JPS60130494A - ダイボンディング用導電性ペ−スト - Google Patents
ダイボンディング用導電性ペ−ストInfo
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- JPS60130494A JPS60130494A JP58236023A JP23602383A JPS60130494A JP S60130494 A JPS60130494 A JP S60130494A JP 58236023 A JP58236023 A JP 58236023A JP 23602383 A JP23602383 A JP 23602383A JP S60130494 A JPS60130494 A JP S60130494A
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- JP
- Japan
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- weight
- die
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- semiconductor element
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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-
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
- Y10T428/31529—Next to metal
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■９発明の背景
技術分野
本発明は、ダイボンディング用導電性ペーストに関する
ものである。詳しく述べると、下地電極処理なしの半導
体素子とオーミックコンタクト可能なダイボンディング
用導電性ペーストに関するものである。
ものである。詳しく述べると、下地電極処理なしの半導
体素子とオーミックコンタクト可能なダイボンディング
用導電性ペーストに関するものである。
先行技術
従来、ダイボンディング用導電性ペーストとしては、金
、銀、銅、ニッケル、ロジウム、パラジウム、銀−パラ
ジウム等の導電性金属微粉末およびエポキシ樹脂、ポリ
イミド、ガラスグレーズ。
、銀、銅、ニッケル、ロジウム、パラジウム、銀−パラ
ジウム等の導電性金属微粉末およびエポキシ樹脂、ポリ
イミド、ガラスグレーズ。
セメント等の耐熱性バインダに溶剤を加えて混練したも
がある。これらのダイボンディング用導電性ペーストは
、半導体素子を基板にダイボンドするために使用されて
いる。しかしながら、このような導電性ペーストにより
ダイボンディングを行なうと微小電流が流れる半導体素
子においては、該部分が非オーミツク性となるために充
分な機能を発揮するには問題があった。このため、オー
ミックコンタクトをとるためには素子裏面に金等の蒸着
による下地電極処理が必要であり、かつそのコンタクト
もＡｕ−３ｉ共品法等と比べると不安定であった。
がある。これらのダイボンディング用導電性ペーストは
、半導体素子を基板にダイボンドするために使用されて
いる。しかしながら、このような導電性ペーストにより
ダイボンディングを行なうと微小電流が流れる半導体素
子においては、該部分が非オーミツク性となるために充
分な機能を発揮するには問題があった。このため、オー
ミックコンタクトをとるためには素子裏面に金等の蒸着
による下地電極処理が必要であり、かつそのコンタクト
もＡｕ−３ｉ共品法等と比べると不安定であった。
■６発明の目的
したがって、本発明の目的は、新規なダイボンディング
用導電性ペーストを提供することにある。
用導電性ペーストを提供することにある。
本発明の他の目的は、下地電極処理なしの半導体素子と
のオーミックコンタクトが可能なダイボンディング用導
電性ペーストを提供することにある。
のオーミックコンタクトが可能なダイボンディング用導
電性ペーストを提供することにある。
これらの諸口的は、ダイボンドすべき半導体素子の有す
る原子価と同一の原子価を有する少なくとも１種の元素
の単体または化合物および還元性物質を含有してなる１
００℃以上の温度でオーミックコンタクト可能なダイボ
ンディング用導電性ペーストにより達成される。
る原子価と同一の原子価を有する少なくとも１種の元素
の単体または化合物および還元性物質を含有してなる１
００℃以上の温度でオーミックコンタクト可能なダイボ
ンディング用導電性ペーストにより達成される。
■８発明の具体的構成
本発明による導電性ペーストは、通常従来の導電性ペー
ストに、ダイボンドすべき半導体素子の仕事並数を適合
