JPS6360572A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPS6360572A JPS6360572A JP61206192A JP20619286A JPS6360572A JP S6360572 A JPS6360572 A JP S6360572A JP 61206192 A JP61206192 A JP 61206192A JP 20619286 A JP20619286 A JP 20619286A JP S6360572 A JPS6360572 A JP S6360572A
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- lens
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- mesa
- shaped
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、集光レンズを持つ半導体発光装置の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
第５図〜第８図は例えば工ＩＥＩ 、 ｆｆ、（ｌｕａ
ｎｔｕｍ Ｅｌ・ａｔｒｏｎ ＶＯＬＱｌｌｔ １）、
Ａ２．１７４〜ｌフ８Ｐに記載され念従来の面発光ＩＪ
Ｄの製造方法である。
ｎｔｕｍ Ｅｌ・ａｔｒｏｎ ＶＯＬＱｌｌｔ １）、
Ａ２．１７４〜ｌフ８Ｐに記載され念従来の面発光ＩＪ
Ｄの製造方法である。
図において、（１）は工ｎｐ基板、（２）ｔ！レジスト
、Ｃ３）はボストベークによって球面状になったレジス
ト、（４）はイオンビーム、Ｃ５）は球面加工されたレ
ンズである。
、Ｃ３）はボストベークによって球面状になったレジス
ト、（４）はイオンビーム、Ｃ５）は球面加工されたレ
ンズである。
次に作用について説明する。第５図において、Ｍ 板（
１）上に、円板状のレジストパターン（２）を形成し、
高温でポストベーキングすることによって、第６図のよ
うに、表面張力のなめにレジスト（２）は球面状（３）
となる。
１）上に、円板状のレジストパターン（２）を形成し、
高温でポストベーキングすることによって、第６図のよ
うに、表面張力のなめにレジスト（２）は球面状（３）
となる。
次に、第６図において、球面状レジスト（３）の斜方向
周囲ふらイオンビームを照射すると、レジストＣ３）の
薄一部分からレジストが除去され、基板（１）がエツチ
ングされるため（第７図）球面状レジスト（３）と同形
状のレンズ（５）が形成される・（第８図〔発明が解決
しようとする問題点〕 従来の球面加工の方法では、レジストをベータすること
によって表面張力を利用して球面状にしているため、球
面の寸法や曲率等の自由度に制限があった。
周囲ふらイオンビームを照射すると、レジストＣ３）の
薄一部分からレジストが除去され、基板（１）がエツチ
ングされるため（第７図）球面状レジスト（３）と同形
状のレンズ（５）が形成される・（第８図〔発明が解決
しようとする問題点〕 従来の球面加工の方法では、レジストをベータすること
によって表面張力を利用して球面状にしているため、球
面の寸法や曲率等の自由度に制限があった。
ま之、イオンビームを斜め方向から、Ｉ′ｉｉＩ圀に照
射せねばならぬなど、装置、工程が複雑にならざる得な
かった。
射せねばならぬなど、装置、工程が複雑にならざる得な
かった。
この発明は上記のような間雇点を解消するためになされ
たもので、レンズの大きさや曲率等を自由に制御できる
とともに、特別な装置、技術等を必要とせずに、簡便か
つ高い歩留りで、基板上に球面加工を施すことができる
半導体発光装置の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、レンズの大きさや曲率等を自由に制御できる
とともに、特別な装置、技術等を必要とせずに、簡便か
つ高い歩留りで、基板上に球面加工を施すことができる
半導体発光装置の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体発光装置は半導体基板の面にエツ
チングによって形成されたメサ形もしくは柱状の突部を
持つ表面上に結晶成長を行なうことによって、レンズを
形成する方法である。
チングによって形成されたメサ形もしくは柱状の突部を
持つ表面上に結晶成長を行なうことによって、レンズを
形成する方法である。
この発明における半導体堆積層は、突部を持つ表面をな
だらかにし、レンズを形成する。
だらかにし、レンズを形成する。
以下この発明の一実施例について説明する。第１図〜第
３図において、（１）は複数の半導体領域からなり装置
本体を構成する基板であって、この実施例ではＩｎｐ系
基板基板２）はレジスジ、（ロ）はエツチングによって
形成されたメサ構造、ゆけ半導体堆積層であってこの実
施例ではＩｕｐ層、（６）は装置本体からの出力光を収
束するレンズ部分であって、この実施例では液相成長に
よってパターン上に形成された工ｎＰレンズである。
３図において、（１）は複数の半導体領域からなり装置
本体を構成する基板であって、この実施例ではＩｎｐ系
基板基板２）はレジスジ、（ロ）はエツチングによって
形成されたメサ構造、ゆけ半導体堆積層であってこの実
施例ではＩｕｐ層、（６）は装置本体からの出力光を収
束するレンズ部分であって、この実施例では液相成長に
よってパターン上に形成された工ｎＰレンズである。
次に、製造方法について説明する。第１図において、基
板（１）の光を取り出す側の面に写真製版によって円形
のレジストパターンを構成する。
板（１）の光を取り出す側の面に写真製版によって円形
