｍｍに切断し、Ｎ2ガス雰囲気下で
１８００℃、３時間の条件で焼成する。このＡｌＮ焼結
体を研削し、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６５ｍｍの寸法
のＡｌＮ基板を得る。
【００１８】次に、Ｙ2Ｏ3粉末およびＡｌ2Ｏ3粉末を準
備する。このＹ2Ｏ3粉末の平均粒径は０．３〜５μｍの
範囲内のものを用いる。Ａｌ2Ｏ3のコーティングにはゾ
ルゲル法を用いた。アルミニウム−ｓｅｃ−ブトキシド
１０重量部とブタノール９０重量部を混合し、コーティ
ング溶液とした。ＡｌとＹの比が５：３となる比でＡｌ
2Ｏ3粉末とコーティング溶液を混合し、室温で放置し、
ゲル状にした後、３００℃で乾燥した。
備する。このＹ2Ｏ3粉末の平均粒径は０．３〜５μｍの
範囲内のものを用いる。Ａｌ2Ｏ3のコーティングにはゾ
ルゲル法を用いた。アルミニウム−ｓｅｃ−ブトキシド
１０重量部とブタノール９０重量部を混合し、コーティ
ング溶液とした。ＡｌとＹの比が５：３となる比でＡｌ
2Ｏ3粉末とコーティング溶液を混合し、室温で放置し、
ゲル状にした後、３００℃で乾燥した。
【００１９】次いで、Ｙ2Ｏ3粉末の表面をＡｌ2Ｏ3層で
被覆したものと、平均粒径：０．３〜１０μｍのＷ粉末
と、平均粒径：０．３〜１０μｍのＡｌＮ粉末と、を混
合する。この混合粉末の重量比は、Ｗ：Ａｌ2Ｏ3被覆Ｙ
2Ｏ3粉末：ＡｌＮ＝８５〜９９．８：０．１〜１０．
０：０．１〜５．０である。この混合粉末を、エチルセ
ルロースとブチルカルビトールの混合液に分散させる。
このエチルセルロースとブチルカルビトールとの重量比
は、混合粉末に対して、５％：１５％である。このよう
にして第１のメタライズ層形成用ペーストが作製され
る。
被覆したものと、平均粒径：０．３〜１０μｍのＷ粉末
と、平均粒径：０．３〜１０μｍのＡｌＮ粉末と、を混
合する。この混合粉末の重量比は、Ｗ：Ａｌ2Ｏ3被覆Ｙ
2Ｏ3粉末：ＡｌＮ＝８５〜９９．８：０．１〜１０．
０：０．１〜５．０である。この混合粉末を、エチルセ
ルロースとブチルカルビトールの混合液に分散させる。
このエチルセルロースとブチルカルビトールとの重量比
は、混合粉末に対して、５％：１５％である。このよう
にして第１のメタライズ層形成用ペーストが作製され
る。
【００２０】そして、この第１のメタライズ層形成用ペ
ーストを３２５メッシュのスクリーンを介して上記Ａｌ
Ｎ基板上に印刷し、Ｎ2気流中、１６５０℃、３時間の
条件で加熱した。この結果、厚さ５〜１５μｍの第１の
メタライズ層がＡｌＮ基板上に形成される。
ーストを３２５メッシュのスクリーンを介して上記Ａｌ
Ｎ基板上に印刷し、Ｎ2気流中、１６５０℃、３時間の
条件で加熱した。この結果、厚さ５〜１５μｍの第１の
メタライズ層がＡｌＮ基板上に形成される。
【００２１】次に、この第１のメタライズ層上に第２の
メタライズ層を形成する。この第２のメタライズ層形成
用ペーストは、平均粒径：０．３〜１０μｍのＷ粉末
を、エチルセルロースとブチルカルビトールの混合液に
分散させたものである。このエチルセルロースとブチル
カルビトールとの重量比は、Ｗ粉末に対して、５％：１
５％である。
メタライズ層を形成する。この第２のメタライズ層形成
用ペーストは、平均粒径：０．３〜１０μｍのＷ粉末
を、エチルセルロースとブチルカルビトールの混合液に
分散させたものである。このエチルセルロースとブチル
カルビトールとの重量比は、Ｗ粉末に対して、５％：１
５％である。
【００２２】そして、この第２のメタライズ層形成用ペ
ーストを３２５メッシュのスクリーンを介して上記第１
のメタライズ層上に印刷し、Ｎ2気流中、１６５０℃、
３時間の条件で加熱した。この結果、全体として層厚が
１０〜３０μｍのメタライズ層がＡｌＮ基板上に形成さ
れることとなる。
ーストを３２５メッシュのスクリーンを介して上記第１
のメタライズ層上に印刷し、Ｎ2気流中、１６５０℃、
３時間の条件で加熱した。この結果、全体として層厚が
１０〜３０μｍのメタライズ層がＡｌＮ基板上に形成さ
れることとなる。
【００２３】このようにして得られたＡｌＮ基板とメタ
ライズ層との間の接合強度を測定した。接合強度の測定
は、２ｍｍ×２ｍｍのメタライズ部にφ０．９ｍｍのＣ
ｕ線をはんだ付けし、９０゜方向に引き剥す方法によっ