させ得る半導体素子の原子価と同一の原子価を有する少
なくとも１種の元素の単体または化合物および還元性物
質を混線配合してなるものである。
ストに、ダイボンドすべき半導体素子の仕事並数を適合
させ得る半導体素子の原子価と同一の原子価を有する少
なくとも１種の元素の単体または化合物および還元性物
質を混線配合してなるものである。
添加する仕事函数適合用元素としては、ケイ素素子、ゲ
ルマニウム素子等の■光素子の場合には、ケイ素、ゲル
マニウム、炭素、チタン、ジルコニウム、錫、ハフニウ
ム、鉛等、好ましくはケイ素。
ルマニウム素子等の■光素子の場合には、ケイ素、ゲル
マニウム、炭素、チタン、ジルコニウム、錫、ハフニウ
ム、鉛等、好ましくはケイ素。
ゲルマニウム、炭素、チタン等の四価の元素、カリウム
−リン、ガリウムーヒ素、ガリウムーヒ素−リン、ガリ
ウムーアルミニウムーヒ素、ガリウムーアルミニウムー
ヒ素−リン等の■−ｖ系原子の場合には、ホウ素、アル
ミニウム、スカンジウム、ガリウム、イツトリウム、イ
ンジウム、ランタノイド、アクチノイド等、好ましくは
ガリウム。
−リン、ガリウムーヒ素、ガリウムーヒ素−リン、ガリ
ウムーアルミニウムーヒ素、ガリウムーアルミニウムー
ヒ素−リン等の■−ｖ系原子の場合には、ホウ素、アル
ミニウム、スカンジウム、ガリウム、イツトリウム、イ
ンジウム、ランタノイド、アクチノイド等、好ましくは
ガリウム。
アルミニウム、インジウム、イツトリウム等の三価の元
素おび窒素、リン、バナジウム、ヒ素、ニオブ、アンヂ
モン、タンタル、ビスマス等、好ましくはヒ素、リン、
バナジウム、タンタル、ニオブ等の三価の元素があり、
また亜鉛−硫黄、亜鉛セレン、亜鉛−テルル、水銀−カ
ドミウム−テルル、カドミウム−テルル等のＩ−Ｖｌ系
原子の場合には、ベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム。
素おび窒素、リン、バナジウム、ヒ素、ニオブ、アンヂ
モン、タンタル、ビスマス等、好ましくはヒ素、リン、
バナジウム、タンタル、ニオブ等の三価の元素があり、
また亜鉛−硫黄、亜鉛セレン、亜鉛−テルル、水銀−カ
ドミウム−テルル、カドミウム−テルル等のＩ−Ｖｌ系
原子の場合には、ベリリウム、マグネシウム、カルシウ
ム。
ストロンチウム、バリウム、亜鉛、カドミウム。
３−
水銀等、好ましくは亜鉛、カドミウム等の二価の元素お
よびクロム、モリブデン、タングステン。
よびクロム、モリブデン、タングステン。
酸素、硫黄、セレン、テルル等、好ましくはセレン、テ
ルル等の六価の元素がある。これらの元素は、単体ある
いは化合物の形で１種または２種以上組合わせて使用す
ることができる。しかして、ダイボンディングすべき素
子がケイ素、ゲルマニウム等のように単一系である場合
には、これに使用される仕事函数適合用元素は少なくと
も１種使用されるが、Ｉ［［−Ｖ光素子、 ［−ＶＩ系
素子等のように複合系である場合には、それぞれ原子価
に相当する仕事函数適合用元素をそれぞれ少なくとも１
種使用する。その使用量は、本発明による導電性ペース
ト全体に対して元素単体換算で５〜９０重量％、好まし
くは２０〜６０重量％である。また、前記元素は、通常
平均粒径０．５〜５０μｍ１好ましくは１〜１０μｍの
微粉末状単体として使用されるが、単体で気体あるいは
不安定である場合には、それらの安定な化合物として使
用される。
ルル等の六価の元素がある。これらの元素は、単体ある
いは化合物の形で１種または２種以上組合わせて使用す
ることができる。しかして、ダイボンディングすべき素
子がケイ素、ゲルマニウム等のように単一系である場合
には、これに使用される仕事函数適合用元素は少なくと
も１種使用されるが、Ｉ［［−Ｖ光素子、 ［−ＶＩ系
素子等のように複合系である場合には、それぞれ原子価
に相当する仕事函数適合用元素をそれぞれ少なくとも１
種使用する。その使用量は、本発明による導電性ペース
ト全体に対して元素単体換算で５〜９０重量％、好まし
くは２０〜６０重量％である。また、前記元素は、通常
平均粒径０．５〜５０μｍ１好ましくは１〜１０μｍの
微粉末状単体として使用されるが、単体で気体あるいは
不安定である場合には、それらの安定な化合物として使
用される。
このような化合物としては、硫化物、窒化物、酸４−
化物、炭化物、水素化物等の無機化合物あるいはその他
の有機化合物がある。
の有機化合物がある。
本発明による導電性ペーストにおいて使用される還元性
物質としては種々のものがあるが、−例を挙げると、例
えば、Ｃｎ Ｈ２、Ｎｉ Ｈ２、ＣＯＨ２，ＦｅＨ２，
ＦｅＨｅ、ＣｒＨ，ＷＨ３゜Ｔｉ Ｈ４、Ｓｉ Ｈ４、
Ｇｅ Ｈ４、Ｚｒ Ｈ４、ＨｆＨ４，Ｎａ ［Ｂｆ−１
４］、Ｌｉ ［ＢＨ＋ ］等の水素化物、Ａｄ２Ｃｏ
、Ｌａ Ｃ２、Ｃｅ Ｃ２，Ｎｄ Ｃ２。
物質としては種々のものがあるが、−例を挙げると、例