のレジストパターンを構成する。
次に、第２図において、エツチングによってメサ形構造
Ｇ力を基板（１）上に形成する。
Ｇ力を基板（１）上に形成する。
次に、第３図において、液相成長によってＩｎｐ堆積層
（ロ）を基板（１）上に適当な条件で成長することによ
フて、メサ形構造［Ｆ］Ｄ上に球面状の工ｎｐが形成さ
れ、レンズ部分（ロ）が得られる。
（ロ）を基板（１）上に適当な条件で成長することによ
フて、メサ形構造［Ｆ］Ｄ上に球面状の工ｎｐが形成さ
れ、レンズ部分（ロ）が得られる。
次に、動作について説明する。第４図において発光領域
（５１）から放出された光出力（７）は、レンズ（ロ）
によって集光され効率よくファイバー（６）に入射され
る。
（５１）から放出された光出力（７）は、レンズ（ロ）
によって集光され効率よくファイバー（６）に入射され
る。
なお、上記実施例ではエリ基板に液相成長によって工ｎ
ｐを成長させ念が、他の材料に他の結晶成長の方法を用
いても有効である。ｔな、上記実施例では、基板に台形
状パターン（ロ）を形成したが、他の形状、例えば円柱
等のメサを形成し、その上に結晶成長して奄レンズを形
成することが可能である。
ｐを成長させ念が、他の材料に他の結晶成長の方法を用
いても有効である。ｔな、上記実施例では、基板に台形
状パターン（ロ）を形成したが、他の形状、例えば円柱
等のメサを形成し、その上に結晶成長して奄レンズを形
成することが可能である。
以上のように、この発明によれば、半導体基板上に結晶
成長によってレンズを形成したので、レンズの曲率、大
きさ等が自由に、かつ簡便に形成できるなめ、高い結合
率を持った面発光半導体装置の製造が可能となる。
成長によってレンズを形成したので、レンズの曲率、大
きさ等が自由に、かつ簡便に形成できるなめ、高い結合
率を持った面発光半導体装置の製造が可能となる。
第１図〜第３図は、この発明の一実施例によるレンズの
製造工程を示す断面図、第８図はこの発明の一実施例に
よる半導体発光装置の動作を示す断面図である。第４図
〜第１図は従来の半導体発光装置の製造工程を示す断面
図である。 図において、（１）は基板、０℃は凸部、（ロ）は堆ｖ
！１層、□□□はレンズ部分である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
製造工程を示す断面図、第８図はこの発明の一実施例に
よる半導体発光装置の動作を示す断面図である。第４図
〜第１図は従来の半導体発光装置の製造工程を示す断面
図である。 図において、（１）は基板、０℃は凸部、（ロ）は堆ｖ
！１層、□□□はレンズ部分である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）複数の半導体領域からなり装置本体を構成する基
板の最上層の前記領域を加工し、メサ形もしくは柱状の
凸部を持つた表面を形成する工程と下地よりもなだらか
な膜面を形成する堆積法を用いて前記表面上に前記最上
層領域と同一材質の半導体堆積層を形成し、前記本体か
らの出力光を収束するレンズ部分を形成する工程とを 備えた半導体発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206192A JPS6360572A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61206192A JPS6360572A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360572A true JPS6360572A (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=16519328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61206192A Pending JPS6360572A (ja) | 1986-09-01 | 1986-09-01 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6360572A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364221A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Keiichiro Taya | 高周波信号分岐方法 |
| JP2009198920A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光モジュール |
| JP2009199037A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光モジュール |
-
1986
- 1986-09-01 JP JP61206192A patent/JPS6360572A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0364221A (ja) * | 1989-08-02 | 1991-03-19 | Keiichiro Taya | 高周波信号分岐方法 |
| JP2009198920A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光モジュール |
| JP2009199037A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光モジュール |
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