て行った。そして、このときの接合強度は、４ｋｇｆ／
２ｍｍ□以上である。この場合、メタライズ層を形成す
るときの焼成温度が低いため、メタライズ層を有するＡ
ｌＮ基板は、反ることがない。
ライズ層との間の接合強度を測定した。接合強度の測定
は、２ｍｍ×２ｍｍのメタライズ部にφ０．９ｍｍのＣ
ｕ線をはんだ付けし、９０゜方向に引き剥す方法によっ
て行った。そして、このときの接合強度は、４ｋｇｆ／
２ｍｍ□以上である。この場合、メタライズ層を形成す
るときの焼成温度が低いため、メタライズ層を有するＡ
ｌＮ基板は、反ることがない。
【００２４】また、Ｙ2Ｏ3粉の表面をＡｌ2Ｏ3により被
覆した被覆粉末は、ペーストに対して０．１重量％程度
の低い含有率でも、ＡｌＮ基板とメタライズ層との間の
接合に際して十分な程度接合強度を有する。したがっ
て、メタライズ層中のこの被覆粉末の含有率を下げるこ
とができるので、メタライズ層の電気抵抗を低下させる
ことができる。このときの電気抵抗は、２０ｍΩ／□以
下である。
覆した被覆粉末は、ペーストに対して０．１重量％程度
の低い含有率でも、ＡｌＮ基板とメタライズ層との間の
接合に際して十分な程度接合強度を有する。したがっ
て、メタライズ層中のこの被覆粉末の含有率を下げるこ
とができるので、メタライズ層の電気抵抗を低下させる
ことができる。このときの電気抵抗は、２０ｍΩ／□以
下である。
【００２５】なお、第１のメタライズ層形成用ペースト
において、Ｙ2Ｏ3粉末の表面をＡｌ2Ｏ3層により被覆し
た被覆粉末の含有率が０．１重量％未満のときは、接合
強度が不十分である。また、第１のメタライズ層形成用
ペーストにおいて、この被覆粉末の含有率が５０重量％
を超えるときは、メタライズ層の電気抵抗が１Ω／□以
上となり、導体としての機能を果たさない。
において、Ｙ2Ｏ3粉末の表面をＡｌ2Ｏ3層により被覆し
た被覆粉末の含有率が０．１重量％未満のときは、接合
強度が不十分である。また、第１のメタライズ層形成用
ペーストにおいて、この被覆粉末の含有率が５０重量％
を超えるときは、メタライズ層の電気抵抗が１Ω／□以
上となり、導体としての機能を果たさない。
【００２６】また、比較例として、Ａｌ2Ｏ3：Ｙ2Ｏ3＝
５：３の混合物からなるペーストを作製し、上記ＡｌＮ
基板上にこのペーストを上記方法で厚さ５μｍ印刷す
る。この印刷したものの上に、Ｍｏ：ＴｉＮ＝１：１か
らなるペーストを、厚さ１０μｍで印刷する。この後、
１７００℃、５時間の焼成を行う。この結果、ＡｌＮ基
板上に厚さ１５μｍのメタライズ層が形成される。この
比較サンプルに上記と同様の測定を行った。この電気抵
抗は２０ｍΩ／□以上である。
５：３の混合物からなるペーストを作製し、上記ＡｌＮ
基板上にこのペーストを上記方法で厚さ５μｍ印刷す
る。この印刷したものの上に、Ｍｏ：ＴｉＮ＝１：１か
らなるペーストを、厚さ１０μｍで印刷する。この後、
１７００℃、５時間の焼成を行う。この結果、ＡｌＮ基
板上に厚さ１５μｍのメタライズ層が形成される。この
比較サンプルに上記と同様の測定を行った。この電気抵
抗は２０ｍΩ／□以上である。
【００２７】以上の結果から本発明の方法により作製し
たメタライズ層を有するＡｌＮ基板は、メタライズ層の
焼成温度が低いので、反ることがなく、メタライズ層と
ＡｌＮ基板との接合強度が高いことが明らかである。
たメタライズ層を有するＡｌＮ基板は、メタライズ層の
焼成温度が低いので、反ることがなく、メタライズ層と
ＡｌＮ基板との接合強度が高いことが明らかである。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、メタライズ層を有する
ＡｌＮ基板は、反ることがなく、メタライズ層とＡｌＮ
基板との接合強度が高い。
ＡｌＮ基板は、反ることがなく、メタライズ層とＡｌＮ
基板との接合強度が高い。
Claims (3)
- 【請求項１】 ＡｌＮ基板上に、Ｗ、Ｍｏ、および、Ｔ
ａの群から選ばれる少なくとも１種以上の金属を主成分
とした第１のメタライズ層を形成するＡｌＮ基板のメタ
ライズ層の形成方法において、 Ｙ2Ｏ3粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物を含有した
ペーストを焼成することにより、上記第１のメタライズ
層を形成することを特徴とするＡｌＮ基板のメタライズ