えば、Ｃｎ Ｈ２、Ｎｉ Ｈ２、ＣＯＨ２，ＦｅＨ２，
ＦｅＨｅ、ＣｒＨ，ＷＨ３゜Ｔｉ Ｈ４、Ｓｉ Ｈ４、
Ｇｅ Ｈ４、Ｚｒ Ｈ４、ＨｆＨ４，Ｎａ ［Ｂｆ−１
４］、Ｌｉ ［ＢＨ＋ ］等の水素化物、Ａｄ２Ｃｏ
、Ｌａ Ｃ２、Ｃｅ Ｃ２，Ｎｄ Ｃ２。
３ｍ Ｃ２、ＶＣ２、Ｔｈ Ｃ２、ＶＣ２，８ｉ Ｃ。
Ｔｉ Ｃ，ｌ−１ｆ Ｃ，Ｚｒ Ｃ，Ｃｒ ３ Ｃ２、
ＶＣ，ＮｂＣ，Ｔａ Ｃ，ＭＯ２Ｃ，ＭＯＣ，Ｗ２ Ｃ
，ＷＣ。
ＶＣ，ＮｂＣ，Ｔａ Ｃ，ＭＯ２Ｃ，ＭＯＣ，Ｗ２ Ｃ
，ＷＣ。
Ｃｒ４Ｃ，Ｆｅ３ Ｃ，Ｂ４ Ｃ等の炭化物、ラウリン
酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレ
イン酸、べへニン酸等の高級脂肪酸、ジメチル亜鉛、ジ
エチル亜鉛、トリエチルアルミニウム、イソプロピルア
ルミニウム、グリニヤール試薬、ナフテン酸金属塩、酢
酸金属塩、プロピオン酸金属塩等有機金属化合物、有機
ケイ素化合物。
酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレ
イン酸、べへニン酸等の高級脂肪酸、ジメチル亜鉛、ジ
エチル亜鉛、トリエチルアルミニウム、イソプロピルア
ルミニウム、グリニヤール試薬、ナフテン酸金属塩、酢
酸金属塩、プロピオン酸金属塩等有機金属化合物、有機
ケイ素化合物。
ヒドラジン等がある。これらの還元性物質は、１種また
は２種以上を組合わせて使用される。その使用量は、本
発明による導電性ペースト全体に対して０．５〜５０重
量％、好ましくは５〜１０重量％である。
は２種以上を組合わせて使用される。その使用量は、本
発明による導電性ペースト全体に対して０．５〜５０重
量％、好ましくは５〜１０重量％である。
前記仕事函数適合用元素および還元剤は、通常、従来の
ダイボンディング用導電性ペーストに混線配合される。
ダイボンディング用導電性ペーストに混線配合される。
このような従来のペーストは、金。
銀、銅、ニッケル、ロジウム、パラジウム、銀−パラジ
ウム等の導電性微粉末およびエポキシ樹脂。
ウム等の導電性微粉末およびエポキシ樹脂。
ポリイミド、ポリアミドイミド、ガラスグレーズ。
セメント等の耐熱性バインダに溶剤等を加えて混線配合
してなるものである。前記導電性微粉末は、通常平均粒
径１〜２０μｍ、好ましくは１〜５μｍであり、金、銀
等の微粉末である。前記導電性微粉末の使用量は、本発
明による導電性ペースト全体に対して、通常０〜８０重
量％、好ましくは２５〜６０重曲％である。
してなるものである。前記導電性微粉末は、通常平均粒
径１〜２０μｍ、好ましくは１〜５μｍであり、金、銀
等の微粉末である。前記導電性微粉末の使用量は、本発
明による導電性ペースト全体に対して、通常０〜８０重
量％、好ましくは２５〜６０重曲％である。
バインダとして使用されるエポキシ樹脂としては、エピ
クロルヒドリン−ビスフェノールＡ型。
クロルヒドリン−ビスフェノールＡ型。
ノボラック型、β−メチルエピクロルビトリン型。
環状脂肪族型（環状オキシラン型、グリシジルエーテル
型、グリシジルエステル型等）、非環状脂肪族型（ポリ
グリコールエーテル型、グリコールエーテル型、脂肪族
不飽和化合物のエポキシ化型等）、エポキシ化動植物油
、多価カルボン酸エステル型、アミノグリシジル型、塩
素化型、レゾルシン型等があり、好ましくはエピクロル
ヒドリン−ビスフェノールＡ型、ノボラック型等であり
、これらは硬化剤と併用される。硬化剤としては、例え
ばジエチレントリアミン、ベンジルジメチルアミン、ジ
シアンジアミド、メタフェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルアミン、ジアミノジフ工二ルスルホン、ポリア
ミド等のアミン類や無水フタル酸、無水マレイン酸、無
水へキサヒドロフタル酸、無水メチルナジック酸、無水
ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸
等の酸無水物、フェノールボラック等がある。前記バイ
ンダは、本発明による導電性ペースト全体に対して、通
常３〜５０重量％、好ましくは１０〜３０Ｍ量％である
。
型、グリシジルエステル型等）、非環状脂肪族型（ポリ
グリコールエーテル型、グリコールエーテル型、脂肪族
不飽和化合物のエポキシ化型等）、エポキシ化動植物油
、多価カルボン酸エステル型、アミノグリシジル型、塩
素化型、レゾルシン型等があり、好ましくはエピクロル
ヒドリン−ビスフェノールＡ型、ノボラック型等であり
、これらは硬化剤と併用される。硬化剤としては、例え
ばジエチレントリアミン、ベンジルジメチルアミン、ジ
シアンジアミド、メタフェニレンジアミン、ジアミノジ
フェニルアミン、ジアミノジフ工二ルスルホン、ポリア
ミド等のアミン類や無水フタル酸、無水マレイン酸、無
