JPS6364323A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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- JPS6364323A JPS6364323A JP20785186A JP20785186A JPS6364323A JP S6364323 A JPS6364323 A JP S6364323A JP 20785186 A JP20785186 A JP 20785186A JP 20785186 A JP20785186 A JP 20785186A JP S6364323 A JPS6364323 A JP S6364323A
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- Japan
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- substrate
- electric field
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長方法に係り、特に非晶質基板にＩｎＰ
、ＧａＡＳなどの単結晶を成長させるのに好適な気相成
長方法に関する。
、ＧａＡＳなどの単結晶を成長させるのに好適な気相成
長方法に関する。
６４−７３に示さｎているように加熱したサセプタ上の
基板に原料ガスを輸送しエピタキ／マル成長させていた
。従って、基板に非晶質を用いると非晶質もしくは多結
晶か成長してしまう。
基板に原料ガスを輸送しエピタキ／マル成長させていた
。従って、基板に非晶質を用いると非晶質もしくは多結
晶か成長してしまう。
〔発明が解決しようとする問題点」
上記従来技術は基板が非晶質の場廿単結晶を成長させる
照について配慮がさＣて２らず、格子定数が同じ基板を
使わなけｎｌ−１′ならないという問題があった。
照について配慮がさＣて２らず、格子定数が同じ基板を
使わなけｎｌ−１′ならないという問題があった。
本発明の目的は、成長用基板として５ｉ（Ｊ２の工うな
非晶質基板に容易に単結晶を成長させることにめる。
非晶質基板に容易に単結晶を成長させることにめる。
上記目的は、基板直前に磁界もしくは磁界を加えること
およびもしくは絶縁基板式面に平行に電界を刃口え成長
した薄膜に一定方向に電流を流すことによシ、達成され
る。
およびもしくは絶縁基板式面に平行に電界を刃口え成長
した薄膜に一定方向に電流を流すことによシ、達成され
る。
原理を第１図で説明する。ＴＥＩｎ（）！Ｊエチに供給
する。基板直前もしくは基板上でＴＥＩｎとＰＨ３は反
応し１０２分子が出来る。このＩｎＰ分子はわずか（Ｃ
偏極しているため、そこに基板面に平行する電画２及び
″を源３工り生じる電界があると磁界の方向にＩｎＰ分
子が並ぶようになるっこれらを核にし次第に成長が進み
基板全体に単結晶が成長できる。
する。基板直前もしくは基板上でＴＥＩｎとＰＨ３は反
応し１０２分子が出来る。このＩｎＰ分子はわずか（Ｃ
偏極しているため、そこに基板面に平行する電画２及び
″を源３工り生じる電界があると磁界の方向にＩｎＰ分
子が並ぶようになるっこれらを核にし次第に成長が進み
基板全体に単結晶が成長できる。
また、第３図に示すように絶縁基板に２つ以上の４極を
設け、ての電極間に電界をカロえる。基板上に半導体結
晶が成長するとその薄膜にその成極を逃し電流が流れる
。その４流の作用により結晶はその電流方向に再配列す
ることになるので、電流方向に結晶方向がそろった単結
晶が成長する。
設け、ての電極間に電界をカロえる。基板上に半導体結
晶が成長するとその薄膜にその成極を逃し電流が流れる
。その４流の作用により結晶はその電流方向に再配列す
ることになるので、電流方向に結晶方向がそろった単結
晶が成長する。
以下、本発明の一実施列を図により説明する。
実施列１
第２図を用いて説明するガス導入口４よシＴ Ｅ Ｉ
