JPS6364346A - テ−プキヤリア形半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、特に超薄形化を図ったテープキャリア形半導
体装置にＩＩＩ　＝Ｊる。

（従来の技術） 上記テープ４−トリア形半導体装置は、長尺のスプロケ
ットホイール付のキ１Ｔリヤ用テープに３ｎめっきをし
たＣ　ＬＪフィンガを突出させて、６さ、これにＡｕバ
ンブをもった半ｉ１７体チップを）Ｗ続開にΔＬＪ−３
ｎ共晶ボンディングした後、什］暗月止したしので、薄
形パッケージ笠に適している。

従来、上記樹脂封止は、ポツティング用液状樹脂４月止
揚所上方から乗らして、これを加熱１．Ｎ化させたり、
破砕状シリカを含イｊした固形ｔ−ルド樹脂によって封
止する１号合【よ、例えば商品名）ニベレット（日東電
工（Ｉｉ）ｙ”）Ｓの固形ベレットをテープの−Ｆに乗
せ、熱ににって流動けしめて熱硬化させること等が一般
に行われていた。

（発明がＷｌ決しようとづる問題貞） しかしながら、」−配液状ＩＢＩ　ｉｌ！′４でボンデ
ィングした場合は、凸レンズ状に中央が１）１．ら／υ
だ状Ｉｃｅ　′ｃｌψ化してしまい、（Ｊぽ均一な厚さ
で、かつ、＋９形化Ｊ−ることが困難で、；！：Ｉこ上
記固形ベレットを使用してカード状（こラミネ−１−ｔ
、　７：場合【３１、：青状舅ｌ１ｉｉ　ｊ、りらｒｒ
４湿性を向上させることがでさるムのの、内部の凹凸が
そのまま表面に現われてしまう。更に、両石とも、例え
ば通常のｑ１出成形や低Ｌ「［・ランスフ？成形に比べ
て工数が大きく、コストアップにつむがつでしまうとい
う問題点があった。

なＪ３、通常の低圧トランスフ１成形では、１　ｍｍ以
下のモールド品を成形することは一般に困難であつｌこ
。

本発明は上記に鑑み、薄形パッケージ、１！ｔにＩＣカ
ードの国際的現出を：！１足できる０、５ｍｍ以下のモ
ールドタイプのデーブキトリア形パッケージで、しかｂ
耐湿性やｊＩ（応力性等の信頼性の向上を［４るどとム
に、バッジベージＨンクラックの発生を防止し、史に、
工数をｉ’ｉ１減して二Ｊストダウンを［４つたものを
提供づることを目的としてなされたものである。

〔発明の（＋４成） （問題点を解決するための手段） 本発明は上記［］的を達成するため　Ｂ４成物質である
フィラーの一部又（，１仝部が球状である樹脂により、
低圧下ランスフＩ成形や射出成形等で平板状にモールド
成形してｔＭ成し、必要に応じて半導体チップの下面を
外部に露出させたらのである。

（作　用） 而して、フィラーの一部又は全部が球状である樹脂によ
りモールド成形することによって、フィラーによって半
導体チップの表面等に傷がイ］いてしまうことを防止す
るととしに、薄形化を実現ざゼ、更に低圧トランスファ
成形や削出成形を可能として工数の削減等を図るのであ
り、半導体チップの下面を露出させることにより、より
薄形化を図ることができるものである。

（実施例） 第１図は本発明の一実施例を承りもので、半導体チップ
１の上面には、バンブ２を介してリード３がボンディン
グされ、このリード３１、↓半導体チップ１の周囲のテ
ープ４の上面に廷出している。

上記半導体チップ１の上面及びその周囲は、テープ４の
周縁を一部ｎ出ざＵて樹脂５によ０均一ノ厚ざｔに樹脂
封止されている。この樹脂５は口の構成物質であるフィ
ラーの一部又は全部が球状であるものが使用されている
。

このように、フィラーの一部又は全部が球状のらのを使
用することにより、厚さｔ＝ｏ、５ｓｉ以下のパッケー
ジを実現づることがでさ、しかｂパッシベーションクラ
ックの発生を防止することができる。

