JPS63123886A - メタライズ組成物 - Google Patents
メタライズ組成物Info
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- JPS63123886A JPS63123886A JP26552186A JP26552186A JPS63123886A JP S63123886 A JPS63123886 A JP S63123886A JP 26552186 A JP26552186 A JP 26552186A JP 26552186 A JP26552186 A JP 26552186A JP S63123886 A JPS63123886 A JP S63123886A
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 235000001270 Allium sibiricum Nutrition 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017309 Mo—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000772415 Neovison vison Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000001089 mineralizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はICパッケージ、IC基板などの電子部品等に
於て用いられるメタライズ組成物に関する。
於て用いられるメタライズ組成物に関する。
(従来の技術)
近時電子工業の急激な発展により、ICパッケージ、I
C基板の特性向上が要求され、この中でも高純度アルミ
ナ磁器は特に高周波誘電損失が小さく、MICパッケー
ジなど書:は好適な材料である。
C基板の特性向上が要求され、この中でも高純度アルミ
ナ磁器は特に高周波誘電損失が小さく、MICパッケー
ジなど書:は好適な材料である。
従来一般にセラミックスのメタライズ法としては予め焼
結されたセラミック基板上にMo−Mnを主体とするメ
タライズペーストを湿潤水素ガス中で焼付ける「テレフ
ンケン法」、及び、真空中及び不活性ガス中でT1又は
ZrとNi 、 Cu 、 Ag等と比較的低融点金属
の合金からなるロウ材で直接セラミックスへロウ材する
「活性金属化法」とがあった。
結されたセラミック基板上にMo−Mnを主体とするメ
タライズペーストを湿潤水素ガス中で焼付ける「テレフ
ンケン法」、及び、真空中及び不活性ガス中でT1又は
ZrとNi 、 Cu 、 Ag等と比較的低融点金属
の合金からなるロウ材で直接セラミックスへロウ材する
「活性金属化法」とがあった。
しかしこれらの技術は単一層のセラミック基板を製造す
る場合に有効であるが、複数層のセラミック基板を積層
した複雑な電子回路用基板を必要とする場合には適応で
きなかった。この場合は埴うミンク粉末に有機樹脂を混
合し成形した可撓性のセラミックテープ(グリーンテー
プ)に予めメタライズ加工を施し、これを複数層積層し
て圧着するととにより一体化し、これを焼成することに
より、セラミックスとその内部や表面に塗布されたメタ
2イズも同時焼結させる「同時焼結法」が知られている
。
る場合に有効であるが、複数層のセラミック基板を積層
した複雑な電子回路用基板を必要とする場合には適応で
きなかった。この場合は埴うミンク粉末に有機樹脂を混
合し成形した可撓性のセラミックテープ(グリーンテー
プ)に予めメタライズ加工を施し、これを複数層積層し
て圧着するととにより一体化し、これを焼成することに
より、セラミックスとその内部や表面に塗布されたメタ
2イズも同時焼結させる「同時焼結法」が知られている
。
この方式の中で、XC回路基板に供する90〜94$A
l、O,の高アルミナセラミックスのメタライズ法とし
て公知のものはCaO、MgO、Sin、等の鉱化剤や
、?10. # Mo又はMob、 、 Fe、 0
. 、 Cr、 0. 、 MnO。
l、O,の高アルミナセラミックスのメタライズ法とし
て公知のものはCaO、MgO、Sin、等の鉱化剤や
、?10. # Mo又はMob、 、 Fe、 0
. 、 Cr、 0. 、 MnO。
の如き着色剤を含む高アルミナ磁器のグリーンチーブに
、MO又はW粉末を主体とし、これに5lid。
、MO又はW粉末を主体とし、これに5lid。
又はSin、含有のフリットを混合したメタ2イズイン
クにより所望のパターンを印刷した後、非酸化性雰囲気
下4:於て、双方の焼結する温度以下で焼結する方法が
ある。(特公昭45−48645゜ンユワルツ アンド
ウィルコックス1L八minatedCeramic
s ” ) このような状況にあって、アルミナ含有量99重量−以
上のアルミナ磁器基板は高い絶縁抵抗、熱放散性を有し
ており、その実装密度を高めるために好ましいものであ
るが、前記公知のメタライズ処理では、メタライズのア
ルミナへの密着が弱く同時焼成は不可能なところからア
ルミナグリーンテープの表面ζ:、MO及び/又はWを
主体とし、A’l、 O,とT1.τa、Y又はこれら
の化合物等を含むメタライズインクを用いる方法が開発
された(特公昭6O−28790)。
クにより所望のパターンを印刷した後、非酸化性雰囲気
下4:於て、双方の焼結する温度以下で焼結する方法が
ある。(特公昭45−48645゜ンユワルツ アンド
ウィルコックス1L八minatedCeramic
s ” ) このような状況にあって、アルミナ含有量99重量−以
上のアルミナ磁器基板は高い絶縁抵抗、熱放散性を有し
ており、その実装密度を高めるために好ましいものであ
るが、前記公知のメタライズ処理では、メタライズのア
ルミナへの密着が弱く同時焼成は不可能なところからア
ルミナグリーンテープの表面ζ:、MO及び/又はWを
主体とし、A’l、 O,とT1.τa、Y又はこれら
の化合物等を含むメタライズインクを用いる方法が開発
された(特公昭6O−28790)。
(発FIAが解決すべき問題点)
しかし、これ::よっても密着強度、体積固有抵抗、気
密性の3点を充分に満足するものとは言い離く、−層の
改良が求められていた。
密性の3点を充分に満足するものとは言い離く、−層の
改良が求められていた。
(問題点を解決するための手段)
本発明は前記の問題点を解決するために鋭意検討の結果
なされたもので、タングステンを主体とし、これに所定
量のアルミナとシリカとを配合するとともに、カルシア
、マグネシアの一種以上を少量添加することにより問題
点を解決することができた。
なされたもので、タングステンを主体とし、これに所定
量のアルミナとシリカとを配合するとともに、カルシア
、マグネシアの一種以上を少量添加することにより問題
点を解決することができた。
即ちその詳細は、アルミナ1〜16重量−、シリカ0.