水へキサヒドロフタル酸、無水メチルナジック酸、無水
ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸
等の酸無水物、フェノールボラック等がある。前記バイ
ンダは、本発明による導電性ペースト全体に対して、通
常３〜５０重量％、好ましくは１０〜３０Ｍ量％である
。
７−
前記成分をペースト状にするためには、溶媒が使用され
る。該溶剤は、前記バインダを溶解するものであればよ
く、例えばエポキシ樹脂に対してはエチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のグ
リコールエーテル類、ポリイミドに対してはメチルピロ
リドン等がある。これらの溶剤は、本発明による導電性
ペースト全体に対して、通常０〜３０重量％、好ましく
は３〜２０重量％である。
る。該溶剤は、前記バインダを溶解するものであればよ
く、例えばエポキシ樹脂に対してはエチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のグ
リコールエーテル類、ポリイミドに対してはメチルピロ
リドン等がある。これらの溶剤は、本発明による導電性
ペースト全体に対して、通常０〜３０重量％、好ましく
は３〜２０重量％である。
本発明による導電性ペーストは、前記成分を混合して、
充分混練することにより得られる。しかして、該導電性
ペーストは、ダイボンドすべき半導体素子を下地電極処
理することなしに該半導体素子に付着し、１００℃以上
、好ましくは１５０〜２５０℃の温度でダイボンディン
グすることによりオーミックコンタクトが可能となる。
充分混練することにより得られる。しかして、該導電性
ペーストは、ダイボンドすべき半導体素子を下地電極処
理することなしに該半導体素子に付着し、１００℃以上
、好ましくは１５０〜２５０℃の温度でダイボンディン
グすることによりオーミックコンタクトが可能となる。
なお、該半導体素子としては、ＶＬＳＩ、ＬＳＩ、ＩＣ
。
。
トランジスタ、ダイオード、ＬＥＤ、フォトトランジス
タ、太陽電池、半導体レーザー等がある。
タ、太陽電池、半導体レーザー等がある。
８一
つぎに、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する
。
。
実施例 １
銀微粉末
（平均粒径１Ｏμｍ以下） ５０重量％ケイ素微粉末
（平均粒径１０μｍ以下） ２０重量％エポキシ樹脂
（フェノールノボラックエポキシ
１０重量部に対し無水へキサ
ヒドロフタル酸８重量部） ２０重量％エチレングリコ
ール モノブチルエーテル ５重量％ ナフテン酸コバルト ５重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして得られた導
電性ペーストを、裏面に金処理を施してないシリコンダ
イオードを基板にダイボンドしてからワイヤボンドし、
そのダイオード特性１０− を測定した。なお、ダイボンド時の焼付けは１５０℃で
１時間行なった。ダイボンド特性は、電流値を１０μ八
で一定とし、その時の電圧でダイボンド部の電圧および
抵抗を測定したものである。
ール モノブチルエーテル ５重量％ ナフテン酸コバルト ５重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして得られた導
電性ペーストを、裏面に金処理を施してないシリコンダ
イオードを基板にダイボンドしてからワイヤボンドし、
そのダイオード特性１０− を測定した。なお、ダイボンド時の焼付けは１５０℃で
１時間行なった。ダイボンド特性は、電流値を１０μ八
で一定とし、その時の電圧でダイボンド部の電圧および
抵抗を測定したものである。
その結果は、第１表のとおりであった。
比較例 １〜２
比較のために、裏面に金処理を施したシリコンダイオー
ドを、従来の銀ペーストでダイボンドしたちのく比較例
１）および無処理のシリコンダイオードを、従来の銀ペ
ーストでダイボンドしたもの（比較例２）について、実
施例１と同様な方法でダイオード特性を測定したところ
、第１表の結果が得られた。
ドを、従来の銀ペーストでダイボンドしたちのく比較例
１）および無処理のシリコンダイオードを、従来の銀ペ
ーストでダイボンドしたもの（比較例２）について、実
施例１と同様な方法でダイオード特性を測定したところ
、第１表の結果が得られた。
第１表
試 料 電圧（ｍＶ） 抵抗（Ω）
実施例 １ ２．５ ２５０
比較例 １ ５ ５００
比較例 ２ ２００ ２０．０００
第１表から明らかなように、本発明による導電性ペース
トを使用することにより、従来の硬化な金処理を施した
ものよりも良好な接触抵抗を有するシリコンダイオード
が極めて安価に量産できる。
トを使用することにより、従来の硬化な金処理を施した
ものよりも良好な接触抵抗を有するシリコンダイオード