層の形成方法。 - 【請求項２】 上記ペーストは、 上記Ｙ2Ｏ3粉の表面をＡｌ2Ｏ3で被覆した被覆物を０．
１〜５０重量％含有し、 ＡｌＮを０．１〜１０重量％含有する請求項１に記載の
ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法。 - 【請求項３】 上記第１のメタライズ層上に、Ｗ、Ｍ
ｏ、および、Ｔａの群から選ばれる少なくとも１種以上
の金属を主成分とする第２のメタライズ層を形成する請
求項１または請求項２に記載のＡｌＮ基板のメタライズ
層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19286893A JPH0725690A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19286893A JPH0725690A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0725690A true JPH0725690A (ja) | 1995-01-27 |
Family
ID=16298313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19286893A Withdrawn JPH0725690A (ja) | 1993-07-07 | 1993-07-07 | ＡｌＮ基板のメタライズ層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0725690A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001018274A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-15 | Siemens Westinghouse Power Corporation | In-situ formation of multiphase air plasma sprayed barrier coatings for turbine components |
| US6677064B1 (en) | 2002-05-29 | 2004-01-13 | Siemens Westinghouse Power Corporation | In-situ formation of multiphase deposited thermal barrier coatings |
-
1993
- 1993-07-07 JP JP19286893A patent/JPH0725690A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001018274A1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-03-15 | Siemens Westinghouse Power Corporation | In-situ formation of multiphase air plasma sprayed barrier coatings for turbine components |
| US6294260B1 (en) | 1999-09-10 | 2001-09-25 | Siemens Westinghouse Power Corporation | In-situ formation of multiphase air plasma sprayed barrier coatings for turbine components |
| US6677064B1 (en) | 2002-05-29 | 2004-01-13 | Siemens Westinghouse Power Corporation | In-situ formation of multiphase deposited thermal barrier coatings |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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