JPS6360473U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6360473U JPS6360473U JP15179386U JP15179386U JPS6360473U JP S6360473 U JPS6360473 U JP S6360473U JP 15179386 U JP15179386 U JP 15179386U JP 15179386 U JP15179386 U JP 15179386U JP S6360473 U JPS6360473 U JP S6360473U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- vacuum
- processing chamber
- evacuated
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は、この考案の一実施例に係るエツチン
グ装置を示す概略図である。第２図は、この考案
の背景となるエツチング装置の一例を示す概略図
である。 ２……イオン源、１４……ガス切替器、１６…
…イオンビーム、２２……プラズマ、２４……試
料、３２……高周波電源、４０……第１の処理室
、４４……第２の処理室、５０……予備室、５２
〜５５……ゲート弁、６１〜６３……搬送ベルト
。
グ装置を示す概略図である。第２図は、この考案
の背景となるエツチング装置の一例を示す概略図
である。 ２……イオン源、１４……ガス切替器、１６…
…イオンビーム、２２……プラズマ、２４……試
料、３２……高周波電源、４０……第１の処理室
、４４……第２の処理室、５０……予備室、５２
〜５５……ゲート弁、６１〜６３……搬送ベルト
。
Claims (1)
- 試料にイオンビームを照射して当該試料をエツ
チングするイオン源が設けられていて真空に排気
される第１の処理室と、試料の近傍にプラズマを
生成させて当該試料をエツチングするプラズマ生
成手段が設けられていて真空に排気される第２の
処理室と、第１および第２の処理室間にあつて両
室に真空弁を介してそれぞれ隣接されていて真空
に排気される予備室と、試料を第１の処理室、予
備室および第２の処理室間で搬送する搬送手段と
を備えることを特徴とするエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15179386U JPS6360473U (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15179386U JPS6360473U (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360473U true JPS6360473U (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=31069187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15179386U Pending JPS6360473U (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6360473U (ja) |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP15179386U patent/JPS6360473U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6360473U (ja) | ||
| JPS63127125U (ja) | ||
| JPS61176258U (ja) | ||
| JPH0229150U (ja) | ||
| JPH0211159U (ja) | ||
| JPS62188138U (ja) | ||
| JPS62157968U (ja) | ||
| GB1077246A (en) | Method and apparatus for sterilizing | |
| JPH0388258U (ja) | ||
| JPS6228838U (ja) | ||
| JPH01158640U (ja) | ||
| JPH0374660U (ja) | ||
| JPH0176033U (ja) | ||
| JPS62136569U (ja) | ||
| JPS5574050A (en) | Ion source device for particle accelerator | |
| JPH01115153U (ja) | ||
| JPS6281100U (ja) | ||
| JPH01115152U (ja) | ||
| JPS6311560U (ja) | ||
| JPS6231900U (ja) | ||
| JPH01155639U (ja) | ||
| JPH01119052U (ja) | ||
| JPS6447030A (en) | Plasma etching device | |
| JPS6361123U (ja) | ||
| JPS6224941U (ja) |