が極めて安価に量産できる。
実施例 ２
銀微粉末
（平均粒径１Ｏμｍ以下） ３０重量％ゲルマニウム微
粉末 （平均粒径１Ｏμｍ以下） ４０重量％エポキシ樹脂 （フェノールノボラックエポキシ １０重量部に対してへキサヒドロ 無水フタル酸８重量部） ２０重量％ エチレングリコール モノブチルエーテル ８重量％ Ｎｉ１−１２ ２重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして得られた導
電性ペーストを、実施例１と同様１１− の方法で金処理を施することなくシリコフォトトランジ
スタを組立てたのち、同様な方法で特性値を測定したと
ころ、第２表の結果が得られた。この時は、ＶＣＣを０
．２Ｖで一定とした。
粉末 （平均粒径１Ｏμｍ以下） ４０重量％エポキシ樹脂 （フェノールノボラックエポキシ １０重量部に対してへキサヒドロ 無水フタル酸８重量部） ２０重量％ エチレングリコール モノブチルエーテル ８重量％ Ｎｉ１−１２ ２重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして得られた導
電性ペーストを、実施例１と同様１１− の方法で金処理を施することなくシリコフォトトランジ
スタを組立てたのち、同様な方法で特性値を測定したと
ころ、第２表の結果が得られた。この時は、ＶＣＣを０
．２Ｖで一定とした。
比較例 ３〜４
比較のために、裏面に金処理をしたシリコンフォトトラ
ンシタを、Ａｕ−８ｔ共品系でダイボンドしたもの（比
較例３）および無処理のシリコンフォトトランジスタを
、従来の銀ペーストでダイボンドしたもの（比較例４）
について、実施例２と同様な方法で特性値を測定したと
ころ、第２表の結果が１ｑられた。
ンシタを、Ａｕ−８ｔ共品系でダイボンドしたもの（比
較例３）および無処理のシリコンフォトトランジスタを
、従来の銀ペーストでダイボンドしたもの（比較例４）
について、実施例２と同様な方法で特性値を測定したと
ころ、第２表の結果が１ｑられた。
週１Ｉ２−ｊく−
試 料 電流値（ｍＡ）
実施例 ２ ４８０
比較例 ３ ４７０
比較例 ４０
第２表から明らかなように、シリコンフォトトランシタ
においても、本発明による導電性ペース１２− 卜を使用することにより、従来の高価な金処理が不用と
なり、その効果が著しい。また、従来裏面処理を必要と
してきたＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の全てのシリコーン
素子に有効である。
においても、本発明による導電性ペース１２− 卜を使用することにより、従来の高価な金処理が不用と
なり、その効果が著しい。また、従来裏面処理を必要と
してきたＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の全てのシリコーン
素子に有効である。
実施例 ３
銀微粉末
（平均粒径１Ｏμｍ以下＞ ３０重量％バナジウム微粉
末 （平均粒径１Ｏμ０１以下） ２０重量％カリウム微粉
末 （平均粒径１Ｏμｍ以下） ２０重量％実施例１のエポ
キシ樹脂 ２０重量％ エチレングリコール モノブチリエーテル ８重量％ Ｃｏ Ｈ２２重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして１９られた
導電性ペーストを、実施例１と同様の方法で金処理を施
すことなくＧａ−Ａｕ−Ａｓダイオードを組立てたのち
、同様な方法でダイオード特性を測定したところ、第３
表の結果が得られた。
末 （平均粒径１Ｏμ０１以下） ２０重量％カリウム微粉
末 （平均粒径１Ｏμｍ以下） ２０重量％実施例１のエポ
キシ樹脂 ２０重量％ エチレングリコール モノブチリエーテル ８重量％ Ｃｏ Ｈ２２重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして１９られた
導電性ペーストを、実施例１と同様の方法で金処理を施
すことなくＧａ−Ａｕ−Ａｓダイオードを組立てたのち
、同様な方法でダイオード特性を測定したところ、第３
表の結果が得られた。
比較例 ５〜６
比較のために、裏面に全処理を施したＧａ−Ａ（１，−
Ａｓダイオードを、従来の銀ペーストでダイボンドした
もの（比較例５）および無処理のＧａ−Ａｌ〜Ａｓダイ
オードを、従来の銀ペーストでダイボンドしたもの（比
較例６）について、実施例１と同様な方法でダイオード
特性を測定したところ、第３表の結果が得られた。
Ａｓダイオードを、従来の銀ペーストでダイボンドした
もの（比較例５）および無処理のＧａ−Ａｌ〜Ａｓダイ
オードを、従来の銀ペーストでダイボンドしたもの（比
較例６）について、実施例１と同様な方法でダイオード
特性を測定したところ、第３表の結果が得られた。
第３表
Ｕ−電圧（ｍＶ） 抵抗（Ω）
実施例 ３ １．８ １８０