01〜1.5重量%、カルシア及び/又はマグネシア0
.01〜0.8重量慢残部タングステンよりなる組成物
である。
01〜1.5重量%、カルシア及び/又はマグネシア0
.01〜0.8重量慢残部タングステンよりなる組成物
である。
(作用)
ここにアルミナはタングステンメタル層と下地アルミナ
磁器層との密着性を確保する作用をなしアルミナが1重
量−未満では密着強度が不充分となりに6重量%超では
体積固有抵抗が増大し過ぎる。シリカは少量のマグネシ
アやカルシアと一緒になってタングステン粒子の焼結を
促進するとともに、気密性を確保するが、シリカが0,
01重量−未満では気密性が低下し過ぎ、1.5重量−
超では体積固有抵抗を増大させる。カルシア及9反はマ
グネシアが0.01重量−未満では気密性の確保が不充
分となり、0.8重量%超は密着強度が低下し過ぎて好
ましくない。
磁器層との密着性を確保する作用をなしアルミナが1重
量−未満では密着強度が不充分となりに6重量%超では
体積固有抵抗が増大し過ぎる。シリカは少量のマグネシ
アやカルシアと一緒になってタングステン粒子の焼結を
促進するとともに、気密性を確保するが、シリカが0,
01重量−未満では気密性が低下し過ぎ、1.5重量−
超では体積固有抵抗を増大させる。カルシア及9反はマ
グネシアが0.01重量−未満では気密性の確保が不充
分となり、0.8重量%超は密着強度が低下し過ぎて好
ましくない。
(実施例)
以下の配合のものを純度99.99チ、径155wφの
アルミナ磁器原石3#と共に、内容積2jのポリエチレ
ン製容器に入れ、200時間混合溶解した。
アルミナ磁器原石3#と共に、内容積2jのポリエチレ
ン製容器に入れ、200時間混合溶解した。
タングステン粉末(市販品、平均粒径0,5/#II)
所定量アルミナ(市販品、純度99,9−平均粒径0.
5μ層) l 無水硅酸(市販品、純度99,9%、平均粒径0.5p
) ’ 炭酸カルシウム(試薬特級) 炭酸マグネシウム(1) 以上小計 3009 第3ブチルアルコール 509
アセトン 1507
7ボリビニルプテラール 20
1次に上記のようにして得られたスラリーをアルミニク
ム製ボールへ移し、攪拌しながらドライヤーでアセトン
を揮発させペーストとした。
所定量アルミナ(市販品、純度99,9−平均粒径0.
