JPS6360473U - - Google Patents

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JPS6360473U
JPS6360473U JP15179386U JP15179386U JPS6360473U JP S6360473 U JPS6360473 U JP S6360473U JP 15179386 U JP15179386 U JP 15179386U JP 15179386 U JP15179386 U JP 15179386U JP S6360473 U JPS6360473 U JP S6360473U
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JP
Japan
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sample
vacuum
processing chamber
evacuated
etching
Prior art date
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Pending
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JP15179386U
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

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【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の一実施例に係るエツチン
グ装置を示す概略図である。第2図は、この考案
の背景となるエツチング装置の一例を示す概略図
である。 2……イオン源、14……ガス切替器、16…
…イオンビーム、22……プラズマ、24……試
料、32……高周波電源、40……第1の処理室
、44……第2の処理室、50……予備室、52
〜55……ゲート弁、61〜63……搬送ベルト

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 試料にイオンビームを照射して当該試料をエツ
    チングするイオン源が設けられていて真空に排気
    される第1の処理室と、試料の近傍にプラズマを
    生成させて当該試料をエツチングするプラズマ生
    成手段が設けられていて真空に排気される第2の
    処理室と、第1および第2の処理室間にあつて両
    室に真空弁を介してそれぞれ隣接されていて真空
    に排気される予備室と、試料を第1の処理室、予
    備室および第2の処理室間で搬送する搬送手段と
    を備えることを特徴とするエツチング装置。
JP15179386U 1986-10-02 1986-10-02 Pending JPS6360473U (ja)

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JP15179386U JPS6360473U (ja) 1986-10-02 1986-10-02

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JP15179386U JPS6360473U (ja) 1986-10-02 1986-10-02

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JPS6360473U true JPS6360473U (ja) 1988-04-22

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ID=31069187

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JP15179386U Pending JPS6360473U (ja) 1986-10-02 1986-10-02

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