比較例 ５ ３ ３００
比較例 ６ １．５００ １５０．０００第３表から明
らかなように、本発明による導電性ペーストを使用るこ
とにより、従来の高価な全処理を施したものよりも良好
な接触抵抗を有するダイオードが極めて安価に量産でき
る。
らかなように、本発明による導電性ペーストを使用るこ
とにより、従来の高価な全処理を施したものよりも良好
な接触抵抗を有するダイオードが極めて安価に量産でき
る。
実施例 ４
銀微粉末
（平均粒径１Ｏμｍ以下） ５０重量％ゲルマニウム微
粉末 （平均粒径１Ｏμｍ以下） ２０重量％実施例１のエポ
キシ樹脂 ２０重量％ エチレングリコール モノブチルエーテル ５重量％ Ｚｒｆ−１＋ ５重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わけ゛てペースト状
とし、導電性ペーストを得た。このようにして得られた
導電性ペーストを、実施例１と同様の方法で全処理を施
すことなくゲルマニウムダイオードを組立てたのち、同
様な方法で特性値を測定したところ、第４表の結果が得
られた。この時のＶｃｃをＯ，２Ｖで一定とした。
粉末 （平均粒径１Ｏμｍ以下） ２０重量％実施例１のエポ
キシ樹脂 ２０重量％ エチレングリコール モノブチルエーテル ５重量％ Ｚｒｆ−１＋ ５重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わけ゛てペースト状
とし、導電性ペーストを得た。このようにして得られた
導電性ペーストを、実施例１と同様の方法で全処理を施
すことなくゲルマニウムダイオードを組立てたのち、同
様な方法で特性値を測定したところ、第４表の結果が得
られた。この時のＶｃｃをＯ，２Ｖで一定とした。
比較例 ７〜８
１５−
比較のために、裏面に全処理をしたゲルマニウムダイオ
ードを、Ａｕ−８ｉ共晶系でダイボンドしたもの（比較
例７）および無処理のゲルマニウムダイオードを、従来
の銀ベートでダイボンドしたちのく比較例８）について
、実施例２と同様な方法で特性値を測定したところ、第
４表の結果が得られた。
ードを、Ａｕ−８ｉ共晶系でダイボンドしたもの（比較
例７）および無処理のゲルマニウムダイオードを、従来
の銀ベートでダイボンドしたちのく比較例８）について
、実施例２と同様な方法で特性値を測定したところ、第
４表の結果が得られた。
第４表
試 料 電流値（ｍＡ）
実施例 ４ １，５００
比較例 ７ １，４５０
比較例 ８０
実施例 ５
銀微粉末
（平均粒径１０μｍ以下） ５０重量％ＣｄＴｅ微粉末
（平均粒径１０μｍ以下） ２０重量％実施例１のエポ
キシ樹脂 ２０重量％ １６− ニチレングリコール モノブチルエーテル ５重量％ Ｃｒ１−１ ５重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして得られた導
電性ペーストを、実施例１と同様の方法で全処理を施す
ことなくＣｄ−Ｔｅダイオード（ＮまたはＰ）を組立て
たのち、同様な方法で特性値を測定したところ、第５表
の結果が得られた。この時のＶｃｃをＯ，２Ｖで一定と
した。
キシ樹脂 ２０重量％ １６− ニチレングリコール モノブチルエーテル ５重量％ Ｃｒ１−１ ５重量％ 上記成分を乳鉢でよく混合して練合わせてペースト状と
し、導電性ペーストを得た。このようにして得られた導
電性ペーストを、実施例１と同様の方法で全処理を施す
ことなくＣｄ−Ｔｅダイオード（ＮまたはＰ）を組立て
たのち、同様な方法で特性値を測定したところ、第５表
の結果が得られた。この時のＶｃｃをＯ，２Ｖで一定と
した。
比較例 ９〜１０
比較のために、裏面に全処理をしたｃｄ−１”ｅダイオ
ードを、Ａｕ−３ｉ共晶系でダイボンドしたちのく比較
例９）および無処理のＣｄ−Ｔｅダイオードを、従来の
銀ペーストでダイボンドしたちのく比較例１０）につい
て、実施例２と同様な方法で特性値を測定したところ、
第５表の結果が得られた。
ードを、Ａｕ−３ｉ共晶系でダイボンドしたちのく比較
例９）および無処理のＣｄ−Ｔｅダイオードを、従来の
銀ペーストでダイボンドしたちのく比較例１０）につい
て、実施例２と同様な方法で特性値を測定したところ、
第５表の結果が得られた。
英Ｌ」Σ」酉ニ
ーー民−一」−一 電流値（ｍＡ）
実施例 ５ １，２００
比較例 ９ １．１８０
比較例 １０ Ｑ
以上のように、いずれの素子においても、本発明による
導電性ペーストの効果は明らかであり、集積化されたも
のについても同一効果が期待される。
導電性ペーストの効果は明らかであり、集積化されたも
のについても同一効果が期待される。
特許出願人 株式会社 キ ッ ド
１９−
Claims (2)
- （１）ダイボンドすべき半導体素子の有する原子価と同
一の原子価を有する少なくとも１種の元素の単体または
化合物および還元性物質を含有してなる１００℃以上の