5μ層) l 無水硅酸(市販品、純度99,9%、平均粒径0.5p
) ’ 炭酸カルシウム(試薬特級) 炭酸マグネシウム(1) 以上小計 3009 第3ブチルアルコール 509
アセトン 1507
7ボリビニルプテラール 20
1次に上記のようにして得られたスラリーをアルミニク
ム製ボールへ移し、攪拌しながらドライヤーでアセトン
を揮発させペーストとした。
このペーストをスクリーン印刷法でアルミナグリーンシ
ートζ=所定のパターンを印刷し、更電二熱圧着操作に
より、パッケージ構造体を作った。これをアンモニア分
解ガス雰囲気、露点15℃、温度1650℃で2時間焼
成した。(アルミナグリーンシートは焼成によりAXt
O,含有率99.7−となるものである。) 得られた焼成品は、抵抗計、ヘリウムリークテスタによ
りそれぞれ体積固有抵抗、気密性を測定した。
ートζ=所定のパターンを印刷し、更電二熱圧着操作に
より、パッケージ構造体を作った。これをアンモニア分
解ガス雰囲気、露点15℃、温度1650℃で2時間焼
成した。(アルミナグリーンシートは焼成によりAXt
O,含有率99.7−となるものである。) 得られた焼成品は、抵抗計、ヘリウムリークテスタによ
りそれぞれ体積固有抵抗、気密性を測定した。
ヘリウムリークテストは第1図に示すように長方形のセ
ラミック基板グリーンシート1に、十字状(二ペースト
印刷2を施し、円形切欠部4を有する長方形のセラミッ
ク基板グリーンシート3を重ねて熱圧着し、ついで焼成
して後ヘリウムテストを行なった。
ラミック基板グリーンシート1に、十字状(二ペースト
印刷2を施し、円形切欠部4を有する長方形のセラミッ
ク基板グリーンシート3を重ねて熱圧着し、ついで焼成
して後ヘリウムテストを行なった。
体積固有抵抗は第2図に示すようにセラミック基板グリ
ーンシート1上に回路をペースト印刷2して焼成した後
、測定した。
ーンシート1上に回路をペースト印刷2して焼成した後
、測定した。
更に剥離強度は第5図に示すように、セラミックグリー
ンシート1上にペースト印刷2を施した後焼成し、この
メタライズ部分にニッケルメッキを施して後、ニッケル
線をハンダ付けし、次にこのニッケル線を906上方引
張って強度を測定した。
ンシート1上にペースト印刷2を施した後焼成し、この
メタライズ部分にニッケルメッキを施して後、ニッケル
線をハンダ付けし、次にこのニッケル線を906上方引
張って強度を測定した。
ペーストの組成及び性能を表示すれば第1表のとおりで
ある。但し、体積固有抵抗は≦1.5×10″″5Ω・
1を超えて大きいものに高周波の損失が大となり実用上
不適当であり、剥離強度は1.5に9/d未満では高い
加速度、強い振動の使用条件に耐え難いので不適当であ
り、更に、気密性は10″″aCA / 880より大
きい場合は半導体チップとしてあ価値に乏しいのでこれ
らを合否の基準にした。
ある。但し、体積固有抵抗は≦1.5×10″″5Ω・
1を超えて大きいものに高周波の損失が大となり実用上
不適当であり、剥離強度は1.5に9/d未満では高い
加速度、強い振動の使用条件に耐え難いので不適当であ
り、更に、気密性は10″″aCA / 880より大
きい場合は半導体チップとしてあ価値に乏しいのでこれ
らを合否の基準にした。
(発明の効果)
以上のように本発明によるときは体積固有抵抗。
剥離強度及び気密性に優れたメタ2イズ組成物を提供す
ることができる。
ることができる。
第1図はヘリウムテストの流れを示す簡略説明図、第2
図は体積固有抵抗の測定の流れを示す簡略説明図、第3
図は剥離強度測定の流れを示す簡略説明図である。 l、3ニゲリーンシート 2:ペースト印刷 代理人 弁理士 竹 内 守 第1図 第2 図 第3図
図は体積固有抵抗の測定の流れを示す簡略説明図、第3
図は剥離強度測定の流れを示す簡略説明図である。 l、3ニゲリーンシート 2:ペースト印刷 代理人 弁理士 竹 内 守 第1図 第2 図 第3図
Claims (1)
- アルミナ1〜16重量%、シリカ0.01〜1.5重量
%カルシア及び/又はマグネシア0.01〜0.8重量
%残部タングステンよりなることを特徴とするメタライ
ズ組成物
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61265521A JPH0633206B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | メタライズ組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61265521A JPH0633206B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | メタライズ組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63123886A true JPS63123886A (ja) | 1988-05-27 |
JPH0633206B2 JPH0633206B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=17418297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61265521A Expired - Lifetime JPH0633206B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | メタライズ組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0633206B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0312379A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | メタライズペースト |
JPH03501779A (ja) * | 1987-12-24 | 1991-04-18 | ドイチエ トムソン‐ブラント ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | コネクタ装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4913210A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-02-05 | ||
JPS51103112A (ja) * | 1975-03-07 | 1976-09-11 | Fujitsu Ltd |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP61265521A patent/JPH0633206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4913210A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-02-05 | ||
JPS51103112A (ja) * | 1975-03-07 | 1976-09-11 | Fujitsu Ltd |
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JPH03501779A (ja) * | 1987-12-24 | 1991-04-18 | ドイチエ トムソン‐ブラント ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | コネクタ装置 |
JPH0312379A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Shinko Electric Ind Co Ltd | メタライズペースト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0633206B2 (ja) | 1994-05-02 |
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