ｎ ＋ Ｈｚをガス導入口５よりＰＨ３＋Ｈｚを反応管
に導入する。典型的な流量はＴＥＩｎ＝０．５ｃｒｒ？
〃知、 Ｐ Ｈ３＝ ｌ Ｏ０ｃｍ３／ｍ１ｙｒ 、
Ｈ２＝３０００ｃｎｔ３／馴でちる。基板１をヒーター
６により４００〜７０ ＱＣ，典型的には５５０ＣＫ熱
する。ポンプ８によシガスを排気し考反応管の圧力を適
当な１直、例えば３８ＴＯｒｒにする。成極２に電源３
を接ぎ、電界破壊がおきない程度の磁界を加える。
ｎ ＋ Ｈｚをガス導入口５よりＰＨ３＋Ｈｚを反応管
に導入する。典型的な流量はＴＥＩｎ＝０．５ｃｒｒ？
〃知、 Ｐ Ｈ３＝ ｌ Ｏ０ｃｍ３／ｍ１ｙｒ 、
Ｈ２＝３０００ｃｎｔ３／馴でちる。基板１をヒーター
６により４００〜７０ ＱＣ，典型的には５５０ＣＫ熱
する。ポンプ８によシガスを排気し考反応管の圧力を適
当な１直、例えば３８ＴＯｒｒにする。成極２に電源３
を接ぎ、電界破壊がおきない程度の磁界を加える。
これは反応管内の圧力に依存し３８ Ｔｏｒｒ Ｃ１場
合、ＩＫＶ／ｃｍｄ度である。この状態で成長を開始し
。
合、ＩＫＶ／ｃｍｄ度である。この状態で成長を開始し
。
数原子層ついた後は、電界をかけても、かけなくてもよ
い。
い。
実施例はＭＯＣＶＤＫ電界を加える例であるが、ＭＯＭ
ＢＥ、ハイドライド、タロライド法、及び磁界を用いて
も同様の原理により可能である。
ＢＥ、ハイドライド、タロライド法、及び磁界を用いて
も同様の原理により可能である。
またＩｎＰの他にＱａ Ａ−ｓ 、 Ｉ ｎＧａλｓ、
ＩｎＧａＡＳＰ等の成長にも有効である。
ＩｎＧａＡＳＰ等の成長にも有効である。
実施例２
第３図において絶縁基板１１（Ｓｉ０２）に電狐１２を
つける。電極はＡｔ、Ｓｉなどを蒸着したものである。
つける。電極はＡｔ、Ｓｉなどを蒸着したものである。
他には高温で原料ガスに犯され々いものであれば使うこ
とがでさる。この成極１２に電源３を接続し電界を加え
る。電界強度は原料ガス中に絶縁破壊を起こす′ｄ圧よ
り小さくする。一方生じた薄膜に電流が流れた場合ジュ
ール熱により膜が破壊されない電圧より小さくする。
とがでさる。この成極１２に電源３を接続し電界を加え
る。電界強度は原料ガス中に絶縁破壊を起こす′ｄ圧よ
り小さくする。一方生じた薄膜に電流が流れた場合ジュ
ール熱により膜が破壊されない電圧より小さくする。
第４図において第３図で示した基板イヒーター１５の上
にのせる。以下ノンドープＩｎＰｔ：成長した例を示す
。５Ｘ５ｃ肩の基板１１を用い電極１２０間の距離は４
．５ ｃｒｎとした。加えた電圧は１００〜５００ｖで
あるが、物質のエネルギーギャップやキャリア濃度によ
り電圧はおのずと変わる。ヒーターによシ基板温度を５
００〜７００Ｃにする。ガス導入口１６よりＴＥ Ｉ
ｎ 、 ＰＨ３。
にのせる。以下ノンドープＩｎＰｔ：成長した例を示す
。５Ｘ５ｃ肩の基板１１を用い電極１２０間の距離は４
．５ ｃｒｎとした。加えた電圧は１００〜５００ｖで
あるが、物質のエネルギーギャップやキャリア濃度によ
り電圧はおのずと変わる。ヒーターによシ基板温度を５
００〜７００Ｃにする。ガス導入口１６よりＴＥ Ｉ
ｎ 、 ＰＨ３。
Ｈ２を反応管１４に導入する。ポンプ１７により排気し
、反応管内の圧力を３８”ｆｏｒｒにする。基板に輸送
されｆｃ、ｌＪＸ料ガバガス板上で分解しＩｎＰ薄膜が
成長する。数原子１奮成長すると電流が流れ始める。数
原子層〜数士原子１層成長終えた後はぼ圧を加えても刃
口えなくてもよい。
、反応管内の圧力を３８”ｆｏｒｒにする。基板に輸送
されｆｃ、ｌＪＸ料ガバガス板上で分解しＩｎＰ薄膜が
成長する。数原子１奮成長すると電流が流れ始める。数
原子層〜数士原子１層成長終えた後はぼ圧を加えても刃
口えなくてもよい。
この実月例はＭＯＣＶＤ法の例であるが他の、’ｋｆＯ
Ｍ１３Ｅ 、ハイドライド、クロライド法などなどハ＋
Ｅ（クーＳＦ５＋げ謙、■４イー ☆ｔふ一シ、す４〔
発明の効果〕 本発明によれば、低価格の非晶質基板にＩｎＰ。
Ｍ１３Ｅ 、ハイドライド、クロライド法などなどハ＋