なＪ３、この実施例では、半導体デツプ１の上面にのみ
樹脂５による封止を行って、半導体チップ１の下面が露
出するよ・うにして、より７ｔｖ形化を図っているが、
半導体チップ１の上下両面に樹脂５による封！トを行っ
ても良く、この場合でも厚さｔ＝０．５ｍｍ以下のパッ
ケージを（ツることができる。

上記パッケージは、通常のトランスファ成形又はＱＪ出
成形によって得ることがＣきる。

これを第２図に１、（づいて説明する。

先ず、通常の方法で半導体デツプ１に形成したバンブ２
と、テープ４の内方に突出させたフィン力部としてのリ
ード３とをボンディングさせる。

この状態で、間隔ｔ１を０．５ｍｍＶ１度とした１型６
と下型７との間に、半導体チップ１が中央に位置するよ
うに挿着し、ゲート８から低圧トランスファ用樹脂５′
を圧入するのであるが、この樹脂５′はその構成物質で
あるフィラーの一部又（よ全部が球状のしのを使用する
。このＪ：うに球状フィラーをりむ樹脂５′を使用する
ことにより、半導体チップ１の表面等に傷が付いてしま
うことを防止するとともに、０．５ｍｍＶ１度以下どい
つ！＝超薄形化を図ることができる。

この時、ワイヤなどれの問題がないため、（飼脂５′の
Ｑ（出圧力を従来より高めの１００〜１５０Ｋｇ／　ｃ
ｔＡ稈１哀で、割出スピードを早めにとって）、１人す
ることが望ましい。

また、金型６．７を加熱して樹脂５′を加熱硬化させる
のであるが、この温度はテープキトリア用テーブ４の耐
熱温度の許す領域、すなわら、Ｃｕテープの場合ｔよ１
６０〜１８０℃、樹脂系のテープでは１４０〜１６０℃
程痕とづ−る。そして、樹脂５′がＩＪ口熱Ｖゆ化した
後、周囲をＶ）ｌｊｌ；ｉシて、第１図に示すパッケー
ジをｉ′７るのである。

上記においては、低圧トランスファ成形について説明し
たが、球状フィラーをａむｑ１出成ｊじ川１ｊ・１脂を
使用して、射出成形によりｔ−ルトＪ＋’＜　ｊｉ、：
・１く）ようにすることもできる。

〔発明の効果〕

本発明は上記のようなＮｉ成であるので、従来のフラッ
Ｉ・パッケージでは、通常１．５ｍｍ程麿０厚さになっ
てしまい、これ以上の薄形化は困難であるが、本発明に
よれば、０．５Ｍ以Ｆの厚さの実現が可能となり、これ
によって０．５ｍｍ以下のＩＣカードの［ｉｌ際規格を
満足でさるぽかりでなく、パッシベーションクラックの
ｎ　４１を防止刀ることがでさる。

しかｂ、パッケージのＸ１法ｔ１′ｌ磨、上下の平行度
が正確に出るので、ＩＣカード等のカードタイプのラミ
ネートに向いているばかりでなく、フィラーが均一化す
るため、線膨張係数を下げることができ、従って低応力
化を図ることができる。

史に、液状樹脂より飛躍的に信頼性が向上Ｊるばかりで
なく、■産性及びＴ故の削減を図ってコストダウンを図
ることができ、しかＬ）υＬ来の、伎状樹脂ヤ）固形ベ
レットのようイ２未充唄の心配が少／ｊくなるのＣ・、
生産性を向上させることができる。

また、必要に応じて「くを大きくつけることにＪ、す、
外側にパッケージの外膜が現われめようにすることがで
き、更に、半導体チップの方面を１１￥出させることに
より、より薄形化を図るとどもに、曲げ応力に対して強
く、しかムそりが出てｂ　＋ＭＩ　！ｉｆｆクラックが
生じないようにすることができるどいった効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図【は本発明の一実施例を示り＋’１所正面図、第
２図はその袈ｊ告例を示すＵｌｌ正正面図ある。 １・・・半導体チップ、２・・・バルブ、３・・・リー
ド、４・・・テープ、５．５′・・・樹脂、６・・・−
ＬＩＪ＋、７・・・下型。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、構成物質であるフィラーの一部又は全部が球状であ
   る樹脂により平板状にモールド成形して構成したことを
   特徴とするテープキャリア形半導体装置。 ２、半導体チップの下面が露出していることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載のテープキャリア形半導体
   装置。