温度でオーミックコンタクト可能なダイボンディング用
導電性ペースト。 - （２）導電性ペーストは、半導体素子と同一の原子価を
有する元素の単体または化合物５〜９０重量％（単体換
算）、還元性物質０．５〜５０重量％、導電性微粉末、
０〜８０重量％、バインダ３〜４５重量％および溶剤０
〜３０重量％よりなるものである特許請求の範囲第１項
に記載のダイボンディング用導電性ペースト。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236023A JPS60130494A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | ダイボンディング用導電性ペ−スト |
| US06/678,246 US4574056A (en) | 1983-12-16 | 1984-12-05 | Die-bonding electroconductive paste |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58236023A JPS60130494A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | ダイボンディング用導電性ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130494A true JPS60130494A (ja) | 1985-07-11 |
| JPH0429478B2 JPH0429478B2 (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=16994615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58236023A Granted JPS60130494A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | ダイボンディング用導電性ペ−スト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4574056A (ja) |
| JP (1) | JPS60130494A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154898A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-16 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ろう材 |
| CN113013062A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-22 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364982A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-23 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ磁器用メタライズ組成物 |
| JPH0628269B2 (ja) * | 1987-07-15 | 1994-04-13 | 株式会社巴川製紙所 | ダイボンデイング用接着テ−プ |
| JPH07105282B2 (ja) * | 1988-05-13 | 1995-11-13 | 富士ゼロックス株式会社 | 抵抗体及び抵抗体の製造方法 |
| FR2646020B1 (fr) * | 1989-04-13 | 1991-07-12 | Lecorre Alain | Materiau composite comportant une couche d'un compose iii-v et une couche de pnicture de terres rares, procede de fabrication et application |
| US5062896A (en) * | 1990-03-30 | 1991-11-05 | International Business Machines Corporation | Solder/polymer composite paste and method |
| US5248519A (en) * | 1991-07-26 | 1993-09-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Process for preparing an assembly of an article and a soluble polyimide which resists dimensional change, delamination, and debonding when exposed to changes in temperature |