Ｅ（クーＳＦ５＋げ謙、■４イー ☆ｔふ一シ、す４〔
発明の効果〕 本発明によれば、低価格の非晶質基板にＩｎＰ。
Ｑ ａ Ａ Ｓ等の単結晶の成長ができるので、高効率
、低コストの太陽電池々どの半導体装置ができる。
、低コストの太陽電池々どの半導体装置ができる。
大面積化も容易である。基板には絶縁体を用いることが
できるのでＴＰＴ （Ｔｈｉｎ ｋ’百ｍ ’、ｐｒａ
ｍｓｉｓｔｏｒ ）が容易にできそれを利用したＩＣが
低価格でできる。
できるのでＴＰＴ （Ｔｈｉｎ ｋ’百ｍ ’、ｐｒａ
ｍｓｉｓｔｏｒ ）が容易にできそれを利用したＩＣが
低価格でできる。
第１図は本発明の原理説明図、第２図は実施例した説明
する図、第３図は実施例２を説明する図。 第４図は結晶成長装置の概略図でちる。 １・・・基板、２・・・成極、３・・・電源、４・・・
ガス導入口、５・・・ガス導入口、６・・・ヒータ、７
・・・反応管、８・・・ボ／ブ、１１・・・絶縁基板、
１２・・・成極、１３・・・電源、１４・・・反応管、
１５・・・ヒーター、１６・・・ガス導入口、１７・・
・ポンプ。 代理人 弁理士 小川勝男 ゛ 鷺 ｌ １口 第 ２ 凹 項 ３０ ￥４−図
する図、第３図は実施例２を説明する図。 第４図は結晶成長装置の概略図でちる。 １・・・基板、２・・・成極、３・・・電源、４・・・
ガス導入口、５・・・ガス導入口、６・・・ヒータ、７
・・・反応管、８・・・ボ／ブ、１１・・・絶縁基板、
１２・・・成極、１３・・・電源、１４・・・反応管、
１５・・・ヒーター、１６・・・ガス導入口、１７・・
・ポンプ。 代理人 弁理士 小川勝男 ゛ 鷺 ｌ １口 第 ２ 凹 項 ３０ ￥４−図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、原料ガスを供給する部分とそれらのガスを導入し反
応させ気相成長させる反応部より成る気相成長方法にお
いて、ＩｎＰ、ＧａＡｓなどの偏極分子に電界もしくは
磁界を作用させ分子を一定方向にし、非晶質基板にも単
結晶を成長できることを特徴とする気相成長方法。 ２、上記電界の作用が電流を流すことであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20785186A JPS6364323A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20785186A JPS6364323A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364323A true JPS6364323A (ja) | 1988-03-22 |
Family
ID=16546575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20785186A Pending JPS6364323A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364323A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380746A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Kiyohara Masako | 電話保留音発生装置 |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP20785186A patent/JPS6364323A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0380746A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-05 | Kiyohara Masako | 電話保留音発生装置 |
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