| TW301843B (en) | 1994-11-15 | 1997-04-01 | Ibm | Electrically conductive paste and composite and their use as an electrically conductive connector |
| US5575956A (en) * | 1995-07-19 | 1996-11-19 | Hughes Aircraft Company | Room-temperature stable, one-component, electrically-conductive, flexible epoxy adhesives |
| TWI232888B (en) * | 2003-11-25 | 2005-05-21 | Min-Hung Lei | Method for producing supported palladium membrane for purification of high purity hydrogen |
| US7527749B2 (en) * | 2004-10-18 | 2009-05-05 | Georgia Tech Research Corporation | Electrically conductive adhesives and methods of making |
| US7910026B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-03-22 | Kyle Brian K | Electrical contact enhancing coating |
| DE102015112018B3 (de) * | 2015-07-23 | 2016-07-14 | Endress+Hauser Flowtec Ag | Magnetisch-induktives Durchflussmessgerät zur Messung der Durchflussgeschwindigkeit oder dem Volumendurchfluss von Medien in einer Rohrleitung und Verfahren zur Herstellung eines solchen Durchflussmessgeräts |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3925698A (en) * | 1973-10-12 | 1975-12-09 | Us Army | Colloidal semiconductor and method of manufacture |
| US4293451A (en) * | 1978-06-08 | 1981-10-06 | Bernd Ross | Screenable contact structure and method for semiconductor devices |
| DE2852375A1 (de) * | 1978-12-04 | 1980-06-26 | Dynamit Nobel Ag | Isolierstoffkoerper mit im harz verteilten metallpartikeln |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP58236023A patent/JPS60130494A/ja active Granted
-
1984
- 1984-12-05 US US06/678,246 patent/US4574056A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154898A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-16 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ろう材 |
| CN113013062A (zh) * | 2021-02-23 | 2021-06-22 | 绍兴同芯成集成电路有限公司 | 一种化合物半导体基板与硅基载板永久键合方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4574056A (en) | 1986-03-04 |
| JPH0429478B2 (ja) | 1992-05-19 |
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